SA109300244B1 - الكترود أمامي للاستخدام في جهاز ڤٌلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه - Google Patents

الكترود أمامي للاستخدام في جهاز ڤٌلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه Download PDF

Info

Publication number
SA109300244B1
SA109300244B1 SA109300244A SA109300244A SA109300244B1 SA 109300244 B1 SA109300244 B1 SA 109300244B1 SA 109300244 A SA109300244 A SA 109300244A SA 109300244 A SA109300244 A SA 109300244A SA 109300244 B1 SA109300244 B1 SA 109300244B1
Authority
SA
Saudi Arabia
Prior art keywords
layer
oxide
tco
layers
electrode structure
Prior art date
Application number
SA109300244A
Other languages
English (en)
Inventor
ويليم دين بوير
يوي لو
Original Assignee
جارديان اندستريز كورب
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by جارديان اندستريز كورب filed Critical جارديان اندستريز كورب
Publication of SA109300244B1 publication Critical patent/SA109300244B1/ar

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03925—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIIBVI compound materials, e.g. CdTe, CdS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/0488—Double glass encapsulation, e.g. photovoltaic cells arranged between front and rear glass sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/073—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising only AIIBVI compound semiconductors, e.g. CdS/CdTe solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

الملخـــص: يتعلق هذا الاختراع بالكترود / ملامس أمامي front electrode/contact للاستخدام في جهاز الكتروني مثل جهاز ڤٌلطائي ضوئي photovoltaic device . وفي بعض النماذج التمثيلية، يشتمل الالكترود الأمامي front electrode لجهاز ڤٌلطائي ضوئي أو ما شابه ذلك على مادة تغليف متعددة الطبقات plurality of layers تشتمل على طبقة أكسيد موصل منفذ (TCO) transparent conductive oxide واحدة على الأقل (مثل، طبقة مصنعة من أو تشتمل على مادة مثل أكسيد قصدير tin oxide ، ITO، أكسيد زنك zinc oxide ، أو ما شابه ذلك) و/ أو طبقة معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة IR وموصلة واحدة على الأقل (مثل، طبقة أساسها الفضة، الذهب، أو ما شابه ذلك). وفي بعض الحالات التمثيلية يمكن أن تشتمل مادة تغليف الالكترود الأمامي front electrode متعددة الطبقات plurality of layers على واحدة أو أكثر من طبقات الأكسيد المعدني metal oxide الموصلة وواحدة أو أكثر من الطبقات المعدنية بشكل أساسي العاكسة للأشعة IR والموصلة من أجل تقليل انعكاس الضوء المرئي وزيادة الموصلية وخفض تكاليف التصنيع، و/ أو زيادة القدرة على عكس الأشعة تحت الحمراء reflection of infrared (IR). وفي بعض النماذج التمثيلية، يعمل الالكترود الأمامي front electrode ليس فقط كملامس/الكترود أمامي موصل ومنفذ ولكن أيضاً كمرشح ضيق النطاق يسمح بمرور كمية زائدة من photons مرتفعة الطاقة (كما في نطاق الضوء المرئي ونطاق الأشعة تحت الحمراء القريب من الطيف) إلى المنطقة الفعالة أو عنصر الامتصاص للجهاز الڤٌلطائي الضوئي. شكل 1 .

Description

—- ‏ار‎ - ‏الكترود أمامي للاستخدام في جهاز فُلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه‎
Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same ‏الوصف الكامل‎ خلفية الاختراع تتعلق نماذج معينة من هذا الاختراع بجهاز فلطائي ضوني ‎Jail photovoltaic device‏ على الكترود ‎Jie electrode‏ الكترود / ملامس أمامي ‎front electrode/contact‏ . وفي بعض النماذج التمثيلية لهذا ‎١‏ لاختراع؛ يشتمل الالكترود الأمامي ‎front electrode‏ أو يصنع من مادة تغليف © موصلة منفذة ‎transparent conductive coating (TCC)‏ متعددة الطبقات ‎plurality of layers‏ « ‎Js‏ وضعها على سطح ركيزة زجاجية أمامية ‎surface of a front glass substrate‏ مقابل لسطح ‏ذي نمط تكراري للركيزة. يمكن أن تعمل ‎TCC‏ على تعزيز النفاذية في مناطق ‎PV‏ المختارة النشطة ‏لطيف الأشعة المرئية ونطاق الأشعة ‎IR‏ القريب؛ مع رفض و/ أو إعاقة الطاقة الحرارية ل ‎TR‏ غير ‏المرغوب فيها من مناطق معينة أخرى للطيف. ‎٠‏ في بعض النماذج ‎tad‏ يشتمل الالكترود الأمامي للجهاز ‎AUN‏ الضوئي على مادة تغليف متعددة الطبقات ‎plurality of layers‏ (أو ‎(TCC‏ تشمل طبقة معدنية بشكل أساسي واحدة على الأقل عاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎reflection of infrared (IR)‏ وموصلة مصنعة من أو تشتمل على الفضة؛ الذهب؛ أو ما شابه ذلك؛ ومن الممكن أن تشتمل مادة التغليف على طبقة أكسيد موصلة منفذة ‎transparent conductive oxide (TCO) layer‏ واحدة على الأقل ‎Sia)‏ مصنعة من ‎٠‏ أو تشتمل على مادة ‎Jie‏ أكسيد قصدير ‎tin oxide‏ ¢ أكسيد زنك ‎zinc oxide‏ « أو ما شابه ذلك). ‎Ay‏ بعض النماذج التمثيلية؛ يتم تصميم ‎ale‏ تغليف الالكترود الأمامي متعددة الطبقات ‎plurality‏ ‎of layers‏ .من أجل تحقيق واحدة أو أكثر من الخصائص المميزة الآتية: (أ) مقاومة لوحية ‎Youd
- ا ‎(Rs) sheet resistance‏ منخفضة ومن ثم زيادة الموصلية وتحسين قدرة الخرج الإجمالية لوحدة فلطائية ضوئية نمطية ‎photovoltaic module output power‏ ¢ (ب) زيادة انعكاس الأشعة تحت الحمراء ‎reflection of infrared (IR)‏ وبالتالي تقليل درجة حرارة تشغيل الوحدة الفلطائية الضوئية النمطية ‎photovoltaic module output power‏ من أجل زيادة قدرة الخرج للوحدة النمطية؛ ‎(z)‏ ‏0 تقليل انعكاس و/ أو زيادة نفاذية الضوء في المنطقة التي تتراوح من £00 = ‎Vor‏ نانو مترء و/ أو ‎٠0١ EO‏ نانومتر؛ وهذا يؤدي إلى زيادة قدرة الخرج للوحدة الفلطائية الضوئية النمطية؛ (د) تقليل السمك الإجمالي لمادة تغليف الالكترود !ا لأمامي ‎front electrode‏ مما يمكن من تقليل تكاليف و/ أو زمن التصنيع؛ و/ أو (ه) تحسين أو توسيع نافذة المعالجة عند تشكيل طبقة (طبقات) ال ‎TCO‏ وذلك بسبب انخفاض تأثير موصلية (طبقة) طبقات اذ ‎TCO‏ على الخواص الكهربية ‎٠‏ الإجمالية للوحدة النمطية بمعلومية وجود طبقة (طبقات) معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة تحت الحمراء 18 موصلة إلى حدٍ كبير؛ و/أو (و) تقليل خطر تلف الوحدة النمطية بسبب الاجهاد الحراري الناتج عن عكس الطاقة الحرارية الشمسية وتقليل الاختلاف في درجة الحرارة عبر الوحدة النمطية. الأجهزة القُلطائية الضوئية معروفة في المجال (على سبيل ‎(JE‏ أنظر» براءات الاختراع الأمريكية ‎٠‏ أرقام 17867351 ‎AVAATY‏ و 1117107و 2177874 حيث تم تضمين الكشوفات الواردة بها في هذا الطلب كمرجع). وتشتمل الأجهزة الفلطائية الضوئية المصنعة من السيلكون غير المتبلر ‎amorphous silicon‏ ؛ على سبيل المثال؛ على الكترود أو ملامس أمامي ‎electrode or front‏ ‎aa . contact‏ يتم تصنيع الالكترود ‎١‏ لأمامي ‎front electrode‏ المنفذ من أكسيد حراري موصل منفذة ‎zinc oxide Jie transparent conductive oxide (TCO)‏ أو ‎tin oxide‏ المشكل على ركيزة ‎Ye‏ مثل ركيزة زجاجية ‎glass substrate‏ وفي الكثير من الحالات؛ يتم تشكيل الالكترود الأمامي ‎front‏ ‎Youd‏
ا ‎dud) electrode‏ من طبقة واحدة باستخدام طريقة من طريق التحلل الحراري الكيمياتي ‎chemical‏ ‎pyrolysis‏ حيث يتم رش مواد أولية منتجة لغيرها على الركيزة الزجاجية ‎glass substrate‏ عند حوالي 5086 إلى 200 م. ويمكن أن يصل سمك طبقات ‎TCO‏ من أكسيد قصدير ‎oxide‏ من معالج بالإشابة بواسطة ‎fluorine‏ ويتحلل بالحرارة التي تستخدم كالكترودات أمامية ‎front‏ ‎electrodes ©‏ « حوالي ‎Eve‏ نانو مترء مما يوفر مقاومة لوحية ‎(Rs) sheet resistance‏ تبلغ حوالي ‎fash ٠‏ مربع. وللحصول على قدرة خرج ‎3S‏ من المرغوب فيه أن يكون لدينا الكترود أمامي له مقاومة لوحية ‎sheet resistance‏ منخفضة وتلامس أومي جيد بالطبقة العليا للخلية؛ ويسمح بأقصى طاقة شمسية في نطاقات معينة مرغوب فيها ‎Mall‏ إلى أغشية أشباه الموصلات ‎semiconductor‏ ‏5 الماصة. ‎٠‏ ولسوء ‎asl‏ فإن الأجهزة الفلطائية الضوئية (متل؛ الخلايا الشمسية ‎(solar cells‏ التي تشتمل على الالكترودات الأمامية ‎front electrodes TCO‏ التقليدية تعاني من المشكلات الآتية. ‎sl‏ يكون لطبقة ‎TCO‏ من أكسيد القصدير المعالج بالإشابة ب ‎pyrolitic fluorine-doped tin‏ ‎oxide‏ التي يصل سمكها إلى حوالي نانومتر والمستخدمة كالكترود أمامي كامل مقاومة لوحية ‎(Rs) sheet resistance‏ تبلغ حوالي ‎Yo‏ أوم/ مربع وهي مقاومة كبيرة بالنسبة للالكترود ‎٠‏ الأمامي الكامل ‎٠‏ ومن المرغوب فيه أن تكون المقاومة اللوحية (وبالتالي تكون الموصلية أفضل) بالنسبة للالكترود ‎١‏ لأمامي لجهاز فلطائي ‎photovoltaic device (ipa‏ . ويمكن الوصول إلى مقاومة لوحية أقل بزيادة سمك طبقة ‎0036S TCO‏ ولكن هذا سوف يتسبب في انخفاض نفاذ الضوء خلال طبقة ال ‎TCO‏ مما يقلل من قدرة خرج الجهاز ‎A‏ الضوئي. ‎Yao)‏
ثانياًء تسمح الكترودات ‎TCO electrodes‏ الأمامية التقليدية ‎Je‏ أكسيد القصدير ‎tin oxide‏ الذي ينحل بالحرارة بمرور كمية كبير إلى حدٍ ما من الأشعة تحت الحمراء ‎reflection of infrared (IR)‏ خلالها مما يسمح لها بالوصول إلى طبقة (طبقات) شبه الموصل ‎semiconductor‏ أو الطبقة الماصة من الجهاز ‎SUE‏ الضوئي. وتتسبب هذه الأشعة تحت الحمراء في حرارة تزيد من حرارة © تشغيل الجهاز القلطائي الضوئي وبالتالي تقليل قدرة الخرج ‎A)‏ ‎(Bl‏ تميل الكترودات ‎TCO‏ الأمامية التقليدية ‎tin oxide Jie‏ الذي ينحل بالحرارة لأن تعكس كمية كبيرة إلى حدٍ ما من الضوء في المنطقة من حوالي ‎45٠‏ - 700 نانومتر بحيث تصل نسبة لا تقل عن حوالي 72850 من الطاقة الشمسية المفيدة إلى طبقة شبه الموصل الماصة؛ وهذا الانعكاس الكبير إلى حدٍ ما للضوء المرئي يعتبر إهداراً للطاقة ويؤدي إلى خفض قدرة الخرج للوحدة ‎RARE‏ ‎٠‏ الضوئية النمطية. وبسبب امتصاص طبقة ‎TCO‏ وانعكاسات الضوء التي تحدث بين طبقة ال 760 . (« حوالي ‎٠,8‏ إلى ‎Y‏ عند طول موجي ‎5+١‏ نانو متر) وغشاء شبه الموصل ‎semiconductor‏ ‎film‏ الرقيق ‎n)‏ حوالي ؟ إلى 4)؛ وبين طبقة ال ‎TCO‏ والركيزة الزجاجية ‎n) glass substrate‏ حوالي 1,0( فإن الزجاج المغلف بطبقة ‎TCO J‏ عند مقدمة الجهاز القلطائي الضوئي يسمح نمطياً بوصول نسبة تقل عن 7280 من الطاقة الشمسية المفيدة التي ترتطم بالجهاز إلى غشاء شبه ‎٠‏ الموصل الذي يقوم بتحويل الضوء إلى طاقة كهربية. ‎daily‏ كما أن السمك الإجمالي الكبير ‎Eve Sie)‏ نانو متر) للالكترود ‎١‏ لأمامي ‎front electrode‏ في حالة طبقة ‎TCO‏ من ‎tin oxide‏ سمكها 50660 نانو متر © يتسبب في زيادة تكاليف التصنيع. ‎dla‏ نافذة المعالجة التي تتم لتشكيل طبقة ‎TCO‏ من أكسيد زنك ‎zinc oxide‏ أو أكسيد قصدير ‎tin oxide‏ لتصنيع ‎electrode‏ أمامي تكون صغيرة وهامة ‎٠‏ وبهذا الخصوص؛ فإنه حتى التغييرات
