SU740157A3 - Устройство дл нанесени прозрачной электропровод щей пленки на поверхность подложки - Google Patents

Устройство дл нанесени прозрачной электропровод щей пленки на поверхность подложки

Info

Publication number
SU740157A3
SU740157A3 SU721745595A SU1745595A SU740157A3 SU 740157 A3 SU740157 A3 SU 740157A3 SU 721745595 A SU721745595 A SU 721745595A SU 1745595 A SU1745595 A SU 1745595A SU 740157 A3 SU740157 A3 SU 740157A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
cathode
glass
substrate
film
plates
Prior art date
Application number
SU721745595A
Other languages
English (en)
Inventor
Дэвид Кинг Роберт
Хискат Роберт
Original Assignee
Триплекс Сэйфти Гласс Компани Лтд (Фирма)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Триплекс Сэйфти Гласс Компани Лтд (Фирма) filed Critical Триплекс Сэйфти Гласс Компани Лтд (Фирма)
Application granted granted Critical
Publication of SU740157A3 publication Critical patent/SU740157A3/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23—Oxides
    • C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C23C14/0063—Reactive sputtering characterised by means for introducing or removing gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C03C2217/23—Mixtures
    • C03C2217/231—In2O3/SnO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
    • C03C2218/155—Deposition methods from the vapour phase by sputtering by reactive sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

