TW200302772A - Procedure for the electrical contacting of two metal structures - Google Patents

Description

200302772 ⑴ 坎、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡|說明) 技術領域 本發明係關於金屬-塑膠疊片之導電層之接觸之一種方 法。 先前技術 金屬-塑膠疊片之製造之方法係自德國專利198 52 832 知I ’其中袁初使至少一層金屬洎黏著於至少一層塑膠膜 ，例如經由黏著劑之使用，因此該金屬箔係經由至少一種 金屬接觸區域之浮花壓製及/或深引伸而成形，然後該金屬 羯係疊合於該至少一層塑膠膜而同時該金屬箔之形狀係 (幾乎）保持。此外，於其中敘述經由浮花壓製及/或深引伸 芏少一種金屬接觸區域而成形至少一層金屬箔及疊合該金 屬羯於至少一層塑膠膜，以使該金屬箱之金屬接觸區域之 側剖囬係幾乎保持，其中該至少一種金屬接觸區域於疊合 之後具有20至5 0微米之表面側剖面高度。 、已，定，該疊片之導電層可係於期望之位置接觸而同時 進行疊合之步驟。對於此種目的，於絕緣層中於設計之接 觸位置提供凹部或於該金屬層上之浮花壓製之凸出物穿透 或替代該絕緣層一其於使用之溫度下係柔軟的〜致使可建 立電接觸，例如經由熔接、軟焊、壓擠、皺縮、鉚接、黏 接、燒結、反應溶接、或反應接合。 於此種方法中’使用至少-個浮花壓製之金屬接觸區域 使用最先進之方法及工具’例如使用可碉 節之精確浮花壓製壓印器而進行。該金屬落之表面側剖面 (2) (2)200302772

發明說輯續 S 係根據於每個個別之案例中需要之電性質而建立。 發明内容 本發明因此係關於使兩金屬結構電接觸之—種方法，並 中至少一種之該等金屬結構 〆、 ,^ , θ ^ 偁於其之回向戎弟二種金屬結構 ，、有自-平面凸出之接合區’其中一種電絕緣層係 安排於該等金屬結構之間1中一種金屬結構係疊合於該 電絕緣層及該第二種金屬結構係、於其後或同時疊合於該電 絕緣層，及其中該等兩金屬結構係當進行該第二種金屬 構之疊合於該電絕緣層時電接觸。 較佳地，該第二種金屬結構係導體軌道結構。 較佳地’該至少-種金屬結構之接觸㈣穿透該絕緣層 ，俾能建立電接觸。 具有金屬結構’此等結構皆包含接觸區，此等接觸區自 分別之金屬結構凸出、及彼此互相面對、及變成彼此互相 連接，係有利的。 較佳地，該等金屬結構之一種係如自身支持之結構供 應。 該等金屬結構之一種係經由電子構件之接觸位置而供應 ，係可能的。 將一種金屬結構疊合於連續之絕緣層，以使該等金屬結 構之至少一種之接觸區係穿透該絕緣層，係特別較佳的。 疊合有利地係於約1.5至3巴之壓力及於約12〇 _ 18〇。〇之 温度進行。 對於該炙少一種金屬接觸區域提供再浮花壓製之可能性 200302772 (3) 發明說明繼 俾能沬化及因此改良其之側剖面，亦係有利的。 使用銅箔以供應該金屬箔，係較佳的。對於在此領域中 之專家，適合之塑膠膜（轉移膜）係已知的，例如聚丙烯酸 膜。 具有根據本發明建立之電接觸之疊片可係使用例如，作 為半辱體托架、積體電路（IC)殼之零件、疊合之連接器、滑 件、電刷、連接器（倒裝晶片（fHp chip))、偵測器或電機工 之相似地設計之其他接觸設施。 實施方式 圖1顯示具有浮花壓製之金屬結構之導體軌道之俯視 ^圖2顯示二個部份結構於接合彼等之前之截面，及圖3 不對應之接合結構，其中電接合係自⑴建立，其中3表 不具有浮花壓製之第二種金屬結構。轉移膜係以元件編號 表不及可係负頦明構造的（structured)或可係不具有顯明構 造的。元件編號4表示位置，其中該電接合（倘若需要）可係 經由適合之方法’例如經由溶接、軟焊、壓擠、皺縮 接、黏接、燒結、反應溶接、或反應接合’而閉合。 圖5顯示經由浮花壓製而自二個相對之面產生接合4之可 =擇方案。5表示相似於圖！中之3之金屬結構，其差異為 構係自下方浮花壓製。圖示於接合彼等之前之二個 構。 圖6顯不當金屬結構係由引導架6提供時之關係。圖7顯… =部份結構於接合彼等之前之載面，及圖8顯示對應之接 5、、、°構，其中電接觸係自ό至3建立。 圖 顯 示 2 鉚 該 結 示 (4) 200302772 發明說嘯頁 生 構 相似於圖5，圖10顯 電接合之可選擇方 不經由浮花壓製而自二個相對之面產 案。圖9顯示於接合彼等之前之二個結 圖11及12顯示於最η彳 、旦片與電子構件7之間於指定之接觸位 置8之電接觸之建立。Λ 、 於甘^ 〇以上，2表示轉移膜。導體執道9 於其之接觸位置不令朔顿 ^ 虚膠。圖13顯示具有建立之電接觸之 攻置之截面。 圖式簡單說明 ;下列中纟發明係根據圖式舉例說明，但本發明不受 限於提供之該等圖式： 个又 圖1』7F種浮；^匕壓製之接觸結構之俯視圖， 圖2顯示二個部份結構於接合彼等之前之截面， 圖3顯示對應之接合結構， 圖4顯示於接合彼等之前之二個結構， 圖5顯示經由浮花壓制 _ 衣而自一個相對之面產生電接合之 可選擇方案， 圖6顯示當金屬結構係由引導架提供時之關係， 圖7顯不二個部份結構於接合彼等之前之截面， 圖8顯示對應之接合結構， 圖9顯示於接合彼等之前之二個結構， 圖1 〇顯示經由浮;^壓製而自二個相對之面產生電接合之 可選擇方案， “ 圖11及12顯示於疊片與電子構件之間之電接觸之建立， 200302772 (5) 發明說明驅. 圖13顯示具有建立之電接觸之裝置之截面。 圖式代表符號說明 1 第一種金屬結構 2 轉移膜 3 不具有浮花壓製之弟二種金屬結構 4 接觸位置 5 自下方浮化壓製之弟二種金屬結構 6 引導架 7 電子構件 8 接觸位置 9 導體執道

