TR201816224T4 - Fantezi soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yeşil tek kristalli CVD elmas yapmak için usul ve elde edilen ürün. - Google Patents
Fantezi soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yeşil tek kristalli CVD elmas yapmak için usul ve elde edilen ürün. Download PDFInfo
- Publication number
- TR201816224T4 TR201816224T4 TR2018/16224T TR201816224T TR201816224T4 TR 201816224 T4 TR201816224 T4 TR 201816224T4 TR 2018/16224 T TR2018/16224 T TR 2018/16224T TR 201816224 T TR201816224 T TR 201816224T TR 201816224 T4 TR201816224 T4 TR 201816224T4
- Authority
- TR
- Turkey
- Prior art keywords
- diamond material
- diamond
- cvd
- color
- concentration
- Prior art date
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 386
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 125
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 19
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 352
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 293
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 40
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 99
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 69
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 68
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 25
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 23
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 21
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 20
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N Acetylene Chemical compound C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 9
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 148
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 44
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 16
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 7
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 6
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 6
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 4
- 239000010755 BS 2869 Class G Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001362 electron spin resonance spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000005316 response function Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000004854 X-ray topography Methods 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 230000003416 augmentation Effects 0.000 description 2
- 235000019646 color tone Nutrition 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- -1 monosubstituted nitrogen Chemical class 0.000 description 2
- 230000005298 paramagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000628 photoluminescence spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 101100352919 Caenorhabditis elegans ppm-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 241001462977 Elina Species 0.000 description 1
- NEAPKZHDYMQZCB-UHFFFAOYSA-N N-[2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethyl]-2-oxo-3H-1,3-benzoxazole-6-carboxamide Chemical compound C1CN(CCN1CCNC(=O)C2=CC3=C(C=C2)NC(=O)O3)C4=CN=C(N=C4)NC5CC6=CC=CC=C6C5 NEAPKZHDYMQZCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004847 absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007707 calorimetry Methods 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004737 colorimetric analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000001826 continuous-wave electron spin resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 210000000887 face Anatomy 0.000 description 1
- 239000001963 growth medium Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 235000019988 mead Nutrition 0.000 description 1
- 238000007521 mechanical polishing technique Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 210000005036 nerve Anatomy 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 238000000241 photoluminescence detection Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000009469 supplementation Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/25—Diamond
- C01B32/28—After-treatment, e.g. purification, irradiation, separation or recovery
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/20—Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/02—Heat treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Geology (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Adornments (AREA)
Abstract
Fantezi soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yeşil CVD elmas malzemesi yapmanın bir usulü açıklanmaktadır. Usul, elmas malzemesi içinde izole boşluklar oluşturmak için, bir CVD işlemiyle büyütülmüş tek kristalli elmas malzemesinin elektronlarla ışınlanmasını içerir, ışınlanmış (veya ışınlandıktan sonra başka bir işlemden geçirilmiş) elmas malzemesinde toplam boşluk konsantrasyonu [VT] ve yol uzunluğu L, [VT] x L en az 0.072 ppm cm ve en fazla 0.36 ppm cm olacak şekildedir ve elmas malzemesinin rengi fantezi soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yeşil olur. Fantezi soluk mavi elmaslar da açıklanmaktadır.
Description
TARIFNAME
FANTEZI SOLUK MAVI VEYA FANTEZI SOLUK MAVI/YESIL TEK
KRISTALLI CVD ELMAS YAPMAK IÇIN USUL VE ELDE EDILEN ÜRÜN
Açiklama
Bu bulus bir CVD (kimyasal buhar birakimi) islemiyle yapilmis elmas malzemesini
isinlayarak fantezi soluk mavi veya fantez soluk mavi/yesil elmas malzemesi yapmak için
bir usule iliskindir. Bulus ayrica bizzat bir fantezi soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yesil
CVD elmas malzemesine iliskindir.
alisilmadik renklerde elmaslari belirtmek için kullanilir. Munsell renk kartelalarinin
kullanimi da dâhil olmak üzere, fantezi renkli elmas degerli taslar siniflandirmasinin
yararli bir tarihi ve geçmisi King ve digerleri tarafindan Gems & Gemology, Cilt 30, No. 4,
l994°te (sayfa 220-242) verilmektedir. Belirgin bir renk miktari sergileyen elmas
malzemeleri bu alanda “fantezi” renkli elmaslar olarak bilinmektedir. Bu belirgin rengi
göstermeyen diger elmas malzemeleri Gemological Institute of America (GIA) ölçegi
kullanilarak siniflandirilabilir. Bu ölçek elmas malzemelerini alfabetik olarak D,den Z,ye
siniflandirir. GIA ölçegi iyi bilinmektedir. D, GIA ölçegindeki en kaliteli ve en renksiz
elmas malzemesini temsil eder ve Z GIA ölçegindeki en düsük kaliteyi temsil eder, Z sinifi
elmas malzemesi çiplak gözle açik sari görünür. Daha yüksek kaliteli elmas
malzemelerinin (GIA ölçeginde D sinifina daha yakin olanlar) genel olarak hem degerli tas
ticaretinde hem sinai uygulamalar için düsük kaliteli elmas inalzemelerinden (Z sinifina
daha yakin olanlar) daha çok arzu edilir oldugu düsünülür. Elmas malzemesinin rengi Z
sinifindakinden daha belirgin oldugunda, rengi ne olursa olsun “fantezi” elmas olarak
adlandirilir. Ancak elmas malzemesinde mavi gibi çekici 'bir renk görüldügünde,
doygunlugu alfabede Z°den önce siniflandirilabilecek sekilde oldugunda bile, siklikla
fantezi renkli elmas olarak tanimlanir. Siniflandirma GIA ölçegine göre yapildiginda,
elmas siniflandirioilar D, E, F ila Z olarak siniflandirilan ve rengi renksizden (Flye
kadar bütün siniflar için) soluk sarilar ila koyu sarilara (G ila Z) giden bir örnek elmas
taslari takimini kullanirlar. Siniflandirilacak elmas malzemesi örnek takimiyla
karsilastirilir ve sonra renk doygunluguna göre örnek takimindaki en yakin tasin karsisina
yerlestirilir. Bu, Siniflandirilacak elmas için renk sinifi harfini belirler, örnegin H veya K.
Renk sinifi harfi belirlendikten sonra, G-Z siniflari için renk siniflandiriei renk sinifi
harfine eslik edecek bir renk de belirleyecektir. Bu renk örnegin kahverengi, sari veya
mavi olabilir. Dolayisiyla, örnegin bir tas, renk doygunlugu onu renk siniflandiricinin
renksizden koyu sariya kadar taslar takiminda H tasinin en yakinina yerlestiriyorsa ve fark
edilebilir bir kahverengine sahipse H (kahverengi) olarak siniflandirilabilir. Renk tayinleri
açisindan, kahverengi taslarin renk tonu açisi (hue angle) 0° ila 90°”nin alti araligindadir ve
sari taslarin renk tonu açisi 90°- l30° arasindadir.
Dogal olarak olusan mavi elmaslar bilinmektedir. Esas tibariyla hiç azot içermeyen, ama
bor içeren tip Ilb elmas malzemesi kirmizi, turuncu ve sari isigi absorbe eder. Dolayisiyla
bu elmas malzemesi genellikle mavi görünür. EP0615954A`nin (Sumitomo) girisinde, tip
renklerini gösteren bir tablo bulunmaktadir.
Orijinal olarak inavi olmayan elmaslar islemden geçirilerek elde edilen mavi de dâhil
olmak üzere fantezi renkli elmaslarin olusturulmasi da bilinmektedir. Örnegin John Walker
l979lda diger seylerin yani sira, herhangi bir elmasin isinlanmasinin, absorpsiyon
spektrumunun kirmizi ve mor kismindaki absorpsiyon bantlarina bagli bir mavi-yesil
renklenmesine yol açtigi açiklanmaktadir. GR] absorpsiyon banti denilen bu banta, elmas
yapisindaki nötr izole bosluklarin (V0) neden oldugu anlasilmaktadir, her izole bosluk bir
olarak iliskilidir, bu GRl merkezinin tamamen bir kristal yapi kusuru oldugunu ve
elinastaki herhangi bir katiskiyla iliskili olmadigini gösterir. Elmas malzemesinde
isinlamanin neden oldugu mavi-yesil renklenme Walker yayininda örnekleninektedir.
bosluklar) olusturmak için sentetik Yüksek Basinçli/Yüksek Sicaklikli (HPHT) elmas
malzemesinin bir elektron isiniyla veya bir nötron isiniyla isinlanmasi açiklanmaktadir.
Daha sonra elmas kristali renk merkezleri olusturmak için saptanmis bir sicaklik araliginda
tavlanir. Bu yayinlarda mor ve kirmizi/pembe elmas malzemelerinin üretimi
açiklanmaktadir.
JP2571797 B2,de mavimsi yesil bir elmas elde etmek için HPHT elmas malzemesinin 5 x
ve isinlanmis malzemenin 1 saat 600°C civarinda bir sicaklikta tavlanmasiyla, sicaklik
farki usulüyle sentezlenen ve 3 ppmiden (milyonda pay) (5 x 1017 atom/cm3) az veya buna
esit tip Ib azot içeren bir tip Ib HPHT elmasin isinlanmasi açiklanmaktadir.
USZOO4/1754999da tek kristalli CVD elmasin baska renklerini üretmek için kahverengi tek
kristalli CVD elmas malzemesinin tavlanmasi açiklanmaktadir.
Bu çerçevede, bulus ilisikteki istemler 19 ve 20,de tanimlandigi gibi fantezi soluk mavi
veya fantezi soluk mavi/yesil CVD sentetik tek kristalli elmasi sunmaktadir. Bulus ayrica
istem l-l8”de tanimlandigi gibi, fantezi soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yesil CVD
sentetik tek kristalli elmas yapmanin bir usulünü sunmaktadir.
Bu bulus bir ilk yönüyle, fantezi soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yesil CVD sentetik
tek kristalli elmas malzemesi yapmak için asagidaki asamalari içeren bir usul sunmaktadir:
i) bir CVD islemiyle büyütülmüs tek kristalli elmas malzemesi temin etmek, elmas
malzemesinin [NSO] konsantrasyonu 1 ppm”nin altindadir, temin edilen CVD elmas
malzemesi renksizdir veya renksiz degilse rengi kahverengi veya sari olarak
siniflandirilir ve rengi kahverengi olarak siniflandirilirsa, 0.5 ct Yuvarlak Pirlanta Kesim
(Round Briliant Cut) elmas tasi için G (kahverengi) veya daha iyi bir renk sinifina
sahiptir ve rengi sari olarak siniflandirilirsa, 0.5 ct Yuvarlak Pirlanta Kesim elmas tasi
için T (sari) veya daha iyi bir renk sinifina sahiptir; ve
(ii) temin edilen CVD elmas malzemesini elektronlarla isinlayarak, bu asamada veya
isinlama sonrasi baska bir islemden sonra isinlanmis elmas malzemesindeki toplam
bosluk konsantrasyonu x yol uzunlugu ([VT] x L) çarpiminin en az 0.072 ppm cm ve en
fazla 0.36 ppm cm olacagi sekilde elmas malzemesi içinde izole bosluklar olusturmak,
böylece elmas malzemesi fantezi soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yesil renkli olur.
NS0 terimi elmas malzemesindeki tek sübstitüsyonlu azot atomlarini belirtmektedir.
Herhangi bir spesifik elmas tasinin algilanan rengi elmasin büyüklügüne ve kesimine
baglidir. Dolayisiyla, elmas malzemesinin renk sinifina referansta bulunuldugunda, bu
genellikle standart bir büyüklük (genellikle 0.5 kirat (ct)) ve standart bir kesim (genellikle
yuvarlak pirlanta kesim (çogunlukla RBC veya rbc olarak bilinir)) esas alinarak belirtilir.
Ister 0.5 kirattan büyük veya küçük veya ister yuvarlak pirlanta kesim veya herhangi bir
baska kesim olsun, herhangi bir belirli elmas tasi için, renk sinifini standart büyüklüge ve
kesime gre ayarlamak için modeller vardir. Dolayisiyla, bulusun ilk yönüne uygun usulde
kullanilan temin edilen elmas malzemesi herhangi bir büyüklük veya kesimde olabilir, ama
belirtildiginde renk sinifi, standart 0.5 kirat büyüklügünde ve standart yuvarlak parlak
kesimde o elmas malzemesi için renk sinifina göre ayarlanir.
Izole bosluk konsantrasyonu x yol uzunlugu çarpiminin sinirlari asagidaki gibi ifade
edilebilir:
1 ppm”nin 1.76 X 1017 cm'3,e esit oldugu bilinerek, bu alternatif olarak asagidaki gibi
yazilabilir:
Yuvarlak pirlanta kesim bir parlak degerli tas için yol uzunlugunun tasin derinliginin 2 kati
oldugu varsayilir. Örnegin tas derinligi 0.3 cm ve dolayisiyla ortalama yol uzunlugu 0.6 cm
olan 0.5 ct yuvarlak pirlanta kesim bir elmas malzemesi için sinirlar söyle olacaktir:
0.6 ppm 2 [VT] 2 0.12 ppm
Bulusun ilk yönüne uygun usulün (i) asamasinda temin edilen CVD elmas bu tarifnamede
asamasi bulusun düzenlemelerinin usulünün parçasi olabilir veya olmayabilir. Bir CVD
elmas malzemesi temin edilmesi basit bir sekilde örnegin önceden büyütülmüs bir CVD
elmas malzemesinin seçilmesi anlamina gelebilir.
Bulusun usulündeki temin edilen CVD elmas malzemesinin [N50] konsantrasyonu (yani tek
sübstitüsyonlu azot kusurlarinin konsantrasyonu) l ppmsnin altindadir. Temin edilen CVD
elmas malzemesinin rengi [N50] konsantrasyonuna ve elmas malzemesinin büyütülme
biçimine göre degisebilir. [N50] kusurlarinin, özellikle 0.3 ct rbc”den büyük taslarda 0.3
ppm”den yüksek konsantrasyonlarda elmas malzemesine sari bir renk verdigi
bilinmektedir.
Bir CVD büyüme ortaminda düsük konsantrasyonlarda azotun varliginin, elmas malzemesi
büyürken bir CVD sentetik elmas malzemesine dâhil edilen baska kusurlarin yapisini ve
konsantrasyonunu etkileyebildigi ve bu baska kusurlarin en azindan bir kisminin CVD
elmas malzemesinin rengine katkida bulunarak, tipik olarak elmas malzemesine
kahverengi bir renk veren renk merkezleri temin ettigi de bilinmektedir.