- حا الضئيلة في نافذة المعالجة يمكن أن تؤثر سلباً على موصلة طبقة ال ‎(TCO‏ وعندما تكون طبقة ال ‎TCO‏ عبارة عن طبقة موصلة وحيدة للالكترود ‎١‏ لأمامي ‎front electrode‏ ؛ فإن ‎Jie‏ هذه التأثيرات السلبية يمكن أن تكون ضارة بشدة. وبناءً على هذاء يمكن إدراك أن هناك ‎dala‏ في المجال لالكترود أمامي محسّن لجهاز ‎Sal‏ ‏8 ضوثي ‎photovoltaic device‏ يمكنه أن يحل أو يعالج واحدة أو أكثر من المشكلات الخمس السابق ذكرها. الوصف العام للاختراع في بعض النماذج التمثيلية لهذا ‎١‏ لاختراع؛ تم تقديم بنية الكترود أمامي ‎front electrode structure‏ لجهاز ‎lb‏ ضوئي ‎«photovoltaic device‏ حيث تشتمل بنية الالكترود الأمامي على: ركيزة ‎٠‏ (زجاجية أمامية ‎front glass substrate‏ منفذة إلى حد كبير؛ طبقة أولى تشتمل على واحد أو أكثر من بين ‎silicon oxynitride «¢ silicon oxide © silicon nitride‏ ¢ 5 | أو ‎tin oxide‏ ؛ طبقة ثانية تشتمل على واحد أو أكثر من بين ‎titanium oxide‏ 5 | أو ‎niobium oxide‏ ¢ حيث تتواجد الطبقة الأولى على الأقل بين الركيزة الأمامية والطبقة الثانية؛ طبقة ثالثة تشتمل على ‎zinc oxide‏ و/ أو ‎zine aluminum oxide‏ ؛ طبقة موصلة تشتمل على فضة؛ حيث يتم توفير الطبقة الثالثة على 00 الأفل بين الطبقة الموصلة التي تشتمل على الفضة والطبقة الثائية؛ طبقة تشتمل على أكسيد ‎Ni‏ ‏و/أو ‎Cr‏ طبقة من أكسيد موصل منفذ ‎transparent conductive oxide (TCO) layer‏ تشتمل على ‎indium tin oxide‏ _يتم توفيرها بين الطبقة التي تشتمل على أكسيد ‎Ni‏ و/أو :© وطبقة من أكسيد موصل منفذ ‎(TCO)‏ تشتمل على أكسيد قصدير ‎tin oxide‏ ؛ وحيث يتم توفير مجموعة من الطبقات المكدسة تشتمل على الطبقة الأولى المذكورة؛ و الطبقة الثانية المذكورة؛ و الطبقة الثالثة ‎٠‏ المذكورة والطبقة الموصلة المذكورة التي تشتمل على الفضة والطبقة المذكورة التي تشتمل على ‎Youd‏
0 - أكسيد ‎Ni‏ و/أو :© وطبقة ‎(TCO)‏ المذكورة التي تشتمل على ‎indium tin oxide‏ وطبقة ‎(TCO)‏ ‏المذكورة التي تشتمل على ‎tin oxide‏ ¢ على سطح داخلي للركيزة الزجاجية الأمامية ‎front glass‏ ‎substrate‏ مواجه للغشاء شبه الموصل ‎semiconductor film‏ للجهاز الفلطائي الضوئي. وفي بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع؛ فإن الالكترود ا لأمامي ‎front electrode‏ لجهاز فلطائي ‎photovoltaic device (fea ©‏ يشتمل على ‎sale‏ تغليف موصلة منفذة ‎transparent conductive‏ ‎(TCC)‏ 8 متعددة الطبقات ‎plurality of layers‏ ؛ ويتم وضعها على سطح ركيزة زجاجية أمامية ‎surface of a front glass substrate‏ مقابلة لسطح ركيزة نمطي. في بعض النماذج التمثيلية؛ يواجه السطح ذي النمط التكراري (أي المنمّش ‎(etched‏ للركيزة الزجاجية الأمامية ‎front glass‏ 6 المنفذة الضوء ‎pall)‏ حيث يتم توفير ‎TCC‏ على الجانب المقابل للركيزة الذي يواجه ‎٠٠١‏ الطبقة شبه الموصلة ‎semiconductor‏ للجهاز ‎Shall‏ الضوئي ‎(PV)‏ يعمل السطح الأول النمطي أو الأمامي للركيزة الزجاجية على تقليل فاقد انعكاس التدفق الشمسي الساقط ويعمل على زيادة امتصاص ‎photons) photon‏ ( في الطبقة الرقيقة شبه الموصلة خلال التشتت والانكسار والحيود. وفي بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع. فإن الالكترود الأمامي ‎front electrode‏ لجهاز ‎ab‏ ‎\o‏ ضوئي ‎photovoltaic device‏ يشتمل على مادة تغليف متعددة الطبقات ‎plurality of layers‏ تشتمل على طبقة معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة ‎IR‏ وموصلة إلى حدٍ كبير (مثلاً؛ طبقة أساسها الفضة. أو الذهب؛ أو ما شابه ذلك)؛ ‎platy‏ على طبقة أكسيد موصلة منفذة ‎(TCO)‏ ‏واحدة على الأقل ‎Sie)‏ مصنعة من أو تشتمل على مادة ‎Jie‏ أكسيد قصدير ‎zinc 6 tin oxide‏ ‎oxide‏ « أو ما شابه ذلك). وفي بعض الحالات التمثيلية المعينة؛ يمكن أن تشتمل المادة المغلفة ‎٠‏ للالكترود ‎١‏ لأمامي ‎front electrode‏ متعددة الطبقات ‎plurality of layers‏ على مجموعة من
دام طبقات ‎TCO‏ و/ أو مجموعة من الطبقات المعدنية العاكسة للأشعة ‎TR‏ الموصلة بشكل أساسي؛ مرتبة بطريقة تبادلية من أجل العمل على تقليل انعكاسات الضوء ‎«pall‏ وزيادة الموصلية؛ وزيادة القدرة على عكس الأشعة ‎IR‏ وهلم جرا. وفي بعض النماذج التمثيلية لهذا ‎١‏ لاختراع؛ ‎(Say‏ تصميم مادة مغلفة متعددة الطبقات ‎plurality of‏ ‎layers ©‏ لالكترود أمامي من أجل تحقيق واحدة أو أكثر من الخصائص المميزة الآتية: (أ) مقاومة لوحية ‎(Rs) sheet resistance‏ منخفضة ومن ثم زيادة الموصلية وتحسين قدرةٍ الخرج الإجمالية لوحدة فلطائية ضوئية نمطية ‎photovoltaic module output power‏ ؛ (ب) زيادة انعكاس الأشعة تحت الحمراء ‎reflection of infrared (IR)‏ وبالتالي تقليل درجة حرارة تشغيل الوحدة القلطائية الضوئية النمطية ‎photovoltaic module output power‏ من أجل زيادة قدرة الخرج للوحدة النمطية؛ ‎٠‏ (ج) تقليل انعكاس و/ أو زيادة نفاذية الضوء في المنطقة التي تتراوح من +45 - 700 نانو مترء و/ أو ‎٠00 - ٠‏ نانومتر؛ وهذا يؤدي إلى زيادة قدرة الخرج للوحدة الفلطائية الضوئية النمطية؛ (د) تقليل السمك الإجمالي لمادة تغليف الالكترود الأمامي ‎front electrode‏ مما يمكن من تقليل تكاليف و/ أو زمن التصنيع؛ و/ أو (ه) تحسين أو توسيع نافذة المعالجة عند تشكيل طبقة (طبقات) ال ‎TCO‏ وذلك بسبب انخفاض تأثير موصلية طبقات ال ‎TCO‏ على الخواص الكهربية ‎٠‏ الإجمالية الوحدة النمطية بمعلومية وجود طبقة (طبقات) معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎IR‏ موصلة إلى حدٍ كبير؛ و/أو (و) تقليل خطر تلف الوحدة النمطية بسبب الاجهاد الحراري الناتج عن عكس الطاقة الحرارية الشمسية وتقليل الاختلاف في درجة الحرارة عبر الوحدة النمطية. وفي بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع؛ تم تقديم جهاز فلطائي ‎photovoltaic device (sa‏ ‎Ye‏ يشتمل على: ركيزة زجاجية أمامية ‎front glass substrate‏ ؛ وغشاء نشط من أشباه الموصلات ‎Yao‏
‎electrode ¢ semiconductor layers‏ أمامي منفذ إلى حدٍ كبير يتواجد بين الركيزة الزجاجية الأمامية وغشاء شبه الموصل ‎semiconductor film‏ على الأقل ؛ حيث يشتمل الالكترود الأمامي ‎front electrode‏ المنفذ إلى حدٍ كبير؛ عند التحرك بعيداً عن الركيزة الزجاجية الأمامية باتجاه غشاء شبه الموصل ؛ على طبقة منفذة إلى حدٍ كبير واحدة على الأقل حيث يمكن أن تكون موصلة أو © غير موصلة؛ طبقة معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎reflection of infrared‏ ‎(IR)‏ تشتمل على الفضة و/ أو الذهب؛ وغشاء (طبقة رقيقة) أول من أكسيد موصل منفذ ‎(TCO)‏ ‏يوضع على الأقل بين الطبقة العاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎IR‏ وغشاء شبه الموصل ؛ وحيث يتم توفير الالكترود ‎١‏ لأمامي ‎front electrode‏ على السطح الداخلي للركيزة الزجاجية الأمامية ‎front‏ ‎glass substrate‏ المواجهة للغشاء شبه الموصل ؛ يعمل السطح الخارجي للركيزة الزجاجية الأمامية ‎٠‏ المواجهة للضوء على تقليل فاقد انعكاس التدفق الشمسي الساقط ويعمل على زيادة امتصاص في الغشاء شبه الموصل. ؛ وخصوصاً عند سقوط أشعة الشمس بزاوية مائلة. وفي بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع؛ تم تقديم جهاز فلطائي ضوئي ‎photovoltaic device‏ يشتمل على ركيزة زجاجية أمامية ؛ غشاء من أشباه الموصلات ‎semiconductor layers‏ ؛ الكترود أمامي منفذ إلى حدٍ كبير يتواجد بين الركيزة الزجاجية الأمامية وغشاء شبه الموصل على الأقل؛ ‎٠‏ حيث يشتمل الالكترود الأمامي ‎front electrode‏ المنفذ إلى ‎as‏ كبير؛ عند التحرك بعيداً عن الركيزة الزجاجية الأمامية باتجاه غشاء شبه الموصل ؛ على طبقة منفذة إلى حدٍ كبير واحدة على الأقل حيث يمكن أن تكون موصلة أو غير موصلة؛ طبقة معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎reflection of infrared (IR)‏ تشتمل على الفضة و/ أو الذهب؛ وغشاء (طبقة رقيقة) أول من أكسيد موصل منفذ ‎(TCO)‏ يوضع على الأقل بين الطبقة العاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎IR‏ ‎٠‏ وغشاء شبه الموصل ‎semiconductor film‏ . ‎Feud‏
‎١٠١ =‏ شرح ‎paid‏ للرسومات شكل ‎:١‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي ‎photovoltaic device‏ تمثيلي وفقاً لنموذج تمثيلي لهذا الاختراع. شكل ؟: عبارة عن منحنى يوضح معامل الانكسار ‎(n) refractive index‏ مقابل الطول الموجي ‎wavelength ©‏ (نانو ‎«(sw‏ حيث يوضح معاملات الانكسار («) للزجاج؛ وغشاء ‎(TCO‏ غشاء رقيق من الفضة؛ وسيليكون مهدرج ‎A) hydrogenated silicon‏ طور غير ‎«lie‏ أو دقيق البلورات أو عديد البلورات ‎.(amorphous, micro- or poly-crystalline phase‏ شكل ": عبارة عن منحنى يوضح النسبة المئوية للنفاذية (77) مقابل الطول الموجي (نانو ‎(Sia‏ ‏حيث يوضح أطياف ‎al‏ في غشاء رقيق من ‎silicon‏ المهدرج كجهاز ضوئي لمقارنة ‎5d‏ هذا ‎٠‏ الاختراع بمثال مقارن ‎TCO)‏ مرجعي)؛ وهذا يُظهر أن أمثلة هذا الاختراع (الأمثلة ‎٠‏ 7 و ©) قد زادت من النفاذية في مدى الطول الموجي 96؛- 700 نانو ‎jie‏ تقريباً وبالتالي قد ساعدت على زيادة قدرة الخرج للوحدة القلطائية الضوئية النمطية؛ مقارنة بالمثال المقارن ‎TCO)‏ المرجعي). شكل 4: عبارة عن منحنى يوضح النسبة المئوية للانعكاس ‎(IR)‏ مقابل الطول الموجي ‎wavelength‏ (نانو متر)؛ حيث يوضح أطياف الانعكاس ‎tailored reflection‏ من على غشاء ‎Vo‏ رقيق من ‎silicon‏ المهدرج كجهاز ‎Sab‏ ضوئي ‎photovoltaic device‏ من أجل مقارنة أمثلة هذا الاختراع (الأمثلة ‎oY ١١‏ و ؟ المشار إليها في شكل ©) مقابل مثال مقارن ‎TCO)‏ المرجعي المشار إليه في شكل ‎Nay oF‏ يُظهر أن النموذج التمثيلي لهذا الاختراع قد ‎aly‏ من الانعكاس في مدى الأشعة تحت الحمراء ‎dR‏ وهذا أدى إلى تقليل حرارة تشغيل الوحدة القلطائية الضوئية النمطية ‎photovoltaic module output power‏ من أجل زيادة قدرة الخرج للوحدة النمطية؛ مقارنة بالمثال ‎Youd‏
‎1١ -‏ ~ المقارن. وحيث أنه قد تمت الإشارة إلى نفس الأمثلة ‎-١‏ ؟ والمثال المقارن ‎TCO)‏ المرجعي) في الشكلين ‎F‏ و 4 فإنه قد تم استخدام نفس الرموز والأرقام المرجعية الدالة على الأجزاء في كل من الشكلين ‎Y‏ و ‎Le‏ ‏شكل 00 ‎Ble‏ عن ‎hie‏ لمقطع عرضي للجهاز القلطائي الضوئي ‎ly‏ للمثال رقم ‎١‏ لهذا © الاختراع. شكل 1: عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز ‎als‏ ضوئي ‎photovoltaic device‏ وفقاً للمثال رقم ¥ لهذا الاختراع. شكل ": ‎Ble‏ عن منظر لمقطع عرضي لجهاز ‎ila‏ ضوئي وفقاً ‎Jil‏ رقم ؟ لهذا الاختراع. شكل 8: عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز ‎SUE‏ ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي آخر لهذا ‎٠‏ الاختراع. شكل 4: عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي آخر لهذا الاختراع. شكل ‎:٠١‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز قلطائي ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي آخر لهذا ا لاختراع. ‎Vo‏ شكل ‎:١١‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز ‎AD‏ ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي آخر لهذا الاختراع. ‎Yoo‏