Изобретение относитс  к области нанесени  прозрачных электропровод щих пленок на поверхностиiподложек , например, из стекла. Такие подложки могут быть использованы в качестве переднего стекла (козырька) пилотской кабины самолета Пленка на такой подложке при пропуск нии электрического тока нагреваетс  предотвраща  обледенение стекла и его запотевание. Известно устройство дл  нанесени  прозрачной электропровод щей пленки на поверхность подложки, например из стекла, включающее оснащенную патрубками впуска смеси газов с кислородом и отсоса газов вакуумную камеру, в которой установлены нагреватель , опора дл  подложек и расположенный параллельно ей катод 1 Недостатком его  вл етс  то, что при покрытии подложек, длина сторон которых превыщает 4 сМ, пленка полу чаетс  неоднородной. Начинают наблю датьс  изменени  в ее толщине и в удельном электрическом сопротивлени что уменьшает или исключает возможность использовани  пленки в качест ве нагревательного средства. В исключительных случа х пленка могла быть менее прозрачной к центру подложки. Такое ухудшение прозрачности  вл етс  неприемлемым, например дл  подложек, используемых в каг честве переднего стекла (козырька) пилотской кабины самолета. Неоднородность нанесенной на поверхность подложки пленки происходит в результате снижени  концентрации кислорода.в пространстве между катодом и подложкой. Это, как предполагаетс ,  вл етс  результатом расхода кислорода, первоначально находившегос  -между катодом и подложкой, на процесс образовани  пленки, а также в результате малой скорости, с которой кислород из остальной части полости вакуумной камеры поступает в пространство между катодом и подложкой . Цель изобретени  - повышение однородности напьшени  пленки на поверхность подложки и сокращение времени на эту операцию. Указанна  цель достигаетс  тем, что устройство дл  нанесени  прозрачной электропровод щей пленки на поверхность подложки,например из стеклa включает оснащенную патрубками
впуска смеси газов с кислородом и отсоса газов в вакуумную камеру/ в которой установлены нагреватель,опора дл подложек и расположенный параллельно ей катод, причем катод размешен между впускным и выпускным патрубками и выполнен в виде р да подвижно установленных с посто нным зазором пластин с электростатическими экранами, св занных с механизмом возвратнопоступательного движени . При этом пластины с электростатическими экранами установлены на роликах в направл ющих рельсах и соединены с т говыми канатами, перекинутыми через монтированные у каждого конца направл ющих рельсов блоки, св занные с механизмом возвратно-поступатель ,ного движени . Кажда  пластина катода может быть установлена с зазором между ограждающими стенками электростатического экрана, полость между днищем которого и пластиной соединена с патрубком подачи смеси газов с кислородом. Кроме того, все пластины катода могут быть установлены с зазором между ограждающими стенками электростатического экрана, полость между днищем которого и пластинами соединена с патрубком дл  подачи смеси газов с кислородом,
На фиг, 1 изображен катод с установленной против него подложкой; на фиг, 2 - поперечное сечение этого катода С подложкой; на фиг, 3 устройство ,дл  нанесени  прозрачной электропровод щей пленки на поверхность подложки; на фиг. 4 - устройство , предназначенное дл  нанесени  прозрачной электропровод щей пленки на поверхность изогнутой подложки , поперечное сечение; на фиг« 5 -пластина катода с электростатическим экраном, поперечное сечение; на фиг, б - другой вариант конструкции катода, поперечное сечение; на фиг, 7 - еще один вариант конструкции катода, поперечное сечение.
Сущность изобретени  заключаетс  в том, что обеспечиваетс  доступ газовой среды с кислородом во все точки пространства между катодом и подложкой. Этим самым там устанавливаетс  одинакова  концентраци  кислорода.
Дл  этого катод 1 выполнен в виде р да установленных с посто нным одинаковым зазором 2 пластин 3 с электростатическими экранами 4. Кажда  пластина 3 имеет размеры 60 см в длину и 8 см в ширину и поддерживаетс  отдельным заземленным экраном 4. Зазор между пластинами может измен тьс , например, от 1 см до 10 см. Напротив катода установлена подложка 5, на которую наноситс  прозрачна  электропровод ща  пленка . Катод с подложкой размешены таким образом, чтобы смесь газов с
кислородом проходила через зазоры 2 между пластинами 3 и в виде потоков б поступала в пространство 7 между катодом и подложкой. Катод совершает колебательное движение в плоскости, параллельной плоскости подлоиски. Амплитуда колебаний равна рассто нию между осевыми лини ми смежных пластин.