Düsük konsantrasyonlarda azotun varliginda büyüyen CVD elmasin kahverengi bir renk
almasina katkida bulunan bu renk merkezlerinin tek kristalli CVD elmasa veya tek kristalli
CVD elmasin katmanlarindan kesilen veya üretilen parçalara özgü oldugu da
bilinmektedir. Ayrica, CVD elmastaki kahverengi renklenmeye katkida bulunan renk
merkezlerinin dogal elmasta gözlemlenen herhangi bir kahverengi renklenmeye katkida
bulunanlardan farkli oldugu bilinmektedir, çünkü CVD elmas malzemesindeki kusurlar
büyüyen CVD elmas malzemesinin absorpsiyon spektrumlarinda, dogal elmasin
absorpsiyon spektrumlarinda bulunmayan absorpsiyon bantlarina neden olur. Bunun
kanitlari, kahverengi dogal elmasta gözlemlenmeyen bir enfranij eksitasyon kaynagiyla
(örnegin 785 nm veya 1064 nm) gözlemlenebilen elmas disi karbondan Raman
saçilimindan gelmektedir. Ayrica, dogal elmas malzemesindeki bu renk merkezlerinin
CVD elmas malzemesindekilerden farkli bir sicaklikta tavlandigi bilinmektedir.
Düsük konsantrasyonlarda azotun dâhil edildigi islemlerde üretilen CVD sentetik elmasta
görülen kahverengi renklenmeye katkida bulunan renk merkezlerinin bazilarinin, tek
kristalli CVD elmas içindeki elmas baglanmasinin lokal olarak bozulmasiyla iliskili
olduguna inanilmaktadir. Kusurlarin kesin yapisi tam olarak anlasilmamaktadir, ama
kusurlarin yapisini incelemek ve kavrayisimizi biraz gelistirmek için elektron
paramanyetik rezonans (EPR) ve optik absorpsiyon spektroskopisi tekniklerinin
kullanimindan yararlanilir. Büyüyen CVD sentetik elmas malzemesinde azotun varligi,
büyüyen CVD malzemesi için absorpsiyon spektruinlarina bakilarak kanitlanabilir ve bu
spektrumlarin analizi var olan kusurun farkli türlerinin nispi oranlarinin bir göstergesini
saglar. Sentez ortamina ilave edilen azotla büyütülen büyümüs CVD sentetik elmas
malzemesi için tipik bir spektrum, elmas kristal yapisindaki nötr tek sübstitüsyonlu azot
(N50) atomlarinin varliginin yol açtigi, yaklasik 270 nm,de bir pik gösterir. Ayrica yaklasik
350 nm”de ve yaklasik olarak 510 nm”de CVD sentetik elmas malzemesine özel ve özgü
baska kusurlara karsilik gelen pikler gözlemlenmistir ve öte yandan, 0 x %3 formunda
yükselen bir zemin olan bir “rampa” gözlemlenmistir, burada 0 bir sabittir ve ?0 dalga
uzunlugudur. NS0 esas olarak 270 nm`deki pikiyle tanimlabilmekle birlikte, daha yüksek
dalga uzunluklarinda, özellikle, genel olarak 350 nm ila 750 nm dalga uzunlugu araligini
kapsadigi düsünülen spektrumun görünür kismindaki dalga uzunluklarinda absorpsiyon
spektrumuna daha küçük miktarlarda katkida bulunur.
CVD elmas malzemesinin absorpsiyon spektrumunun görünür kismindaki özelliklerin,
yani (a) spektrumun görünür kismindaki NS0 katkisi, (b) 350 nm piki, (c) 510 nm piki ve
(d) rampa özelliginin kombinasyonu elmas malzemesinin alginan rengini etkiler ve azot
katkili CVD sentetik elmas malzemesinde tipik olarak görülen kahverenginden bunun
sorumlu olduguna inanilir. 350 nm ve 510 nm°deki pikler dogal elinaslarin absorpsiyon
spektrumlarinda da, sentetik elmaslarin, örnegin EP615954A”da açiklanan tipte sentetik
HPHT elmaslarin absorpsiyon spektrumlarinda da görülmez. Bu tarifnamenin amaçlari
için, yukarida 350 nm, 510 nm ve rampa özellikleri olarak ele aldigimiz,spektrumun
görünür kismindaki absorpsiyon spektrumuna katkida bulunan NS0 kusurlari disindaki
bütün kusurlar hep birlikte “X kusurlari” olarak geçecektir. Yukarida belirtildigi gibi, su
anda atomik bir seviyede bu kusurlarin yapisi anlasilmamakta, sadece büyüyen elmas
malzemesinin absorpsiyon spektrumlari üzerindeki etkileri anlasilmaktadir. Bulusu
herhangi bir sekilde baglamamak kosuluyla, kahverengi renklenmeden sorumlu olan
kusurlarin yapisinin, plazmaya azot ilavesiyle es zamanli olarak bir hidrojen/metan
(Hz/CH4) kaynak gazina yüksek büyüme hizlarinda büyüyen çok bosluklu kümelerin
varligiyla iliskili olabilecegi düsünülmektedir (her küme onlarca, örnegin 30 veya 40 veya
daha fazla bosluktan olusur). Bu kümeler termal olarak stabil degildir ve yüksek sicaklikta
islemle (yani tavlama) bir dereceye kadar yok edilebilir. Azot ve hidrojen ve bir eksik
karbon atomundan olusan NVH' (azot-bosluk-hidrojen) kusurlari gibi daha küçük boslukla
iliskili kusurlarin kismen kahverenginden sorumlu olabilecegi düsünülmektedir ve bu
kusurlar da yüksek sicaklikta islemle yok edilebilir.
Imalat usulüne ve [N50] konsantrasyonuna bagli olarak, bulusa uygun usullerde kullanilan
temin edilen CVD elmas malzemesi, renksiz, hemen hemen renksiz, soluk sari veya soluk
kahverengi görünebilir. Bu bulusun usullerine göre, temin edilen CVD elmasin rengi,
Gemological Institute of America (GlA) ölçegine göre renksiz veya kahverengi veya sari
olarak siniflandirilir ve kahverengiyse G (kahverengi) veya daha iyi siniflandirilir ve
sariysa T (sari) veya daha iyi siniflandirilir (,
Yukarida açiklandigi gibi, bu ölçek elmas malzemelerini D'den Z`ye alfabetik olarak
sinitlandirir, elmas malzemesinin renk siniflandirmasi, renk siddeti veya doygunlugu
(gerçek renk tonu - örnegin sari veya kahverengi- yerine) kontrollü aydinlatma ve hassas
görüs kosullari altinda bilinen doygunluga sahip taslarla karsilastirilarak yapilir. D, GIA
ölçeginde en yüksek sinif ve en renksiz elmas malzemesini temsil eder ve Z, GIA
ölçeginde en düsük sinifi temsil eder, Z sinifi elmas malzemesi tipik olarak çiplak göze
soluk sari veya kahverengi görünür. Daha yüksek sinif elmas malzemelerinin (GIA
ölçeginde D sinifina yakin olanlar) hem degerli tas ticareti hem baska uygulamalarda
genellikle düsük sinif elmas malzemelerine (Z sinifina yakin olanlar) göre daha çok istenir
oldugu düsünülür; bu nedenle G sinifi veya daha iyi dedigimizde, alfabede G,den daha
önceki bir harfi kastediyoruz. Sari veya kahverengi bir renk tonuna sahip elmas
malzemeleri ayni ölçekte alfabetik olarak ve her renk sinifi için ayni örnek elmaslar
takimina göre siniflandirilir. Bu nedenle, bir G (kahverengi) sinifi, bir rengin oldugu ve
renk bileseninin kahverengi oldugu anlamina gelir. G (sari) sinifi elmas malzemesi G
(kahverengi) sinifi elmas malzemesiyle ayni renk miktarina sahiptir, ama renk bileseni
kahverengi degil saridir. Tipik olarak kahverengi elmas malzemesinin renk tonu açisi
<90°1dir ve sari elmas malzemesinin renk tonu açisi 90°-130° arasindadir. F veya daha iyi
olarak siniflandirilan elmas malzemesinin hiçbir görünür rengi yoktur ve sadece alfabetik
olarak siniflandirilir veya alfabetik siniflandirmanin ardindan parantez içinde “renksiz”
ifadesi yer alir. Elmas malzemesinin Z siniflandirmasindan daha yogun bir sari veya
kahverengi tona sahip bir rengi varsa, “fantezi” renkli elmas malzemesi alanina girer.
Yukarida belirtildigi gibi, kaydedilecek kadar güçlü bir renge sahip, mavi gibi, sari veya
kahverengi disinda saptanabilir bir renk tonunu haiz elmas malzemesi de “fantezi” olarak
geçmektedir. Dolayisiyla mavi bir tona sahip elmas malzemesi, renk yogunlugu sari veya
kahverengi elmas için olandan daha düsük oldugunda “fantezi” olarak adlandirilacaktir.
Bu bulusa göre, isinlamadan sonra bir fantezi soluk mavi elmas malzemesi elde etmek için,
herhangi bir kahverengi temin edilen elmas malzemesi için G veya daha iyi bir renk sinifi
avantajlidir. Öte yandan, herhangi bir sari temin edilen elmas malzemesi için T veya daha
iyi bir renk sinifi avantajlidir, bu isinlamadan sonra bir fantezi soluk mavi/yesil elmas
malzeinesi verir. Temin edilen elmas malzemesindeki sari miktari, [N50] konsantrasyonu
arttirilarak arttirilabilir, ancak bunun X kusurlarini ve bunlarla iliskili kahverengi
renklenme arttirilmadan yapilabilmesi gerekir. X kusurlari konsantrasyonunu minimumda
tutarken düsük ve kontrollü azot seviyelerine sahip CVD elmasi avantajli bir sekilde
büyütebildik. Bu CVD büyümesi için önemsiz degildir. Bu avantajli bir sekilde, morfoloji
nedenleriyle avantajli olabilen CVD büyüme sürecinde azot temin etmenin yani sira, bazi
düzenlemeler için, bulusa uygun isinlamadan sonra soluk mavi/yesil bir elmas malzemesi
veren, temin edilen elmasta bir sari tonu elde etmek için yeterli azotun bulunmasina imkân
verir. Avantajli bir sekilde, kahverengi kusurlari konsantrasyonunu düsük tutarken CVD
elmastaki azot konsantrasyonunu hedefin %ZOasi içinde kontrol etmenin mümkün
oldugunu kesfettik. Bu, avantajli bir sekilde, islemden geçirilmis (isinlanmis) elmas
malzemesinin renk tonu açisinin istendigi gibi mavi ila mavi-yesil araliginda kontrol
Temin edilen CVD elmas malzemesinin rengini tanimlamanin alternatif veya ek bir yolu,
oda sicakligi absorpsiyon spektrumunun kullanilmasidir. Yukarida sözü edilen X
kusurlarinin en aza indirilmesi ve temin edilen elmas malzemesinin absorpsiyon
spektrumuna az katkida bulunmasi avantajlidir. Tipik olarak, temin edilen elmas
malzemesinde [N30] konsantrasyonlari 0.1 ppmsden yüksek, ama 1 ppm`den düsükse, NS0
disindaki kusurlara atfedilebilen 350 nm,den 750 nm”ye kadar görünür araliktaki toplam
bütünlesik absorpsiyonun %90”dan az olmasi, yani kahverengine yol açan X kusurlarinin
en aza inmesi tercih edilir. [N50] konsantrasyonlari sifir veya çok düsük, örnegin 0.]
ppm,nin altinda oldugunda, NS0 disindaki kusurlara atfedilebilen 350 nm,den 750 nm,ye
kadar görünür araliktaki toplam bütünlesik absorpsiyonun, basit bir sekilde sadece [N30]
konsantrasyonlari sifir veya çok düsük oldugu için, kahverengine yol açan X kusurlari çok
düsük olsa bile muhtemelen %9071n üzerindedir. Bu tür durumlarda, absorpsiyon
katsayisinin (spektrumlar 800 nm”de 0 cm`i 'e normalize edildiginde) 350 nm,de 0.5
cm"1 ,in altinda olmasi ve 510 nm'de 0.3 cm`l ,in altinda olmasi avantajlidir, bu düsük
absorpsiyon katsayilari elmas malzeinesinde X kusurlarina yol açan kahverenginin düsük
seviyesinin bir göstergesidir. [N80] konsantrasyonlarinin 0.1 ppm7nin üzerinde oldugu
durumda, bizzat NS0 kusurlarindan 350 nm ve 510 nm7de absorpsiyon spektrumlarina katki
nedeniyle, [X kusuru] konsantrasyonlari düsük oldugunda bile 350 nm ve 510 nm,de
absorpsiyon katsayilarinin mutlak degerlerinin sirasiyla 0.5 cm" ve 0.3 cm`i ”in üzerinde
olabildigi bildirilmektedir.
Bu bulus baska bir yönüyle, fantezi soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yesil CVD tek
kristalli elmas malzemesi yapmanin, asagidaki asamalari içeren bir usulünü sunmaktadir:
i) bir CVD islemiyle büyütülmüs tek kristalli elmas malzemesinin temin edilmesi, elmas
malzemesinin [N50] konsantrasyonu l ppm7nin altindadir, burada NS0 disindaki kusurlara
atfedilebilen 350 nm°den 750 nm°ye kadar görünür araliktaki toplam bütünlesik
altindadir ve 510 nm,de absorpsiyon katsayisi 0.3 cm`1 ,in altindadir ve
(ii) bu asainada veya baska bir isinlama sonrasi islemden sonra, isinlanmis elmas
malzemesinde toplam bosluk konsantrasyonu x yol uzunlugu çarpimi [VT] X L en az
0.072 ppm cm ve en fazla 0.36 ppm cm olacak sekilde, elmas malzeinesine izole
bosluklar dâhil etmek üzere, temin edilen CVD elmas malzemesinin elektronlarla
isinlanmasi, böylece elmas malzemesinin rengi fantezi soluk mavi veya fantezi soluk
mavi/yesil olur.
Bu tarifnamede kullanilan bütün örnekler için, bu tarifnamede belirtilen, N50 disindaki
kusurlara atfedilebilen, temin edilen CVD elmasin absorpsiyon yüzdesini hesaplamak için
kullanilan absorpsiyon pik yükseklikleri ve bütünlesik absorpsiyon degerleri, oda
sicakliginda alinan sentetik CVD elmas malzemesinin UV/ görünür absorpsiyon spektrumu
kullanilarak ölçülür.
