SU743574A3 - Способ нанесени окисной металлической пленки - Google Patents

Способ нанесени окисной металлической пленки Download PDF

Info

Publication number
SU743574A3
SU743574A3 SU721743600A SU1743600A SU743574A3 SU 743574 A3 SU743574 A3 SU 743574A3 SU 721743600 A SU721743600 A SU 721743600A SU 1743600 A SU1743600 A SU 1743600A SU 743574 A3 SU743574 A3 SU 743574A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
substrate
cathode
oxygen
argon
indium
Prior art date
Application number
SU721743600A
Other languages
English (en)
Inventor
Дэвид Кинг Роберт
Хискатт Роберт
Original Assignee
Триплекс Сэйфти Глэсс Компани Лимитед (Фирма)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Триплекс Сэйфти Глэсс Компани Лимитед (Фирма) filed Critical Триплекс Сэйфти Глэсс Компани Лимитед (Фирма)
Application granted granted Critical
Publication of SU743574A3 publication Critical patent/SU743574A3/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228Gas flow assisted PVD deposition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23Oxides
    • C03C17/245Oxides by deposition from the vapour phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036Reactive sputtering
    • C23C14/0063Reactive sputtering characterised by means for introducing or removing gases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/20Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21Oxides
    • C03C2217/23Mixtures
    • C03C2217/231In2O3/SnO2
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/10Deposition methods
    • C03C2218/15Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/154Deposition methods from the vapour phase by sputtering
    • C03C2218/155Deposition methods from the vapour phase by sputtering by reactive sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к технологии нанесени  металлических покрытий на поверхность стекла, в частности к технологии нанесени  прозрачных электрически провод щих металлических окисных пленок на стекло .
Известен способ нанесени  окисного металлического покрыти , прозрачного и обладающего электропроводностью , на ЛИСТ стекла небольшого размера катодным распылением при подаче газовой среды в рабочее пространство и высокого напр жени  на катод . При этом распьшение осуществл ют перпендикул рно к поверхности подложки .
Этот способ примен етс  при получении прозрачных, электрически провод щих пленок, имеющих достаточно однородные характеристики, на подложках относительно малых поперечных размеров, например 4 см по ширине , но на более прот женных издели х получаема  пленка имеет тенденцию к неоднородности. Из-за колебаний в электрическом сопротивлении пленки уменьшаетс  или исключаетс  возможность ее использовани  в качестве .нагревательного средства в зависимости от электрического сопротивлени ; Из-за меньшей прозрачности в середине издели  невозможно использовать такие стекла, например,дл  5 переднего стекла (козырька) пилотской кабины самолета.
Целью изобретени   вл етс  получение однородной по толщине, прозрачности и удельному электросопро10 тивлению пленки на прот женной подложке .
Это достигаетс  тем, что газовую среду подают в рабочее пространство между катодным узлом, подразts деленным на продольные параллельные разнесенные между собоА полосы, и поверхностью подложки через каналы между полосами, а катодный узел и подложку перемещают возвратноао поступательно и параллельно относительно друг друга и поперек длины ПОЛОС с амплитудой перемещени , равной рассто нию между средними ЛИНИЯМИ соседних полос катодного
