JPH04320362A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH04320362A JPH04320362A JP3088137A JP8813791A JPH04320362A JP H04320362 A JPH04320362 A JP H04320362A JP 3088137 A JP3088137 A JP 3088137A JP 8813791 A JP8813791 A JP 8813791A JP H04320362 A JPH04320362 A JP H04320362A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型、セラミック
封止型の半導体装置に係り、特に、高集積化に好適な半
導体装置に関する。
封止型の半導体装置に係り、特に、高集積化に好適な半
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高密度実装を目的とした重ねあわ
せ構造の樹脂封止型半導体装置では特開平１−２５７３
６１ 号公報に開示の様に二本のリードを樹脂内で重ね
、樹脂から外へ出たリード部は一定の間隔をもたせ分離
させている。また、リードを重ねあわせた箇所は樹脂内
に埋め込んだ状態にし、樹脂の外には一本のリードのみ
残し、取り出すという構造もある。
せ構造の樹脂封止型半導体装置では特開平１−２５７３
６１ 号公報に開示の様に二本のリードを樹脂内で重ね
、樹脂から外へ出たリード部は一定の間隔をもたせ分離
させている。また、リードを重ねあわせた箇所は樹脂内
に埋め込んだ状態にし、樹脂の外には一本のリードのみ
残し、取り出すという構造もある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】高密度実装を目的とし
た積層型半導体装置では半導体素子とその周りのボンデ
ィングワイヤ及びワイヤに接続されたリードの一部は樹
脂でモールドされる。しかし、電気信号を外部とやり取
りするためリードを樹脂の外側にだす。この取りだした
箇所は信頼性を低下させる問題箇所となっている。その
理由はリードとリードとを重ね合わせ接合した部分と接
合しない部分とがあり、両者の境い目で剥離を起こしや
すい。剥離が起こるとリードを伝わって水分が侵入しや
すく、素子，ワイヤが腐食，断線につながり易い。一方
、二つのリードの内片方を短く切断して他方のリードに
接合する構造がある。この構造では短いリードの切断部
を樹脂内に埋め込むが、この場合、切断端部が樹脂表面
に近く樹脂の割れを引き起こしやすいという問題がある
。
た積層型半導体装置では半導体素子とその周りのボンデ
ィングワイヤ及びワイヤに接続されたリードの一部は樹
脂でモールドされる。しかし、電気信号を外部とやり取
りするためリードを樹脂の外側にだす。この取りだした
箇所は信頼性を低下させる問題箇所となっている。その
理由はリードとリードとを重ね合わせ接合した部分と接
合しない部分とがあり、両者の境い目で剥離を起こしや
すい。剥離が起こるとリードを伝わって水分が侵入しや
すく、素子，ワイヤが腐食，断線につながり易い。一方
、二つのリードの内片方を短く切断して他方のリードに
接合する構造がある。この構造では短いリードの切断部
を樹脂内に埋め込むが、この場合、切断端部が樹脂表面
に近く樹脂の割れを引き起こしやすいという問題がある
。
【０００４】また、このような積層によって高密度化を
図る半導体装置ではリードが重ね合わされているためリ
ード先端で配線基板にはんだ接合することが厄介になっ
ており、信頼性の高いはんだ接合を行なうことが重要な
課題となっている。
図る半導体装置ではリードが重ね合わされているためリ
ード先端で配線基板にはんだ接合することが厄介になっ
ており、信頼性の高いはんだ接合を行なうことが重要な
課題となっている。
【０００５】このように剥離，水分侵入，腐食，はんだ
接合の点で信頼性を著しく低下させる要因がある。
接合の点で信頼性を著しく低下させる要因がある。
【０００６】本発明の目的はこれらの要因を取り除き、
高信頼の積層型、高密度半導体装置を提供することにあ
る。
高信頼の積層型、高密度半導体装置を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、本発明は複数のリードを強固に全面を張りあわせ、一
方のリードを短く切断し、切断箇所を封止樹脂内に埋る
込むという割れ易い構造はとらず張りあわせリードは封
止樹脂外に取りだす。リードの先端ははんだ接合部材の
中に埋め込む状態にした。また、重ねリードの先端はは
んだ形状を制御できる適切な形状にした。
、本発明は複数のリードを強固に全面を張りあわせ、一
方のリードを短く切断し、切断箇所を封止樹脂内に埋る
込むという割れ易い構造はとらず張りあわせリードは封