‎ZY -‏ شكل ‎VY‏ عبارة عن نفاذية (1) وانعكاس ‎(R)‏ تم قياسهما (7 من السطح الاول ١أ)‏ مقابل الطول الموجي ‎wavelength‏ (نانو ‎(sie‏ ؛ حيث يوضح نتائج مثال 4 (به مادة تغليف ‎٠١ TCC‏ أوم / مربع أساسها ‎Ag‏ لركيزة زجاجية أمامية ‎front glass substrate‏ بها سطح مركب). شكل ‎DIT‏ عبارة عن رسم بياني لنسبة النفاذية مقابل الطول الموجي (نانو ‎oie‏ حيث يوضح © النتائج وفقا لمثال € (مقارنة بمثال مقارن). شكل ‎VE‏ عبارة عن رسم بياني للنسبة المئوية للنفاذية ‎T)‏ 7( مقابل الطول الموجي ‎si)‏ متر) يوضح طيف النفاذية في خلية 51 لجهاز قلطائي ضوثي ‎photovoltaic device‏ ¢ يوضح نتائج مثال © لهذا الاختراع به سطح أمامي مركب للركيزة الزجاجية الأمامية. شكل ‎:١5‏ عبارة عن رسم بياني للنسبة المئوية للنفاذية (7 7( مقابل الطول الموجي ‎si)‏ متر) ‎Ve‏ يوضح طيف النفاذية في ‎CAS/CATe Ada‏ لجهاز فُلطائي ضوئي ؛ يقارن مثال 4 لهذا الاختراع (به سطح أمامي مركب ‎textured front surface‏ للركيزة الزجاجية الأمامية ‎front glass substrate‏ ‎(front glass substrate‏ مقابل الأمثلة المقارنة؛ يوضح ذلك أن مثال 4 لهذا الاختراع يحقق نفاذية متزايدةة بطول موجي يتراوح بين حوالي 900 ‎Ver‏ نانو متر وبالتالي 58 خرج عالية لوحدة نمطية فلطائية» مقارنة بالمثال المقارن دون السطح ‎١‏ لأمامي المنمّش ‎etched front surface‏ (الخط المتقطع ‎(x‏ والمثال المقارن للركيزة السطحية ‎TCO‏ التقليدية (الخط المتصل 0( شكل ‎DT‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز ‎HB‏ ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي آخر لهذا الاختراع. شكل ‎DIY‏ عبارة عن رسم بياني للنسبة المئوية للنفاذية ‎T)‏ 7( مقابل الطول !<> ‎wavelength‏ ‏(نانو متر) يوضح طيف النفاذية في خلية ‎Si‏ لجهاز فُلطائي ضوئي ؛ يقارن نموذج الشكل ‎٠6‏ لهذا
_ ير — لاختراع مقابل مثال مقارن؛ يوضح ذلك أن نموذج الشكل ‎١١‏ لهذا الاختراع (متل؛ المنحني 9 - 7 في شكل ‎١٠١‏ يحقق نفاذية متزايدةة بطول موجي يتراوح في مدى الطول الموجي بين حوالي 6 © ‎٠05‏ نانو متر وبالتالي قدرة خرج ‎Alle‏ لوحدة نمطية فلطائية؛ مقارنة بالمثال المقارن (المنحنى المشار ‎ad)‏ بالرمز - 1 في شكل ‎(OF‏ ‏© شكل ‎PVA‏ عبارة عن رسم بياني للنسبة المئوية للنفاذية (7 7) مقابل الطول الموجي (نانو متر) يوضح طيف النفاذية في خلية 005/0078 لجهاز ‎SLE‏ ضوئي ؛ يقارن يقارن نموذج الشكل ‎٠١‏ ‏لهذا الاختراع مقابل مثال مقارن؛ يوضح ذلك أن نموذج الشكل ‎١١‏ لهذا الاختراع (مثل؛ المنحني 7 ‎Ag‏ - في شكل ‎(VA‏ يحقق نفاذية متزايدةة في مدى طول موجي يتراوح بين حوالي 2-500 .لأ نانو متر وبالتالي 3508 خرج عالية لوحدة نمطية فلطائية؛ مقارنة بالمثال المقارن (المنحنى المشار ‎٠‏ إليه بالرمز - 36 في شكل ‎OA‏ ‏بالإشارة الآن بشكل أكثر تحديداً للأشكال التي تشير فيها الأرقام المرجعية المتشابهة إلى أجزاء/ طبقات متشابهة في المناظر المتعددة. تقوم الأجهزة القلطائية الضوئية مثل الخلايا الشمسية ‎solar cells‏ بتحويل الإشعاع الشمسي إلى ‎٠‏ طاقة كهربية يمكن استخدامها. ونمطياً فإن تحويل الطاقة يحدث نتيجة للتأثير القلطائي الضوئي. حيث يقوم الإشعاع الشمسي (مثل؛ ضوء الشمس) الذي يسقط على جهاز فُلطائي ضوئي ‎photovoltaic device‏ ويمتص بواسطة منطقة فعالة من مادة مصنعة من أشباه الموصلات ‎semiconductor layers‏ (متل غشاء من أشباه الموصلات ‎semiconductor layers‏ يشتمل على واحدة أو أكثر من الطبقات المصنعة من أشباه الموصلات ‎Jie‏ طبقات مصنعة من ‎silicon‏ ‎‘oe \‏ 1
‎Vt —‏ — وأحياناً يطلق على الطبقة المصنعة من أشباه الموصلات اسم الطبقة الماصة أو الغشاء)؛ بتوليد زوج عبارة عن إلكترون وثقب في المنطقة الفعالة. ويمكن فصل الالكترونات والتقوب بواسطة مجال كهربي لوصلة في الجهاز الفلطائي الضوئي. ويؤدي فصل اللالكترونات والثقوب بواسطة الوصلة إلى توليد تبار كهربي وجهد كهربي. وفي بعض النماذج التمثيلية؛ تتدفق الالكترونات باتجاه المنطقة © من المادة شبه الموصلة التي لها موصلية من النوع — ‎en‏ وتتدفق الثقوب باتجاه المنطقة من المادة شبه الموصلة التي لها موصلية من النوع - ‎op‏ ويمكن أني تدفق التيار خلال دائرة خارجية تصل المنطقة من النوع -« بالمنطقة من النوع - ‎p‏ بينما يستمر الضوء في توليد أزواج اللالكترونات والثقوب في الجهاز القلطائي الضوئي. وفي بعض النماذج التمثيلية؛ تشتمل الأجهزة ‎AE‏ الضوئية المصنعة من سيليكون غير متبار ‎٠٠١‏ أحادي الوصلة ‎single junction amorphous silicon‏ (وصلة ‎Si‏ واحدة) على ثلاث طبقات من أشباه الموصلات. ‎dandy‏ طبقة من النوع - ‎op‏ طبقة من النوع ‎n=‏ وطبقة من النوع - 1 وهي طبقة أصلية. ويمكن أن يكون غشاء السيليكون غير المتبلر ‎amorphous silicon film‏ (الذي يمكن أن يشتمل على طبقة واحدة أو أكثر ‎Jie‏ طبقات من النوع - ‎np‏ و ‎(i‏ عبارة عن سيليكون غير متبلر مهدرج ‎hydrogenated amorphous silicon‏ في بعض الحالات؛ ولكنه يمكن أيضاً أن ‎٠‏ يكون أو يمكن أن ‎Jabs‏ على كربون ‎Sl‏ غير ‎lie‏ مهدرج ‎hydrogenated amorphous‏ ‎silicon carbon‏ أو جيرمانيوم سيكلون غير متبلر مهدرح ‎hydrogenated amorphous silicon‏ ‎germanium‏ + أو ما شابه ذلك؛ وذلك في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع. وعلى سبيل المثال لا الحصر؛ عندما يمتص فوتون ضوثي ‎photon of light‏ في الطبقة - 1 فإنه يؤدي إلى زيادة وحدة التيار الكهربي (زوج مكون من إلكترون وثقب). وتعمل الطبقتان - ‎pp‏ اللتان ‎٠‏ تحتويان على أيونات الإشابة المشحونة ‎«charged dopant ions‏ على إنشاء مجال كهربي عبر
١٠١ —
الطبقة - 1 التي تسحب الشحنة الكهربية إلى خارج الطبقة - 1 وترسلها إلى دائرة خارجية اختيارية حيث يمكن أن توفر القدرة للمكونات الكهربية. وتجدر الإشارة إلى أنه في حين أن بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع قد تم توجيهها تجاه أجهزة فلطائية ضوئية أساساها سيلكون غير متبلر ‎amorphous silicon‏ « إل أن هذا الاختراع لا يقتصر عليها ويمكن استخدامه مع أنواع أخرى من © الأجهزة القلطائية الضوئية وفي بعض الحالات التي تشمل على سبيل المثال لا الحصر الأجهزةٍ التي تشتمل على أنواع أخرى من المواد شبه الموصلة؛ الخلايا الشمسية ‎solar cells‏ المزودة بغشاء رقيق أحادي أو مزدوج؛ والأجهزة ‎As‏ الضوئية ‎CdS‏ و/ أو ‎CdTe‏ (وتشمل ‎(CdS/CdTe‏ والأجهزة الفلطائية الضوئية عديدة ‎silicon‏ و/ أو المصنعة من سيليكون دقيق
البلورات ‎microcrystalline Si‏ ؛ وما شابه ذلك.
‎٠١‏ في نماذج معينة لهذا الاختراع» يشتمل الالكترود الأمامي ‎front electrode‏ لجهاز ‎PV‏ يصنع من مادة تغليف موصلة منفذة ‎transparent conductive coating (TCC)‏ متعددة الطبقات ‎plurality of layers‏ » ويتم وضعها على سطح ركيزة زجاجية أمامية ‎surface of a front glass‏ ‎substrate‏ مقابلة لسطح ركيزة نمطي. في بعض النماذج التمثيلية؛ يواجه السمطح ذي النمط التكراري (أي المنمّش ‎etched‏ ( للركيزة الزجاجية الأمامية ‎front glass substrate‏ المنفذة الضوء ‎Cua (alll‏
‏1° يتم توفير ‎TCC‏ على الجانب المقابل للركيزة الذي يواجه الطبقة شبه الموصلة للجهاز الفلطائي الضوئي ‎(PV)‏ يعمل السطح الأول أو الأمامي ذي النمط التكراري للركيزة الزجاجية على تقليل فاقد انعكاس التدفق الشمسي الساقط ويعمل على زيادة امتصاص ‎photons) photon‏ ( في الطبقة الرقيقة شبه الموصلة خلال التبدد والانكسار والحيود. يمكن أن يعمل ‎TCC‏ على تعزيز النفاذية في مناطق ‎PV‏ المختارة النشطة لطيف الضوء المرئي والأشعة تحث الحمراء 18 القريب؛ مع رفض و/
‎٠‏ أو إعاقة الطاقة الحرارية ل 18 غير المرغوب بها من مناطق معينة ‎(gal‏ للطيف. في بعض
‎Foo
ٍ - 13 ~ النماذج التمثيلية لهذا الاختراع؛ يمكن أن يكون سطح الركيزة الزجاجية الامامية المنفذة التي يوضع عليها الالكترود الأمامي ‎front electrode‏ أو ‎TCC‏ مسطحا أو مسطحا إلى حد كبير (ليس مزود بنمط تكراري)؛ بينما في نماذج تمثيلية ‎Alia‏ يمكن أن يكون مزود بنمط تكراري أيضا. شكل ‎١‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي ‎photovoltaic device‏ وفقاً لنموذج ° تمثيلي لهذا الاختراع. ويشتمل الجهاز القُلطائي الضوئي على ركيزة زجاجية أمامية ‎front glass‏ ‎substrate‏ منفذة ‎(Sas) )١(‏ أيضاً استخدام مادة مناسبة أخرى لتصنيع الركيزة بدلاً من الزجاج في بعض الحالات)؛ وطبقة (طبقات) عازلة اختيارية (7)؛ والكترود أمامي متعدد الطبقات ‎multilayer‏ ‎front electrode‏ (7)؛ وغشاء شبه موصل نشط ‎active semiconductor film‏ )°( مصنع من أو يشتمل على واحدة أو أكثر من طبقات أشباه الموصلات ‎Jie) semiconductor layers‏ رصات ‎٠‏ طبقية ترادفية ‎Jie‏ عاص ‎pinpin pn‏ أو ما شابه ذلك)؛ والكترود / ملدمس خلفي ‎back‏ ‎(V) electrode/contact‏ حيث يمكن أن يكون مصنوعاً من ‎TCO‏ أو معدن؛ ومادة كبسلة اختيارية ‎optional encapsulant‏ )3( أو لاصق ‎(«adhesive‏ مادة ‎ethyl vinyl Jie‏ ‎acetate (EVA)‏ أو ما شابه ذلك وطبقة فوقية اختيارية ‎)١١(‏ من مادة ‎Jie‏ الزجاج. وبطبيعة الحال؛ يمكن إضافة طبقة (طبقات) أخرى» لم يتم توضيحهاء في الجهاز. ويمكن تصنيع الركيزة 12 الزجاجية الأمامية ‎)١(‏ و/ أو الطبقة الفوقية 6 (الركيزة) الخلفية ‎(VY)‏ من زجاج أساسه ‎soda-lime-silica‏ » وذلك في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ ويمكن أن تحتوي على محتوى قليل من الحديد و/ أو طبقة مغلفة مضادة للانعكاس توضع عليها من أجل تحسين النفاذية بشكل مثالي في بعض الحالات التمثيلية. وفي حين أنه يمكن تصنيع الركيزتين (٠؛ ‎)١١‏ من الزجاج في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع؛ فإنه يمكن استخدام مواد أخرى مثل الكوارتز؛ أو البلاستيك؛ ‎٠‏ أو ما شابه ذلك لتصنيع الركيزة (الركيزتين) ‎)١(‏ و/ أو ‎Yar )١١(‏ من الزجاج. وعلاوة على هذاء ‎Fao‏
‎١7 -‏ - فإن الطبقة الفوقية ‎)١١( superstrate‏ تكون اختيارية في بعض الحالات. ويمكن أن يكون الزجاج ‎SM) Ss )١(‏ لا يكون؛ ‎Wha be‏ و/ أو مشكل بنمط معين ‎ba‏ وذلك في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. وعلاوة على هذاء يجب إدراك أن كلمة "على" كما هي مستخدمة في هذا الطلب تغطي ‎IS‏ من طبقة تكون موضوعة بشكل مباشر أو غير مباشر على جسم ماء بينما © يمكن أن تتواجد طبقات أخرى فيما بينها وبين الجسم. ويمكن أن تكون الطبقة (الطبقات) العازلة (7) من أية مادة منفذة إلى حدٍ كبير مثل أكسيد معدن و/ أو نيتريد معدن حيث يمكن أن يكون لها معامل انكسار يتراوح من حوالي ‎٠,9‏ إلى ‎Xo‏ ‏والأفضل من حوالي 1,3 إلى ©,؛ والأفضل من حوالي ‎٠,6‏ إلى ‎NY‏ من حوالي ‎٠,6‏ إلى أ؛ والأكثر تفضيلاً من حوالي 16 إلى 1,8. ومع ذلك؛ في بعض الحالات؛ يمكن أن يكون للطبقة ‎٠‏ العازلة ‎(Y)‏ معامل انكسار («) يتراوح من حوالي 1,7 إلى ‎Yo‏ وتشتمل أمثلة المواد التي تصنع منها الطبقة العازلة ‎)١( dielectric layer‏ على ‎silicon ١ silicon nitride ¢ silicon oxide‏ ‎aluminum oxynitride «(TiC « J) titanium oxide ¢ tin oxide « zinc oxide ¢ oxynitride‏ ‎aluminum oxide‏ ¢ أو خلائط مما سبق. وتعمل الطبقة (الطبقات) العازلة ‎(Y)‏ طبقة حاجزة في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ من أجل ‎aie‏ المواد ‎Jie‏ الصوديوم من النفاذية للخارج من ‎Vo‏ الركيزة الزجاجية ‎glass substrate‏ )1( والوصول إلى الطبقة (الطبقات) العاكسة للأشعة 1 ] أو شبه الموصل ‎semiconductor‏ . وعلاوة على هذاء فإن الطبقة العازلة ‎(Y) dielectric layer‏ تكزن عبارة عن مادة ذات معامل انكسار («) في المدى الموضح أعلاه؛ وذلك من أجل تقليل انعكاس الضوء المرئي وبالتالي زيادة نفاذية الضوء المرئي ‎ie)‏ الضوء الذي له طول موجي يتراوح من حوالي 5+6؛- ‎Vee‏ نانو متر و/ أو 96؛- ‎Tee‏ نانو ‎(Jie‏ خلال الطبقة المغلّفة ‎Jy‏ شبه ‎٠‏ الموصل ‎semiconductor‏ )©( مما يؤدي إلى زيادة قدرة الخرج للوحدة القلطائية الضوئية النمطية. ‎Youd‏