Катод 1 установлен внутри цилиндрической вакуумной камеры 8 со съемными герметично закрывающимис  торцoвы ш крышками. Верхние поверхности пластин 3 катода 1 изготовлены из сплава индий-олово Пластины имеют электростатические экраны 4, Количество пластин определ етс  прот женностью подложки. Кажда  пластина катода с электростатическим экраном установлена на роликах 9 в горизокталькых направл ющих рельсах 10, закрепленных на противоположных концах вакууГЛной камеры. Пластины с электростатическими экранами соединены друг с другом при помощи т г 11 регулируемой длины. Гибкий кабель высокого напр жени  12 соедин ет пластины 3 катода с источьшком электрической энергии высокого напр жени  13, Электростатические экраны крайних пластин катода соединены с т говыми канатами 14, перекинутыми через монтированные у каждого конца направл ющих рельсов блоки 15. Эти блоки 15 установлены на поворотных валах 16, один из которых св зан с механизмом возвратно-поступательного движени  17, который, s СБОЮ очередь, соединен с электромотором 18, Кажда  пластина 3 катода i выполнена внутри пустотелой. Ее внутрен   полость заполнена водой, котора  подаетс  через гибкий шланг 19, а выводитс  через другой гибкий щланг 20, Кабель высокого напр жени  12 коаксиального типа. Его внешн   провод ща  жила заземл етс . Этим кабелем соединены пластины катода между собой,
Над Е аправл юшими рельсами 10 устновлена , опора дл  подложек, котора  представл ет собою пару опорных рельсов 21, Они закреплены на противоположных сторонах вакуумной камеры. На эти рельсы устанавливаетс  подложка 5, на которую необходимо нанести прозрачную электропровод щую пленку .
Дл  нагрева подложки над ней крепитс  нагреватель 22. Нагрев осуществл етс  лу еиспусканием. Дл  этого нагреватель подключен посредством шины 23 и подвод щего кабел  24 к источнику низкого напр жени  25. Нагреватель проходит над всей поверхностью подложки,
редством кабел  27 с калиброванным шкальным прибором 28, показывающим температуру подложки.
Вакуумна  камера 8 оснащена патрубком 29 впуска смеси .газов с кислородом , который посредством игольчатого клапана 30 и расходомера 31 подключен к источнику 32 смеси газов. На противоположном конце вакуумной камеры установлен патрубок 33 отсоса газов, соединенный с вакуумным насосом. Катод размещен лежду впускным и выпускным патрубками таким образом, чтобы поток смеси газов с кислородом от впускного патрубка при движении к выпускному патрубку проходил через зазоры 2 между пластинами 3 катода в пространство между этим катодом и подложкой , тем самым обеспечива  поддехсание одинаковой концентрации кислорода во всех точках этого пространства .
Дл  нанесени  прозрачной электропровод щей пленки на поверхность подложки 5 ее устанавливают на горизонтальные направл ющие рельсы 10 Герметизируют торцовые крышки. Вакуумируют камеру 8 и подают смеси газов с кислородом через патрубок 29, одновременно нагрева  подложку 5 нагревателем 22 до требуемой температуры . Привод т в колебательное движение катод посредством механизма возвратно-поступательного движен и подают высокое отрицательное напр жение на пластины катода 3 от источника 13. Вакуумна  камера В, направл ющие и опорные рельсы, а таже электростатические экраны 4 зазамл ютс . В результате пленка индиво-олов нных оксидов посредством рапылени  образуетс  на нижней поверности подложки 5, обращенной в сторну катода 1. В результате напылени  происходит дополнительный нагрев подложки. Поэтому дл  поддержани  ее температуры на требуемом уровне в ходе работы устройства уменьшают подачу электрической энергии от источника низкого напр жени  25 на нагреватель 22. Температуру подложк дл  этого непрерывно контролируют при помощи прибора 28. Допускаютс  колебани  температуры в пределах + от требуемого уровн .
Дл  регулировани  температуры может быть использоэана система автматического управлени .
Амплитуда колебаний пластин 3 катода должна быть равна промежутку между Осевыми лини ми-этих пластин. Зазор между пластинами можно регулировать при помощи т г 11.
Зазоры 2 между пластинами 3 катода 1 обеспечивают свободную циркул цию смеси газов с кислородом в
пространство между катодом 1 и подложкой 5 .
При содержании кислорода по объеViy пор дка 3,0% в подаваемой смеси газов полагаетс , что снижение содержани  кислорода в пространстве между катодом и подложкой будет не более 0,2%, т. е. снижение от 3,0% до 2,8%. Таким образом может наноситьс  на подложку, по существу, однородна  пленка высокой прозрачности с низким удельным сопротивлением. Изменени  удельного сопротивлени  Могут легко поддерживатьс  в пределах + 10% от средней величины.
Дл  нанесени  прозрачной электро5 провод щей пленки на поверхность изогнутой , а не плоской подложки (например , ветровое стекло автомобил ) направл ющие 10 и опорные 21 рельсы одинаково искривл ютс  и монти0 руютс  внутри вакуумной камеры при помоищ кронштейнов. Нагреватель 22 в этом случае изготавливаетс  из отдельных секций, установленных по касательным к дуге, соответствующей
5 кривизне подложки.
По другому варианту конструкции катода 1 кажда  его пластина 3 установлена с зазором между ограждающими стенками электростатического
0 экрана 4, полость между днищем которого и пластиной 3 соединена с патрубком 29 подачи смеси газов с кислородом посредством дополнительных соединительных патрубков 34.
5
Кроме того, имеетс  еще одна конструкци  катода. В ней все пластины 3 катода установлены с зазором между ограждающими стенками общего электростатического экрана 4,
0 полость между днищем которого и пластинами соединена с патрубком 29 подачи смеси газов с кислородом посредством соединительных патрубков 34.
В каждом варианте воплощени  дан5 ного изобретени  катодный узел может наносить прозрачную) электрически провод щую пленку, имеющую однородное удельное сопротивление между 2 X 10 ом. см и 20 X 10 ом-см.
0 Эта пленка имеет толщину между 500 А и 10000 X.
Примеры воплощени  изобретени .
Пример. Покрытие пленкой