Burada sözü edilen bütün oda sicakligi absorpsiyon spektrumlari, bir Perkin Elmer
Lambda-19 spektrometresi kullanilarak toplandi. Spektrumlarda kaydedilen veriler
(“ölçülen spektrum”) asagidaki gibi islemden geçirilerek, Nso”a atfedilebilen 350 nm ila
750 nm araliginda ölçülen absorpsiyonun oranina ve baska kusurlara (X kusurlari)
atfedilebilen ölçülen absorpsiyonun oranina iliskin bilgi elde edildi.
a. Bir yansima kaybi spektrumu, tablo halinde düzenlenmis kirilma indeksi verileri ve
paralel yüzlü bir plakada yansima kaybi için standart ifadeler kullanilarak olusturuldu.
sonraki yansima kaybi standart Fresnel denklemi kullanilarak hesaplandi.
b. Yansima kaybi spektrumu, ölçülen absorbans verilerinden çikartildi ve örnek için bir
absorpsiyon katsayisi elde edilen spektrumdan olusturuldu.
c. Ölçülen spektrumun N50,& atfedilebilen bilesenini belirlemek için, tip Ib HPHT
sentetik elmas (absorpsiyonun sadece Ns°°a atfedildigi) için bir absorpsiyon spektrumu,
ölçülen spektrumdan çikartildiginda ölçülen spektrumdan 270 nm pikini esas itibariyla
yok edene kadar ölçeklendi. Bu ölçekleme azot konsantrasyonunun belirlenmesine
imkân verir.
d. 350 nm`den (yani uzanan spektrumun
görünür bölgesi kullanilarak, görünür bölgedeki bütünlesik absorpsiyon, ölçülen örnek
spektrum için ve bunun Nso°a atfedilebilen bileseni için belirlendi ve NS0 kusurlarina
atfedilebilen bütünlesik absorpsiyon yüzdesi hesaplandi.
e. Uygulamada, yansima kayiplari genellikle teorik degerlerden yüksektir ve bu dalga
uzunluguna spesifik kalorimetri usullerine basvurmadan mutlak absorpsiyon katsayisi
degerlerinin belirlenmesini güçlestirir. Dogrudan absorpsiyonla iliskili olmayan ek
kayiplar için düzeltme yapmak için asagidaki rutin kullanildi. Daha düsük enerjilere
dogru, genellikle belirli bir enerjinin altinda ölçülen absorpsiyon artik enerjiyle birlikte
önemli degisiklik göstermedi. Absorpsiyon katsayisi verileri, absorpsiyon katsayisinin
800 nm'de sifir olacagi sekilde kaydi.
Bu bulusa uygun usullerin farkli düzenlemelerine göre, temin edilen CVD elmas NS0
içerebilir veya içermeyebilir. NS0 içerdiginde bu bulusun sentetik CVD elmas
malzemesinde bulunan [N50] konsantrasyonu <5x1015 cm`3 seviyeleri için EPR
kullanilarak ve daha yüksek konsantrasyonlar için UV görünür optik absorpsiyon teknikleri
kullanilarak ölçülebilir.
Nötr yük durumu içerigindeki [NSO], elektron paramanyetik rezonansi (EPR) kullanilarak
ölçülebilir. Usul bu alanda iyi bilinmekle birlikte, tamamlama amaciyla burada
özetlenmektedir. EPR kullanilarak yapilan ölçümlerde, belirli bir paramanyetik kusurun
(örnegin nötr tek sübstitüsyonlu azot kusuru) bollugu, 0 merkezden çikan bütün EPR
absorpsiyon rezonans çizgilerinin bütünlesik yognluguyla orantilidir. Bu, mikrodalga güç
doygunlugunun etkilerinin önlenmesi veya telafi edilmesi için dikkat edilmesi kosuluyla,
bütünlesik yogunlugun bir referans numunesinden gözlemlenenle karsilastirilmasiyla
kusurun konsantrasyonunun belirlenmesine izin verir. Sürekli dalga EPR spektrumlari alan
modülasyonu kullanilarak kaydedildigi için, EPR yogunlugunu ve dolayisiyla kusur
konsantrasyonunu belirlemek için çift bütünlestirme gereklidir. Çift bütünlestirme, ana
çizgi düzeltme, bütünlestirmenin sonlu sinirlari ve benzeriyle iliskili hatalari en aza
indirmek için, özellikle örtüsen EPR spektrumlarinin oldugu durumlarda, ilgilenilen
örnekte bulunan EPR merkezlerinin bütünlesik yogunlugunu belirlemek için bir spektral
uydurma usulü (bir Nelder-Mead simpleks algoritmasi kullanilarak (J. A. Nelder ve R.
Mead, The Computer Journal, 7 (1965), 308)) kullanilir. Bu, deneysel spektrumlarin
örnekte bulunan kusurlarin simüle edilmis spektrumlarina uydurulmasini ve simülasyondan
her birinin bütünlesik yogunlugunun belirlenmesini gerektirir. Deneysel olarak ne bir
Lorentz ne de Gauss çizgi seklinin deneysel EPR spektrumlarina tam bir uyum saglamadigi
gözlemlenir. dolayisiyla simüle edilmis spektrumlari üretmek için bir Tsallis fonksiyonu
düsük azot konsantrasyonlari durumunda, çogunlukla iyi bir sinyal/gürüntü oranina (makul
bir zaman dilimi içinde dogru konsantrasyon belirlemesini mümkün kilan) ulasmak için
EPR sinyallerinin çizgi genisligine yaklasan veya bunu asan modülasyon genlikleri
kullanmak gerekir. Dolayisiyla kaydedilen EPR spektrumlarina tam bir uyum saglamak
için Tsallis çizgi sekliyle, psödo-modülasyon kullanilir (J .8. Hyde, M. Pasenkiewicz-10
Gierula, A. Jesmanowicz, W.E. Antholine, Appl. Magn. Reson., l (1990), 483). Bu usul
kullanilarak ±%5'ten daha iyi bir yeniden üretilebilirlikle ppm cinsinden konsantrasyon
belirlenebilir.
Daha yüksek [N50] konsantrasyonlarini ölçmek için UV-görünür absorpsiyon
spektroskopisi teknigi bu alanda iyi bilinmekte ve elmas malzemesinin absorpsiyon
spektrumunun 270 nm pikinin kullanildigi ölçümleri içermektedir.
Azot pozitif yük durumunda da (N+) bulunabilir, N+ konsantrasyonu FTlR spektiumunda
1332 cm`1”deki özelligin pik yüksekligi ölçülerek bulunur. Konsantrasyon saptama siniri
içindeyse elmas malzemesi için toplam azot konsantrasyonunu elde etmek için SIMS
teknikleri de kullanilabilir.
Yukarida belirtildigi gibi, G veya daha iyi bir renk sinifi, herhangi bir kahverengi temin
edilen elmas malzemesi için avantajlidir, T veya daha iyi bir renk sinifi ise herhangi bir
sari temin edilen elmas malzemesi için kabul edilebilir. Yine yukarida belirtildigi gibi,
kaynak gazinda ve dolayisiyla temin edilen elmas malzemesinde küçük miktarlarda azot
oldugunda, bu genellikle, CVD elmas malzemesine kahverengi bir renk veren X kusurlari
denilen kusurlarin ortaya çikmasiyla iliskilidir. CVD elmas malzemesinde küçük
miktarlarda azotun bulundugu bulusun bazi düzenlemelerine göre, herhangi bir kahverengi
renklenmenin (bu X kusurlarina bagli oldugu düsünülen) önlendigi veya en azindan en aza
indirildigi temin edilmis bir CVD elmas malzemesinin elde edilmesi için özel usuller
uygulanir. Bu kahverengi renklenmenin bu sekilde en aza indirildigi durumda, [N50]
konsantrasyonlari en fazla 1 ppm olabilir, çünkü bizzat NS0 kusurlarinin varligindan
kaynaklanan herhangi bir sari renklenme T (sari) veya daha iyi bir renk sinifi veren NS0
seviyeleriyle sonuçlanacaktir. Pratik olarak gaz safhgi veya elmas özellikleri için veya bir
mavi renk tonundan çok, daha mavi-yesil bir renk tonunun elde edilmesi istendigi
durumda, [N50] konsantrasyonlarinin l ppm üst sinirina dogru olmasi avantajli olabilir.
Özellikle bu bulusa uygun usulde kullanilan temin edilen CVD elmas malzemesinin [N50]
konsantrasyonlari l ppm üst sinirina dogru oldugunda, bütünlesik absorpsiyonun
spektrumu 350 nm”den 750 nmiye kadar görünür aralikta bir toplam bütünlesik
absorpsiyona sahip olabilir, yani kahverengi renklenmeden sorumlu oldugu düsünülen X
kusurlari görünür araliktaki bütünlesik absorpsiyona %90°dan az katkida bulunur.
Bu bulusta, [N50],in bulunmadigi veya sadece çok küçük miktarlarda bulundugu temin
edilen CVD elmas malzemesinin kullanilmasi da düsünülmektedir. Bu durumda, sadece
çok küçük miktarlarda [N50] bulundugu için, genellikle sonuç olarak benzer bir sekilde X
kusurlari çok az olacak veya hiç olmayacak ve dolayisiyla kahverengi renklenme az olacak
veya hiç olmayacaktir (ancak bazi büyüme kosullarinda bu geçerli olmayabilir). Bu,
cm'1”in altinda oldugu belirlenerek ölçülebilir. Dolayisiyla az [N50] oldugu veya hiç
olinadigi durumda, elmas malzemesinin herhangi bir renklenmesi muhtemelen küçük
kahverengi (NSOHn kendisinden kaynaklanan sari yerine) miktarlarina baglidir ve bu
durumda temin edilen CVD elmas malzemesi G (kahverengi) veya daha iyi bir renk
sinifina sahiptir. Avantajli bir sekilde, bu malzeme absorpsiyon spektrumunda asagidaki
özelliklere sahip olabilir (800 nm°de absorpsiyon 0 cm'1 ,e ölçeklendiginde:
Baslangiç Son Pik Pikte absorpsiyon
Adlandirma i
CVD elmas malzemesi büyütme usulleri iyi bilinmekte ve patent literatüründe ve baska
literatürde, örnegin WO 03/052177”de kapsamli bir sekilde açiklanmaktadir. CVD elmas
malzemesini büyütmek için önceden belgelenmis bu usullerin, spektrumun görünür
nm'ye kadar görünür aralikta bir toplam bütünlesik absorpsiyona sahip bir absorpsiyon
spektrumu olan elmas malzemesi verdigine inanilmaktadir. Bu diger kusurlarin azot içeren
CVD elmasin tipik kahverengi renklenmesine yol açtigi bilindigi için, önceki teknigin bu
bilinen CVD büyütme islemleri, bu bulusun usulünde kullanilan temin edilen CVD elmas
malzemesinin dogrudan büyütülmesi için uygun degildir.
Herhangi bir kahverengi renklenmenin (yukarida sözü edilen X kusurlarina bagli oldugu
düsünülen) önlendigi, temin edilen bir CVD elmas malzemesini elde etmek için
uygulanabilen yukarida sözü edilen özel usullerin biri, daha alisilageldik karbon, hidrojen
ve azottan çok kaynak gazinin karbon, hidrojen, azot ve oksijen içerdigi bir CVD büyütme
isleminin kullanilmasidir. Örnegin islem gazina, gaz fazinda en az 10000 ppm
konsantrasyonunda oksijen ilave edilebilir. Özellikle bulusun ilk yönüne uygun usulün (i)
asamasinda temin edilen CVD elmas malzemesi, bütün açiklamalari burada referans olarak
zikredilen Büyük Britanya basvurusu GB0922449.4 ve ABD geçici basvurusu
USSN 61/289,282,de açiklanan islemle dogrudan büyütülebilir. Spesitik olarak usul, bir
substratin temin edilmesini; bir kaynak gazinin temin edilmesini; ve substrat üzerinde
homoepitaksiyal elmas sentezine izin verilmesini içerir; burada sentez ortami yaklasik 0.4
ppm ila yaklasik 50 ppm atoinik konsantrasyonda azot içerir; ve burada kaynak gazi (a)
yaklasik 0.4 ila yaklasik 0.75 hidrojen atomik fraksiyonu (Hf); (b) yaklasik 0.15 ila
yaklasik 0.3 karbon atomik fraksiyonu (Cf); (C) yaklasik 0.13 ila yaklasik 0.4 oksijen
atomik fraksiyonu (Of) içerir; burada Hf+ Cf + Of = 1; burada karbon atomik
fraksiyonunun oksijen atomik fraksiyonuna orani (Cf:OÜ, yaklasik 0.4521 < Cf: Of <
yaklasik 1.25 :1 oranini saglar; burada kaynak gazi, var olan hidrojen, oksijen ve karbon
atomlarinin toplam sayisinin atomik fraksiyonu 0.05 ile 0.4 arasinda olmak üzere hidrojen
molekülleri (HZ) olarak ilave edilen hidrojen atomlari içerir; ve burada Hf, Cf ve Of atomik
fraksiyonlari, kaynak gazinda bulunan hidrojen, oksijen ve karbon atomlarinin toplam
sayisinin fraksiyonlaridir. CVD elmas malzemesini büyütmenin bu usulü tarifnamede
Kullanilan tam islem parametrelerine (örnegin kullanilan büyüme substrati, kullanilan
basinç ve kaynak gazindaki azot miktari) bagli olarak, yukaridaki oksijen ilaveli CVD
büyütine islemi dogrudan, 350 nmiden 750 nm°ye kadar görünür araliktaki bütünlesik
absorpsiyonun %90”indan azinin NSO disindaki kusurlara (X kusurlari) atfedilebilir oldugu
veya olmadigi elmas malzemesinin temin edilmesini saglayabilir. Genel olarak, oksijen
ilaveli CVD büyütme islemi, bu alanda uzman olanlarin, kahverengi renklenmeye yol açan
X kusurlarinin sayisini azaltirken, standart CVD islemleriyle mümkün olacak olandan daha
yüksek azot yüzdeleri dâhil etmelerine imkân verir. Dolayisiyla bu bulus ayni zamanda,
baska kusurlarin sayisinin da kayda deger olacagi ve elde edilen büyümüs elmas
malzemesinde 350 nm,den 750 nm'ye kadar görünür spektrumdaki bütünlesik
absorpsiyonun %90'indan fazlasinin X kusurlarina atfedilebilir olacagi kadar yüksek
konsantrasyonlarda azot dâhil etmek için oksijen ilaveli CVD büyütme isleminin
kullanilmasini da kapsamaktadir. Daha sonra, temin edilen bu elmas malzemesi kusurlarin
bir kismini veya tamamini gidermek için asagida açiklandigi gibi yüksek sicaklikta
tavlamayla islemden geçirilebilir. Oksijen ilaveli CVD büyütme isleminin, istenen elmas
malzemesi kusur konsantrasyonunu üretmek üzere uyarlanmasi, bu alanda uzman olanlar
için sadece basit deneyleri gerektirecektir.
Oksijen ilaveli CVD büyütme islemiyle büyütülen CVD elmas malzemesi dogrudan bulusa
uygun usulde temin edilen CVD elmas malzemesi olarak kullanilabilir. CVD büyütme
evresinden temin edilen elmas malzemesinin olusturulmasina giden bu yol ilisikteki
çizimlerdeki Sekil l°de “yol A” olarak gösterilmektedir.