- ١8 ‏متعدد الطبقات (3) في‎ front electrode ‏وباستمرار الإشارة إلى شكل ١؛ فإن الالكترود | لأمامي‎ ‏تم تقديمه لأغراض التمثيل فقط وليس لأغراض الحصر‎ dua) ‏النموذج التمثيلي المبين في شكل‎ ‏وعند الاتجاه للخارج» على طبقة‎ )١( glass substrate ‏يشتمل؛ بدءاً من الركيزة الزجاجية‎ capil ‏طبقة أولى معدنية‎ (Iv) ‏أولى‎ dielectric layer ‏طبقة عائلة‎ 0 (TCO) ‏أكسيد موصلة منفذة‎ ‏ثانية (7ج)؛ طبقة‎ TCO ‏طبقة‎ (oF) ‏وموصلة‎ IR ‏بشكل أساسي عاكسة للأشعة تحت الحمراء‎ © ‏ثالثة (7ه)؛ وطبقة حاجزة‎ TCO ‏ومنفذة )37( طبقة‎ IR ‏ثانية معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة‎ ‏بدلا‎ dielectric layer ‏اختيارية (7د). واختيارياً يمكن أن تكون الطبقة (؟أ) عبارة عن طبقة عازلة‎ ‏وهذا الغشاء متعدد‎ (GF) ‏وذلك في بعض الحالات وتعمل كطبقة نواة للطبقة‎ TCO ‏من طبقة‎ ‏في بعض النماذج التمثلية لهذا‎ front electrode ‏الطبقات )7( هو الذي يكوّن الالكترود الأمامي‎ ‏في بعض النماذج‎ )3( electrode ‏الاختراع. وبطبيعة الحال؛ يمكن إزالة بعض طبقات الالكترود‎ ٠ ‏يمكن إزالة واحدة أو أكثر من الطبقات ©أء و/ أو "ج؛ و/ أو‎ Oa) ‏التمثيلية البديلة لهذا الاختراع‎ multilayer ‏و/ أو اه)؛ كما يمكن أيضاً توفير طبقات إضافية في الالكترود متعدد الطبقات‎ car ‏ممتداً بشكل متصل عبر‎ )7( front electrode ‏لأمامي‎ ١ ‏ويمكن أن يكون الالكترود‎ ٠ (¥) electrode ‏بأكملها أو جزء كبير منهاء أو بدلاً من ذلك يمكن تشكيله‎ (1) glass substrate ‏الركيزة الزجاجية‎ ‏شرائح)؛ وذلك في نماذج تمثيلية مختلفة لهذا‎ (Jie) ‏ليكون له تصميم مرغوب فيه‎ Ope ‏بنمط‎ 10 ‏منفذة إلى حدٍ كبير في بعض النماذج التمثلية‎ (VY) ‏الاختراع. وتكون كل من الطبقات/ الأغشية‎ ‏لهذا الاختراع.‎ ‏ويمكن أن يتم تصنيع كل من الطبقتين المعدنيتين بشكل أساسي والعاكستين للأشعة 18 والموصلئين‎ ‏يمكن أن تشتملان على أية مادة مناسبة عاكسة للأشعة 18 مثل‎ Saar ‏الأولى والثانية "ب و‎ ‏وهذا يؤدي إلى‎ IR ‏الفضةء الذهب؛ أو ما شابه ذلك. وهذه المواد تعكس كميات كبيرة من الأشعة‎ Ye ‏اللا‎
١١
IR ‏وحيث أن‎ (2) semiconductor film ‏التي تصل إلى غشاء شبه الموصل‎ IR ‏خفض كمية‎ ‏الموصل‎ ans ‏التي تصل إلى غشاء‎ TR ‏الجهاز؛ فإن تقليل كمية الأشعة‎ Bhs ‏تزيد من‎ ‏يكون مفيداً من حبث أنه يقلل من درجة حرارة تشغيل الوحدة القلطائية‎ © semiconductor film ‏مما يؤدي إلى زيادة قدرة الخرج للوحدة‎ photovoltaic module output power ‏الضوئية النمطية‎ ‏الفلطائية الضوئية النمطية. وعلاوة على هذاء؛ فإن الطبيعة عالية الموصلية لمثل هذه الطبقات‎ © ‏الإجمالي (؟). وفي‎ electrode ‏و/ أو )3%( تمكن من زيادة موصلة‎ (SF) ‏المعدنية بشكل أساسي‎ sheet ‏يكون للالكترود متعدد الطبقات (؟) مقاومة لوحيبة‎ op haa) ‏بعض النماذج التمثلية لهذا‎ ‏أوم/ مربع؛ والأفضل أقل من أو تساوي حوالي ؟ أوم/‎ ١١ ‏أقل من أو تساوي حوالي‎ resistance ‏أوم/ مربع. ومرة ثانية؛ فإن زيادة الموصلية‎ T ‏مربع؛ والأفضل من ذلك أقل من أو تساوي حوالي‎ ‏(وهذا يعني أيضاً تقليل المقاومة اللوحية) تؤدي إلى زيادة قدرة الخرج الإجمالية للوحدة الفأطائية‎ ٠ ‏الضوئية النمطية؛ وذلك عن طريق تفليل الفقودات بسبب المقاومة في الاتجاه الجانبي الذي يراد فيه‎ ‏التحكم التيار عند حافة قطع الخلية. وتجدر الإشارة إلى أن الطبقتين الأولى والثانية المعدنيتين‎ ‏(وكذلك الطبقات الأخرى للالكترود‎ (a7) ‏والموصلتين )1( و‎ IR ‏بشكل أساسي العاكستين للأشعة‎ ‏بحيث تكون منفذة بدرجة كبيرة للضوء المرئي. وفي بعض‎ AIS ‏؟) تكون رقيقة بدرجة‎ electrode ‏النماذج التمتلية لهذا الاختراع» يتراوح سمك كل من الطبقتين الأولى والثانية المعدنيتين بشكل‎ © ‏نانو مترء‎ ١١ ‏والموصلتين (آب) و (؟د) من حوالي ؟ إلى‎ IR ‏أساسي العاكستين للأشعة‎ ‏نانو مترء والأكثر تفضيلاً من حوالي © إلى + نانو متر. وفي‎ ٠١ ‏والأفضل من حوالي © إلى‎ ‏فإن سمك الطبقة المتبقية المعدنية‎ af ‏النماذج التي لا يتم فيها استخدام واحدة من الطبقتين "ب أو‎ ‏نانو مت‎ ١8 ‏والموصلة يمكن أن يتراوح من حوالي © إلى‎ IR ‏بشكل أساسي العاكسة للأشعة‎ ‏نائو متر وذلك‎ ١١ ‏نانو مترء والأكثر تفضيلاً من حوالي 6 إلى‎ ١١ ‏والأفضل من حوالي © إلى‎ YT
Yoo
Cove ‏في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. وهذه الأسماك (جمع سُمك) تكون مرغوبة من حيث أنها‎ ‏بينما في الوقت نفسه تكون منفذة‎ IR ‏تسمح للطبقتين "ب و/ أو ”د بعكس كمية كبيرة من الأشعة‎ ‏لكي‎ * semiconductor ‏إلى حدٍ كبير للإشعاع المرئي الذي يسمح له بالوصول إلى شبه الموصل‎ (37) ‏و‎ (oF) ‏يقوم الجهاز القلطائي الضوئي بتحويله إلى طاقة كهربية. وتسلهم الطبقتين‎ ‏بدرجة‎ )©( electrode ‏وعاليتي الموصلية في الموصلية الإجمالية للالكترود‎ IR ‏العاكستين للأشعة‎ © ‏التي‎ TCO ‏أكبر كثيراً من طبقات 0؟ وهذا يسمح بتوسيع نافذة (نوافذ) المعالجة لطبقة (طبقات)‎ ‏تتمتع بمساحة نافذة محدودة لتحقيق كل من الموصلية والنفاذية المرتفعة.‎ sale ‏على الترتيب؛ من أية‎ eat oY ‏والثانية؛ والثالثة» “أ‎ (JN TCO ‏ويمكن أن تكون طبقات‎ zine 2 zinc oxide ‏في ذلك على سبيل المثال لا الحصر؛ الصور الموصلة من‎ Lo ‏مناسبة‎ TCO ‏(حيث يمكن‎ indium zine oxide « indium-tin-oxide 6 tin oxide ¢ aluminum oxide ٠ ‏معالجتها بالإشابه بالفضة)؛ أو ما شابه ذلك. وهذه الطبقات تكون نمطياً ذات كميات فرعية متكافئة‎ ‏وذلك لجعلها موصلة وفقاً لما هو معروف في المجال. على سبيل المثال؛ يتم تصنيع هذه الطبقات‎ ١ ‏أوم - سم (والأفضل ألا تزيد عن حوالي‎ ٠١ ‏من مادة (مواد) تكسبها مقاومة لا تزيد عن حوالي‎ ‏أوم - سم). ويمكن معالجة واحدة أو أكثر من‎ Yo ‏أوم - سمء والأكثر تفضيلاً إلا تزيد عن حوالي‎ ‏أو ما شابه ذلك‎ ¢ antimony ¢ aluminum ¢ fluorine Jie ‏هذه الطبقات بالإشابة بمواد أخرى‎ YO ‏وذلك في بعض الحالات التمثيلية؛ طالما أنها تظل موصلة ومنفذة بدرجة كبيرة للضوء المرئي. وفي‎ ‏و/ أو “ه أكثر سمكاً من الطبقة‎ (ZT) TCO ‏بعض النماذج التمتلية لهذا الاختراع؛ تكون طبقتا‎ ‏على الأقل؛ والأكثر‎ ٠١ ‏أكثر سمكاً بحوالي © نانو متر على الأقل؛ والأفضل حوالي‎ Sg) (IT) ‏نانو متر على الأقل). وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع» يتراوح‎ "٠ ‏أو‎ 7١ ‏تفضيلاً حوالي‎ ‏نانو متر؛ حيث‎ ٠١ ‏من حوالي ؟ إلى 60 نانو مترء والأفضل من حوالي‎ (IT) TCO ‏_سمك طبقة‎ ٠
Foo
١؟‏ 0 يكون لها سمك تمثيلي يبلغ حوالي ‎٠‏ نانو متر. ويتم توفير الطبقة الاختيارية (؟أ) بشكل أساسي كطبقة نواة للطبقة (؟ب) و/ أو للأغررض المضادة للانعكاس؛ ولا تمتل موصليتها أهمية ‎Jie‏ ‏موصلية الطبقات "ب - *ه (ولهذاء فإن الطبقة ؟أ يمكن أن تكون عازلة ‎Ya‏ من أن تكون طبقة ‎TCO‏ في بعض النماذج التمثيلية). وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ يتراوح سمك طبقة ‎(eV) 160 ©‏ من حوالي ‎٠١‏ إلى حوالي ‎١5١‏ نانومتر؛ والأفضل من حوالي ‎Ee‏ إلى ‎١7١‏ نانو متر؛ حيث يكون لها سمك تمثيلي حوالي ‎VO - VE‏ نانو متر. وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ يكون لطبقة ‎TCO‏ (7ه) سمك يتراوح من حوالي ‎7٠‏ إلى ‎١8١‏ نانو مترء والأفضل من حوالي ‎5٠‏ إلى ‎٠٠١‏ نانو ‎ie‏ حيث يكون لها سمك تمثيلي حوالي 54 أو ‎١١6‏ نانو متر. وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع» يكون ‎ead‏ من الطبقة (؟ ه) سمك؛ ‎Sia‏ يتراوح من حوالي ‎gl Yo -١ 0٠‏ متر أو 0— ‎Yo‏ نانو ‎«jie‏ وذلك عن الوصلة بين الطبقتين ‎(AT)‏ و )0( وقد يتم استبداله بغشاء منخفض الموصلية ذي معامل انكسار ‎(n)‏ كبير (؟و) ‎titanium oxide Jie‏ من أجل تعزيز نفاذية الضوء وكذلك تقليل انتشار حاملات الشحنة الكهربية المتولدة للخلف؛ وبهذه الطريقة يمكن تحسين الأداء بشكل أفضل. في بعض النماذج التمتلية؛ يتم يكون السطح الخارجي ١أ‏ للركيزة الزجاجية الأمامية ‎front glass‏ ‎١ substrate ٠‏ مركباً (أي منمَّش ‎etched‏ و/ أو ذو نمط تكراري) . في هذا الطلب؛ يغطي مستخدم كلمة " ذو نمط تكراري" الأسطح المنمّشة ؛ ويغطي استخدام كلمة ' منمّش ‎etched‏ " الأسطح ذات النمط التكراري. يمكن أن يشتمل السطح الخارجي ‎i‏ للركيزة الزجاجية الأمامية ‎front glass‏ ‎(Ae) substrate‏ سطح منشوري؛ وسطح تشطيب خشن؛ أو ما شابه ذلك في نماذج تمثيلية مختلفة لهذا الاختراع. يمكن أن يشتمل السطح الخارجي 1 للركيزة الزجاجية الأمامية ‎front glass‏ ‎١ substrate ٠‏ على ‎add‏ ووديان محددة فيه بأجزاء منحنية مترابطة فيما بينها مع القمم والوديان (على ‎Youd‏
ا ‎YY‏ ل سبيل المثال» راجع الشكل رقم ‎.)١‏ يمكن أن يكون السطح الرئيسي للركيزة ‎١‏ منمّشاً (على سبيل ‎JU‏ عن طريق النمش باستخدام وسيلة نمش عالية التردد أو ما شابه ذلك)؛ أو ذونمط تكراري من خلال بكرة (بكرات) أو ما شابه ذلك خلال تصنيع الزجاج لتشكيل سطح مركب (و/أو ذو نمط تكراري) ١أ ‎٠‏ في بعض النماذج التمثلية؛ يواجه السطح ذو النمط التكراري (على سبيل المثال؛ © المنمّش ‎IY (etched‏ للركيزة الزجاجية الأمامية ‎front glass substrate‏ المنفذة الضوء القادم (أنظر إلى الشمس في الأشكال)؛ حيث يتم توفير 17003 على السطح المقابل ١ب‏ للركيزة الذي يواجه الغشاء شبه الموصل ‎semiconductor film‏ © للجهاز الفلطائي الضوئي ‎(PV)‏ . يعمل السطح ذو النمط التكراري الأول أو الأمامي للركيزة الزجاجية ‎١‏ على تقليل فاقد انعكاس التدفق الشمسي الساقط ويعمل على زيادة امتصاص ‎photons) photon‏ ) في الغشاء شبه الموصل ‎Jao semiconductor film ٠١‏ التشتت و/ أو الانكسار و/ أو الحيود. يمكن أيضا تطوير نفاذية التدفق الشمسي في شبه الموضل الفلطائي الضوئي © باستخدام سطح ذو نمط تكراري / ‎iia‏ ‎etched‏ ١أ‏ للركيزة الزجاجية الأمامية ‎١ front glass substrate‏ بالاقتران مع ‎aula] TCC3‏ هم كما هو مبين في الأشكال ‎١‏ و ‎NV‏ يسفر السطح ذو النمط التكراري و / أو المنمّش ‎١ etched‏ عن طبقة فعالة ذات معامل انكسار منخفض بسبب إدخال الفجوة (الفجوات)؛ وتعمل كغلاف مضاد ‎٠‏ للانعكاس. مقارنة بالسطح الأمامي الأملس ؛» يوفر السطح ذو النمط التكراري و / أو المنمّش 0ه ‎١‏ المميزات ‎Ata)‏ التالية : (أ) انعكاس منخفض من السطح الأول ١أ؛‏ بصفة خاصة عند زوايا سقوط مائلة؛ وذلك بسبب الضوء المحصور وبالتالي زيادة الدفق الشمسي في الخلايا الشمسية ‎solar cells‏ ؛ و (ب) زيادة المسار الضوئي للضوء في شبه الموصل ‎o semiconductor‏ مما يؤدي إلى تيار فولطائي ضوئي متزايد. يمكن تطبيق هذا على نماذج الأشكال ‎١‏ و 11-5 في ‎Ye‏ حالات معينة. ‎Youd‏