Claims (4)

  1. 5 переднего стекла пилотской кабины самолета. Подложка (лист стекла) с размерами 75х 60x3 см была закреплена в вакуумной камере 8, прот женность которой составл ла 330 см, а диаметр - 120 см. Это отекло уста60 навливалось против катода 1, состо щего из четырех параллельных катодных пластин 3 длиной 100 см и шириной 7,6 см. Рабочие верхние поверхности 5 пластин были из сплава состава: 87,5% инди  и 12,5% олова. Рассто р1ие, н которое были разнесены друг от дру пластины катода и подложка, состав л ло 38 мм. Пластины 3 были разнесены друг от друга так, чтобы сост л ть рассто ние 18 см между их цен тральными осевыми лини ми. Они кол бались с посто нной скоростью между реверсивными точками с амплитудой 18 см. Внутри вакуумной камеры создавалось давление пор дка 8 х рт а стекл нный лист нагревалс  до тем пературы пор дка 330°С. Газова  сме содержаща  2,9% кислорода, а осталь ное аргон (не счита  газовых микрокомпонентов ) подавалась в вакуумную камеру. После этого устанавливалось давление пор дка 5,6 х ртутного столба. Затем катодный узел устанавливалс  в режим колебательного движени  при частоте: один ци в каждые 20 сек, К катодам подавалось отрицательное напр жение пор д ка 2,2 кВ (киловольта). Подача напр жени  к нагревателю непрерывно регулировалась, чтобы поддерживать заданную температуру подложки посто нной с колебани ми - в пределах + . Процесс нанесени  покрыти  распылением устанавливалс  в этих услови х на врем  пор дка 22 мин. По истечении этого времени напр жени  катода и нагревател  доводились до нулевой величины. Затем вакуумна  камера открывалась, а сте ло с нанесенным покрытием удал лось из нее. Это стекло имело покрытие, которое было однородным по толшине в пределах между 2450 А и 2550 А и имело сопротивление пор дка 10 ом/площадь. Высчитанное удельное сопротивление покрыти  было пор дка 2,5 X Ю ом-см. Прозрачность по крытого пленкой стекла, которое было достаточно бесцветным, была опре делена составл ющей 85%, П р и м е р 2, Покрытие пленкой переднего стекла кабины самолета. Основные услови  процесса были такими, как и в примере 1, но. отдельные детали имели следующие особенности: Линейные размеры стекла (подложки ) : 35 X 60 см X 4 мм; катод: 5 ка тодных пластин с линейными размерами 7,5 X 60 см, разнесенных на рассто ние 18 см между центральными осевыми лини ми;амплитуда колебани  18 см; первоначальное давление после откачки 10 мм рт, от,; температура стекла (подложки): концентраци  кислорода 2,7%; р бочее давление 6,3 х 10 мм рт, ст, ; напр жение на катоде - 2,4 кВ; врем  продолжительности процесса нанесени пленки распылением 20 мин; сопротив ление покрытого пленкой стекла 10 ом/площадь; толщина пленки от 1950 К до 2050 Д; удельное сопротивление 2,9 х 10 ом см; пропускание света 82%. Примерз, Покрытие пленкой ветрового стекла локомотива. Линейные размеры стекла (подложки) 105 х 55 см; катод 5 катодных пластин с линейными размерами 7,6 х 100 CMjразнесенных на рассто ние 23 см между центральными осевыми лини ми; амплитуда колебаний: 23 см; первоначальное давление после откачки 2 10 Mjvi рт , ст ; температура стекла (подложки): 350°С; концентраци  кислорода 3,4%-; рабочее давление 5,6 х мм PT.CT,J катодное напр жение 2,7 кВ; врем , продолжительности процесса 6- мин; сопротивление покрытого стекла 55 ом/площадь; толщина пленки 800 до 900 К; удельное сопротивление 4,7 х ом. см; пропускание света 82%, П р и м е р 4. Нанесение пленки на стекло морского иллюминатора. Линейные размеры стекла (подложки) 55 см х 50 см; катод 5 катодных пластин с линейными размерами 7,6 х 100 см, разнесенных на рассто ние 23 см между центральными осевыми лини ми; амплитуда колебани  23 см; первоначальное давление после откачки 2f-lO мм рт, ст.; температура стекла (подложки) 350°С; концентраци  кислорода 3,4%; рабочее давление 6,6 х мм рт. cr.f катодное напр жение 2,65 кВ; врем  продолжительности процесса нанесени  пленки распылением 20 мин; сопротивление покрытого стекла 10 ом/площадь; толщина пленки от 2550 до 2650 А; удельное сопротивление 2,6 X 10 ом-см; пропускание света 84%, П р и м е р 5, Нанесение пленки на стекло морского иллюминатора. Линейные размеры стекла (подложки) 60 X 105 см катод 5 катодных пластин с размерами 7,6 х 100 см,разнесенных на рассто ние 23 см между центральными лини ми; амплитуда колебани  23 см; первоначальное давление после откачки: 2,5 х 10 мм рт. сг.; температура стекла (подложки) 350°С; концентраци  кислорода 3,4%; рабочее давление 5,2 х lOf мм рт.