25 узла.
Така  совокупность действий обеспечивает одинаковую концентрацию га .зовой среды, например кислорода,во всех точках поверхности и тем саэо шм однородность напыл емой пленки.
т.е. одинаковое электросопротивление и одинаковую пропускаемость света .
Пример 1. (Переднее стекло кабины пилота). Лист стекла с размерами 75x60x3 см закрепл ют в вакуумном резервуаре, прот женность которого составл ет 330 см, диаметр - 120 см. Это стекло устанавлингиот против катодной сборки,состо щей из 4 па.раллельных боковыми сторонами катодных секций прот женностью 100 с и шириной 7,6 см. Рабочие верхние поверхности катодных секций состо т из сплава следук цего состава: 7,5% инди  и 12,5% олова.Рассто ние , на которое разнесены друг от друга секции катода и основание . (подложка), составл ет 38 мм. Катодные секции разнесены друг от друга так, чтобы составл ть рассто ние 78 см между их .центральными осевыми лини ми и установлены дл  колебаний с посто нной скоростью между реверсивными точками с амплитудой 18 см.
Вакуумный резервуар откачиваетс  до давлени  пор дка 8x10 мм рт.ст. а стекл нный лист нагреваетс  до температуры пор дка 330°G. Газовую смесь, содержащую 2,9% кислорода, остальное - аргон (не счита  газовых микрокомпо ентов), запускают в систему, после этого устанавливают давление пор дка 5,6x10 мм рт.ст. Затем катодную сборку устанавливают 8 режим колебательного движени  при частоте одного цикла в каждые 20 сек и к катодам подают отрицательное напр жение пор дка 2,2 кв. Подачу напр жени  к нагревателю лепрерывно регулируют, чтобы поддерживать заданную температуру основани  (подложки) посто нной с колебани ми в пределах - 10°С. Процесс нанесени  покрыти  распылением расчитан ва период времени пор дка 22 мин, по истечении которого напр жени  катода и нагревател  довод тс до нулевой величины. Затем вакуумную камеру открывают, а стекло с нанесенным покрытием удал ют из нее. Стекло имеет однородное по толщине покр;:1тие в пределах между и 255в А и сопротивление пор дка 10 ом/площс1дь. Удельное сопротивление покрыти  - 2,5x10 ом-см. Прозрачность покрытого пленкой стекла, KQTOpoe было достаточно бесцветным, 84%.
Пример 2. Основные услови  процесса такие же, как в примере 1, но отдельные режимы имеют следующие особенности (ветровое стекло локомотива):
Линейные размеры стекла, см 105x55
Катодный узел 5 катодных секций с линейными размерами 7,6x100 см, разнесенные на рассто ние 23 см между центральными лини ми. Амплитуда колебаний ,см 23 Первоначальное давление после
-Lоткачки ,мм рт.ст.2x10 Температура стекла,с
350 . Концентраци  кислорода,%
3,4 Рабочее давле-г
5,6x10 ние,мм рт.ст. Рабочеедавле-2
5,6x10 ние,мм рт.ст. Катодное напр -2 ,7 жение, кв Продолжительность 6 3/4 процесса, мин Сопротивление покрытого стекла, ом/площадь
55
От 800 до 900 А Толщина пленки Удельное сопротивление , ом.см 4,7x10 Пропускание света ,%82 Пример 3. (Морской иллюмиатор ) .
Линейные размеры стекла,см 60x105 Катодный узел 5 катодных секций с размерами 7,6x100 см, разнесенные на рассто ние 23 см между центральными лини ми
Амплитуда колебаний , см23 Первоначальное давление после
.откачки ,мм рт.ст 2,5x10 Температура стеклаГс350 Концентраци  кислорода,% 3,4 Рабочее давление,
-г мм РТ..СТ. 5,2x10 Катодное напр жение , кв -2,7 Продолжительность процесса нанесени  пленки распылением ,мин 20 Сопротивление покрытого стекла, ом/площадь 12 Толщина пленки от 2150
до 2250