- ‏#؟‎ oo ‏للركيزة‎ TY ‏في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ يتراوح متوسط خشونة السطح على السطح‎ ‏والأفضل من‎ cae ١ ‏ميكرو متر إلى‎ ١ ‏من حوالي‎ front glass substrate ‏الزجاجية الأمامية‎ ‏ميكرو مترء والأكثر‎ ٠١ - ١.١ ‏ميكرو مترء والأكثر تفضيلا من حوالي‎ ٠١ ‏إلى‎ ١.5 ‏حوالي‎ ‏ميكرو متر. يمكن أن تؤدي القيمة الأكبر لخشونة السطح إلى المزيد من‎ A - " ‏تفضيلا من حوالي‎ ‏إلى زيادة‎ ١ ‏تجمع القاذورات على الركيزة الأمامية )¢ بينما تؤدي القيمة الأقل لخشونة السطح‎ © ‏النفاذية بصورة غير كافية. يمكن تطبيق خشونة السطح هذه عند ١أ على أي نموذج تمت مناقشته‎ ‏في هذا الطلب. يعتبر توفير خشونة السطح هذه عند السطح ١أ مفيدا لأنه يمكن بذلك تجنب‎ ‏في بعض النماذج التمثيلية لهذا‎ ١ ‏منفصل على الركيزة الأمامية الزجاجية‎ AR ‏الحاجة لغلاف‎ . ‏لاختراع‎ J front Amel! ‏ب للركيزة الزجاجية‎ ١ ‏في بعض النماذج التمثلية؛ يكون السطح الداخلي أو الثاني‎ ٠١ ‏مسطحا أو مسطحاً بشكل كبير. وبعبارة أخرى؛ لا يكون السطح ١ب ذا نمط‎ ١ glass substrate ‏تكراري أو منمّشاً. في هذه النماذج؛ على النحو المبين في الأشكال ؛ يتم توفير الالكترود الأمامي‎ ‏وبناء‎ .١ ‏على السطح المسطح أو المسطح إلى حد كبير ١ب للركيزة الزجاجية‎ ¥ front electrode ‏عليه؛ تكون الطبقات 9 أ- “و مسطحة إلى حد كبير أو مستوية في هذه النماذج التمثلية لهذا‎ ‏الاختراع. بدلا من ذلك؛ في نماذج تمثيلية أخرى» يمكن أن يكون السطح الداخلي ١ب للركيزة‎ ٠ .أ١ ‏السطح الخارجي‎ Jie ‏ذا نمط تكراري‎ ١ ‏الزجاجية‎ ‏الضوئي عن طريق توفير‎ SURED ‏وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ يمكن تصنيع الجهاز‎ ‏ثم ترسيب (مثلاً؛ عن طريق الرشرشة أو أي أسلوب آخر‎ ؛)١(‎ glass substrate ‏ركيزة زجاجية‎ ‏وبعد ذلك يتم‎ .)١( ‏على الركيزة‎ (V) multilayer electrode ‏مناسب) الالكترود متعدد الطبقات‎ ‏مع بقية الجهاز من‎ )١( front electrode ‏والالكترود ا لأمامي‎ )١( ‏أ إقران البنية المشتملة على الركيزة‎
Yoo
أجل تكوين الجهاز ‎SURI‏ الضوئي المبين في شكل ‎.١‏ على سبيل المثال؛ يمكن بعدئذٍ تكوين الطبقة شبه الموصلة ‎semiconductor‏ )©( فوق الالكترود الأمامي ‎front electrode‏ على الركيزة ‎Yau, 1‏ من ذلك؛ يمكن تصنيع/ تشكيل الملامس الخلفي ‎(V) back contact‏ وشبه الموصل )0( على الركيزة ‎Sie) ١١‏ من الزجاج أو أية مادة مناسبة أخرى) ‎A‏ ثم يتم تشكيل ‎electrode‏ (7) © والطبقة العازلة ‎(Y) dielectric layer‏ على شبه الموصل )0( وكبسلته بواسطة الركيزة ‎١‏ بواسطة مادة لاصقة ‎adhesive‏ متل ‎.EVA‏ ‏كما أن الطبيعة المختلفة لطبقات ‎TCO‏ “أ و/ أو ؟ج؛ و/ أو 7 ‎wa‏ والطبقتين المعدنيتين بشكل أساسي العاكستين للأشعة ‎TR‏ والموصلتين ب و/ أو ‎af‏ تفيد أيضاً في تحقيق واحدة؛ أو اثنتين؛ أو ثلاث؛ أو أربع؛ 0 جميع الفوائد الآتية: 0( مقاومة لوحية ‎(Ry) sheet resistance‏ منخفضة ‎٠‏ لالكترود الإجمالي 7 ومن ثم زيادة الموصلية وتحسين قدرة الخرج الإجمالية لوحدة فلطائية ضوئية نمطية ‎photovoltaic module output power‏ ¢ (ب) زيادة انعكاس الأشعة تحت الحمراء ‎reflection of infrared (IR)‏ بواسطة الالكترود ؟ وبالتالي تقليل درجة حرارة تشغيل جزء شبه الموصل © للوحدة القلطائية الضوئية النمطية من أجل زيادة قدرة الخرج للوحدة النمطية؛ (ج) تقليل انعكاس و/ أو زيادة نفاذية الضوء في نطاق الضوء المرئي الذي يتراوح من +459 - ‎٠٠١0‏ نانو ‎Jie‏ ‎٠‏ )5[ أو +8؛- 00 نانومتر) بواسطة الالكترود ‎١‏ لأمامي ‎front electrode‏ ؟ وهذا يؤدي إلى زيادة قدرة الخرج للوحدة القلطائية الضوئية النمطية؛ (د) تقليل السمك الإجمالي لمادة تغليف الالكترود الأمامي ؟ مما يمكن من تقليل تكاليف و/ أو زمن التصنيع؛ و/ أو (ه) تحسين أو توسيع نافذة المعالجة عند تشكيل طبقة (طبقات) ال ‎TCO‏ وذلك بسبب انخفاض تأثير موصلية طبقات ال ‎TCO‏ ‏على الخواص الكهربية الإجمالية للوحدة النمطية بمعلومية وجود طبقة (طبقات) معدنية بشكل ‎٠‏ أساسي موصلة إلى حدٍ كبير. ‎Food‏
_ ه؟ ‏ ويمكن أن تشتمل منطقة شبه الموصل ‎semiconductor‏ النشطة أو الغشاء شبه الموصل ‎semiconductor film‏ النشط )©( على طبقة واحدة أو أكثرء ويمكن أن تكون من أية مادة مناسبة. على سبيل المثال؛ يشتمل غشاء شبه الموصل ‎semiconductor film‏ النشط (*) لأحد أنواع الأجهزة القلطائية الضوئية المزودة بسيليكون غير متبلر ذي وصلة أحادية ‎(a-Si)‏ على ثلاث ‎clad, ©‏ من أشباه الموصلات ‎semiconductor layers‏ « وتحديداً هي طبقة - ‎op‏ طبقة - ‎on‏ طبقة — 1. ويمكن أن تشكل طبقة :8-5 من النوع - م لغشاء شبه الموصل )0( الجزء الأعلى من غشاء شبه الموصل )2( في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ ونمطياً تتواجد الطبقة ‎T=‏ بين الطبقتين النوعين م و «. ويمكن أن تكون هذه الطبقات التي أساسها سيليكون غير متبلر للغشاء (5) مصنعة من سيليكون غير متبلر مهدرج ‎hydrogenated amorphous silicon‏ في بعض الحالات؛ ‎٠‏ ولكن يمكن أن تصنع أيضاً أو يمكن أن تشتمل على كربون سيليكون غير متبلر مهدرج ‎hydrogenated amorphous silicon‏ أو جيرمانيوم سيليكون غير متبلر ‎hydrogenated zo‏ ‎amorphous silicon‏ + أو سيليكون دقيق البلورات مهدرج ‎hydrogenated microcrystalline‏ ‎silicon‏ ¢ أو مادة (مواد) مناسبة أخرى في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. ويمكن أن تكون المنطقة النشطة ذات وصلة مزدوجة أو من النوع ثلاثي الوصلات؛ وذلك في نماذج بديلة لهذا الاختراع. كما يمكن استخدام ‎CdTe‏ لتصنيع غشاء شيه الموصل ‎semiconductor film‏ (*)؛ وذلك في نماذج بديلة لهذا الاختراع. ويمكن تصنيع الملامس و/ أو العاكس» 5[ أو الالكترود الخلفي ‎Back contact, reflector and/or‏ ‎electrode‏ 7 من أية مادة مناسبة موصلة للكهرباء. على سبيل المثال لا الحصر؛ يمكن تصنيع الملامس أو الالكترود الخلفي ‎)١( back contact or electrode‏ من ‎TCO‏ و/ أو من معدن في ‎To‏ بعض الحالات. وتشتمل أمثلة مواد ‎TCO‏ المناسبة للاستخدام كملامس أو الكترود خلفي (7) على ‎Yau :‏
‎١1 =‏ - ‎indium-tin-oxide (ITO) » indium zinc oxide‏ » أكسيد قصدير ‎zinc oxide sl [5 ¢ tin oxide‏ حيث يمكن إشابته ب ‎aluminum‏ (حيث يمكن أن تتم إشابته أو لا تتم إشابته بالفضة). ويمكن أن يكون الملامس الخلفي ‎(VY) back contact‏ من النوع أحادي الطبقة أو من نوع متعدد الطبقات في حالات مختلفة. وعلاوة على هذاء يمكن أن يشتمل الملامس الخلفي ‎(V)‏ على ‎JS‏ من جزء ‎TCO‏ ‏© وجزء معدني في بعض الحالات. على سبيل المثال؛ في ‎Jie‏ لنموذج متعدد الطبقات؛ يمكن أن يشتمل جزء ‎TCO‏ للملامس الخلفي (7) على طبقة من مادة ‎indium zine oxide Jie‏ (حيث تكون ‎Ali‏ أو غير مُشابة بالفضة)ء ‎tin oxide ¢indium-tin-oxide (ITO)‏ « و/ أى ‎zinc oxide‏ ¢ أقرب ما يكون من المنطقة النشطة (*)؛ ويمكن أن يشتمل الملامس الخلفي على طبقة موصلة أخرى ومن الممكن أن تكون عاكسة من مادة مثل الفضة ‎platinum « molybdenum‏ © الصلب ‎steel ٠‏ ¢ الحديدء ‎antimony « bismuth « chromium « titanium ¢ niobium‏ أو ‎aluminum‏ «¢ أبعد ما يكون عن المنطقة النشطة (5) وأقرب إلى الطبقة الفوقية ‎٠ )١١( superstrate‏ ويمكن أن يكون الجزء المعدني أقرب إلى الطبقة الفوقية ‎)١١(‏ مقارنة بالجزء ‎TCO‏ للملامس الخلفي (7). ويمكن كبسلة الوحدة الفُلطائية الضوئية النمطية ‎photovoltaic module output power‏ أو تغطيتها جزئياً بمادة كبسلة ‎sale Jie‏ الكبسلة ‎encapsulant‏ (1) في بعض النماذج التمثلية. وتتمثل ‎sale‏ ‎Vo‏ كبسلة تمثيلية أو مادة لاصقة ‎adhesive‏ للطبقة )9( في ‎EVA‏ أو 8. ومع ذلك؛ يمكن استخدام مواد أخرى مثل بلاستيك من نوع 7ال]؛ بلاستيك من نوع ‎(Nuvasil‏ بلاستيك من نوع ‎Tefzel‏ أو ما شابه ذلك للطبقة (9) في حالات مختلفة. ويسمح استخدام الطبقتين المعدنيتين بشكل أساسي والعاكستين للأشعة ‎TR‏ والموصلتين بدرجة جيدة ‎OF‏ و ‎(oF‏ وطبقات ‎TCO‏ ©أء ¥ ‎x‏ و “دء لتكوين الكترود أمامي متعدد الطبقات ‎oF)‏ بتحسين ‎٠‏ أداء الجهاز الفلطائي الضوئي المشتمل على غشاء رقيق وذلك عن طريق خفض المقاومة اللوحية ‎Yeu‏
‎sheet resistance‏ (وزيادة الموصلية ‎(increased conductivity‏ وأطياف الانعكاس ‎tailored‏ ‎dilly reflection‏ للضوء ‎transmission spectra‏ المخططة حسب الحاجة التي تناسب أفضل استجابة للجهاز القُلطائي الضوئي. ولقد تم توضيح معاملات الانكسار ‎refractive indices‏ للزجاج ‎١‏ و 8-51 المهدرج كمثال لشبه الموصل ‎semiconductor‏ )°(¢ و ‎Ag‏ كمثال للطبقتين ؟بو ‎oF‏ ‏© ومثال لأكسيد ‎TCO‏ في شكل ¥ وبناءً على معاملات الانكسار ‎(n) refractive indices‏ هذه؛ تم توضيح أطياف النفاذية المتوقعة التي ترتطم بشبه الموصل (5) من سطح السقوط ‎SS‏ ‎)١( incident surface of substrate‏ في شكل ‎J‏ وتحديداً؛ فإن شكل ؟ عبارة عن منحنى يوضح النسبة المئوية للنفاذية ‎(ZT)‏ مقابل الطول الموجي ‎wavelength‏ (نانو متر)؛ حيث يوضح أطياف النفاذية إلى غشاء رقيق مكون من :5 المهدرج )0( لجهاز فلطائي ضوئي ‎photovoltaic device‏ ‎٠‏ ا لمقارنة الأمثلة ‎-١‏ © الخاصة بهذا الاختراع (أنظر الأمثلة ‎-١‏ 9 في الأشكال ‎(Y =o‏ مقابل مثال مقارن ‎TCO)‏ مرجعي). ولقد تم تصنيع ‎TCO‏ المشار إليه كمرجع من ركيزة زجاجية ‎glass‏ ‎)١( substrate‏ سمكها ¥ مم؛ وامتداداً للخارج ‎Tey‏ من الزجاج؛ نجد طبقة أكسيد قصدير ‎tin oxide‏ سمكها © نانو ‎jie‏ ¢ وطبقة ‎silicon oxide‏ سمكها ‎٠١‏ نانو مترء وطبقة ‎TCO‏ سمكها ‎Vor‏ نانو متر. وبالتالي فإن شكل © يظهر أن الأمثلة الخاصة بهذا الاختراع (الأمثلة ‎-١‏ 7 المبينة في ‎oe‏ الأشكال ه- 7) قد زادت من النفاذية في مدى الأطوال الموجية ‎wavelength ranges‏ من 1590 - ‎٠‏ و 490 ١٠ل‏ نانو متر وهذا أدي إلى زيادة قدرة الخرج للوحدة القلطائية الضوئية النمطية؛ مقارنة بالمثال المقارن ‎TCO)‏ المرجعي). ولقد تم تصنيع مثال ‎١‏ المبين في شكل © والموضح ‎ily‏ في الأشكال 7- 4 من ركيزة زجاجية ‎)١( glass substrate‏ سمكها ؟ ‎can‏ وطبقة عازلة ‎(Y) dielectric layer‏ من ‎TiO;‏ سمكها ‎١١‏ ‎Yo‏ نانو مترء وطبقة ‎TCO‏ عبارة عن ‎zinc oxide‏ سمكها ‎٠١‏ نانو متر مُشابة ‎Alo‏ (©أ)؛ وطبقة ‎Ag‏ ‎Youd‏
— YA =
(”ب) عاكسة للأشعة 18 سُمكها ‎A‏ نانو ‎jie‏ « وطبقة ‎TCO‏ عبارة عن ‎zine oxide‏ سمكها ‎١١١‏ ‏نانو متر مٌُشابة ب ‎Al‏ (7ه). ولم تتواجد الطبقات ‎cal‏ ؟دء و ؟ و في مثال ‎.١‏ وتم تصنيع المثال ؟ المبين في شكل ‎١‏ والموضح بيانياً في الأشكال ‎=F‏ 4 من ركيزة زجاجية ‎)١( glass substrate‏ سمكها ؟ ‎can‏ وطبقة عازلة (؟) من ‎TiO;‏ سمكها ‎١١‏ نانو مترء وطبقة ‎TCO‏ عبارة عن ‎zine‏ ‎oxide ©‏ سمكها ‎٠١‏ نانو ‎Gls jie‏ ب ‎AL‏ (؟)؛ وطبقة ‎Ag‏ )0( عاكسة للأشعة ‎TR‏ سسُمكها ‎A‏ ‏نانو مترء. وطبقة ‎TCO‏ عبارة عن ‎zine oxide‏ سمكها ‎٠٠١‏ نانو ‎jie‏ مُشابة ب ‎(aT) Al‏ وطبقة )57( من شبه ‎titanium oxide‏ سمكها ‎٠١‏ نانو متر. وتم تصنيع المثال ؟ المبين في شكل ‎١‏ ‏والموضح بيانياً في الأشكال ‎=F‏ 4 من ركيزة زجاجية ‎)١(‏ سمكها 3 مم؛ وطبقة عازلة (7) سمكها £0 نانو مترء وطبقة ‎TCO‏ من أكسيد زنك ‎zine oxide‏ سمكها ‎٠١‏ نانو متر مُشابة ب لم )7( ‎٠‏ وطبقة ‎(oF) Ag‏ عاكسة للأشعة ‎IR‏ سمكها © نانو مترء وطبقة ‎TCO‏ من ‎zine oxide‏ سمكها ‎jie sili Vo‏ مشابة ب ‎AL‏ (7ج)؛ وطبقة ‎(oF) Ag‏ عاكسة للأشعة ‎IR‏ سمكها 7 نانو مترء وطبقة (؟و) من شبه ‎titanium oxide‏ سمكها ‎٠١‏ نانو متر. وكان لطبقات التغليف هذه المحتوية على طبقة فضة أحادية أو طبقتي فضة المستخدمة في الأمثلة ‎oF -١‏ مقاومة لوحية ‎sheet resistance‏ أقل من ‎٠١‏ أوم/ مربع و ‎١‏ أوم/ مربع؛ على الترتيب» وكان لها سمك ‎Mas)‏ أقل كثيراً من السمك ‎VO‏ الذي ‎aly‏ 4080 نانو ‎jie‏ المستخدم في الفن السابق. وكان للأمثلة ‎-١‏ © أطياف نفاذية مخططة حسب الحاجة؛ ‎LS‏ هو مبين في شكل © ذات_نفاذية تزيد من 780 إلى شبه الموصل ‎semiconductor‏ (*5) في جزء أو في كل مدى الطول الموجي ‎wavelength‏ الذي يتراوح من حوالي +5؛- 100 نانو متر و/ أو 56؛- 7500 نانو مترء حيث كان ل 5. ‎AMI‏ أقوى شدة
ويمكن أن يكون للأجهزة القلطائية الضوئية أعلى أو أعلى ‎ASS‏ إلى حدٍ كبير.