ст.; катодное напр жение 2,7 кВ; врем  продолжительности процесса нанесени  пленки распылением 20 мин; сопротивление покрытого стекла 12 дм/площадь; толщина пленки от 2150 А до 2250 А; удельное сопротивление 2,6 х Оом-см; пропускание света 82%. П р и м е р 6. Нанесение пленки на переднее стекло кабины самолета. Линейные размеры стекла (подложки) 35 X 60 X 0,4 см; катод 5 пластин размерами 7,6 х 60 см, разнесенных на рассто ние 18 см между центральными осевыми лини ми; амплитуда: колебани  18 см; первоначальное давление после откачки 10 м рт. ст.; температура стекла концентраци кислорода 2,7%; рабочее давление 6,0 X 10 мм рт. ст.; катодное напр жение 2,4 кВ; врем  продолжитель ности процесса нанесени - пленки распылением 24 мин; сопротивление покрытого стекла (подложки): 14,2 о Ьлощадь; толшина пленки от 1800 до 2000 А; удельное сопротивление 2,8 ЛО ом. см; пропускание света 82%. Пример. Нанесение пленки на переднее стекло кабины самолета . Линейные размеры стекла (подложки ) 35 X 60 см X 4 мм; катод 5 катодных пластин размерами 7,6 х 60 см, разнесенных на рассто ние 18 см между центральными лини ми; амплитуда колебани  18 см; первоначальное давление после откачки мм рт. ст.; температура стекла (подложки) ЗЗО-С; концентраци  кислорода 2,7%; рабочее давление 6,0 X 10 мм рт. ст.; катодное напр жение - 2,4 кВ; врем  продолжительности процесса нанесени  пленки распылением 22 мин;сопротивление покрытого стекла (подложки): 18,5 ом/площадь; толщина пленки от 1600 до 1800 Л; удельное сопротивление: 3,0 X 10 пропуска ние света 82% . Дл  нанесени  пленки, помимо сплавов индий-олово, могут использоватьс  сплавы кадмий-индий, олово сурьма, сульма-теллурий, т. е. металлы, имеющие Тпор дковый номер э мента между 48 и 51 присаженные ( т.е. сплавленные) с элементом более высокой валентности (предпочт тельно на 1 или 2 выше) с аналогичным атомным объемом. Также могут ис пользоватьс  сплавы индий-германий индий-фосфор или индий-теллурий. Мо гут варьироватьс  также другие пара метры процесса нанесени  пленки. Дл  примеров даютс  следующие ди пазоны: температура поверхности под ложки от 240°С до 400°С;приложенный к катоду потенциал от - 1,0 кВ до -5,0 кв. Рабочее давление вакуумной от 1 X 10 мм рт. ст.; до 10 х 10м рт. ст.; рассто ние между катодом и подложкой от 20 мм до 100 мм. Могут использоватьс  другие сод жащие кислород смеси газов дл  про ведени  процесса нанесени  пленки распылением. Например, аргон может замен тьс  другим инертным газом или веществами. Альтернативно смес газов может содержать смесь кислоро да, аргона и азота или кислорода, аргона и окиси углерода или двуоки углерода. Окись углерода или двуокись углерода предназначаютс  дл  того, чтобы пополн ть процентное содержание кислорода. Более того, данное изобретение может примен тьс  к отражающим или преломл ющим подложкам или кремнистым подложкам другим, нежели стекло, например, фарфору, двуокиси кремни  или слюде. Изобретение позвол ет быстро напыл ть плёнку посто нной толщины. Формула изобретени  1.Устройство дл  нанесени  прозрачной электропровод щей пленки на поверхность подложки, например, из стекла, включающее оснащенную патрубками впуска смеси газов с кислородом и отсоса газов вакуумную камеру, в которой установлены нагреватель , опора дл  подложек и расположенный параллельно ей катод, о тличающеес  тем, что, с целью повышени  однородности напылени  пленки на поверхность подложки и сокращени  времени на эту операцию, катод размещен между впускным и выпускным патрубками и выполнен в виде р да подвижно установленных с посто нным зазорс и пластин с электростатическими экранами, св занных с механизмом возвратно-поступательного движени .
  2. 2.Устройство по п. 1, отличающеес  тем, что пластины с электростатическими экранами установлены на роликах в направл ющих рельсах и соединены с т говыми канатами , перекинутыми через монтированные у каждого конца направл ющих рельсов блоки, св занные с механизмом возвратно-поступательного движени .
  3. 3.Устройство по п. 1, отличающеес  тем, что кажда  пластина катода установлена с зазором между ограждающими стенками электростатического экрана, полость между . днищем которого и пластиной соединена с патрубком подачи смеси газов с кислородом.
  4. 4.Устройство по п. 1, отличающеес  тем, что пластины катода установлены с зазором между ограждающими стенками электростатического экрана, полость между днищем которого и пластинами соединена с патрубком подачи смеси газов с кислородом . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Холлэнд П. Нанесение тонких пленок в вакууме. М., Госэнергоиздат, 1963, с. 520-522.
    (./
    (.Ччч чУд
    ESS
    :v
    lEsaiAi ajAt sjIt
    у -7
    /r
    V J
    t/.2
    Фаг 5
    э1
    цу
    11 11
    З
    3
    / 79
    Фиг. е
SU721745595A 1971-02-05 1972-02-04 Устройство дл нанесени прозрачной электропровод щей пленки на поверхность подложки SU740157A3 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB423471A GB1365492A (en) 1971-02-05 1971-02-05 Metal oxide films