Claims (1)

  1. Удельное сопро ,тивление , ом см 2,6x10 Пропускание света ,%82 Однородность сопротивлени  стек за исключением краевых эффектов, которые обычно устанавливаютс  у н несенных пленок, составл ла ±10% от среднего значени . Посредством катодного распылени  могут наноситьс  сплавы: кадмий индий, олово-сурьма, сурьма-теллур т.е. металлы, имеющиепор дковый номер элемента между 48 и 51, сплав ленные с элементом более высокой валентности (предпочтительно на 1 или 2 выше). Могут использоватьс  также сплавы: индий-германий, индий фосфор или индий-теллур. В процессе нанесени  пленки распылением могут варьироватьс  следую щие параметры: Температура поверхности основани  С от 240 до 40 Приложенный к като-1 ,0 - 5,09 ду потенциал,КЗ Рабочее давление вакуумной камеры, от 1x10 мм рт.ст. ДО 10x10 Рассто ние между катодом и основаот 20 до 100 нием Могут использоватьс  также другие , содержащие кислород, газовые среды (атмосферы) при проведении процесса нанесени  пленкираспылени ем. Например, аргон может замен тьс  другим инертным газом или веществами в вакуумном резервуаре. Альтернативно газова  среда (атмос фера) может содержать смесь кислорода , аргона и азота или кислорода аргона и окиси углерода или двуокиси углерода, окись углерода или дву окись углерода, предназначенные дл  пополнени  процентного содержани  кислорода. Кроме того изобретение может примен тьс  к таким отражающим или преломл ющим основани м или кремнистым основани м как фарфор, двуокись кремни  или слюда. Формула изобретени  Способ нанесени  окисной металлической пленки на поверхность плоской стекл нной подложки, включающий катодное распыление на нагретую подложку и подачу газовой кислородсодержащей среды в рабочее пространство , причем распыление осуществл ют перпендикул рно к поверхности подложки , отличающийс  тем, что, с целью получени  однородной по толщине, прозрачности и удельному электросопротивлению пленки на про:т женной подложке, газовую среду подают в рабочее пространство между катодным узлом, подразделенным на продольные параллельные разнесенные между собой полосы, и поверхностью подложки через каналы ме оду полосами , а катодный узел и подложку перемещают возвратно-поступательно и параллельно относительно друг друга и поперек длины полос с амплитудой перемещени , равной рассто нию ме оду средними лини ми соседних полос катодного узла. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Холлэнд Э. Нанесение тонких -М.: 1963, пленок в вакууме, с. 520-522.
SU721743600A 1971-02-05 1972-02-04 Способ нанесени окисной металлической пленки SU743574A3 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB423471A GB1365492A (en) 1971-02-05 1971-02-05 Metal oxide films

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU743574A3 true SU743574A3 (ru) 1980-06-25

Family

ID=9773271

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU721743600A SU743574A3 (ru) 1971-02-05 1972-02-04 Способ нанесени окисной металлической пленки
SU721745595A SU740157A3 (ru) 1971-02-05 1972-02-04 Устройство дл нанесени прозрачной электропровод щей пленки на поверхность подложки

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU721745595A SU740157A3 (ru) 1971-02-05 1972-02-04 Устройство дл нанесени прозрачной электропровод щей пленки на поверхность подложки

Country Status (21)