- ova ‏مقابل الطول‎ (ZR) ‏وفي الوقت نفسه؛ فإن شكل 4 عبارة عن منحنى يبين النسبة المئوية للانعكاس‎ ‏من على غشاء رقيق من‎ tailored reflection ‏يوضح أطياف الانعكاس‎ Cum ‏الموجي (نانو متر)‎ ‏؟ بالمثال المقارن‎ -١ ‏لمقارنة بالأمثلة‎ photovoltaic device ‏المهدرج لجهاز فلطائي ضوئي‎ Si ‏مما يقلل من‎ IR ‏؟ قد زادت من الانعكاس في مدى ال‎ -١ ‏السابق ذكره؛ وهذا يوضح أن الأمثلة‎ ‏مما‎ photovoltaic module output power ‏درجة حرارة تشغيل الوحدة الفُلطائية الضوئية النمطية‎ © ‏يؤدي إلى زيادة خرج الوحدة النمطية؛ مقارنة بالمثال المقارن. وفي شكل 4 ؛ فإن انخفاض الانعكاس‎ ‏نانو‎ ٠00 -456 ‏نانو متر و/ أو‎ 100 mon ‏في نطاق الضوء المرئي الذي يتراوح من حوالي‎ ‏القريب والقصير‎ TR ‏متر (مدى الكفاءة المرتفعة للخلية) يقترن بشكل مفيد بزيادة الانعكاس في مدى‎ ‏القريب والقصير إلى‎ IR ‏نانو متر؛ وتؤدي زيادة الانعكاس في مدى‎ ٠٠٠١ ‏الذي يزيد عن حوالي‎ ‏تقليل امتصاص الطاقة الحرارية الشمسية مما يؤدي إلى تحسين خرج الخلية وذلك بسبب انخفاض‎ ٠ ‏فإن‎ ef ‏درجة حرارة الخلية والمقاومات الموصلة على التوالي في الوحدة. وكما هو مبين في شكل‎ ‏مجتمعين يكون‎ (¥) front electrode ‏والالكترود الأمامي‎ )١( ‏كلا من الركيزة الزجاجية الأمامية‎ ‏على الأقل) في جزء كبير‎ Too ‏لهما درجة انعكاسية تبلغ حوالي 745 على الأقل (والأفضل حوالي‎ ‏القريب إلى القصير للأشعة 18 الذي‎ wavelength ‏إلى حدٍ ما أو في معظم مدى الطول الموجي‎ ‏نانو متر. وفي بعض النماذج‎ 770٠0 ‏إلى‎ ٠٠٠١ ‏نانو متر و/ أو‎ 7900 -٠٠١ ‏يتراوح من حوالي‎ ٠ ‏نانو‎ 7500-٠٠٠١ ‏على الأقل من الطاقة الشميبة في المدى من‎ 705 ٠ ‏التمثيلية؛ فإنهما يعكسان‎ ‏نانو متر. وفي بعض النماذج التمثيلية» يكون للركيزة الزجاجية‎ 7700 - ١700 ‏متر و/ أو‎ ‏تبلغ‎ IR ‏لأمامي )7( مجتمعين درجة انعكاسية للأشعة‎ ١ ‏والالكترود‎ front glass substrate ‏الأمامية‎ ‏مدى الطول‎ plane ‏على الأقل في جزء كبير إلى حدٍ ما أو في‎ Joo ‏حوالي 745 على الأقل و/ أو‎ - ١73٠١ ‏نانو متر؛ ويمكن من‎ 7900-٠٠٠١ ‏الذي يتراوح من حوالي‎ TR ‏الموجي القريب للأشعة‎ ٠
SE
‏يمكنهما حجب 750 على الأقل من الطاقة‎ dial ‏نانو_متر. وفي بعض النماذج‎ ‏نأنو متر.‎ Youn 0-1٠٠0 ‏الشمسية في المدى من‎ ‏أمامي في جهاز فلطائي‎ electrode ‏كالكترود‎ )7( electrode ‏وفي حين أنه يتم استخدام الالكترود‎ ‏في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع التي تم وصفها وتوضيحها‎ photovoltaic device ‏ضوثي‎ ‎Ua ‏في هذا الطلبء 91 أنه يمكن أيضاً استخدام الالكترود )7( كالكترود آخر فيما يتعلق بجهاز‎ © ‏أو خلافه.‎ photovoltaic device ‏ضوئي‎ ‏ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي آخر لهذا‎ JLB ‏عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز‎ A ‏شكل‎ ‏على الركيزة الزجاجية الأمامية‎ (AR) ‏الاختراع. ويمكن توفير طبقة اختيارية (١أ) مضادة للانعكاس‎ (lhl) ‏في أي من نماذج هذا الاختراع؛ وفقاً لما هو مشار إليه على سبيل المثال بالطبقة‎ )١( ‏ويشتمل الجهاز‎ (Ve = ‏سبيل المثال؛ أنظر أيضاً الأشكال‎ Je) A ‏المبينة في شكل‎ )أ١(‎ AR) ‏طبقة (طبقات) عازلة‎ ؛)١(‎ glass substrate duals) ‏على ركيزة‎ A ‏الضوئي في شكل‎ Salil ‏؛‎ silicon oxide ‏مصنعة من أو تشتمل على واحد أو أكثر من بين‎ Ste) (Y) dielectric layers ‏و/ أو ما شابه‎ ٠ niobium oxide « titanium oxide « silicon nitride « silicon oxynitride ‏الصوديوم من التحرك‎ aid sodium barrier ‏ذلك) حيث يمكن أن تعمل كحاجز للصوديوم‎ ‏للخارج بعيداً عن الركيزة الزجاجية الأمامية (١)؛ والطبقة‎ blocking sodium from migrating ٠ tin oxide ¢ zinc aluminum oxide ¢ zinc oxide ‏مصنعة من أو تشتمل على‎ Sie) (wf) ‏النواة‎ ‏أو ما شابه ذلك) حيث يمكن أن تكون طبقة‎ ¢ indium zinc oxide « tin antimony oxide «
IR ‏في نماذج تمثيلية مختلفة؛ وطبقة (؛ ج) عاكسة للأشعة‎ dielectric layer ‏أو طبقة عازلة‎ TCO ‏مصنعة من أو تشتمل‎ (lie) ‏أساسها الفضة؛ وطبقة تغطية علوية أو طبقة تلامس (؛د) اختيارية‎ ‏أو ما شابه ذلك) حيث يمكن‎ » zine aluminum oxide > zinc oxide «Cr ‏و/ أو‎ 18 asl ‏على‎ ٠١
“١ أن تكون طبقة ‎(TCO‏ وطبقة ‎TCO‏ (؛ه) ‎Sli)‏ مصنعة من أو تشتمل على ‎zine « zinc oxide‏ ‎antimony oxide ¢ tin oxide ¢« aluminum oxide‏ علا ‎indium zinc ١ indium tin oxide‏ ‎oxide‏ » أو ما شابه ذلك)؛ طبقة واقية اختيارية؛ و ‎Sle)‏ مصنعة من أو تشتمل على ‎zinc oxide‏ ‎indium «¢ indium tin oxide «¢ tin antimony oxide » tin oxide » zinc aluminum oxide «‏ ‎zine oxide ©‏ ¢ أو ما شابه ذلك) حيث يمكن أن تكون موصلة إلى حدٍ ما؛ وشبه الموصل ‎«a-Si «CdS/CdTe «Jis) (©) semiconductor‏ أو ما شابه ذلك)؛ وملامس؛ و/ أو عاكس؛ و/ أو الكترود خلفي اختياري ‎¢(V) optional back contact, reflector and/or electrode‏ وطبقة لاصقة اختيارية ‎optional adhesive‏ (4)» وركيزة زجاجية خلفية اختيارية ‎optional back glass‏ ‎.١١ substrate‏ وتجدر الإشارة إلى أنه في بعض النماذج ‎dial‏ يمكن أن تكون الطبقة (؛ب) ‎٠‏ هي نفسها الطبقة )7( التي سبق وصفها أعلاه؛ ويمكن أن تكون الطبقة (؛ ج) هي نفسها الطبقة ‎(OF)‏ أو ‎(a7)‏ التي سبق وصفها أعلاه؛ (وهذا ينطبق أيضاً على الأشكال ‎(Ve =A‏ ويمكن أن تكون الطبقة (؛و) هي نفسها الطبقة (*و) التي سبق وصفها أعلاه (وهذا ينطبق أيضاً على الأشكال ‎)٠١ A‏ (أنظر الوصف المتقدم أعلاه لشرح النماذج الأخرى في هذا الخصوص). وبالمقل؛ ‎ails‏ قد سبق مناقشة الطبقات )0 0 7 9؛ و ‎١١‏ أيضاً أعلاه ‎Leg‏ يتعلق بالنماذج ١ front glass substrate ‏الأخرى على أنها تشكل السطحين ١أ و ١ب للركيزة الزجاجية الأمامية‎ ٠ ‏كما يلي (لاحظ أن بعض الطبقات‎ A ‏ولأغراض التمثيل فقط؛ سيتم تقديم مثال لنموذج شكل‎ ‏لم يتم استخدامها في هذا المثال). على سبيل المثال؛ بالإشارة إلى‎ A ‏الاختيارية المبينة في شكل‎ ‏سمكها حوالي 7,7 مم)؛ وطبقة‎ Sli) (1) glass substrate ‏تم استخدام ركيزة زجاجية‎ cA ‏شكل‎ ‏نانو متر ويمكن أن‎ ٠ ‏بسمك حوالي‎ silicon oxynitride Sti) (Y) dielectric layer ‏عازلة‎ ‏طبقة عازلة‎ (Ji) ‏نواة (كب)‎ Ag ‏نانو متر)؛ وطبقة‎ ٠١ ‏عازلة بسمك حوالي‎ TIO ‏تليها طبقة‎ Y-
Youd ory ‏نانو‎ ٠ ‏حوالي‎ lows zine aluminum oxide ‏أو‎ TCO zinc oxide ‏أو طبقة‎ dielectric layer ‏ج) (من الفضة بسمك يتراوح من حوالي = 8 نانو متر)؛‎ 4( IR ‏متر)؛ وطبقة عاكسة للأشعة‎
JITO ‏عم‎ aluminum oxide » tin oxide ¢ zinc oxide ‏(مثل؛ طبقة‎ (-» ¢ ) TCO ‏طبقة‎ ‏نانو متر)؛‎ ٠٠١ -٠٠١ ‏نانو متر) والأفضل من حوالي‎ YO -*+ ‏موصلة بسمك يتراوح من‎ zinc aluminum oxide « tin oxide «TCO zinc oxide) ‏وطبقة واقية موصلة اختيارية (َىئ)‎ © ‏نانو متر). وفي بعض النماذج التمثيلية؛‎ 9٠ -٠١ ‏أو ما شابه ذلك؛ بسمك يتراوح من حوالي‎ (ITO 1,١ ‏يتم تصميم الطبقة الواقية ؛و (أو *و) بحيث يكون لها معامل انكسار («) يتراوح من حوالي‎ refractive index ‏حيث يتوافق معامل الانكسار‎ oY, Yo ‏إلى‎ 7,١١ ‏والأفضل من حوالي‎ oY, 6 ‏إلى‎ ‏أو ما شابه ذلك) من أجل‎ 008 ٠ ‏(مثل‎ )*( semiconductor ‏إلى حدٍ بعيد مع شبه الموصل‎ ‏تحسين كفاءة الجهاز.‎ ٠ ‏لا‎ sheet resistance ‏مقاومة لوحية‎ A ‏ويمكن أن يكون للجهاز الفلطائي الضوئي المبين في شكل‎ ‏أوم/ مربع؛ والأفضل من ذلك ألا‎ ١١ ‏تزيد عن حوالي‎ UT ‏أوم/ مربع؛ والأفضل‎ VA ‏تزيد عن حوالي‎ ‏أوم/ مربع في بعض النماذج التمتلية لهذا الاختراع. وعلاوة على هذاء يمكن أن‎ VY ‏تزيد عن حوالي‎ ‏أطياف نفاذية مخططة حسب الحاجة تتميز بنفاذية أكبر من‎ A ‏يكون للنموذج المبين في شكل‎ ‏أو‎ wavelength ‏في جزء من مدى الطول الموجي‎ (©) semiconductor ‏إلى شبه الموصل‎ 2800 Yo ‏نانو‎ ٠500-06 ‏كل مدى الطول الموجي الذي يتراوح من حوالي 9+0؛؟- 100 نانو متر و/ أو‎ ‏وفي بعض الحالات‎ strongest intensity ‏يمكن أن يكون لها أشد كثافة‎ AMI .5 Cua «fia ‏التمثيلية يكون للخلية أعلى كفاءة كمَيَة أو الأعلى إلى حدٍ كبير.‎ ‏وفقاً لنموذج‎ photovoltaic device ‏شكل 4 عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز قلطائي ضوئي‎ 1 ‏آخر أيضاً لهذا الاختراع. ويشتمل الجهاز القلطائي الضوئي للنموذج المبين في شكل‎ das ٠
+١ _
على طبقة ‎(AR)‏ اختيارية مضادة للانعكاس (١أ)‏ على جانب سقوط الضوء للركيزة الزجاجية الأمامية ‎front glass substrate‏ (١)؛‏ وطبقة عازلة ‎dielectric layer‏ أولى ) ‎(IY‏ وطبقة عازلة
ثانية ‎oY)‏ وطبقة عازلة ثالثة (؟ج) حيث يمكن أن تعمل اختيارياً كطبقة نواة (مثلاً؛ مصنعة من
أو تشتمل على ‎tin antimony oxide © tin oxide ¢ zinc aluminum oxide ¢ zinc oxide‏ ¢ ‎indium zinc oxide ©‏ ؛ أو ما شابه ذلك) للطبقة التي أساسها الفضة (4 ج)؛ وطبقة موصلة عاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎TR‏ أساسها الفضة (4ج)؛ وطبقة تغطية علوية أو طبقة تلامس )38( اختيارية ‎Sa)‏ مصنعة من أو تشتمل على أكسيد ‎Ni‏ و/ ‎zinc aluminum © zinc oxide «Cr sl‏ ‎oxide‏ ؛ أو ما شابه ذلك) حيث يمكن أن تكون ‎TCO‏ أو ‎Alle‏ وطبقة ‎RCO‏ (؛ه) ‎Sli)‏ تشتمل
على طبقة واحدة أو كثر « ‎Sia‏ تصنع من أو تشتمل على ‎zinc aluminum oxide ¢ zinc oxide‏ ¢
¢ indium tin oxide ‏عمد‎ tin oxide ‏صنت‎ antimony oxide » tin oxide ‏أكسيد قصدير‎ Ve ‏مصنعة من أو تشتمل‎ lia) (58) ‏أو ما شابه ذلك)؛ وطبقة واقية اختيارية‎ ¢ indium zinc oxide
¢ zinc oxide ‏منت‎ antimony oxide «¢ tin oxide ¢ zinc aluminum oxide ¢ zinc oxide ‏على‎
‎indium zinc oxide ¢ indium tin oxide‏ » أو ما شابه ذلك) حيث يمكن أن تكون موصلة إلى حدٍ
‏ماء وشبه الموصل ‎semiconductor‏ )°( (مثلاً؛ طبقة واحدة أو أكثر ‎a-Si «CdS/CdTe Jie‏ أو
‏5 .ما شابه ذلك)؛ وملامس»؛ و/ أو عاكس؛ و/ أو الكترود ‎(V)‏ خلفي اختياري؛ وطبقة لاصقة ‎adhesive‏ اختيارية (5) » وركيزة زجاجية خلفية اختيارية ‎.)١١( optional back glass substrate‏
‏ويمكن أن يشتمل غشاء شبه الموصل ‎semiconductor film‏ )°( على بنية شبه موصل ‎pin‏ أو
‎pn‏ أحادية؛ أو بنية شبه موصل مزدوجة في نماذج مختلفة لهذا الاختراع. ويمكن أن يكون شبه الموصل عبارة عن؛ أو يمكن أن يشتمل على؛ سيليكون في بعض الحالات التمثيلية. وفي نماذج
‎٠‏ تمثيلية أخرى؛ يمكن أن يشتمل غشاء شبه الموصل )0( على طبقة أولى مصنعة من أو تشتمل
‎Youd
©
على ‎Jia) CdS‏ طبقة نافذة) مجاورة أو قريبة من الطبقة (الطبقات) ‎(at)‏ و/ أو (؟و) وطبقة شبه موصل ثانية مصنعة من أو تشتمل على ‎(Jie) CdTe‏ طبقة ماصة رئيسية) مجاورة أو قريبة من