止樹脂外に取りだす。リードの先端ははんだ接合部材の
中に埋め込む状態にした。また、重ねリードの先端はは
んだ形状を制御できる適切な形状にした。
【０００８】
【作用】長さを変えて複数枚のリードを重ねるとき一方
のリード端部がパッケージ樹脂表面近くにくるような長
さに切断せず全てのリードがはんだ接合部に十分触れる
ほどの長さをもたせて、リードを互いに接着する。リー
ド先端の剥離が起きやすい接着端ははんだ接合部材の中
に埋め込まれる。これらによって重ね合わされたリード
は剥離が起きにくく水分の侵入を防ぐことができる。ま
た、リード先端の形状によってはんだの厚さ，形状が制
御され、一定、均一にすることができるためはんだ接合
の信頼性が確保できる。
のリード端部がパッケージ樹脂表面近くにくるような長
さに切断せず全てのリードがはんだ接合部に十分触れる
ほどの長さをもたせて、リードを互いに接着する。リー
ド先端の剥離が起きやすい接着端ははんだ接合部材の中
に埋め込まれる。これらによって重ね合わされたリード
は剥離が起きにくく水分の侵入を防ぐことができる。ま
た、リード先端の形状によってはんだの厚さ，形状が制
御され、一定、均一にすることができるためはんだ接合
の信頼性が確保できる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１から図５を用い
て説明する。
て説明する。
【００１０】〈実施例１〉図１は二つのリード・オン・
チップ構造の半導体素子に向かいあわせて積層した樹脂
封止型半導体装置の断面図である。半導体素子１Ａ，１
Ｂの回路面には電気信号用リード５Ａ，５Ｂが絶縁フィ
ルム３を介して接着剤で接着されている。素子１Ａ，１
Ｂと電気信号用リード５Ａ，５Ｂとはボンディングワイ
ヤで接続される。リードはＦｅ−４０Ｎｉ合金，Ｃｕ等
の材料でリードフレームとして一体に成形される。リー
ドフレームの厚さは０．１〜０．１５ｍｍである。半導
体素子とリードとをボンディングワイヤで結線した状態
で互いに向かいあわせ、リード部を圧接し、接合する。 この時、リード接合部には予め導電性接着剤を塗布して
おく。接着剤の他にはんだ（予備処理）を用いる場合も
ある。リード部で相互に接合された半導体素子はモール
ド金型に設置され、モールド樹脂４で封止される。モー
ルド樹脂４はフェノール系樹脂にシリコンゴム，フィラ
を混在させた樹脂である。モールド後にリードはフレー
ムから切り離される。リードは二箇所で折り曲げ、先端
平坦部５Ａ（１），５Ｂ（１）が成形される。
チップ構造の半導体素子に向かいあわせて積層した樹脂
封止型半導体装置の断面図である。半導体素子１Ａ，１
Ｂの回路面には電気信号用リード５Ａ，５Ｂが絶縁フィ
ルム３を介して接着剤で接着されている。素子１Ａ，１
Ｂと電気信号用リード５Ａ，５Ｂとはボンディングワイ
ヤで接続される。リードはＦｅ−４０Ｎｉ合金，Ｃｕ等
の材料でリードフレームとして一体に成形される。リー
ドフレームの厚さは０．１〜０．１５ｍｍである。半導
体素子とリードとをボンディングワイヤで結線した状態
で互いに向かいあわせ、リード部を圧接し、接合する。 この時、リード接合部には予め導電性接着剤を塗布して
おく。接着剤の他にはんだ（予備処理）を用いる場合も
ある。リード部で相互に接合された半導体素子はモール
ド金型に設置され、モールド樹脂４で封止される。モー
ルド樹脂４はフェノール系樹脂にシリコンゴム，フィラ
を混在させた樹脂である。モールド後にリードはフレー
ムから切り離される。リードは二箇所で折り曲げ、先端
平坦部５Ａ（１），５Ｂ（１）が成形される。
【００１１】〈実施例２〉図２にリードフレーム付き半
導体素子を２個向かいあわせ、リードを接合して形成す
る他の積層型パッケージを示す。リード５Ａ，５Ｂは素
子側から所定のところまで接着剤、あるいは予備はんだ
が施され接合される。モールド後にリードフレームから
切り離される。露出したリードには互いに接合された箇
所と先端の接合されない箇所であるリード端部５Ａ（１
），５Ｂ（１）が設けられる。リード先端５Ｂ（１）の
長さは０．０５〜１．５ｍｍである。リード先端５Ａ（
１）は成形治具で角度８０°ないし９０°にまげられる
。リード先端５Ａ（１），５Ｂ（１）が別れる箇所は接
合剤が無くなる接合−非接合の分岐点にである。最終工
程（Ｄ）ではリーザがモールド樹脂根元で曲げられる。
導体素子を２個向かいあわせ、リードを接合して形成す
る他の積層型パッケージを示す。リード５Ａ，５Ｂは素
子側から所定のところまで接着剤、あるいは予備はんだ
が施され接合される。モールド後にリードフレームから
切り離される。露出したリードには互いに接合された箇
所と先端の接合されない箇所であるリード端部５Ａ（１
），５Ｂ（１）が設けられる。リード先端５Ｂ（１）の
長さは０．０５〜１．５ｍｍである。リード先端５Ａ（
１）は成形治具で角度８０°ないし９０°にまげられる