Country Link
US (1) US4006070A (ru)
JP (1) JPS5218729B1 (ru)
AT (1) AT324606B (ru)
AU (1) AU463425B2 (ru)
BE (1) BE778996A (ru)
CA (1) CA977306A (ru)
CH (1) CH580684A5 (ru)
DE (1) DE2204652C3 (ru)
ES (2) ES399507A1 (ru)
FR (1) FR2125075A5 (ru)
GB (1) GB1365492A (ru)
IE (1) IE36063B1 (ru)
IL (1) IL38624A (ru)
IT (1) IT949407B (ru)
LU (1) LU64721A1 (ru)
NL (1) NL161816C (ru)
SE (1) SE384233B (ru)
SU (2) SU743574A3 (ru)
TR (1) TR17189A (ru)
YU (1) YU23572A (ru)
ZA (1) ZA72751B (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2661166C2 (ru) * 2016-12-20 2018-07-12 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" Способ создания прозрачных проводящих композитных нанопокрытий (варианты)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1446848A (en) * 1972-11-29 1976-08-18 Triplex Safety Glass Co Sputtered metal oxide coatings articles comprising transparent electrically-conductive coatings on non-conducting substrates
US4102768A (en) * 1972-11-29 1978-07-25 Triplex Safety Glass Company Limited Metal oxide coatings
FR2320565A1 (fr) * 1973-04-12 1977-03-04 Radiotechnique Compelec Plaque a transparence selective et son procede de fabrication
DE2441862B2 (de) * 1974-08-31 1979-06-28 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Verfahren zur Herstellung einer transparenten, wärmereflektierenden Schicht aus dotiertem Indiumoxid auf Flachglas
US3976555A (en) * 1975-03-20 1976-08-24 Coulter Information Systems, Inc. Method and apparatus for supplying background gas in a sputtering chamber
US4252595A (en) * 1976-01-29 1981-02-24 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Etching apparatus using a plasma
AU507748B2 (en) * 1976-06-10 1980-02-28 University Of Sydney, The Reactive sputtering
US4349425A (en) * 1977-09-09 1982-09-14 Hitachi, Ltd. Transparent conductive films and methods of producing same
US4113599A (en) * 1977-09-26 1978-09-12 Ppg Industries, Inc. Sputtering technique for the deposition of indium oxide
JPS55129347A (en) * 1979-03-28 1980-10-07 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Photomask
DE2950997C2 (de) * 1979-12-18 1986-10-09 Nihon Shinku Gijutsu K.K., Chigasaki, Kanagawa Vorrichtung zum Beschichten
US4336118A (en) * 1980-03-21 1982-06-22 Battelle Memorial Institute Methods for making deposited films with improved microstructures
GB2085482B (en) * 1980-10-06 1985-03-06 Optical Coating Laboratory Inc Forming thin film oxide layers using reactive evaporation techniques
CA1163231A (en) * 1981-07-24 1984-03-06 Don E. Brodie Reactive plating method and product
FR2514033B1 (fr) * 1981-10-02 1985-09-27 Henaff Louis Installation pour le depot de couches minces en grande surface en phase vapeur reactive par plasma
US4704339A (en) * 1982-10-12 1987-11-03 The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland Infra-red transparent optical components
CH662755A5 (de) 1984-09-11 1987-10-30 Praezisions Werkzeuge Ag Elektrodenanordnung fuer eine beschichtungsanlage.
US5851642A (en) * 1985-01-22 1998-12-22 Saint-Gobain Vitrage Product produced by coating a substrate with an electrically conductive layer
NO168762C (no) * 1985-12-20 1992-04-01 Glaverbel Belagt, flatt glass.
JPH0645484B2 (ja) * 1987-03-20 1994-06-15 セントラル硝子株式会社 複写機用ガラスおよびその製造方法
US4970376A (en) * 1987-12-22 1990-11-13 Gte Products Corporation Glass transparent heater
US5147688A (en) * 1990-04-24 1992-09-15 Cvd, Inc. MOCVD of indium oxide and indium/tin oxide films on substrates
DE4106771A1 (de) * 1991-03-04 1992-09-10 Leybold Ag Vorrichtung zum beschichten eines substrats, vorzugsweise zum beschichten von flachglas, mit einer indium-zinn-oxid-schicht
DE4111384C2 (de) * 1991-04-09 1999-11-04 Leybold Ag Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten
DE4140862A1 (de) * 1991-12-11 1993-06-17 Leybold Ag Kathodenzerstaeubungsanlage
US5798029A (en) * 1994-04-22 1998-08-25 Applied Materials, Inc. Target for sputtering equipment
DE19543375A1 (de) * 1995-11-21 1997-05-22 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mittels Magnetronzerstäuben
GB0108782D0 (en) * 2001-04-07 2001-05-30 Trikon Holdings Ltd Methods and apparatus for forming precursors
US7378356B2 (en) * 2002-03-16 2008-05-27 Springworks, Llc Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films
US7238628B2 (en) * 2003-05-23 2007-07-03 Symmorphix, Inc. Energy conversion and storage films and devices by physical vapor deposition of titanium and titanium oxides and sub-oxides
US8728285B2 (en) * 2003-05-23 2014-05-20 Demaray, Llc Transparent conductive oxides
JP2005048260A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Canon Inc 反応性スパッタリング方法
JP5095412B2 (ja) * 2004-12-08 2012-12-12 シモーフィックス,インコーポレーテッド LiCoO2の堆積
US7959769B2 (en) * 2004-12-08 2011-06-14 Infinite Power Solutions, Inc. Deposition of LiCoO2
US7838133B2 (en) * 2005-09-02 2010-11-23 Springworks, Llc Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
LU45647A1 (ru) * 1964-03-12 1965-09-13
DE1765850A1 (de) * 1967-11-10 1971-10-28 Euratom Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von duennen Schichten
DE1690692A1 (de) 1968-02-12 1971-06-16 Siemens Ag Verfahren zum Aufbringen einer Schicht aus anorganischem festem Material auf einer Unterlage durch Kathodenzerstaeubung
GB1147318A (en) 1968-02-22 1969-04-02 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in r.f. cathodic sputtering systems
US3630873A (en) * 1969-12-05 1971-12-28 Ppg Industries Inc Sputtering of transparent conductive oxide films
US3907660A (en) * 1970-07-31 1975-09-23 Ppg Industries Inc Apparatus for coating glass