الالكترود أو الملامس الخلفي ‎back contact‏ . وبالإشارة إلى نموذج شكل 9 (ونموذج شكل ١٠)؛‏ في بعض النماذج التمثيلية؛ يتم استخدام طبقة © عازلة ‎dielectric layer‏ أولى ) ‎(Iv‏ ذات معامل انكسار ‎(n)‏ منخفض نسبياً ‎Sia)‏ « تتراوح من حوالي ‎١١7‏ إلى ‎VY‏ والأفضل من حوالي ‎١,8‏ إلى ‎VY‏ والأفضل من ذلك من حوالي ‎٠,55‏ إلى ‎oY)‏ والأكثر تفضيلاً من حوالي ‎JY‏ 1,08)؛ وطبقة عازلة ثانية ‎(of)‏ ذات معامل انكسار ‎(n)‏ ‏كبير نسبياً (مقارنة بالطبقة ‎(IY)‏ (مثلاًء « تتراوح من حوالي 7,7 إلى 7,7 والأفضل من حوالي إلى 5,؛ والأكثر تفضيلاً من حوالي ‎Y,Yo‏ إلى 80 ‎«(Y,‏ وطبقة عازلة ‎dielectric layer‏ ‎٠‏ ثالثة ‎(ZY)‏ ذات معامل انكسار («) منخفض ‎Law‏ (مقارنة بالطبقة "ب) ‎Ole)‏ « تتراوح من حوالي ‎٠,8‏ إلى ‎YY‏ والأفضل من حوالي 1,58 إلى ١,7؛‏ والأكثر تفضيلاً من حوالي ؟ إلى ‎Gams Jy .)),.5‏ النماذج التمثيلية؛» يمكن تصنيع الطبقة العازلة الأولى )17( ذات معامل الانكسار ‎refractive index‏ المنخفض من؛ أو يمكن أن تشتمل على ‎silicon «¢ silicon nitride‏ ‎oxynitride‏ ؛ أو أية مادة أخرى مناسبة؛ ويمكن تصنيع الطبقة العازلة الثانية (ب) ذات معامل ‎٠‏ الانكسار المرتفع من؛ أو يمكن أن تشتمل ‎titanium oxide le‏ (متل؛ ‎TiO;‏ أو ما شابه ذلك)؛ ويمكن تصنيع الطبقة العازلة ‎ADEN‏ (7ج) من؛ أو يمكن أن تشتمل على؛ ‎zinc oxide‏ أو أية ‎sale‏ ‏أخرى مناسبة. وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يتم دمج الطبقات ؟أ- 7ج لتكوين طبقة مجمعة ذات معامل انكسار جيد متوافق وتعمل أيضاً كطبقة واقية صد ارتحال الصوديوم من الزجاج ‎.)١(‏ وفي بعض النماذج ‎Adil‏ يتراوح سمك الطبقة العازلة ‎dielectric layer‏ الأولى ‎(IV)‏ من حوالي ‎=o‏ ‎Ye‏ © نانو مترء والأفضل من حوالي ‎Yo -٠١‏ نانو مترء ويتراوح سمك الطبقة العازلة الثانية ‎(af)‏
اه - من حوالي *- ‎7٠‏ نانو مترء والأفضل من حوالي ‎Ye -٠١‏ نانو مترء وتكون الطبقة العازلة الثالثة (7ج) أقل سمكاً ويتراوح سمكها من حوالي ‎7١ =F‏ نانو ‎«jie‏ والأفضل من حوالي ‎sre =o‏ مترء والأكثر تفضيلاً من حوالي ‎١4 ST‏ نانو متر. وفي حين تكون الطبقات ؟أ؛ "بء و "١ج‏ عازلة في بعض نماذج هذا الاختراع؛ فإن واحدة أو اثنتين أو جميع هذه الطبقات الثلاث قد تكون © عازلة أو ‎TCO‏ في بعض النماذج التمثيلية الأخرى لهذا الاختراع. وتكون الطبقتان )7( و (7ج) عبارة عن أكاسيد معدنية ‎metal oxides‏ في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع» في حين تكون الطبقة (؟أ) عبارة عن أكسيد معدني أو نيتريد معدني ‎metal oxide and/or nitride‏ « أى ‎silicon‏ ‏ناته في بعض الحالات التمثيلية. ويمكن ترسيب الطبقات "أ - ١ج‏ عن طريق الرش أو أي أسلوب آخر مناسب. ‎٠‏ وبالإشارة أيضاً إلى نموذج شكل 9 (ونموذج شكل ١٠)؛‏ يمكن أن تكون طبقة (طبقات) ‎TCO‏ ‏)28( مصنعة من أو يمكن أن تشتمل على ‎TCO‏ مناسب ويشمل على سبيل المثال لا الحصر؛ على ‎zinc oxide‏ « و/ ‎zinc aluminum oxide si‏ و/ أو ‎tin oxide‏ ؛ و/ أو ما شابه ذلك. ويمكن أن تشتمل طبقة ‎TCO‏ أو صف ‎TCO‏ )28( على عدة طبقات في بعض الحالات التمثيلية. وعلى سبيل المثال؛ في بعض الحالات؛ تشتمل طبقة ‎TCO‏ (4؛) على طبقة أولى من أكسيد معدني ‎metal oxide ٠‏ من ‎TCO‏ أول (مثل؛ أكسيد زنك ‎(zine oxide‏ قريبة من طبقة ‎Ag‏ ( ج)؛ وطبقة التغطية العلوية ‎Ag‏ )21( » وطبقة ثانية من أكسيد معدني ‎metal oxide‏ من ‎TCO‏ (مثل؛ ‎tin‏ ‎oxide‏ ( قريبة من طبقة التلامس )58( و/ أو )°( ولأغراض التمثيل فقط؛ سيتم توضيح مثال لنموذج شكل 9 كما يلي. على سبيل المثال؛ بالإشارة إلى شكل 04 تم استخدام ركيزة زجاجية ‎)١( glass substrate‏ (مثل؛ زجاج سائب بسمك حوالي ‎TY‏ ‎Yo‏ مي ومعامل انكساره ‎(n)‏ حوالي ‎o(),0Y‏ وطبقة عازلة ‎dielectric layer‏ أولى ‎Jia) (I)‏ نيتريد ‎Yoo‏
‎Yi —‏ -— سيلكون بسمك حوالي ‎٠‏ نانو مترء؛ ذات معامل انكسار ‎(n)‏ حوالي ‎oY, ١٠‏ وطبقة عازلة ‎dielectric layer‏ ثانية ‎(oY)‏ (مثل؛ أكسيد 71؛ ‎TiO; Jie‏ أو مادة مكافئة مناسبة أخرى؛ بسمك حوالي 11 نانو متر؛ وذات معامل انكسار («) حوالي 80 ‎((V,‏ وطبقة عازلة ثالثة ‎(Ji) (zY)‏ ‎zine oxide‏ « من الممكن إشابته ب ‎(Al‏ وسمكها حوالي 4 نانو متر؛ وذات معامل انكسار ‎(n)‏ ‏© حوالي 07 ‎oY,‏ وطبقة عاكسة للأشعة ‎IR‏ (4 ج) (من الفضة بسمك يتراوح من = 8 نانو ‎«ie‏ ‏مثل؛ ‎١‏ نانو متر)؛ وطبقة تغطية علوية تشتمل على الفضة (؛د) مصنعة من ,100:0 بسمك يتراوح من ‎-١‏ ؟ نانو متر حيث يمكن أن تكون أو لا تكون متدرجة الأكسدة؛ وغشاء 4(100ه) ‎zinc aluminum oxide « zinc oxide « Ji)‏ » و أو أكسيد قصدير ‎tin oxide‏ ؛ موصل؛ بسمك يتراوح من ‎sili ١٠١ -٠١‏ متر)؛ وغشاء شبه موصل )0( يشتمل على طبقة أولى من 005 (مثلاء ‎٠‏ حوالي ‎١‏ نانو متر) أقرب ما يكون إلى الركيزة )1( وطبقة ثانية من 6078 أبعد ما يكون عن الركيزة (١)؛‏ وملامس أو الكترود خلفي ‎o(V)‏ وطبقة لاصقة ‎adhesive‏ اختيارية (4)» وركيزة
‏اختيارية ‎.١١ optionally substrate‏ ويمكن أن يكون للجهاز القُلطائي الضوئي المبين في شكل 4 (و/ أو الأشكال ‎)١١ - ٠١‏ مقاومة لوحية ‎sheet resistance‏ لا تزيد عن حوالي ‎cape fash VA‏ وا لأفضل ألا تزيد عن ‎fash VO‏ مربع؛
‎١٠5‏ والأفضل من ذلك ألا تزيد عن ‎١“‏ أوم/ مربع في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. وعلاوة على هذاء يمكن أن يكون لنموذج شكل 9 (و/ أو شكل ‎)٠١‏ أطياف نفاذية مخططة حسب الحاجة ذات نفاذية تزيد عن 77860 في شبه الموصل ‎semiconductor‏ )°( في جزء من أو في كل مدى الطول الموجي ‎wavelength‏ الذي يتراوح من حوالي +- 1.0 نأنو متر و/أو 5846- ‎Veo‏ ‏نانو متر ‎٠‏ حيث يمكن أن يكون ل 5. ‎AMI‏ أشد كثافة ‎.strongest intensity‏
— ١
وشكل ‎٠١‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي ‎photovoltaic device‏ وفقاً لنموذج تمثيلي آخر ‎Lad‏ لهذا الاختراع. ونموذج شكل ‎٠١‏ مشابه تماماً لنموذج شكل 9 الذي سبقت مناقشته أعلاه؛ باستثناء غشاء ‎TCO‏ (؛ه). في نموذج شكل ١٠؛‏ يشتمل غشاء ‎TCO‏ ‏(؛ه) على طبقة أولى ‎(at)‏ مصنعة من أو تشتمل على أكسيد معدني ‎metal oxide‏ من ‎TCO‏
© أول ‎(Jia)‏ أسيد زنك؛ حيث يمكن أن يكون أو لا يكون مُشاباً ب لم أو ما شابه ذلك) مجاورة وملامسة للطبقة (4د)؛ وطبقة ثانية ‎(fat)‏ من أكسيد معدني ‎metal oxide‏ من ‎Ob TCO‏ (مثل؛ ‎(tin oxide‏ مجاورة وملامسة للطبقة (؛و) و/ أو )0( ‎Sa)‏ يمكن حذف الطبقة (؛و)؛ كما في النماذج السابقة). وتكون الطبقة (؛ه) أكثر سمكاً إلى حدٍ كبير من الطبقة ‎(a)‏ في بعض النماذج التمثيلية. وفي بعض النماذج التمثيلية» يكون لطبقة ‎TCO‏ الأولى (؛ه) مقاومية أثل من
(at) ‏الأولى‎ TCO ‏الثانية (534). وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يمكن أن تكون طبقة‎ TCO ‏طبقة‎ ٠ ‏حيث يتراوح سمكها من‎ (ITO ‏مُشاب ب له» أو‎ zinc oxide » zinc oxide ‏عبارة عن أكسيد زنك‎
‎١٠١ ٠‏ نانو متر ‎Sta)‏ حوالي ‎٠١١‏ نانو ‎(ie‏ وتكون ذات مقاومية لا تزيد عن حوالي ‎١‏ أوم.
‏سم « ويمكن أن تكون طبقة ‎TCO‏ الثانية ‎(fa)‏ مصنعة من أكسيد قصدير ‎tin oxide‏ ويتراوح سمكها من حوالي ‎٠٠ -٠١‏ نانو متر ‎Se)‏ حوالي ‎"٠‏ نانو متر) وتكون ذات مقاومية تتراوح من
‎٠‏ حوالي )= ‎٠٠١‏ أوم. سم؛ ومن الممكن أن تتراوح من حوالي ‎٠٠١ -١‏ أوم. سم. وتكون طبقة ‎TCO‏ الأولى (؛ه) أكثر سمكاً وأعلى موصلية عن طبقة ‎TCO‏ الثانية ‎(at)‏ في بعض النماذج التمثيلية؛ وهذا يكون مفيداً حيث أن الطبقة ‎(a8)‏ تكون أقرب للطبقة (؛ ج) الموصلة التي أساسها
‎Ag‏ وهذا يؤدي إلى تحسين كفاءة الجهاز ‎SUB‏ الضوئي. وعلاوة على هذاء فإن هذا التصميم يعتبر متميزاً من حيث أن 5 للغشاء )°( يلتصق أو يلتحم جيداً بأكسيد القصدير ‎tin oxide‏ الذي
‎Fa
ام - يمكن أن يستخدم في الطبقة ) 8“( أو يمكن أن تصنع منه. ويمكن ترسيب ‎TCO (hula‏ 528[ أو ‎(cat)‏ عن طريق الرش أو بأي أسلوب مناسب آخر. وفي بعض الحالات التمثيلية؛ يمكن أن تكون الطبقة ‎TCO‏ الأولى )21( مصنعة من أو تشتمل على ‎(indium tin oxide) ITO‏ بدلاً من ‎zine oxide‏ . وفي بعض الحالات التمثيلية؛ يمكن أن ‎Jag, ©‏ أكسيد 110 للطبقة ‎at‏ على حوالي ‎Sn 71٠ dn 0٠‏ أو ‎Yay‏ من ذلك حوالي ‎dn 78 ٠‏ و ‎Sn Zo.‏ ويكون استخدام ثلاث طبقات عازلة على الأقل مثل ؟أ- 7ج مفيداً من حيث أنه يمكن خفض الانعكاسات مما يؤدي إلى الحصول على جهاز ‎Jhb‏ ضوئي ‎photovoltaic device‏ أكثر كفاءة. وعلاوة على هذاء يمكن أن تكون طبقة التغطية العلوية ‎af‏ (مثلاًء مصنعة من أو تشتمل ‎٠‏ على أكسيد 301 و/ أو ‎(Cr‏ متدرجة الأكسدة؛ بشكل مستمر أو غير مستمر؛ في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. وتحديداًء يمكن تصميم الطبقة ؛كد بحيث تكون معدنية بدرجة أكبر (أقل أكسدة) عند موضع ‎Led‏ أقرب للطبقة (؛د) التي أساسها ‎Ag‏ عند موضع فيها أبعد عن الطبقة (؛د) التي أساسها ‎Ag‏ ولقد وجد أن هذا يكون مفيداً بالنسبة لأغراض الثبات الحراري من حيث أن طبقة التغليف لا تتحل بدرجة كبيرة أثناء المعالجة ‎ld‏ درجة الحرارة المرتفعة إلى حدٍ كبير التي ‎V0‏ يمكن أن تصاحب عملية تصنيع الجهاز الفلطائي الضوئي أو أية عملية أخرى. وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع» وجد بشكل مثير للاهتمام أن أي سمك يتراوح من حوالي ‎1١-٠‏ نانو مترء والأفضل من حوالي ‎١٠١ IV‏ نانو متر (مثل؛ ‎١60‏ نانو متر)؛ لغشاء ال ‎TCO‏ (؛ه) يكون مفيداً من حيث أن قمم ال ‎sc‏ في هذا المدى. وبالنسبة لأغشية ‎TCO‏ الأرق؛ فإن قمم ال ‎Tse‏ تقل ‎Lay‏ يصل إلى حوالي 77,5 حتى تصل إلى أدناها عند سمك ‎TCO‏ حوالي ‎٠١‏ ‎Yo‏
نانو متر. وعند أقل من ‎Te‏ نانو مترء فإنها تزداد ثانية حتى الوصول إلى غشاء ‎TCO‏ )02( بسمك يتراوح من ‎TO -١١‏ نانو متر (والأفضل ‎Ye -٠١‏ نانو متر) فإنها تصبح جذابة؛ ولكن طبقات التغليف هذه قد لا تكون مرغوبة في بعض الحالات التمثيلية غير الحصرية. ولهذاء للحصول على خفض في شدة تيار دائرة قصر للأجهزة ‎A pall‏ الضوئية المشتملة على © 008/0076 في بعض الحالات التمثيلية؛ فإنه قد يتم توفير غشاء ال ‎TCO‏ (؛ه) بسمك في المدى من حوالي ‎-١١‏ ©" نانو مترء أو في المدى من حوالي ‎١١ -١"7١‏ نانو متر أو ‎Vou 0-13١8‏ نانو متر. وشكل ‎١١‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز ‎Sikh‏ ضوئي ‎La, photovoltaic device‏ لنموذج تمثيلي ‎AT‏ أيضاً لهذا الاختراع. ونموذج شكل ‎١١‏ مشابه تماماً لنماذج شكلي 9 - ‎٠١‏ ‎٠‏ التي سبقت مناقشتها أعلاه؛ باستثناء الاختلافات المبينة في الشكل. شكل ‎١١‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز قلطائي ضوئي ‎photovoltaic device‏ وفقاً لنموذج تمثيلي آخر أيضاً لهذا الاختراع. يمكن أن يشتمل الجهاز الفلطائي الضوئي المبين في شكل ‎١١‏ على: طبقة اختيارية مضادة للانعكاس ‎(١ ( (AR)‏ على جانب سقوط الضوء للركيزة الزجاجية الأمامية ‎front glass‏ ‎substrate‏ )¢ طبقة عازلة ‎dielectric layer‏ أولى ) ‎(Iv‏ مصنعة من أو تشتمل على واحد أو أكثر ‎٠‏ من بين ‎SiN Jie) silicon nitride‏ أو مكافئ كيميائي مناسب ‎silicon oxynitride «(Jal‏ ؛ ‎Jie) silicon oxide‏ « ,5:0 أو مكافئ كيميائي مناسب آخر) و أو أكسيد قصدير ‎tin oxide‏ ‎Jie)‏ + 5800 أو مكافئ كيميائي مناسب آخر)؛ طبقة عازلة ‎dielectric layer‏ ثانية ‎(QF)‏ مصنعة من أو تشتمل على ‎TiO, « Jie) titanium oxide‏ أو مكافئ كيميائي مناسب ‎(AT‏ و أى ‎niobium‏ ‎oxide‏ ؛ طبقة ثالثة ‎(ZY)‏ (يمكن أن تكون عازلة أو طبقة ‎(TCO‏ حيث يمكن أن تعمل اختيارياً ‎٠٠‏ | كطبقة نواة ‎Jie)‏ طبقة مصنعة من أو تشتمل على ‎tin « zinc aluminum oxide ¢ zinc oxide‏ ‎Youd‏