Oksijen ilaveli CVD büyütme islemiyle büyütülen CVD elmas malzemesi, dogrudan
bulusa uygun usulde temin edilen elmas malzemesi olarak kullanilmak yerine, daha sonra,
temin edilen CVD elmas malzemesini olusturmak için en az 1600°C veya en az 1800°C
veya en az 2000°C sicaklikta yüksek sicaklikta tavlama islemine tabi tutulan oksijen ilaveli
CVD islemiyle büyütülen öncü elmas malzemesine olarak düsünülebilir. Oksijen ilaveli
CVD büyütme islemiyle hazirlanan ve sonra yüksek sicaklikta tavlama islemine tabi
tutulan bir CVD elmas malzemesi, bulusa uygun usullerde kullanildigi gibi temin edilen
CVD elmasi olusturabilir. Temin edilen CVD elmas malzemesine giden bu yol Sekil 2'de
yol B olarak gösterilmektedir. Bu ön yüksek sicaklikta tavlama isleminin, büyütülen CVD
elmas malzemesindeki X kusurlarini daha da azaltabilecegi ve bunun bazi düzenlemeler
için avantajli olabilecegi düsünülmektedir. Yüksek sicaklikta tavlama asamasi büyütülmüs
veya islenmis tas üzerinde uygulanabilir.
Baska bir olasilik öncü CVD elmas malzemesinin daha geleneksel bir CVD islemi, örnegin
WO 03/052177”de açiklanan tipte bir islem kullanilarak büyütülmesidir. Böyle bir islem
yukarida belirtildigi gibi, bütünlesik absorpsiyonun %90lindan fazlasinin istenmeyen
kahverengi renk verici X kusurlarina atfedilebilecegi sekilde 350 nmlden 750 nm°ye kadar
görünür aralikta bir toplam bütünlesik absorpsiyona sahip bir absorpsiyon spektrumu olan
elmas malzemesi verebilir. Bu elmas malzemesini bu tariiiiamede “geleneksel CVD
islemiyle büyütülmüs öncü elmas malzemesi” olarak adlandiracagiz, öncü sözcügü, bu
bulusun usulüyle tanimlanan “temin edilen CVD elmas malzemesi,”nden farkli olan ve
ondan önce gelen büyütülmüs bir CVD elmas malzemesini belirtmek için kullanilmaktadir.
Geleneksel sözcügü, CVD büyütülmüs öncü malzemesine giden yolu yukarida yol B için
açiklanandan ayirt etmek için kullanilmaktadir. Geleneksel-CVD-büyütülmüs öncü elmas
malzemesi yukarida sözü edilen yüksek sicaklikta tavlama islemine tabi tutulursa,
bütünlesik absorpsiyonun %90”indan azinin N50 kusurlari disindaki kusurlara
(kahverengine yol açan X kusurlari) atfedilebildigi elinas malzemesini verebildigini tespit
ettik. Temin edilen elmas malzemesine giden bu yol Sekil lade “yol C” olarak
gösterilmektedir.
Bu bulusta ayrica temin edilen elmas malzemesi olarak çok düsük, örnegin 0.] ppm”nin
altinda [N50] konsantrasyonlari içeren bir malzemenin kullanimi da düsünülmektedir. Bu
malzemeler kaynak gazinda çok düsük veya sifir azot konsantrasyonlarinin kullanildigi bir
islemle büyütülebilir. Elde edilen büyümüs CVD elmas malzemeleri sonuç olarak X
kusurlarini hiç içermez veya asgari düzeyde içerir, çünkü bu X kusurlarinin, elmas atom
yapisindaki azotun bir sonucu olarak elmas malzemesindeki yapisal degisikliklerden ve
yük degisikliklerinden kaynaklandigi düsünülmektedir; azot yoksa veya asgari düzeydeyse,
bu yapisal degisiklikler olmaz veya asgari düzeyde olur. Bu nedenle, bulusa uygun usulün
bazi düzenlemelerinde, [N30] konsantrasyonu 0.1 ppmlnin altinda olan, temin edilen bir
CVD elmas malzemesi kullanilir.
Çok düsük veya sifir [N30] konsantrasyonlari içeren CVD elinas malzemesi yapma usulleri
bu alanda bilinmektedir. Bunlar örnegin bütün açiklamalari burada referans olarak
Örnegin WO/019663A1,de, herhangi bir tek katiski seviyesinin 5 ppmsyi asmadigi ve
toplam katiski içerigininn 10 ppm°yi asmadigi, elektronik uygulamalari için özellikle
uygun olan bir CVD elmas malzemesi açiklanmaktadir. Tercihen herhangi bir katiskinin
seviyesi 0.5 ila 1 ppmsyi asmaz ve toplam katiski içerigi 2 ila 5 ppm°yi asmaz (burada
CVD büyümesinin gerçeklestigi ortamin katiski içerigi, büyümenin esas itibariyla hiç azot
içermeyen, yani azot içerigi 300 ppb7nin (milyarda pay) altinda olan bir atmosferin
varliginda olacagi, toplam gaz hacminin bir moleküler fraksiyonuna ve tercihen 100
ppb,nin altindaki bir moleküler fraksiyonuna sahip olacagi ve üzerinde büyüdügü
substratm esas itibariyla hiç kusur içermeyecegi sekilde kontrol edilir.
kimyasal safliga ve yüksek izotropik safliga sahip elmas malzemesi hazirlamanin bir usulü
açiklanmaktadir. Özellikle, CVD büyütme usulü, kristal kusurlarindan esas itibariyla ari bir
yüzeye sahip bir elmas substrati temin edilmesini ve azot konsantrasyonunun yaklasik 300
ppb veya daha az oldugu satlik derecesi yüksek gazlar içeren bir kaynak gazi karisiminin
ve kaynagin toplam karbon içeriginin en az %99,u olan bir miktarda 12C içeren kati karbon
kaynagi temin edilmesini ve gaz halindeki karbon türlerini olusturmak için kaynak gazinin
ve kati karbon kaynaginin en azindan bir bölümünün aktive edilmesini ve/veya ayrilmasini
ve substratin yüzeyi üzerinde homoepitaksiyal elmas büyümesine izin verilmesini içerir.
CVD elmas malzemesi hazirlamak için yukarida açiklanan, örnegin WO/019663A1,
itibariyla hiç azot kullanilmayan islemler, bundan böyle “yüksek saflikta CVD elmas
malzemesi büyütme islemleri” olarak geçecektir. Bu islemler, bulusa uygun usullerde
kullanilan temin edilen CVD elmas malzemesini olusturmak için uygundur. Bu sekilde
olusturulan yüksek safliktaki temin edilen CVD elmas malzemesi esas itibariyla hiç azot ve
dolayisiyla esas itibariyla hiç X kusuru içermedigi için, bu yüksek saflik usulleriyle
üretilen temin edilen CVD elmas malzemesi renksiz, hemen hemen renksiz veya soluk
kahverengi olacaktir.
rengi ile izole bosluklar yaratan isinlama asamasinin getirdigi rengin bir kombinasyonudur.
Temin edilen elmas malzeinesine renk katabilen baska katiskilar bazi düzenlemelerde en
aza indirilebilir. Örnegin dengelenmemis borun (izole bor) kendisi elmas malzemesine
mavi bir renk verebilir. Bazi düzenlemeler için, temin edilen elmas malzemesindeki bor
konsantrasyon [B] 5xlO'5 cm`3ӟn altindadir.
Elmas malzemesinde dengelenmemis bor varsa, bunun izole bosluklar yaratmak üzere
isinlainayla dengelenebildigi bilinmektedir, izole bosluklar borla birlesir, böylece ne bor ne
de dengeleyici izole bosluklar elmas malzemesine herhangi bir renk verir. Dolayisiyla bu
bulusa uygun bazi düzenlemelerde, elmas malzemesi dengelenmemis bor içeriyorsa
(örnegin >5x10l5 cm'2 konsantrasyonunda), sadece borla birlesmek üzere degil, ayni
zamanda belirtilen izole bosluk konsantrasyonuna [VT] ulasmak için yeterli izole bosluklar
yaratmak için isinlama asamasi uygulanabilir. Boru denglemek için gerekli olan ek
isinlama seviyesi bu alanda uzman olanlar tarafindan ampirik olarak belirenebilir.
Es zainanli olarak kahverengine yol açan X kusurlarinin yaratilmadigi usullerle temin
edilen elmas malzemesine daha fazla azot ilave edilerek (örnegin yukarida sözü edilen
oksijen islemi) veya bu kusurlar elimine edilerek (örnegin bir yüksek sicaklikta tavlama
asamasiyla), temin edilen CVD elmas malzemesine daha fazla sari katilabilir ve böylece
isinlama asamasindan sonra mavi/yesil bir elmas malzemesi elde edilir. Bunun nedeninin
malzemedeki Nsoain varliginin Vûldan V`9ye yük aktarimiyla sonuçlanmasi oldugu
düsünülmektedir. Örnegin, nispeten düsük [N50] konsantrasyonlari oldugunda, temin edilen
elmas malzemesinde bulunan bosluklarin çogu, mavi bir renk verme egiliminde olan nötr
bosluklardir (V0). Nispeten daha yüksek [N50] konsantrasyonlari oldugunda, temin edilen
elmas malzemesinde daha fazla negatif bosluk (V') bulunur ve bunlar bir mavi/yesil renk
verme egilimindedir. Dolayisiyla, bulus [N50] konsantrasyonunun basit modifikasyonuyla
isinlanmis elmas malzemesini bütün soluk mavi ila soluk mavi/yesil tonlarina ayarlamanin
elverisli bir yolunu sunmaktadir. Avantajli bir sekilde temin edilen elmas malzemesinde
farkli azot konsantrasyonlariyla baslanarak V`/V0 oraninin kontrol edilmesi, renk tonu
açisinin istenen rengi (mavi ve yesil arasinda) elde etmek için degistirilebildigi anlamina
gelmektedir. Bulusun bazi düzenlemeleri, temin edilen elmas malzemesinin [N30]
konsantrasyonunun, temin edilen elmas malzemesinde bir hedef V'/VO orani elde edilecek
sekilde seçilmesini içerir. Farkli V'/V0 oraninin getirdigi mavi ila mavi/yesil renk farkinin
yani sira, islem sonrasi yine daha yesil bir mavi/yesil elmas malzemesi sverme egilimi
gösterecek olan, geri kalan azottan kaynaklanan bir kalinti sari renk tonu da olabilir.
Bu bulus baska bir yönüyle, renk tonu açisi 100°-270° araliginda olmak üzere, fantezi mavi
ila mavi/yesil renk araligi içinde istenen bir elmas malzemesi rengini seçebilmek ve
olusturabilmek için bir sistem sunmakta olup, sistem asagidaki asamalari içerir:
(a) büyütülmüs bir CVD elmas malzemesi için, büyümüs CVD elmas malzemesinin
isinlanmasindan sonra sözü edilen istenen rengi verecek bir hedef [N50]
konsantrasyonunun önceden belirlenmesi;
(b) büyütülmüs CVD elmas malzemesinde sözü edilen hedef [N50] konsantrasyonuna
ulasmak üzere CVD isleminde bir islem gazina yeterli azot ilave edilmesini içeren bir
CVD islemiyle elmas malzemesinin büyütülmesi, bu CVD elmas malzemesi usul istemi
1”in (i) asamasinda açiklanan temin edilen elmas malzemesinin özelliklerine sahiptir;
(0) büyütülmüs CVD elmas malzemesi üzerinde usul istemi l, asama (ii)*de açiklanan
isinlama asamasinin uygulanmasi.
Bu bulusun ilk yönüne uygun usulde kullanilan temin edilen CVD elmas malzemesi, tek
bir büyüme bölgesinden olusturulan sentetik CVD elmas malzemesinin hacminin en az
yaklasik %50isine, alternatif olarak en az yaklasik %80”ine, alternatif olarak en az yaklasik
tercihen bir {100} veya bir {110} büyüme bölgesidir. Tek büyüme bölgesinin10
malzemesinde NS0 seviyeleri, büyüme bölgesi hacminin yaklasik %50”den fazlasi için,
alternatif olarak büyüme bölgesi hacminin yaklasik %60,tan fazlasi için, alternatif olarak
büyüme bölgesi haciminin %80”den fazlasi için tercihen ortalamanin ±%10”u içindedir.
Tek bir büyüme bölgesinden büyütülmüs temin edilen bir sentetik CVD elmas malzemesi,
CVD elmas malzemesi farkli kristalografik yönelime sahip daha az sayida yüzeye (farkli
büyüme bölgelerine karsilik gelen yüzeyler) sahip olacagi için avantajlidir. Farkli
kristalografik yönelimlere sahip yüzeyler, çok farkli azot katiskisi aliini gösterir ve
dolayisiyla daha fazla büyüme bölgesi içeren bir sentetik CVD elmas malzemesi farkli
büyüme bölgelerindeki farkli NS0 konsantrasyonlarindan kaynaklanan, farkli renge sahip
daha fazla istenmeyen bölge gösterme egilimindedir.
Bulusa uygun usullerin temin edilen CVD elmasin bir ön büyütme islemini içerdigi
durumda, bu usuller tercihen elmas malzemesinin tek bir büyüme bölgesinden olusan
yukarida belirtilen yüzdelere sahip olmak üzere büyütülmesini içerir.
Agirlikli olarak tek bir büyüme bölgesinden temin edilen CVD elmasa sahip olunmasinin
baska bir avantaji, farkli büyüme bölgelerinde farkli kusur miktarlari, dagilimlari ve tipleri
olabilmesidir.
Soluk mavi elmas üretmek için dogal elmas veya HPHT sentetik elmas malzemesi yerine
CVD sentetik elmas malzemesinin kullanilmasi çesitli nedenlerle avantajlidir. Örnegin,
dogal elmasin özellikleri degiskendir; dolayisiyla bu, bezemede kullanim için birlikte
kakilacak uygun elmaslarin bulunmasini güçlestirir. CVD elmas malzemesinin dogal elmas
malzemesine göre bir avantaji, sentetik CVD isleminin ve büyüme sonrasi islemin, var
olani razi olmak yerine tam istenen renk tonu ve renk doygunlugunu elde etinek için
ayarlanabilmesidir. Baska bir örnek olarak, HPHT sentez teknikleri kullanilarak üretilen
elmas malzemesi sentez sirasinda olusan farkli kristalografik yönelime sahip yüzeyler
(farkli büyüme bölgelerine karsilik gelen yüzeyler) üzerine çok farkli azot katiskisi alimi
gösterir. HPHT normal olarak, CVDade tipik olarak elde edilenin tersine, tek bir baskin
büyüme bölgesine sahip degildir. Dolayisiyla elmas malzemesi, farkli büyüme
bölgelerindeki farkli azot katiskisi konsantrasyonlarindan kaynaklanan farkli renklere sahip
bölgeler gösterme egilimindedir. Ayrica, HPHT elmas malzeinesi sentez isleminin,
sentezlenen elmas malzemesi içinde tek bir büyüme bölgesinde bile tek düze ve istenen bir
azot konsantrasyonunu elde etmek için yeterli bir sekilde kontrol edilmesi güçtür. Ayrica,
HPHT elmas malzemesi sentezinde tipik olarak, sentez isleminden ve kullanilan
katalizörlerden kaynaklanan katiskilar görülür; bunlarin örnekleri, optik ve termal
özellikleri bozan lokalize ve homojen olmayan gerilmeyle sonuçlanabilen, kobalt veya
nikel içeren inklüzyonlardir. Buna karsilik CVD elmas malzemesinin rengi dogal veya
HPHT sentetik elmas malzemesininkinden çok daha tek düzedir ve metalik inklüzyonlarla
ayni sorunlari yaratmayacaktir.