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU740157A3 true SU740157A3 (ru) 1980-06-05

Family

ID=9773271

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU721745595A SU740157A3 (ru) 1971-02-05 1972-02-04 Устройство дл нанесени прозрачной электропровод щей пленки на поверхность подложки
SU721743600A SU743574A3 (ru) 1971-02-05 1972-02-04 Способ нанесени окисной металлической пленки

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU721743600A SU743574A3 (ru) 1971-02-05 1972-02-04 Способ нанесени окисной металлической пленки

Country Status (21)

Country Link
US (1) US4006070A (ru)
JP (1) JPS5218729B1 (ru)
AT (1) AT324606B (ru)
AU (1) AU463425B2 (ru)
BE (1) BE778996A (ru)
CA (1) CA977306A (ru)
CH (1) CH580684A5 (ru)
DE (1) DE2204652C3 (ru)
ES (2) ES399507A1 (ru)
FR (1) FR2125075A5 (ru)
GB (1) GB1365492A (ru)
IE (1) IE36063B1 (ru)
IL (1) IL38624A (ru)
IT (1) IT949407B (ru)
LU (1) LU64721A1 (ru)
NL (1) NL161816C (ru)
SE (1) SE384233B (ru)
SU (2) SU740157A3 (ru)
TR (1) TR17189A (ru)
YU (1) YU23572A (ru)
ZA (1) ZA72751B (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4106771A1 (de) * 1991-03-04 1992-09-10 Leybold Ag Vorrichtung zum beschichten eines substrats, vorzugsweise zum beschichten von flachglas, mit einer indium-zinn-oxid-schicht
DE4111384A1 (de) * 1991-04-09 1992-10-15 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von substraten
RU2661166C2 (ru) * 2016-12-20 2018-07-12 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" Способ создания прозрачных проводящих композитных нанопокрытий (варианты)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1446848A (en) * 1972-11-29 1976-08-18 Triplex Safety Glass Co Sputtered metal oxide coatings articles comprising transparent electrically-conductive coatings on non-conducting substrates
US4102768A (en) * 1972-11-29 1978-07-25 Triplex Safety Glass Company Limited Metal oxide coatings
FR2320565A1 (fr) * 1973-04-12 1977-03-04 Radiotechnique Compelec Plaque a transparence selective et son procede de fabrication
DE2441862B2 (de) * 1974-08-31 1979-06-28 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Verfahren zur Herstellung einer transparenten, wärmereflektierenden Schicht aus dotiertem Indiumoxid auf Flachglas
US3976555A (en) * 1975-03-20 1976-08-24 Coulter Information Systems, Inc. Method and apparatus for supplying background gas in a sputtering chamber
US4252595A (en) * 1976-01-29 1981-02-24 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Etching apparatus using a plasma
AU507748B2 (en) * 1976-06-10 1980-02-28 University Of Sydney, The Reactive sputtering
US4349425A (en) * 1977-09-09 1982-09-14 Hitachi, Ltd. Transparent conductive films and methods of producing same
US4113599A (en) * 1977-09-26 1978-09-12 Ppg Industries, Inc. Sputtering technique for the deposition of indium oxide
JPS55129347A (en) * 1979-03-28 1980-10-07 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Photomask
DE2950997C2 (de) * 1979-12-18 1986-10-09 Nihon Shinku Gijutsu K.K., Chigasaki, Kanagawa Vorrichtung zum Beschichten