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2661166C2 (ru) * 2016-12-20 2018-07-12 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" Способ создания прозрачных проводящих композитных нанопокрытий (варианты)

Also Published As

Publication number Publication date
DE2204652C3 (de) 1980-04-17
YU23572A (en) 1982-02-28
CH580684A5 (ru) 1976-10-15
BE778996A (fr) 1972-08-04
NL161816C (nl) 1980-03-17
ES399507A1 (es) 1975-01-16
AT324606B (de) 1975-09-10
AU3846472A (en) 1973-08-02
ZA72751B (en) 1972-10-25
LU64721A1 (ru) 1972-06-30
AU463425B2 (en) 1975-07-10
SE384233B (sv) 1976-04-26
FR2125075A5 (ru) 1972-09-22
JPS5218729B1 (ru) 1977-05-24
IL38624A (en) 1975-05-22
DE2204652B2 (de) 1979-08-09
IT949407B (it) 1973-06-11
NL7201410A (ru) 1972-08-08
CA977306A (en) 1975-11-04
ES399506A1 (es) 1975-07-01
IE36063L (en) 1972-08-05
DE2204652A1 (de) 1972-09-14
US4006070A (en) 1977-02-01
GB1365492A (en) 1974-09-04
IE36063B1 (en) 1976-08-04
NL161816B (nl) 1979-10-15
TR17189A (tr) 1974-04-25
IL38624A0 (en) 1972-03-28
SU740157A3 (ru) 1980-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU743574A3 (ru) Способ нанесени окисной металлической пленки
US2852415A (en) Electrically conducting coated glass or ceramic articles suitable for use as a lens, a window or a windshield, or the like
US6329044B1 (en) Transparent conductive film and method of making the film
US3107177A (en) Method of applying an electroconductive tin oxide film and composition therefor
US4201649A (en) Low resistance indium oxide coatings
EP0108616A1 (en) A process for making an electrically conductive coated substrate
GB632256A (en) Electrically conducting films and method of application
US4256377A (en) Process for producing homeotropic orientation layers for liquid crystal devices and the resultant liquid crystal devices
ES391377A1 (es) Un metodo para depositar un revestimiento transparente y e-lectricamente conductor, de oxido metalico, por sublimacion reactiva o desintegracion catodica.
GB2139647A (en) Bottled coated by ion-plating or magnetron sputtering
US4213676A (en) Liquid crystal display for reflection operation with a guest-host liquid crystal layer and method of making
US4132624A (en) Apparatus for producing metal oxide films
US3704467A (en) Reversible record and storage medium
US4508792A (en) Electrochromic element
US5585959A (en) Low transparency copper oxide coating for electrochromic device
US5013139A (en) Alignment layer for liquid crystal devices and method of forming
US2769778A (en) Method of making transparent conducting films by cathode sputtering
GB1446848A (en) Sputtered metal oxide coatings articles comprising transparent electrically-conductive coatings on non-conducting substrates
US5157540A (en) Electrochromic display device with improved absorption spectrum and method of producing it
JPS59180526A (ja) エレクトロクロミツク表示素子
EP0281278B1 (en) Electroconductive coatings
JPS6118166B2 (ru)
JPS5785972A (en) Thin film former
JPH10183333A (ja) 透明導電膜の成膜方法
JPS5835511A (ja) 液晶表示素子