Bir sentetik CVD elinas malzemesi, HPHT teknikleri kullanilarak sentezlenen bir sentetik
elmas malzemesinden, dislokasyon yapisiyla tartismasiz bir sekilde ayirt edilebilir.
Sentetik CVD elmasta, dislokasyonlar genellikle substratin ilk büyüme yüzeyine yaklasik
olarak dik olan bir yönde ilerler, yani substratin bir (001) substrat oldugu durumda,
dislokasyonlar [001] yönüne yaklasik olarak paralel hizalanir. HPHT teknikleri
kullanilarak sentezlenen sentetik elmas malzemesinde, asi kristalinin yüzeyi (çogunlukla
{001}'e yakin bir yüzey) çekirdeklenen dislokasyonlar tipik olarak <110> yönlerinde
büyür. Dolayisiyla iki malzeme tipi, örnegin bir X-isini topografinda gözlemlenen farkli
dislokasyon yapilariyla ayirt edilebilir. Bu, CVD°yi dogal tip llaadan ayirt etmenin de bir
yolunu saglar, çünkü dogal elmas bu net paralel dislokasyonlari göstermez.
Ancak X-isini topografisi zahmetli bir islemdir ve daha az zahmetli olup kesin ayrimi
mümkün kilan bir alternatifin arzu edilecegi açiktir.
Bir sentetik CVD elmas malzemesi, HPHT teknikleri kullanilarak sentezlenen bir sentetik
elmas malzemesinden, sentez isleminin sonucu olarak dâhil edilen HPHT,er sentezlenmis
malzemedeki metalik inklüzyonlarin varligiyla kesin olarak ayirt edilebilir. Inklüzyonlar
çözücü katalizör metal olarak kullanilan metallerden, örnegin Fe, C0, Ni ve benzerinden
olusur. Inklüzyonlarin büyüklükleri l aminin alti ila 100 pm°nin üzeri araliginda
degisebilir. Büyük inklüzyonlar bir stereomikroskop (örnegin bir Zeiss DV4) kullanilarak
gözlemlenebilir; daha küçük inklüzyonlar ise bir metal mikroskopunda (örnegin bir Zeiss
CVD ve HPHT usulleriyle üretilen sentetik elmaslarin kesin olarak ayirt edilmesi için
kullanilabilen baska bir usul, fotolüminesans spektroskopisidir (PL). HPHT°yle
sentezlenen malzemede siklikla, sentez isleminde kullanilan katalzör metallerden (tipik
olarak geçis metalleri) gelen atomlari (örnegin Ni, C0, Fe ve benzeri) içeren kusurlar
bulunur ve bu kusurlarin PL,er saptanmasi malzemenin bir HPHT usulüyle
sentezlendigini kesin olarak gösterir.
Bulusa uygun usullerin (ii) asamasi, temin edilen elmas malzemesinin elektronlarla
isinlanmasini içerir. lsinlama asainasi, daha önce açiklandigi gibi elmasta izole bosluklar
(V) olusturma islevini görür.
Elmas malzemesinin elektron radyasyonu disindaki radyasyonla isinlanmasinin, fantezi
soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yesil renkli bir elmas vermedigini tespit ettik. Özellikle
nötronlarla isinlamanin sari yesil renkli bir elmas ürettigini saptadik.
Genel olarak, isinlaina dozu ne kadar yüksekse, yaratilan izole bosluklarin sayisi 0 kadar
büyüktür. lsinlama dozu seviyesi ve herhangi bir lsinlama sonrasi islem [VT] x L9nin en az
0.072 ppm cm ve en fazla 0.35 ppm cm olacagi sekilde seçilir. Tipik olarak bir 0.5 ct rbc
için bu 0.12-0.6 ppm [VT] konsantrasyon araligina karsilik gelir.
Bulusa uygun bazi düzenlemelerde, elektronlarin dozu isinlanmis elmas malzemesine en az
0072 ppm cm ve en fazla 0.36 ppdom cm [VT] x L dâhil etmek için seçilir. Bu durumlarda
tercihen, elmas inalzemesine, elmas malzemesindeki izole bosluk konsantrasyonunu
önemli ölçüde etkileyebilen hiçbir baska isinlama sonrasi islem uygulanmaz.
Elmas malzemesinin, istenen nihai izole bosluklar konsantrasyonundan fazlasini dâhil
etmek için isinlanmasi mümkündür. Bu durumda, bir isinlama sonrasi islem asamasiyla
izole bosluklarin konsantrasyonunu daha sonra azaltmak mümkündür. Izole bosluklarin
konsantrasyonunu böyle bir lsinlama sonrasi asainayla yaklasik %50°ye kadar azaltmanin
mümkün oldugunu tespit ettik. lsinlama sonrasi asama numunenin örnegin en az 300°C bir
sicaklikta veya en fazla 600°C bir sicaklikta tavlanmasini içerebilir. Tavlama süresi kisa
olabilir, örnegin basitçe sicakligin oda sicakligindan tavlama sicakligina çikarilmasini ve
sonra numunenin yeniden sogumasina izin verilmesini içerebilir veya numune bir süre,
örnegin birkaç saat veya saatlerce, örnegin 2 saat tavlama sicakliginda tutulabilir. Bulusu
herhangi bir sekilde sinirlandirmaksizin, bu sicaklikta tavlamanin malzemede bulunan dar
araliklarin hareketli hale gelmesine ve dolayisiyla dagilmasina ve izole bosluklarin
bazilariyla yeniden birlesmesine ve sonuç olarak izole bosluklarin konsantrasyonunun
azalmasina neden olabildigine inaniyoruz. Bu fazla lsinlama (fazla izole bosluk üretmek
için), ardindan bu fazla izole bosluklari gidermek için bir tavlama dezavantajli bir sekilde
fazladan bir asamayi gerektirir, ama bazi durumlarda kullanilabilir ve sonuç olarak elde
edilen islem sonrasi izole bosluk konsantrasyonunun saptanmis sinirlarin içinde olmasi
kosuluyla bu bulusun çerçevesi içine girer.
Dolayisiyla bulusa uygun usulün baska düzenlemeleri, isinlanmis elmas malzemesinde en
az 0.72 ppm cm ve en fazla 036 ppm cm [VT] x L7ye ulasmak için isinlanmis elmas
malzemesinin isinlama sonrasi islemden geçirildigi ek bir asama içerir. Bu isinlama sonrasi
islem asamasi, isinlanmis elmas malzemesinin en az 300°C ve en fazla 600°C bir sicaklikta
tavlanmasini içerebilir. Bu düzenlemelerde, bir isinlama sonrasi tavlama, izole bosluklar
konsantrasyonunu %50,ye kadar azaltabildigi için, elektronlarin baslangiç dozu isinlanmis
elmas malzemesinde en fazla 0.72 ppm cm [VT] olusturmak için seçilebilir.
CVD elmas malzemesini isinlamanin ek bir yarari, tipik olarak malzemenin renginin düsük
sicaklikta tavlamada ve UV isiga maruziyette islemden geçirilmemis CVD elmasa kiyasla
daha stabil olmasidir. Bu stabilizasyon etkisi, her ikisinin de basvurusu 26 Haziran 20097da
Büyük Britanya Basvurusu ve 61/247,735 Numarali ABD Basvurusunda açiklanmaktadir
(bunlarin bütün açiklamalari burada referans olarak zikredilmektedir). Dolayisiyla, bu
bulusun bir avantaji, bu bulusu usulünün isinlama asamasinin yoklugunda, ilk ve ikinci
durumlarda absorpsiyon özelliklerinin en az birinde ölçülebilir bir fark gösterecek mavi
veya mavi yesil bir elmas malzemesi vermesi (ilk durum en az 5.5 eV bir enerjiye sahip
isinlamaya maruziyetin sonrasidir ve ikinci durum 525°C,de (798 K) isi isleminden
sonrasidir), ama bu bulusun usulünün ardindan, dar araliklarin konsantrasyonu en aza
indirilirse, sözü edilen ilk ve ikinci durumlarda az renk degisikligi gösteren veya hiç
göstermeyen elmas malzemesi verinesidir. Avantajli bir sekilde, bazi düzenlemelerde,
isinlamadan sonra renk doygunlugu degerinin (C*) ilk ve ikinci durumlardaki farki,
isinlamaya tabi tutulmamis elmas malzemesine kiyasla en az 0.5 azalir. Bazi
düzenlemelerde, isinlamadan sonra ilk ve ikinci durumlardaki elmas malzemesinin C*
degerindeki degisiklik <1,dir. Bazi düzenlemelerde, isinlanmis elmas malzemesi veya
baska bir isinlama sonrasi islemin ardindan isinlanmis elmas malzemesinin -1 96°C1de (77
K) ölçülen absorpsiyon katsayisi 741 nin bir dalga uzunlugunda en az 0.01 cm`l olabilir;
veya -1 96°C7de (77 K) ölçülen absorpsiyon katsayisi 394 nm bir dalga uzunlugunda en az
0.01 cm`i olabilir.
bir elektron isininin enerjisinin her ek MeV”si elmasa 0.7 mm daha penetrasyon
saglayacaktir. Tipik elektron isini kaynaklari 1.5 MeV,de ve 4.5 MeVade kullanilabilir ve
tipik büyüklükte elmaslar için, örnegin kalinligi yaklasik 3 mm olan 0.5 kirat bir elmas için10
istenen penetrasyona ulasmak üzere isinlama için 4.5 MeV bir elektron kaynaginin
kullanilinasinin tercih edilir oldugunu tespit ettik. Tipik olarak, elektron isini kaynagi
örnegin Isotron plc”de kullanilan tesiste %50 tarama genisligine ve 20 mA akima sahip
olabilir.
Elektron isinlamasi tipik olarak 0.8 MeV ila 12 MeV enerji araliginda bir isin kaynagiyla
yapilir. Istege bagli olarak kullanilan enerji, kaskad hasarinin, örnegin bosluk zincirlerinin
olusuinunu en aza indirirken, N katkili elinas malzemesinde izole bosluklarin hemen
hemen tek düze bir konsantrasyonunu saglayan enerjidir. Burada bildirilen optimum
sonuçlar için 4.5 MeV,nin bu iki faktör arasinda iyi bir denge sagladigi tespit edildi.
Istege bagli olarak ve özellikle daha büyük numuneler için, tasin hacminin her yerinde
yaratilmis izole bosluklarin tek düzeliginin saglanmasina yardim etmek için, isinlama
sirasinda numunenin dönmesi veya tekrarlanan dönmenin ardindan isinlama kullanilabilir.
Elmas sicakligi, isin enerjisi, isin akisi, hatta baslangiç elmasinin özellikleri gibi faktörler
sabit bir deneysel isinlama ortami ve zainani için üretilen [VT]°yi etkileyebilir. lsinlama
tipik olarak, isinlama dozu sirasinda sadece minimum sicaklik artisiyla (örnegin
uygulanir. Ancak isin enerjisi ve isin akisi gibi faktörler numunenin isinmasina yol
açabilir. Sicaklik kontrolünü tehlikeye atmadan yüksek doz hizlarini münikün kilmak ve
dolayisiyla isinlama zamanini en aza indirmek için tercihen numune mümkün oldugu kadar
soguk tutulur (bazi durumlarda -196°C,de (77 K) kriyojenik sogutma bile avantajlidir).
Ticari nedenlerle bu avantajlidir. Uygulanan [VT] konsantrasyonuna iliskin bu sinirlar
içinde kalmak için, uygulanan dozun kullanilmakta olan spesifik temin edilen elmas için
üretilen izole `bosluklara göre kali'brasyonu bu bulusun usulünü uygulamadan önce bu
alanda uzman olanlarin sorumluluklari arasinda yer alacaktir. Bu kalibrasyon teknikleri bu
alanda uzman olanlar için rutindir.
Ayrica isinlama süresinin elmas malzemesinde yaratilan izole bosluklarin sayisini
etkiledigini ve izole bosluk yaratma hizinin farkli baslangiç malzemeleri ve baslangiç
sicakliklari için farkli oldugunu da tespit ettik.
Numune sicakligi 77°C (350 K) oldugunda bir 0.5 ct rbc elmas tasi için tipik bir isinlama
dozu 1 x 1017 - l x1018 e'cm'zsdir.
Numune sicakligi 77°C (350 K) oldugunda bir 0.5 ct rbc elmas tasi için tipik bir isinlama
süresi Isotron plcsde bulundugu gibi bir alet kullanilarak 4.5 MeV, 20 mA ve %50 tarama
genisliginde 5-30 dakikadir.
Bu tarifnamede izole bosluklar konsantrasyonlarini ölçmek için, spektrumlar numuneleri
sogutmak üzere sivi azot kullanilarak -l96°C`de (77 K) elde edilir, çünkü bu sicaklikta 741
nm`de ve 394 nmade sirasiyla nötr ve negatif yüklü izole bosluklara atfedilebilen sivri
pikler görülür. Bu tarifnamede izole bosluklar konsantrasyonlarinin hesaplanmasi için
kullanilan katsayilar asagidaki Tablo 1 ”de ayrintili olarak verildigi gibi G. Davies
Kusur Kalibrasyon
Tablo ltde “A”, absorpsiyon katsayisi cm'l ve foton enerjisi meV cinsinden olmak üzere,
-196°C'de (77 K) ölçülen, geçisin sifir fonon çizgisinde bütünlesik absorpsiyonudur.
Konsantrasyon cm olarak verilir.
Bulusumuzun usullerine göre isinlamadan sonra veya baska bir isinlaina sonrasi islemden
sonra [VT] x L en az 0.072 ppm cm ve en fazla 0.36 ppm cm9dir.