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Claims (1)

1. 200302772 拾、申請專利範圍 一種使兩金屬結構電接觸 ^ . h 心万法’其中至少一種之該等 金屬結構於其之面向亨筮 、， 、^卸门4弟一種金屬結構之面上具有自 平面凸出之接觸區’其中電絕緣層係安排於該等金屬結 構之F1 #中一種金屬結構係叠合於該電絕緣層及該第 二種^屬結構係於其後或同時叠合於該電絕緣層，及其 中5亥專兩金屬结爐孫+ ;隹〜 稱知田進仃該第二種金屬結構之疊合 於該電絕緣層時電接觸。 2.

   :據申請專利範圍第1項之方法，其特徵為至少-種該 等至屬”’Q構之接觸區係為了建立電接觸之目的而穿透 該電絕緣層。 J.根據申4專利範圍帛i或2項之方法，其特徵為兩金屬結 構皆包含接觸區，該等接觸區自該等分別之金屬結構之 平面凸出、及彼此互相面對、及變成彼此互相連接。 根據申明專利範圍第1至3項之至少一項之方法，其特徵 為忒等金屬結構之一種係如自身支持之結構供應。

   5.根據申請專利範圍第1至3項之至少一項之方法，其特 欲為該等金屬結構之一種係以電子構件之接觸位置供 應。 根據申請專利範圍第1至5項之至少一項之方法，其特徵 為一種金屬結構係疊合於連續之絕緣層，及其後該等金 屬結構之至少一種之接觸區係穿透該絕緣層。 根據申請專利範圍第1至6項之至少一項之方法，其特徵 為該疊合係於約1.5至3巴之壓力進行。 200302772 8. 根據申請專利範圍第1至7項之至少一項之方法，其特徵 為該疊合係於約120 - 180°C之溫度進行。