US4336118A (en) * 1980-03-21 1982-06-22 Battelle Memorial Institute Methods for making deposited films with improved microstructures
GB2085482B (en) * 1980-10-06 1985-03-06 Optical Coating Laboratory Inc Forming thin film oxide layers using reactive evaporation techniques
CA1163231A (en) * 1981-07-24 1984-03-06 Don E. Brodie Reactive plating method and product
FR2514033B1 (fr) * 1981-10-02 1985-09-27 Henaff Louis Installation pour le depot de couches minces en grande surface en phase vapeur reactive par plasma
US4704339A (en) * 1982-10-12 1987-11-03 The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland Infra-red transparent optical components
CH662755A5 (de) 1984-09-11 1987-10-30 Praezisions Werkzeuge Ag Elektrodenanordnung fuer eine beschichtungsanlage.
US5851642A (en) * 1985-01-22 1998-12-22 Saint-Gobain Vitrage Product produced by coating a substrate with an electrically conductive layer
NO168762C (no) * 1985-12-20 1992-04-01 Glaverbel Belagt, flatt glass.
JPH0645484B2 (ja) * 1987-03-20 1994-06-15 セントラル硝子株式会社 複写機用ガラスおよびその製造方法
US4970376A (en) * 1987-12-22 1990-11-13 Gte Products Corporation Glass transparent heater
US5147688A (en) * 1990-04-24 1992-09-15 Cvd, Inc. MOCVD of indium oxide and indium/tin oxide films on substrates
DE4140862A1 (de) * 1991-12-11 1993-06-17 Leybold Ag Kathodenzerstaeubungsanlage
US5798029A (en) * 1994-04-22 1998-08-25 Applied Materials, Inc. Target for sputtering equipment
DE19543375A1 (de) * 1995-11-21 1997-05-22 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mittels Magnetronzerstäuben
GB0108782D0 (en) * 2001-04-07 2001-05-30 Trikon Holdings Ltd Methods and apparatus for forming precursors
US7378356B2 (en) * 2002-03-16 2008-05-27 Springworks, Llc Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films
US8728285B2 (en) * 2003-05-23 2014-05-20 Demaray, Llc Transparent conductive oxides
US7238628B2 (en) * 2003-05-23 2007-07-03 Symmorphix, Inc. Energy conversion and storage films and devices by physical vapor deposition of titanium and titanium oxides and sub-oxides
JP2005048260A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Canon Inc 反応性スパッタリング方法
TWI331634B (en) * 2004-12-08 2010-10-11 Infinite Power Solutions Inc Deposition of licoo2
US7959769B2 (en) * 2004-12-08 2011-06-14 Infinite Power Solutions, Inc. Deposition of LiCoO2
US7838133B2 (en) * 2005-09-02 2010-11-23 Springworks, Llc Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
LU45647A1 (ru) * 1964-03-12 1965-09-13
DE1765850A1 (de) * 1967-11-10 1971-10-28 Euratom Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von duennen Schichten
DE1690692A1 (de) 1968-02-12 1971-06-16 Siemens Ag Verfahren zum Aufbringen einer Schicht aus anorganischem festem Material auf einer Unterlage durch Kathodenzerstaeubung
GB1147318A (en) 1968-02-22 1969-04-02 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in r.f. cathodic sputtering systems
US3630873A (en) * 1969-12-05 1971-12-28 Ppg Industries Inc Sputtering of transparent conductive oxide films
US3907660A (en) * 1970-07-31 1975-09-23 Ppg Industries Inc Apparatus for coating glass