。リード先端５Ａ（１），５Ｂ（１）が別れる箇所は接
合剤が無くなる接合−非接合の分岐点にである。最終工
程（Ｄ）ではリーザがモールド樹脂根元で曲げられる。
【００１２】分岐したリード付きパッケージを搭載基板
にはんだ材料で実装した状態を図３に示す。リード端５
Ａ（１），５Ｂ（１）にはんだ６が介在して基板７に接
合される。リード先端５Ｂ（１）ははんだの内部に埋も
れた状態になり、これによってリード端５Ａ（１）と基
板７との間のはんだ厚さが規定される。
にはんだ材料で実装した状態を図３に示す。リード端５
Ａ（１），５Ｂ（１）にはんだ６が介在して基板７に接
合される。リード先端５Ｂ（１）ははんだの内部に埋も
れた状態になり、これによってリード端５Ａ（１）と基
板７との間のはんだ厚さが規定される。
【００１３】〈実施例３〉二つの素子を重ねて積層した
樹脂封止型半導体パッケージのリード構造の異なる他の
例を図４に示した。モールド樹脂から伸び出た二枚重ね
のリードは二箇所で折り曲げられる。一枚リードで先端
５Ａ（１）形成される。他方の短リード５Ｂ（２）はリ
ード５Ａ（２）より短く切断され、その先端は折り曲げ
箇所から０．１〜０．５ｍｍ素子１Ａ側に位置する。は
んだ材料でリードが基板に接合されたとき、はんだは濡
れによりリードに沿って上がっていくがリード５Ｂ（２
）の短部で食い止められる。このため、はんだによって
隣接するリーザ間がつながる、いわゆる、はんだブリッ
ジが起こる危険性が極めて低くなる。また、はんだの濡
れ上がりが無くなり、濡れ形状は安定して一定な形状に
なる。
樹脂封止型半導体パッケージのリード構造の異なる他の
例を図４に示した。モールド樹脂から伸び出た二枚重ね
のリードは二箇所で折り曲げられる。一枚リードで先端
５Ａ（１）形成される。他方の短リード５Ｂ（２）はリ
ード５Ａ（２）より短く切断され、その先端は折り曲げ
箇所から０．１〜０．５ｍｍ素子１Ａ側に位置する。は
んだ材料でリードが基板に接合されたとき、はんだは濡
れによりリードに沿って上がっていくがリード５Ｂ（２
）の短部で食い止められる。このため、はんだによって
隣接するリーザ間がつながる、いわゆる、はんだブリッ
ジが起こる危険性が極めて低くなる。また、はんだの濡
れ上がりが無くなり、濡れ形状は安定して一定な形状に
なる。
【００１４】〈実施例４〉面実装に用いられるＪベンド
リード型パッケージに適用した積層型パッケージの実施
例を図５に示す。封止樹脂から伸びた重ねリードは二度
曲げられ、Ｊ字型に形成されたリード５Ｂ（１）の先端
はパッケージのそこに設けられたくぼみに入る。Ｊ字型
に曲げられたリード先端５Ｂ（１）と他一方のＬ字型に
曲げられたリード５Ａ（１）とが分岐する箇所までは二
枚のリードは強固に接合される。リード５（１）の長さ
はリード５Ｂ（１）と比べて短く０．１〜０．３ｍｍで
ある。この重ねリードのはんだ実装では分岐したリード
の間にはんだ材料が入り基板７と接合される。このため
従来のＪ字型のはんだ接合に比べはんだ接合層の幅が広
く安定したものになる。
リード型パッケージに適用した積層型パッケージの実施
例を図５に示す。封止樹脂から伸びた重ねリードは二度
曲げられ、Ｊ字型に形成されたリード５Ｂ（１）の先端
はパッケージのそこに設けられたくぼみに入る。Ｊ字型
に曲げられたリード先端５Ｂ（１）と他一方のＬ字型に
曲げられたリード５Ａ（１）とが分岐する箇所までは二
枚のリードは強固に接合される。リード５（１）の長さ
はリード５Ｂ（１）と比べて短く０．１〜０．３ｍｍで
ある。この重ねリードのはんだ実装では分岐したリード
の間にはんだ材料が入り基板７と接合される。このため
従来のＪ字型のはんだ接合に比べはんだ接合層の幅が広
く安定したものになる。
【００１５】以上、二枚重ねの積層パッケージの構造に
ついて述べてきたがこの重ね構造は三枚重ね、四枚重ね
と多数重ねる場合にもあてはまる。
ついて述べてきたがこの重ね構造は三枚重ね、四枚重ね
と多数重ねる場合にもあてはまる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、半導体素子を複数重ね
合わせたパッケージの重ねリードの接着端箇所をはんだ
接合部材に接触するように、あるいは埋め込まれるよう
に基板にはんだ付けすることができる。これによって重
ね合わされたリードは剥離が起きにくい。また、リード
先端の形状によってはんだの厚さ，形状が制御され一定
、且つ均一になる。はんだ接合部の厚さが減少したり、
接合面積が減少すると熱応力が増大し亀裂発生の危険性
があるが本発明のようなはんだ形状が一定、且つ均一に
なることにより信頼性の高いはんだ接合を実現すること
ができる。リードの先端がはんだ内埋め込まれる場合に
は温度サイクルによってはんだに亀裂が入っても強靭な
リードで食い止められるという効果がある。
合わせたパッケージの重ねリードの接着端箇所をはんだ