Bu bulusa uygun usulde kullanilan temin edilen CVD elmas malzemesi ve ayrica bu
bulusun usulüyle elde edilen isinlanmis CVD elmas malzemesi, daha büyük bir elmas
malzemesi parçasinin bir kismini olusturabilir veya olusturmayabilir. Örnegin daha büyük
elmas malzemesi parçasinin sadece bir kismi isinlanabilir ve maviye dönebilir ve/veya
daha büyük elmas malzemesi parçasinin sadece bir kismi tanimli absropsiyon özelliklerine
sahip olabilir. Bu alanda uzman olanlar için açik olacagi gibi, birden fazla tabaka da
isinlanabilir ve/veya istenen absorpsiyon özelliklerine sahip olabilir, böylece bulusa uygun
usulde kullanilan temin edilen CVD elmas malzemesi, örnegin daha büyük bir elmas
malzemesi parçasinin bir veya birden fazla tabakasini olusturabilir. Isinin penetrasyon
derinliginin isinlama enerjisine bagli oldugu bilinmektedir. Dolayisiyla tercih edilen
düzenlemelerde bir isinlama enerjisi, isinin bir CVD elmas malzemesinin derinliginin
sadece bir kismina girecegi sekilde seçilir. Bu, izole bosluklarin sadece isinlanmis CVD
elmas inalzemesinin penetrasyonun oldugu kisminda olusacagi ve dolayisiyla CVD elmas10
malzemesinin penetrasyonun oldugu kisminin bu bulusun usulüyle olusturulan, kullanilan
Temin edilen CVD elmas malzemesinin daha büyük bir elmas malzemesi parçasinin
sadece bir kismini olusturdugu durumda, yukarida açiklandigi gibi temin edilen CVD
elmas malzemesi tek basina, bulusun bazi düzenlemeleri için açiklanan avantajli optik
özelliklere sahip olabilir. Dolayisiyla örnegin daha büyük bir CVD elmas malzemesinin bir
üst veya gömülü tabakasi veya tabakalari soluk mavi veya soluk mavi/yesil renge sahip
olabilir. Baska soluk mavi veya mavi/yesil olmayan tabakalar esas itibariyla renksiz oldugu
durumda, daha büyük elmas malzemesi parçasinin rengini soluk mavi veya soluk
mavi/yesil tabaka(lar) belirler.
Bulusa uygun bazi düzenlemelerde, elmas tasinin en az %50lsi veya en az %603 veya en
az %70,i veya en az %803 veya en az %9031 veya esas itibariyla tamami esas itibariyla
ayni renkte olabilir.
Bulusa uygun baska düzenlemelerde, elmas tasi, ayni renkte elmas tasi tabakalari veya
cepleri içerebilir.
Spesifik bir azot konsantrasyonuna sahip, esas itibariyla renksiz veya soluk renkli olan bir
CVD elmas malzemesiyle baslayarak ve CVD elmas malzemesini elektronlarla isinlayarak
soluk mavi veya soluk mavi/yesil elmas malzemesinin üretilebilmesi bu bulusun bir
avantajidir. Tam renk (mavi ve yesil arasinda) azot konsantrasyonu kontrol edilerek
degistirilebilir. Avantajli bir sekilde, diger her seyin, örnegin baska renk yaratabilecek
baska elementlerin düsük seviyeleri korunur. lsinlama, elmas malzemesinde izole
bosluklarin spesifik bir konsantrasyonunu yaratmak, böylece bir fantezi soluk mavi veya
fantezi soluk mavi/yesil renk olusturmak için kontrol edilir. Bu renkli elmas malzemeleri
degerli taslar olarak veya renk filtreleri olarak veya bir kesme aleti, örnegin bir nester ve
benzeri olarak spesifik bir kullanim alani bulabilir. “Renksiz” ve “beyaz” terimlerinin
zaman zaman bu alanda degerli taslar için elmas malzemelerinin rengini belirtmek için es
anlamli olarak kullanildigini belirtmek gerekir.
Bu bulus ayrica bulusa uygun bir usulle üretilen elmas malzemesini sunmaktadir. Rengin
sadece bordan gelmedigi veya hiç bordan gelmedigi bir fantezi soluk mavi veya soluk
mavi/yesil CVD elmas malzemesi de yenidir. Dolayisiyla bu bulus ikinci bir yönüyle [B] <
1 x 10'5 cm'3 veya [N] - [B] < 1 ppm°ye ve asagidaki renk özelliklerine sahip bir fantezi
soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yesil CVD sentetik tek kristalli elmas malzemesi
sunmaktadir:
Özellik Aralik
Renk tonu açisi oi 1000-270°
istege bagli olarak 110°-230°
istege bagli olarak 120°-200°
Doygunluk - C* En az 2 ve en fazla 10
istege bagli olarak 2 - 8
istege bagli olarak 2 - 6
Renk açikligi- L* >65
istege bagli olarak >70
istege bagli olarak >72
kullanilarak iyi bilinen bir sekilde belirlenebilir. Elmasta CIE L*a*b* Kromatiklik
Koordinatlarinin kullanimi, bütün açiklamasi burada referans olarak zikredilen WO
rengini degerlendirmek için özellikle uygundur. Yuvarlak, parlak, Cilali bir elmasin rengi,
egitimli bir kisi tarafindan gözle veya bastan sona bir ölçü almak için iki paralel Cilali yan
olacak sekilde düz olan en alt kisiin üzerine bir düz yüzey cilalanirsa CIE L*a*b*
Kromatiklik Koordinatlari kullanilarak degerlendirilebilir. a* ve b* bir grafigin x ve y
eksenleri olarak çizilir ve renk tonu açisi pozitif a* ekseninden pozitif b* eksenine dogru
ölçülür. Dolayisiyla, 90°,nin üzerindeki ve 180°lnin altindaki bir renk tonu açisi, a*b*
grafiginin üst sol çeyreginde bulunur. Rengi tanimlamak için bu semada Lt'< renk
açikligidir ve dördüncü koordinat C* doygunluktur.
Bir nesnenin algilanan rengi, nesnenin transmitans/absorbans spektrumu, aydinlatma
kaynaginin spektral güç dagilimi ve gözlemeinin gözlerinin tepki egrilerine baglidir.
Burada aktarilan CIE L*a*b* kromatiklik koordinatlari (ve dolayisiyla renk tonu açilari)
asagida açiklandigi gibi elde edildi. Bir standart D65 aydinlatina spektrumu ve gözün
standart (kirmizi, yesil ve mavi) tepki egrileri kullanilarak (G. Wyszecki ve W. S. Stiles,
John Wiley, New York-Londra-Sydney, 1967) paralel yanli bir elmas plakanin CIE
L*a*b* kroinatiklik koordinatlari, l nm veri araligiyla 350 nm ve 800 nm arasinda,
asagidaki iliskiler kullanilarak transinitans spektrumunden elde edildi:
Si = 9» dalga uzunlugunda transmitans
L~^ = aydinlatmanin spektral güç dagilimi
xi = gözün kirmizi tepki islevi
yi = gözün yesil tepki islevi
2;, = gözün mavi tepki islevi
X = 2;., [SL X',` Li] /Yo
Y = 21. [SAW Li.] / Yo
2 = 29. [82,21 Li] I Yo
C* = (a*2 + b*2)l/2 = doygunluk
hah = arctan (b* / a*) = renk tonu açisi
Bu denklemlerin modifiye versiyonlarinin Y/Yo, X/XO ve Z/Zo sinirlari disinda
kullanilmasi gerekir. Modifiye versiyonlar Commission Internationale de L'Eclairage
tarafindan hazirlanan bir teknik raporda (Colorimetry (1986)) verilmektedir.
21* X eksenine karsilik gelmek ve b* y eksenine karsilik gelmek üzere bir grafikte a* ve b*
koordinatlarinin çizilmesi standarttir. Pozitif a* ve b* degerleri renk tonunun sirasiyla
kirmizi ve sari bilesenlerine karsilik gelir. Negatif a* ve b* degerleri sirasiyla yesil ve mavi
bilesenlere karsilik gelir. Bu durumda grafigin pozitifçeyregi, baslangiçtan mesafeyle
verilen doygunluklarla (C*) saridan turuncuya, turuncudan kirmiziya kadar renk tonlarini
Belirli bir absorpsiyon katsayisi spektmmuyla, optik yol uzunlugu degistikçe elmasin a*b*
koordinatlarinin nasil degisecegini öngörmek mümkündür. Bunun için, ilk olarak, ölçülen
absorbans spektrumuridan yansima kaybinin çikarilmasi gerekir. Daha sonra absorbans
farkli bir yol uzunluguna izin verinek için ölçeklenir ve sonra yansima kaybi tekrar eklenir.
Daha sonra absorbans spektrumu yeni kalinlik için CIE L*a*b* koordinatlarini elde etmek
amaciyla kullanilan bir transmitans spektrumuna dönüstürülebilir. Böylece, renk tonunun,
doygunlugun ve renk açikliginin optik yol uzunluguna bagimliligi modellenerek, birim
kalinlik için verilen absorpsiyon özelliklerine sahip elmasin renginin nasil optik yol
uzunluguna bagli olacagi anlasilabilir.
L*, renk açikligi, CIE L*a*b* renk boslugunun üçüncü boyutunu olusturur. Spesifik optik
absorpsiyon özelliklerine sahip elmas için optik yol uzunlugu degistikçe renk açikliginin
ve doygunlugun degisme biçimini anlamak önemlidir. Önceki paragrafta açiklanan usul
belirli bir absorpsiyon katsayisi spektrumuna sahip elmasin L*C* koordinatlarinin nasil
optik yol uzunluguna bagli oldugunu öngörmek için de kulanilabilir.
C* (doygunluk) sayilari 10 C* birimlik doygunluk araliklarina bölünebilir ve asagidaki
tanimlayici terimler verilebilir.
0-10 zayif
-20 zayif-orta
-30 orta
-40 orta-güçlü
40-50 güçlü
50-60 güçlü-çok güçlü
60-70 çok güçlü
70-80+ çok çok güçlü
Benzer bir sekilde L* sayilari asagidaki gibi renk açikligi araliklarina bölünebilir:
-15 çok çok koyu
-25 çok koyu
-35 koyu
-45 orta/koyu
45-55 orta
55-65 açik/orta
65-75 açik
75-85 çok açik
85-95 çok çok açik
Asagidaki açiklik ve doygunluk kombinasyonlariyla tanimlanan dört temel renk tonu
Parlak: Açik renk ve yüksek doygunluk, Soluk: Açik renk ve düsük doygunluk,
Derin: Yüksek doygunluk ve koyu, Mat: Düsük doygunluk ve koyu.
Bulusun düzenlemeleri simdi ilisikteki çizimlere ve örneklere referansla, örnek yoluyla
açiklanacaktir, burada:
Yukarida sözü edilen Sekil 1, soluk mavi veya soluk mavi/yesil elmas malzemesi elde
etmek için bulusa uygun usuller için yollari gösteren bir akis semasidir;
Sekil 2, oda sicakliginda ölçülen A, B ve C absorpsiyon spektrumlaridir, burada A örnek 2-
4 ve 97da kullanilan baslangiç elmas malzemesi için spektrumdur, B örnek 1 ve 8”de
kullanilan baslangiç malzemesi için spektrumdur ve C örnek 5-7”de kullanilan baslangiç
malzemesi için spektrumdur;
Sekil 3, -196°C”de (77 K) ölçülen UV Görünür absorpsiyon spektrumlari A, B ve C”dir,
burada A, B ve C sirasiyla, her biri belirtildigi gibi isinlamadan sonra gösterilen örnek 2, 3
ve 4 için absorpsiyon spektrumlaridir; ve
Sekil 4, V' ve V0 kusurlarini belirten NDl ve GRl piklerini gösteren, isinlamadan sonra
sirasiyla örnek 2 ve 6 için -l96°C°de (77 K) ölçülen absorpsiyon spektrumlari A ve Bldir.
Bulusun tek kristalli CVD elmasini sentezlemek için uygun HPHT elmas substratlari
lazerle kesildi, substratlar içine yerlestirildi, kusurlarin yogunlugu 5 x 103 /m2°nin altinda
ve genellikle 102 /mm,nin altinda olacak sekilde yüzey alti kusurlarini en aza indirmek için
parlatildi. 500 um kalinliga sahip 3.6 mm x 3.6 mm boyutlarinda kare parlatilmis HPHT
plakalari, bu asamada bütün yüzler {100} '1 mm°nin altinda bir yüzey pürüzlülügüne (RQ)
sahip olmak üzere, bir atese dayanikli metal disk üzerine monte edildi ve bir CVD elmas
büyütme reaktörüne yerlestirildi.
Büyüme evreleri
1) CVD elmas reaktörüne Önceden, gelen gaz akimindaki kasitsiz kirletici türleri 80
ppbinin altina indiren kullanim noktasi saflastiricilari takildi.
sicakligi kullanilarak bir in situ oksijen plazmali yakma uygulandi.
3) Bundan sonra, kesinti olmadan, gaz akisindan 02 giderimiyle bir hidrojenle yakma
uygulandi.
4) Bunun ardindan, karbon kaynagi (bu durumda CH4) ve katki gazlari ilavesiyle büyütme
islemine geçildi. CHjün 165 sccm”de aktigi bu örnekler için, islem gazinda farkli örnekler
için farkli seviyelerde, Andaki hava veya H2”deki Nz gibi 100 ppb N2 içeren bir kaynagin
kalibre edilmis bir kaynagindan temin edilen azot vardi ve bazi örnekler için islem gazinda
ayrica 02 vardi.
Örnek Islem gazinda bulunan azot katki Islem gazinda bulunan oksijen (02)
maddesi (ppm) akisi (ppm)
1 ve 8 1.8 0
2 - 4 ve 9 0.09 0
-7 1.0 1 3 700
6) Büyüme döneminin tamainlanmasi üzerine, substrat reaktörden çikarildi ve CVD elmas
tabakasi lazerle kesme ve mekanik parlatma teknikleriyle substrattan ayrildi.
7) Bu, tipik boyutlari ~3.1X5x5 mm ve isik için tipik ortalama yol uzunlugu 6 mm olan bir
CVD numunesi verdi.
Bu büyütülmüs CVD elmas malzemesi bu tarifnamenin istemleriyle tanimlanan “temin
edilen elmas,”tir.