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4106771A1 (de) * 1991-03-04 1992-09-10 Leybold Ag Vorrichtung zum beschichten eines substrats, vorzugsweise zum beschichten von flachglas, mit einer indium-zinn-oxid-schicht
DE4111384A1 (de) * 1991-04-09 1992-10-15 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von substraten
DE4111384C2 (de) * 1991-04-09 1999-11-04 Leybold Ag Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten
RU2661166C2 (ru) * 2016-12-20 2018-07-12 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" Способ создания прозрачных проводящих композитных нанопокрытий (варианты)

Also Published As

Publication number Publication date
ES399507A1 (es) 1975-01-16
BE778996A (fr) 1972-08-04
ZA72751B (en) 1972-10-25
CA977306A (en) 1975-11-04
IE36063B1 (en) 1976-08-04
DE2204652C3 (de) 1980-04-17
NL7201410A (ru) 1972-08-08
SE384233B (sv) 1976-04-26
YU23572A (en) 1982-02-28
IL38624A0 (en) 1972-03-28
AU3846472A (en) 1973-08-02
JPS5218729B1 (ru) 1977-05-24
IT949407B (it) 1973-06-11
IL38624A (en) 1975-05-22
DE2204652B2 (de) 1979-08-09
CH580684A5 (ru) 1976-10-15
LU64721A1 (ru) 1972-06-30
DE2204652A1 (de) 1972-09-14
TR17189A (tr) 1974-04-25
US4006070A (en) 1977-02-01
AT324606B (de) 1975-09-10
AU463425B2 (en) 1975-07-10
FR2125075A5 (ru) 1972-09-22
NL161816B (nl) 1979-10-15
ES399506A1 (es) 1975-07-01
SU743574A3 (ru) 1980-06-25
GB1365492A (en) 1974-09-04
NL161816C (nl) 1980-03-17
IE36063L (en) 1972-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU740157A3 (ru) Устройство дл нанесени прозрачной электропровод щей пленки на поверхность подложки
US6397776B1 (en) Apparatus for large area chemical vapor deposition using multiple expanding thermal plasma generators
US4060660A (en) Deposition of transparent amorphous carbon films
FI61859C (fi) Saett att bilda ett enhetligt oeverdrag av metall eller en metallfoerening pao ytan av ett glasunderlag och anordning foeratt bilda ett dylikt oeverdrag
US4102768A (en) Metal oxide coatings
US5017404A (en) Plasma CVD process using a plurality of overlapping plasma columns
JP4433680B2 (ja) 薄膜形成方法
EP2653586B1 (en) Plasma cvd apparatus
US4412903A (en) Coating infra red transparent semiconductor material
WO2005031403A1 (ja) ディスプレイ用光学素子
US4421622A (en) Method of making sputtered coatings
JPWO2008114627A1 (ja) 防汚性積層体及びディスプレイ用前面板
US4132624A (en) Apparatus for producing metal oxide films
SE449743B (sv) Sett att bilda en beleggning av en metall eller metallforening pa en yta av ett uppvermt glassubstrat samt anordning herfor
US20040247886A1 (en) Thin film forming method and thin film forming substance
JP3357315B2 (ja) 放電プラズマ処理装置
US3088850A (en) Process and apparatus for obtaining electrically conductive coatings on the surface of objects consisting of glass or ceramic materials
US4330318A (en) Process for coating glass
US3890217A (en) Reactive sputtering apparatus and cathode elements therefor
NL8103333A (nl) Optische bekleding.
EP3054032B1 (en) Installation for film deposition onto and/or modification of the surface of a moving substrate
US4414252A (en) Spray forming thin films
JP2000303175A (ja) 透明導電膜の製造方法および透明導電膜
JPH1129873A (ja) 積層膜の形成方法及びその形成装置
US20090244471A1 (en) Liquid crystal display device manufacturing method and liquid crystal display device