接合部材に接触するように、あるいは埋め込まれるよう
に基板にはんだ付けすることができる。これによって重
ね合わされたリードは剥離が起きにくい。また、リード
先端の形状によってはんだの厚さ，形状が制御され一定
、且つ均一になる。はんだ接合部の厚さが減少したり、
接合面積が減少すると熱応力が増大し亀裂発生の危険性
があるが本発明のようなはんだ形状が一定、且つ均一に
なることにより信頼性の高いはんだ接合を実現すること
ができる。リードの先端がはんだ内埋め込まれる場合に
は温度サイクルによってはんだに亀裂が入っても強靭な
リードで食い止められるという効果がある。
【００１７】以上、はんだ接合により剥離，水分侵入，
腐食，亀裂に対して高い信頼性を得ることができ、高信
頼性の高密度積層型半導体装置が提供できる。
腐食，亀裂に対して高い信頼性を得ることができ、高信
頼性の高密度積層型半導体装置が提供できる。
【図１】本発明の一実施例を示す樹脂封止型半導体装置
の断面図。
の断面図。
【図２】重ねリードを形成する工程の説明図。
【図３】本発明の第二の実施例を示す樹脂封止型半導体
装置のリード近くの断面図。
装置のリード近くの断面図。
【図４】本発明の第三の実施例を示す樹脂封止型半導体
装置のリード近くの断面図。
装置のリード近くの断面図。
【図５】本発明の第四の実施例を示す樹脂封止型半導体
装置のリード近くの断面図。
装置のリード近くの断面図。
【図６】従来の半導体素子を二枚重ねた樹脂封止型の半
導体装置の断面図。
導体装置の断面図。
１Ａ，１Ｂ…ＤＲＡＭ ＳＲＡＭ等の半導体素子、２
…ボンディングワイヤ、３…絶縁性フィルム、４…封止
樹脂、５Ａ，５Ｂ…リード、６…はんだ、７…実装基板
。
…ボンディングワイヤ、３…絶縁性フィルム、４…封止
樹脂、５Ａ，５Ｂ…リード、６…はんだ、７…実装基板
。
Claims (4)
- 【請求項１】半導体素子と、前記半導体素子上の電極を
外に取り出し、配線基板に接続するためのリードとから
なる構成要素として、前記構成要素を対向、あるいは同
じ向きに重ねあわせて積層する半導体装置において、前
記リードの重ね合わせをほぼ全長にわたって接合、曲げ
たことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記構成要素の重ね合
わせに、前記リードの先端の一リードを被搭載配線基板
にほぼ平行に曲げ、他のリードを短くした樹脂封止型半
導体装置。 - 【請求項３】請求項２において、前記リードの先端の一
リードを配線基板にほぼ平行に曲げ、他のリードを短く
して配線基板に垂直に向かせ、垂直に向くリードを平行
にした他リードより突き出させた樹脂封止型半導体装置
。 - 【請求項４】請求項１において、前記構成要素の重ね合
わせに、リード先端の一リードを短く、Ｌ字型にわん曲
させ、他リードをＪ字型に曲げた樹脂封止型半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3088137A JPH04320362A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3088137A JPH04320362A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04320362A true JPH04320362A (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=13934548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3088137A Pending JPH04320362A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04320362A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6303981B1 (en) * | 1999-09-01 | 2001-10-16 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor package having stacked dice and leadframes and method of fabrication |
| US6841883B1 (en) | 2003-03-31 | 2005-01-11 | Micron Technology, Inc. | Multi-dice chip scale semiconductor components and wafer level methods of fabrication |
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