Sekil 2 A, B ve C absorpsiyon spektrumlari olup, burada spektrum A örnek 2-4 ve 97da
kullanilan baslangiç elmas malzemesinin spektrumudur ve yüksek saflikta bir CVD
büyütme islemiyle büyütülmüs elmas malzemesini temsil eder. Bu örneklerde, temin
edilen CVD elmasin görünür spektruinunda NS0 disindaki kusurlara atfedilebilen bütünlesik
absorpsiyonun yüzdesi >%90”dir. Bu örneklerde, bu nedenle, 270 nmlde hiçbir ayri pik
olmamasinin gösterdigi gibi mutlak [N50] konsantrasyonu düsüktür. 510 ve 350 nmide
absorpsiyon sirasiyla <0.5 ve 0.3 cm'1 oldugu için malzemede kahverengilesine yoktur. Bu
yüksek satliktaki malzemeler renksizdir ve bulusun usulüne göre isinlama için uygun
temin edilen CVD elmas malzemeleridir. Sekil 2”de, spektrum B örnek 1 ve 87de
kullanilan baslangiç malzemesinin spektrumudur. Bu baslangiç malzemesi kaynak gazinda
hiç oksijen olinadan geleneksel bir CVD büyütme islemiyle büyütülmüs bir CVD elmas
malzemesidir. Bu örneklerde baslangiç CVD elmas malzemesinin görünür spektiumunda
NSO disindaki kusurlara atfetilebilen bütünlesik absorpsiyonun yüzdesi >%90,dir ve ayrica
ve 8”in baslangiç elmas malzemeleri, bu bulusun isinlama usulü için islemden
geçirilmemis uygun baslangiç malzemeleri degildir ve isinlamadan önce soluk
kahverengidir. Ancak islemden geçirilirlerse, örnegin örnek 8,de gösterildigi gibi
HPHT,yle tavlanirlarsa, bu bulusun isinlama usulü için uygun öncü elmas malzemeleri
olurlar. Sekil 2”de, spektrum C, kaynak gazinda ilave edilmis oksjinin bulundugu bir CVD
büyütme islemiyle büyütülen elmas malzemeleri olan örnek 5-7”de kullanilan baslangiç
malzemesinin spektrumudur. Bu spektrumda, 510 nm ve 350 nmsde absorpsiyon sirasiyla
>0.5 cm`l ve 0.3 cm" 'dir, ancak temin edilen CVD elmasin görünür spektrumunda NS0
disindaki kusurlara atfedilebilen bütünlesik absorpsiyonun yüzdesi simdi
Claims (20)
- l. Fantezi soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yesil CVD tek kristalli elmas malzemesi hazirlamak için bir usul olup, asagidaki asamalari içerir: i) bir CVD islemiyle büyütülmüs tek kristalli elmas malzemesi temin etmek, elmas malzemesinin [N50] konsantrasyonu l ppminin altindadir, temin edilen CVD elmas malzemesi renksizdir veya renksiz degilse rengi kahverengi veya sari olarak siniflandirilir ve rengi kahverengi olarak siniflandirilirsa, 0.5 ct Yuvarlak Pirlanta Kesim bir elmas tasi için G (kahverengi) veya daha iyi bir renk sinifina sahiptir ve rengi sari olarak siniflandirilirsa, 0.5 ct Yuvarlak Pirlanta Kesim elmas tasi için T (sari) veya daha iyi bir renk sinifina sahiptir; ve (ii) temin edilen CVD elmas malzemesini elektronlarla isinlayarak, bu asamada veya isinlama sonrasi baska bir islemden sonra isinlanmis elmas malzemesindeki toplam bosluk konsantrasyonu x yol uzunlugu çarpiminin ([VT] K L) en az 0.072 ppm cm ve en fazla 0.36 ppm cm olacagi sekilde elmas malzemesi içinde izole bosluklar olusturmak, böylece elmas malzemesi fantezi soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yesil renkli olur, burada fantezi soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yesil CVD tek kristalli elmas malzemesinin bor konsantrasyonu [B] <5 x 10'5 atom/cm3 ,tür ve asagidaki renk özelliklerine sahiptir:
- 2. Istem l”e uygun bir usul olup, burada temin edilen elmas malzemesinin rengi kahverengi veya sari olarak siniflandirilir ve kahverengi olarak siniflandirilirsa 0.5 ct Yuvarlak Pirlanta Kesim bir elmas tasi için renk tonu açisi 0° ila 90°,nin alti araligindadir ve rengi sari olarak siniflandirilirsa 0.5 ct Yuvarlak Pirlanta Kesim bir elmas tasi için renk tonu açisi 90°-130° araligindadir.
- 3. Istem 1 veya 2lye uygun bir usul olup, burada hiçbir baska isinlama sonrasi islem yoktur ve elektronlarin dozu, isinlanmis elmas malzemesinde en az 0.072 ppm cm ve en fazla 0.36 ppm cm toplam izole bosluk konsantrasyonu x yol uzunlugu çarpimi [VT] x L olusacak sekilde seçilir.
- 4. Istem 1 veya 2”ye uygun bir usul olup, en fazla 0.36 ppm cm toplam izole bosluk çarpimina ulasmak için isinlanmis elmas malzemesini isinlama sonrasi islemden geçirmek için ek bir asama içerir.
- 5. Istem 4le uygun bir usul olup, burada isinlama sonrasi islem asamasi, isinlanmis elmas malzemesinin en az 300°C ve en fazla 600°C bir sicaklikta tavlanmasini içerir.
- 6. Istem 56 uygun bir usul olup, burada elektronlarin dozu, isinlama sonrasi islem asamasindan önce isinlanmis elmas malzemesinde en fazla 0.72 ppm cm olan toplam izole bosluk konsantrasyonu x yol uzunlugu çarpimi, [VT] x L olusturmak üzere seçilir.
- 7. Istem l-6”nin herhangi birine uygun bir usul olup, burada temin edilen elmas malzemesine iliskin olarak, 350 nmlden 750 nm7ye kadar görünür aralikta NSO disi kusurlara atfedilebilen toplam bütünlesik absorpsiyon %90'1n üzerindeyse, 350 nm°de absorpsiyon katsayisi 0.5 cm'1 ,in altindadir ve 510 nmlde absorpsiyon katsayisi 0.3 cm"1 ”in altindadir.
- 8. Istem l-6Snin herhangi birine uygun bir usul olup, öncü elmas malzemesinin dogrudan veya baska islemden sonra temin edilen elmas malzemesi olarak kullanilmak üzere büyütülmesini içerir, öncü elmas malzemesi, bütünlesik absorpsiyonun en fazla %90linin aralikta toplam bütünlesik absorpsiyonu haiz bir absorpsiyon spektrumuna sahiptir.
- 9. Istem 8,e uygun bir usul olup, burada CVD islemi, gaz fazinda >10000 ppm oksijen molekülü konsantrasyonunda bir islem gazina oksijen ilave edilmesini içerir.
- 10. Istem 8 veya 9”a uygun bir usul olup, burada öncü elmas malzemesini büyütme asamasi, bir substrat ve bir kaynak gazi temin edilmesini; ve substrat üzerinde homoepitaksiyal elmas sentezine izin verilmesini içerir, burada sentez ortami yaklasik 0.4 ppm ila yaklasik 50 ppm atomik konsantrasyonda azot içerir; ve burada kaynak gazi (a) yaklasik 0.4 ila yaklasik 0.75 olan bir hidrojen atomik fraksiyonu, Hf; (b) yaklasik 0.15 ila yaklasik 0.3 olan bir karbon atomik fraksiyonu, Cf; (c) yaklasik 0.13 ila yaklasik 0.4 olan bir oksijen atomik fraksiyonu, Of) içerir; burada Hf + Cf+ Of: l; burada karbon atomik fraksiyonunun oksijen atomik fraksiyonuna orani CfIOf, yaklasik 0.4521 < CfIOf< yaklasik 1.25:l oranini karsilar; burada kaynak gazi, var olan hidrojen, oksijen ve karbon atomlarinin toplam sayisinin atomik fraksiyonu 0.05 ve 0.4 arasinda olmak üzere hidrojen molekülleri (Hz) olarak ilave edilen hidrojen atomlari içerir; ve burada Hr, Cf ve Or atomik fraksiyonlari kaynak gazinda bulunan hidrojen, oksijen ve karbon atomlarinin toplam sayisinin fraksiyonlaridir.
- 11. Istem l-7°nin herhangi birine uygun bir usul olup, burada bir hedef [N30] konsantrasyonu isinlanmis elmas malzemesinin istenen nihai rengine göre önceden belirlenir ve temin edilen CVD elmas malzemesindeki fiili [N50] konsantrasyonu sözü edilen hedef [N50] konsantrasyonunun %20”si içinde kontrol edilir.
- 12. Yukaridaki istemlerin herhangi birine uygun bir usul olup, bir Öncü elmas malzemesinin büyütülmesini ve sonra büyümüs CVD elmas malzemesinin en az 1600°C bir sicaklikta tavlanmasiyla asama (i)”de temin edilen sözü edilen CVD elmasin üretilmesini içerir.
- 13. Yukaridaki istemlerin herhangi birine uygun bir usul olup, burada asama (i),deki temin edilen CVD elmas malzemesinin bor konsantrasyonu [B] 5x1015 atoms/cm3ӟn altindadir.
- 14. Istem 1-12*nin herhangi birine uygun bir usul olup, burada dengelenmemis bor, temin edilen elmas malzemesinde >5x1015 cm`3 konsantrasyonunda bulunur ve isinlama asamasi, izole bosluklar boru dengelemek için kullanildiktan sonra. isinlamadan sonra veya baska bir isinlama sonrasi islemden sonra izole bosluk konsantrasyonu x yol uzunlugu çarpiminin en az 0.072 ppm cm ve en fazla 0.36 ppm cm olacagi sekilde elmas malzemesine yeterli izole bosluklar getirir.
- 15. Yukaridaki istemlerin herhangi birine uygun bir usul olup, burada isinlaina dozu 0.5 ct
- 16. Yukaridaki istemlerin herhangi birine uygun bir usul olup, burada temin edilen elmas malzemesi, ilk ve ikinci durumlarda absorpsiyon özelliklerinin en az birinde ölçülebilir bir fark gösterir, ilk durum isinlamaya maruziyeten sonra en az 5.5 eV enerjiye sahip olunan durumdur ve ikinci durum 525°C,de (798 K) isi isleminden sonraki durumdur ve burada isinlama sonrasinda ilk ve ikinci dummlarda elmas malzemesinin renk doygunlugu C* degerindeki degisiklik en az 0.5 azalir.
- 17. Yukaridaki istemlerin herhangi birine uygun bir usul olup, burada isinlama sonrasinda, ilk ve ikinci durumlarda elmas malzemesinin C* degerindeki degisiklik 1,in altindadir, ilk duruin isinlainaya maruziyetten sonra en az 5.5 eV enerjiye sahip olunan durumdur ve ikinci durum 525°C,de (798 K) isi isleminden sonraki durumdur.
- 18. Yukaridaki istemlerin herhangi birine uygun bir usul olup, temin edilen elmas malzemesinin [N50] konsantrasyonunun, temin edilen elmas malzemesinde hedefV'N0 oranini elde etmek üzere seçilmesini içerir.
- 19. Bir fantezi soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yesil CVD sentetik tek kristalli elmas olup, bor konsantrasyonu [B] <5 x 1015 atom/cm3 ,tür ve asagidaki renk özelliklerine sahiptir: Özellik Aralik Renk tonu açisi (x 100°-270° Doygunluk C* En az 2 ve en fazla 10 Renk açikligi L* >65 ve burada fantezi soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yesil CVD sentetik tek kristalli elmasta toplam izole bosluk konsantrasyonu x yol uzunlugu çarpimi, [VT] X L en az 0072 ppm cm ve en fazla 0.36 ppm cmldir.
- 20. Istem 195a uygun bir fantezi soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yesil CVD sentetik tek kristalli elmas olup, (i) -196°C,de (77 K) ölçülen absorpsiyon katsayisi, 741 nm dalga uzunlugunda en az 0.01 cm'] ”dir; ve (ii) -196°C,de (77 K) ölçülen absorpsiyon katsayisi, 394 nm dalga uzunlugunda en az 0.01 cm`i ,dir
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0911075A GB0911075D0 (en) | 2009-06-26 | 2009-06-26 | Diamond material |
GB0917219A GB0917219D0 (en) | 2009-10-01 | 2009-10-01 | Diamond material |
GBGB1003613.5A GB201003613D0 (en) | 2010-03-04 | 2010-03-04 | Diamond material |
GBGB1005573.9A GB201005573D0 (en) | 2010-04-01 | 2010-04-01 | Diamond material |
GBGB1007728.7A GB201007728D0 (en) | 2010-05-10 | 2010-05-10 | Diamond material |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TR201816224T4 true TR201816224T4 (tr) | 2018-11-21 |
Family
ID=42494498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TR2018/16224T TR201816224T4 (tr) | 2009-06-26 | 2010-06-25 | Fantezi soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yeşil tek kristalli CVD elmas yapmak için usul ve elde edilen ürün. |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
EP (4) | EP2446072B1 (tr) |
JP (8) | JP5874932B2 (tr) |
CN (5) | CN104630882B (tr) |
CA (4) | CA2765898C (tr) |
HK (1) | HK1170274A1 (tr) |
IL (4) | IL217011A (tr) |
MY (3) | MY157153A (tr) |
RU (5) | RU2540624C2 (tr) |
SG (5) | SG176889A1 (tr) |
TR (1) | TR201816224T4 (tr) |
WO (4) | WO2010149776A1 (tr) |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9255009B2 (en) * | 2009-06-26 | 2016-02-09 | Element Six Technologies Limited | Diamond material |
CN104630882B (zh) * | 2009-06-26 | 2018-03-30 | 六号元素有限公司 | 用于制备鲜艳橙色着色的单晶cvd 金刚石的方法及其获得的产品 |
US10273598B2 (en) | 2009-12-22 | 2019-04-30 | Element Six Technologies Limited | Synthetic CVD diamond |
GB2476478A (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-29 | Element Six Ltd | Chemical vapour deposition diamond synthesis |
KR101440736B1 (ko) | 2010-06-03 | 2014-09-17 | 엘리멘트 식스 리미티드 | 다이아몬드 공구 |
GB201107552D0 (en) * | 2011-05-06 | 2011-06-22 | Element Six Ltd | Diamond sensors, detectors, and quantum devices |
US9658301B2 (en) | 2011-06-13 | 2017-05-23 | President And Fellows Of Harvard College | Absorbtion-based detection of spin impurities in solid-state spin systems |
GB2492822A (en) * | 2011-07-14 | 2013-01-16 | Element Six Ltd | Modifying diamond components by irradiation |
GB201121642D0 (en) | 2011-12-16 | 2012-01-25 | Element Six Ltd | Single crtstal cvd synthetic diamond material |
JP6315203B2 (ja) | 2012-06-29 | 2018-04-25 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド単結晶及びその製造方法並びに単結晶ダイヤモンド工具 |
WO2014051886A1 (en) * | 2012-08-22 | 2014-04-03 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale scanning sensors |
GB201216697D0 (en) | 2012-09-19 | 2012-10-31 | Element Six Ltd | Single crystal chemical vapour deposited synthetic diamond materials having uniform colour |
GB201301556D0 (en) * | 2013-01-29 | 2013-03-13 | Element Six Ltd | Synthetic diamond materials for quantum and optical applications and methods of making the same |
CN105427899B (zh) * | 2014-09-13 | 2018-08-10 | 董沛 | 反应堆器件辐射损伤的热处理恢复技术 |
DE102014219561A1 (de) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | Robert Bosch Gmbh | Einrichtung zur Analyse von Substanzen in einer Probe, Atemgasanalysegerät, Kraftstoffsensor und Verfahren |
GB2540537A (en) * | 2015-07-03 | 2017-01-25 | Univ Oxford Innovation Ltd | Crystal defects |
US9748113B2 (en) * | 2015-07-30 | 2017-08-29 | Veeco Intruments Inc. | Method and apparatus for controlled dopant incorporation and activation in a chemical vapor deposition system |
RU2616350C2 (ru) * | 2015-08-03 | 2017-04-14 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский горный университет" | Способ образования центров окраски в алмазе |
GB201522512D0 (en) * | 2015-12-21 | 2016-02-03 | Element Six Ltd | Flourescent diamond particles and methods of fabricating the same |
GB201522650D0 (en) * | 2015-12-22 | 2016-02-03 | Element Six Technologies Ltd | Nitrogen containing single crystal diamond materials optimized for magnetometr applications |
CN107305188A (zh) * | 2016-04-25 | 2017-10-31 | 潘栋雄 | 钻石颜色等级的检测方法 |
GB201620415D0 (en) * | 2016-12-01 | 2017-01-18 | Element Six Tech Ltd | Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition |
CN108385163A (zh) * | 2017-03-15 | 2018-08-10 | 杨承 | 金刚石晶体和基于金刚石量子缺陷中心的惯性运动测量装置 |
WO2019123383A1 (en) * | 2017-12-21 | 2019-06-27 | Università Degli Studi Di Milano - Bicocca | System and method for spectroscopy analysis of diamonds |
GB201801288D0 (en) | 2018-01-26 | 2018-03-14 | Element Six Tech Ltd | Synthetic diamond material |
TWI804596B (zh) * | 2018-04-24 | 2023-06-11 | 美商戴蒙創新公司 | 螢光鑽石材料及製造其之方法 |
AU2018214017A1 (en) | 2018-08-07 | 2020-02-27 | The University Of Melbourne | Quantum Spin Magnetometer |
JP7158966B2 (ja) * | 2018-09-14 | 2022-10-24 | 株式会社東芝 | ダイヤモンド基板、量子デバイス、量子システム、及び、ダイヤモンド基板の製造方法 |
CN109813700B (zh) * | 2019-01-23 | 2021-04-02 | 太原科技大学 | 一种金刚石本征缺陷扩散表征方法 |
GB201904435D0 (en) | 2019-03-29 | 2019-05-15 | Element Six Tech Ltd | Single crystal synthetic diamond material |
WO2020232140A1 (en) * | 2019-05-14 | 2020-11-19 | The Regents Of The University Of California | Wide band gap semiconductor optimization for hyperpolarization |
CN110219043A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-09-10 | 宁波晶钻工业科技有限公司 | 一种多色单晶金刚石生长方法 |
DE102019117423A1 (de) * | 2019-06-27 | 2020-12-31 | Universität Leipzig | Verfahren zur Erzeugung zumindest eines deterministischen Farbzentrums in einer Diamantschicht |
CN110395727B (zh) * | 2019-07-30 | 2020-11-24 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 色心金刚石制备方法及色心金刚石 |
WO2022097641A1 (ja) * | 2020-11-04 | 2022-05-12 | 住友電気工業株式会社 | 合成単結晶ダイヤモンド及びその製造方法 |
CN116981801A (zh) * | 2021-03-31 | 2023-10-31 | 住友电气工业株式会社 | 单晶金刚石以及具备该单晶金刚石的金刚石复合体 |
US20240175167A1 (en) * | 2021-03-31 | 2024-05-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Single-crystal diamond and method of manufacturing the same |
EP4332525A1 (en) * | 2021-04-28 | 2024-03-06 | Sumitomo Electric Hardmetal Corp. | Method for measuring nitrogen concentration in diamond, and device for measuring nitrogen concentration in diamond |
CN113753889B (zh) * | 2021-09-22 | 2022-12-20 | 铜仁学院 | 一种只含nv-光学色心的金刚石及其合成方法 |
GB2614522B (en) | 2021-10-19 | 2024-04-03 | Element Six Tech Ltd | CVD single crystal diamond |
GB2614521A (en) * | 2021-10-19 | 2023-07-12 | Element Six Tech Ltd | CVD single crystal diamond |
GB2614240A (en) | 2021-12-21 | 2023-07-05 | Element Six Tech Ltd | Sensor device |
GB2614068B (en) | 2021-12-21 | 2024-05-22 | Element Six Tech Ltd | Sensor device |
GB2614530A (en) | 2021-12-23 | 2023-07-12 | Element Six Tech Ltd | Diamond sensor |
US20230357025A1 (en) * | 2022-05-09 | 2023-11-09 | M7D Corporation | Process for isothermal diamond annealing for stress relaxation and optical enhancement by radiative heating |
GB2623075A (en) | 2022-10-03 | 2024-04-10 | Element Six Tech Ltd | Diamond layer on photonic circuit |
CN115463615B (zh) * | 2022-10-08 | 2023-05-26 | 四川大学 | 一种在高温高压下制备强韧性粉色钻石的方法 |
CN116081618A (zh) * | 2023-01-10 | 2023-05-09 | 武汉大学 | 金刚石镓-空位量子色心、应用及制备方法 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US289282A (en) | 1883-11-27 | leadley | ||
US2945793A (en) * | 1952-09-22 | 1960-07-19 | Dugdale Ronald Arthur | Process for coloring diamonds |
JPS6420689A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Sumitomo Electric Industries | Manufacture of diamond light emitting device |
EP0275063A3 (en) * | 1987-01-12 | 1992-05-27 | Sumitomo Electric Industries Limited | Light emitting element comprising diamond and method for producing the same |
JPH02385A (ja) * | 1987-01-12 | 1990-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド発光素子およびその製造方法 |
JP2571795B2 (ja) * | 1987-11-17 | 1997-01-16 | 住友電気工業株式会社 | 紫色ダイヤモンドおよびその製造方法 |
JP2571797B2 (ja) * | 1987-11-25 | 1997-01-16 | 住友電気工業株式会社 | 青緑色ダイヤモンドおよびその製造方法 |
JP2571808B2 (ja) * | 1988-01-13 | 1997-01-16 | 住友電気工業株式会社 | 緑色ダイヤモンド及びその製造方法 |
JPH02184600A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-19 | Iwao Umeda | ダイアモンドの着色法 |
RU1676409C (ru) * | 1989-07-18 | 1995-05-27 | Якутский Научно-Исследовательский И Проектный Институт Алмазодобывающей Промышленности | Способ образования нз-центров окраски в алмазе |
RU2044378C1 (ru) * | 1992-08-14 | 1995-09-20 | Якутский Научно-Исследовательский И Проектный Институт Алмазодобывающей Промышленности | Вещество для пассивных затворов лазеров (варианты) |
JP3314444B2 (ja) * | 1993-03-15 | 2002-08-12 | 住友電気工業株式会社 | 赤色ダイヤモンドおよび桃色ダイヤモンド |
RU2145365C1 (ru) * | 1998-12-11 | 2000-02-10 | Эдуард Ильич Карагезов | Способ облагораживания алмазов |
US20030063042A1 (en) | 1999-07-29 | 2003-04-03 | Asher A. Friesem | Electronic utility devices incorporating a compact virtual image display |
EP1204894A4 (en) | 1999-08-01 | 2002-09-25 | Deep Video Imaging Ltd | INTERACTIVE THREE-DIMENSIONAL DISPLAY DEVICE WITH LAYERED SCREENS |
GB0007887D0 (en) * | 2000-03-31 | 2000-05-17 | De Beers Ind Diamond | Colour change of diamond |
CA2412855C (en) * | 2000-06-15 | 2009-10-20 | Element Six (Pty) Ltd. | Thick single crystal diamond layer method for making it and gemstones produced from the layer |
US7241434B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-07-10 | Bellataire International, Llc | High pressure and high temperature production of diamonds |
EP1415022A1 (en) * | 2001-08-08 | 2004-05-06 | Apollo Diamond, Inc. | System and method for producing synthetic diamond |
JP2003111606A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-04-15 | Sophia Avenir:Kk | カラーダイヤモンド |
GB0130005D0 (en) * | 2001-12-14 | 2002-02-06 | Diamanx Products Ltd | Boron doped diamond |
GB0130004D0 (en) * | 2001-12-14 | 2002-02-06 | Diamanx Products Ltd | Coloured diamond |
RU2293148C2 (ru) * | 2002-07-17 | 2007-02-10 | Саито Такеши | Способ обработки алмазов |
DE60335117D1 (de) | 2002-09-06 | 2011-01-05 | Element Six Ltd | Verfahren zum ändern die farbe eines cvd-artigen diamanteinkristalles und dadurch hergestellte diamant-schicht |
GB0220772D0 (en) * | 2002-09-06 | 2002-10-16 | Diamanx Products Ltd | Coloured diamond |
GB2430194B (en) * | 2002-09-06 | 2007-05-02 | Element Six Ltd | Coloured diamond |
GB0227261D0 (en) * | 2002-11-21 | 2002-12-31 | Element Six Ltd | Optical quality diamond material |
RU2237113C1 (ru) | 2003-06-26 | 2004-09-27 | Винс Виктор Генрихович | Способ получения алмазов фантазийного красного цвета |
US7157067B2 (en) * | 2003-07-14 | 2007-01-02 | Carnegie Institution Of Washington | Tough diamonds and method of making thereof |
US9061263B2 (en) * | 2004-12-09 | 2015-06-23 | Element Six Technologies Limited | Method of improving the crystalline perfection of diamond crystals |
US7122837B2 (en) | 2005-01-11 | 2006-10-17 | Apollo Diamond, Inc | Structures formed in diamond |
EP2253733B1 (en) * | 2005-06-22 | 2012-03-21 | Element Six Limited | High colour diamond |
EP1990313A1 (en) * | 2007-05-10 | 2008-11-12 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Method to produce light-emitting nano-particles of diamond |
EP2215291A1 (en) * | 2007-10-02 | 2010-08-11 | Carnegie Institution Of Washington | Low pressure method annealing diamonds |
US20100028556A1 (en) | 2008-05-09 | 2010-02-04 | Apollo Diamond Gemstone Corporation | Chemical vapor deposition colored diamond |
GB0813491D0 (en) | 2008-07-23 | 2008-08-27 | Element Six Ltd | Diamond Material |
GB0813490D0 (en) | 2008-07-23 | 2008-08-27 | Element Six Ltd | Solid state material |
WO2010048607A2 (en) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | Carnegie Institution Of Washington | Enhanced optical properties of chemical vapor deposited single crystal diamond by low-pressure/high-temperature annealing |
CN104630882B (zh) * | 2009-06-26 | 2018-03-30 | 六号元素有限公司 | 用于制备鲜艳橙色着色的单晶cvd 金刚石的方法及其获得的产品 |
-
2010
- 2010-06-25 CN CN201410771629.6A patent/CN104630882B/zh active Active
- 2010-06-25 EP EP10728650.2A patent/EP2446072B1/en active Active
- 2010-06-25 SG SG2011093341A patent/SG176889A1/en unknown
- 2010-06-25 RU RU2011151983/05A patent/RU2540624C2/ru active
- 2010-06-25 CN CN201080033965.0A patent/CN102575380B/zh active Active
- 2010-06-25 RU RU2011151873/05A patent/RU2537857C2/ru active
- 2010-06-25 WO PCT/EP2010/059080 patent/WO2010149776A1/en active Application Filing
- 2010-06-25 WO PCT/EP2010/059081 patent/WO2010149777A1/en active Application Filing
- 2010-06-25 CN CN201080033962.7A patent/CN102575379B/zh active Active
- 2010-06-25 SG SG2011094455A patent/SG177298A1/en unknown
- 2010-06-25 CN CN201080033971.6A patent/CN102656296B/zh active Active
- 2010-06-25 EP EP10724883.3A patent/EP2446069B1/en active Active
- 2010-06-25 CA CA2765898A patent/CA2765898C/en active Active
- 2010-06-25 RU RU2011151979/05A patent/RU2540611C2/ru active
- 2010-06-25 TR TR2018/16224T patent/TR201816224T4/tr unknown
- 2010-06-25 SG SG2011094448A patent/SG176933A1/en unknown
- 2010-06-25 EP EP10727419.3A patent/EP2446071B1/en active Active
- 2010-06-25 JP JP2012516766A patent/JP5874932B2/ja active Active
- 2010-06-25 CA CA2765901A patent/CA2765901C/en active Active
- 2010-06-25 SG SG2011093374A patent/SG177261A1/en unknown
- 2010-06-25 MY MYPI2011006176A patent/MY157153A/en unknown
- 2010-06-25 JP JP2012516767A patent/JP5368634B2/ja active Active
- 2010-06-25 MY MYPI2011006177A patent/MY159945A/en unknown
- 2010-06-25 JP JP2012516769A patent/JP5891564B2/ja active Active
- 2010-06-25 WO PCT/EP2010/059078 patent/WO2010149775A1/en active Application Filing
- 2010-06-25 RU RU2011151856/05A patent/RU2497981C2/ru active
- 2010-06-25 MY MYPI2011006175A patent/MY160529A/en unknown
- 2010-06-25 CA CA2765804A patent/CA2765804C/en active Active
- 2010-06-25 EP EP10724884.1A patent/EP2446070B1/en active Active
- 2010-06-25 SG SG10201405892YA patent/SG10201405892YA/en unknown
- 2010-06-25 CA CA2765808A patent/CA2765808C/en active Active
- 2010-06-25 CN CN201080033959.5A patent/CN102471923B/zh active Active
- 2010-06-25 RU RU2014133182/05A patent/RU2580916C1/ru active
- 2010-06-25 JP JP2012516765A patent/JP5567669B2/ja active Active
- 2010-06-25 WO PCT/EP2010/059084 patent/WO2010149779A1/en active Application Filing
-
2011
- 2011-12-15 IL IL217011A patent/IL217011A/en active IP Right Grant
- 2011-12-15 IL IL217009A patent/IL217009A/en active IP Right Grant
- 2011-12-15 IL IL217010A patent/IL217010A/en active IP Right Grant
- 2011-12-15 IL IL217012A patent/IL217012A/en active IP Right Grant
-
2012
- 2012-10-30 HK HK12110916.6A patent/HK1170274A1/xx unknown
-
2014
- 2014-04-15 JP JP2014083916A patent/JP5877428B2/ja active Active
-
2015
- 2015-05-07 JP JP2015095199A patent/JP5974345B2/ja active Active
- 2015-05-07 JP JP2015095180A patent/JP2015134722A/ja not_active Withdrawn
- 2015-05-25 JP JP2015105170A patent/JP6028307B2/ja active Active
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TR201816224T4 (tr) | Fantezi soluk mavi veya fantezi soluk mavi/yeşil tek kristalli CVD elmas yapmak için usul ve elde edilen ürün. | |
US9840419B2 (en) | Diamond material | |
JP5457028B2 (ja) | ハイカラーのダイヤモンド層 | |
US7172655B2 (en) | Colored diamond |