ذه ا
‎indium zinc oxide > tin antimony oxide ¢« oxide‏ « أو ما شابه ذلك) للطبقة التي أساسها الفضة (4ج)؛ طبقة تغليف فوقية أو طبقة تلامس ؛د (حيث يمكن أن تكون عازلة أو موصلة) مصنعة من أو تشتمل على أكسيد من ‎(Ti NiCr «Cr sf [5 Ni‏ أكسيد ‎zine aluminum «Ti‏
‎oxide‏ ؛ أو ما شابه ذلك؛ طبقة ‎TCO‏ (؛ه) ‎Oli)‏ تشتمل على طبقة واحدة أو أكثر) مصنعة من
‎zinc « tin antimony oxide ‏هنا‎ oxide ¢ zinc aluminum oxide ¢ zinc oxide ‏أو تشتمل على‎ : ‏جاليوم الومينيوم؛‎ zine oxide ‏أو‎ [5 « indium zinc oxide « indium tin oxide «tin oxide ‏مصنعة من أو تشتمل‎ Sle) ‏طبقة واقية اختيارية )58( يمكن أن تكون 100 في حالات معينة‎
‎zinc oxide ‏عن‎ antimony oxide ¢ tin oxide « zinc aluminum oxide ‏عم‎ oxide ‏على‎ ‏أو ما شابه ذلك) حيث يمكن‎ » titanium oxide « indium zinc oxide « indium tin oxide «tin
‎٠‏ أن تكون موصلة إلى حدٍ ما؛ غشاء شبه موصل )0( مصنع من أو يشتمل على طبقة واحدة أو ‎a-Si «CdS/CdTe Jie iS]‏ أو ما شابه ذلك (مثلاً؛ الغشاء )0( يمكن أن يصنع من طبقة مصنعة أو تشتمل على ‎CdS‏ مجاورة للطبقة (؛و)؛ وطبقة مصنعة أو تشتمل على 0018 مجاورة للطبقة ‎(V)‏ من ‎aluminum‏ أو ما شابه ‎sale sell‏ لاصقة ‎adhesive‏ اختيارية 9 مصنعة من أو تشتمل على بوليمر ‎PVE Jie‏ وركيزة خلفية زجاجية اختيارية ‎.١١‏ وفي بعض النماذج التمثيلية
‏لهذا الاختراع؛ يمكن أن يتراوح سمك الطبقة العازلة ‎IY dielectric layer‏ من حوالي ‎VY - ٠١‏ نانو مترء والأفضل من حوالي ‎١8 -١١‏ نانو متر؛ ويمكن أن يتراوح سمك الطبقة اب من حوالي
‎٠١ -٠‏ نانو مترء والأفضل من حوالي ‎١8 -١١‏ نانو متر ؛ ويمكن أن يتراوح سمك الطبقة "ج
‏من ‎٠١ -©* ia‏ نانو متر؛ والأفضل من حوالي ‎١١ =o‏ نانو متر (وتكون الطبقة "ج أرق من إحدى الطبقتين ؟أ و "ب أو كلتاهما في بعض النماذج التمثيلية)؛ ويمكن أن يتراوح سمك الطبقة ‎Ye‏ ؛ج من حوالي 0 ‎7١‏ نانو مترء والأفضل من حوالي 7- ‎٠١‏ نانو متر؛ ويمكن أن يتراوح سمك
الطبقة ‎of‏ من حوالي ‎١,7‏ إلى © نانو ‎jie‏ والأفضل من حوالي ‎١,5‏ إلى ؟ نانو متر؛ ويمكن أن يتراوح سمك الغشاء ‎TCO‏ (؛ه) من حوالي ‎70١0 mon‏ نانو ‎jie‏ والأفضل من حوالي ‎١٠١-78‏ نانو مترء ويمكن أن تكون له مقاومة لا تزيد عن حوالي ‎٠٠١‏ ملي أوم في بعض الحالات التمثيلية؛ ويمكن أن يتراوح سمك الطبقة الحاجزة ‎of‏ من حوالي ‎٠ -٠١‏ نانو مترء والأفضل من © حوالي ‎Ee Ye‏ نانو متر ويمكن أن تكون ذات مقاومة لا تزيد عن حوالي ‎١‏ ميجا أوم - سم في بعض الحالات التمثيلية. وعلاوة على هذاء يمكن تشكيل سطح الركيزة الزجاجية ‎١ glass substrate‏ الأقرب إلى الشمس ليكون له نمط تكراري عن طريق النمش أو ما شابه ذلك؛ في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع. ويمكن أن توفر الطبقة الحاجزة الاختيارية (؛و) توافقاً جوهرياً لمعامل الانكسار ‎refractive index‏ ‎Ve‏ بين غشاء شبه الموصل ‎semiconductor film‏ )©( (مثل؛ الجزء ‎(CdS‏ حتى الغشاء ‎TCO‏ (؛ه) في بعض النماذج التمثيلية؛ من أجل تحسين النفاذية الإجمالية لأشعة الشمس التي تصل إلى شبه . semiconductor ‏الموصل‎ وبالإشارة أيضاً إلى نماذج شكل ١١؛‏ يمكن أن يشتمل غشاء شبه الموصل )9( على بنية شبه موصلة ‎pin‏ أو ‎pn‏ واحدة؛ أو بنية شبه موصلة ترادفية في نماذج مختلفة لهذا الاختراع. ويمكن أن ‎٠‏ يصنع غشاء شبه الموصل )0( أو يشتمل على سيليكون في بعض الحالات التمثيلية. وفي نماذج تمثيلية أخرى؛ يمكن أن يشتمل غشاء شبه الموصل ‎film semiconductor‏ (*) على طبقة أولى مصنعة من أو تشتمل على ‎Jie) CdS‏ طبقة نافذة) قريبة أو أقرب إلى الطبقة (الطبقات) 52%[ أو 46 وطبقة شبه موصل ثانية مصنعة من أو تشتمل على ‎CdTe‏ (مثل؛ مادة ماصة رئيسية) قريبة أو أقرب إلى ‎electrode‏ أو الملامس الخلفي ‎back contact‏ 1.
Yau
وبالإشارة أيضاً إلى شكل ‎٠١‏ في بعض النماذج التمثيلية؛ يكون للطبقة العازلة الأولى ‎IY‏ معامل انكسار ‎(n)‏ منخفض نسبياً ‎Sie)‏ « تتراوح من حوالي ‎١١7‏ إلى 7,7؛ والأفضل من حوالي ‎VA‏
إلى ‎oY‏ والأفضل أيضاً من حوالي 1,46 إلى ‎oY)‏ والأكثر تفضيلاً من حوالي ؟ إلى ‎(Yoh‏ ‏ويكون للطبقة العازلة الثانية "ب معامل انكسار ‎(n) refractive index‏ مرتفع نسبياً (مقارنة
‎٠‏ بالطبقة ‎Slag) (IY‏ « تتراوح من حوالي 7,7 إلى 1,7؛ والأفضل من حوالي 7,9 إلى 7,5 والأكثر تفضيلاً من حوالي ‎YY‏ إلى 7,45)؛ ويمكن على نحو اختياري أن يكون للطبقة العازلة الثالثة
‏"ج معامل انكسار («) منخفض نسبياً (مقارنة بالطبقة "ب) ‎lia)‏ « تتراوح من حوالي ‎٠8‏ إلى
‎oY, Y‏ والأفضل من حوالي ‎٠,558‏ إلى ‎oY)‏ والأكثر تفضيلاً من حوالي ؟ إلى ‎.)٠. ١5‏ وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يتم دمج الطبقات ؟أ- ‎Y‏ 2 لتكوين رصة ذات توافق جيد لمعامل الانكسار
‎٠‏ للأغراض المضادة للانعكاس وحيث تعمل أيضاً كطبقة واقية لمنع ارتحال الصوديوم من الركيزة الزجاجية ‎hs)‏ بعض النماذج التمثيلية؛ يتراوح سمك الطبقة العازلة ‎dielectric layer‏ الأولى ‎IY‏
‏من حوالي 8- ‎Te‏ نانو مترء والأفضل من ‎٠١ -٠١ Joa‏ نانو مترء ويتراوح سمك الطبقة العازلة الثانية "ب من حوالي *- ‎Te‏ نانو مترء والأفضل من حوالي ‎٠١ -٠١‏ نانو مترء وتكون الطبقة الثالثة ٠ج‏ أقل سمكاً ويتراوح سمكها من حوالي ‎٠١ =F‏ نانو متر؛ والأفضل من حوالي ‎=o‏ 10
‎NO‏ نانو مترء والأكثر تفضيلاً من حوالي ‎$V ET‏ متر. وفي حين تكون الطبقات ؟أ؛ ‎eV‏ "ج عازلة في بعض نماذج هذا الاختراع» فإن واحدة أو اثنتين أو جميع هذه الطبقات الثلاث قد تكون عازلة أو ‎TCO‏ في بعض التماذج التمثيلية الأخرى لهذا الاختراع؛ وتكون الطبقتان "ب و "ج عبارة عن أكاسيد فلزية في بعض النماذج التمثيلية الأخرى لهذا الاختراع؛ بينما تكون الطبقة ؟أ عبارة عن أكسيد و أو نيتريد فلز أو ‎silicon nitride‏ في حالات تمثيلية أخرى. ويمكن ترسيب
‎٠‏ الطبقات ؟أ- 1ج بالرش أو بأية طريقة أخرى مناسبة. ‎Foo‏
‎١ _‏ - وبالإشارة أيضاً إلى نموذج شكل )1 يمكن تصنيع الطبقة (الطبقات) ‎TCO‏ (4ه) أو يمكن أن تشتمل على أي أكسيد ‎TCO‏ مناسب بما في ذلك على سبيل المثال لا الحصر؛ ‎zinc oxide‏ ؛ ‎oxide ¢ zinc aluminum oxide‏ صل و/ أو ما شابه ذلك. ويمكن أن تشتمل طبقة أو غشاء ‎TCO‏ (؛ه) على عدة طبقات في بعض الحالات التمثيلية. على سبيل المثال؛ في بعض الحالات؛ ‎Jas ©‏ طبقة ال ‎TCO‏ (4) على طبقة أولى من أكسيد معدني ‎metal oxide‏ من ‎TCO‏ أول (مثل؛ ‎zinc oxide‏ ( قريبة من ‎(af) Ag Aida‏ وطبقة ‎Ag‏ فوقية (؛د)؛ وطبقة ثانية من أكسيد معدني ‎metal oxide‏ من ‎Ou TCO‏ (مثل؛ ‎tin oxide‏ قريبة وملامسة للطبقة ‎(sf)‏ و أو )°(- ويمكن أن يكون للجهاز ‎Sail‏ الضوئي المبين في شكل ‎١١‏ مقاومة ‎Y sheet resistancedus)‏ تزيد عن حوالي ‎VA‏ أوم/ مربع؛ والأفضل ألا تزيد عن حوالي 10 أوم/ مربع؛ والأفضل من ذلك آلآ ‎٠‏ تزيد عن حوالي ‎١“‏ أوم/ مربع في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. وعلاوة على هذاء يمكن أن يكون للنموذج المبين في شكل ‎١١‏ أطياف نفاذية مخططة حسب الحاجة تتميز بنفاذية أكبر من ‎٠‏ إلى شبه الموصل ‎semiconductor‏ (*) في جزء من مدى الطول الموجي ‎wavelength‏ أو كل مدى الطول الموجي الذي يتراوح من حوالي ٠5؛-‏ 100 نانو متر و/ أو ‎٠٠٠-456‏ نانو مترء حيث 111.5 يمكن أن يكون لها أشد كثافة ‎«strongest intensity‏ في بعض النماذج التمثلية ‎Ve‏ لهذا الاختراع. تتم مناقشة الأمثلة ¢ 0 أدناه» وتشتمل كل منها على سطح مُركب 1 للركيزة الزجاجية الأمامية ‎١ front glass substrate‏ كما هو مبين في الأشكال الواردة في هذا الطلب. في مثال ‎of‏ تم نمش السطح الخارجي ١أ‏ للركيزة الزجاجية الأمامية المنفذة ‎١‏ بصورة طفيفة حيث يتميز بسمات دقيقة تعمل كغلاف أحادي متعدد الطبقات مضاد للانعكاس ذي معامل منخفض مناسب؛ على سبيل ‎٠٠‏ -_ المثال لاستخدامات الخلايا الشمسية ‎.CdTe solar cells‏ يتميز المثال (5) بسمات أكبر على ‎Veo)‏
السطح المركب ‎١‏ (أ) للركيزة الزجاجية الأمامية؛ التي يتم تشكيلها مرة أخرى بالنمش» والتي تحتجز الضوء القادم» وتكسر الضوء في أشباه الموصلات ‎semiconductor layers‏ بزوايا مائلة؛ مناسبة؛ على سبيل المثال؛ لاستخدامات الخلايا الشمسية ‎solar cells‏ الفردية و / أو الترادفية :8-5. وكان السطح الداخلي اب للركيزة الزجاجية ‎)١(‏ مسطحاً في كل من المثالين ؛ و 0 ‎Jie‏ ما كان © الالكترود ‎١‏ لأمامي ‎.١ front electrode‏ في مثال ‎of‏ بالإشارة إلى شكل ‎OO)‏ كانت مجموعة الطبقات المكدسة عند التحرك من الركيزة الزجاجية ‎١ glass substrate‏ إلى الداخل تجاه شبه الموصل ‎Ble © semiconductor‏ عن الركيزة الزجاجية ‎١‏ طبقة ‎silicon nitride‏ (سمكها 10 نانومتر) ‎«IY‏ وطبقة ‎TiOx‏ (سمكها ‎٠١‏ ‏نانومتر) ‎caf‏ و طبقة ‎ZnA10x‏ (سمكها ‎٠‏ نانومتر) ¥ 2 وطبقة ‎Ag‏ (سمكها ‎V‏ نانومتر) ؛ ج؛ ‎٠‏ وطبقة ‎NiCrOx‏ (سمكها ‎١‏ نانومتر) ؛ ‎ea‏ و طبقة ‎ITO‏ (سمكها ‎٠١١‏ نانومتر) ؛ ه؛ وطبقة ‎SnOx‏ ) سمكها ‎Ve‏ نانومتر) 4 ؛ ثم شبه الموصل ‎/CdTe semiconductor‏ 005. يتميز السطح ‎IY etched iil‏ للركيزة الزجاجية الأمامية ‎١ 4 glass substrate‏ بمعامل انكسار فعال وسمك يتراوح بين حوالي ‎Fo‏ )= 1,47 و ‎١١١‏ نانومتر؛ على التوالي. يعمل السطح المنمّش ‎etched‏ ‏كغلاف ‎AR‏ (على الرغم من عدم وجود هذا الغلاف فعليا) وزيادة النفاذية بمعدل ‎7-7١‏ 7 مما يتم ‎١‏ اعتباره مفيداً للغاية؛ حول نطاق الطول الموجي ‎٠٠٠١-٠١ wavelength‏ نانومتر على النحو المبين في الأشكال ‎OT -١١‏ كما هو مبين في الشكل ‎Vo‏ تسفر توليفة ‎TCC‏ التي أساسها ‎(Ag‏ ‏والسطح الأمامي المركب عن نفاذية معززة إلى الغشاء شبه الموصل ‎semiconductor film‏ 05 © وخاصة في النطاق من ‎7٠00 -50٠0‏ نانومتر حيث يكون ‎QF‏ للجهاز ‎PV‏ ‏©الفلطائي الضوئي والدفق الشمسي؛ مهمين. ‎Youd‏
اه - يعتبر شكل ‎VY‏ هو أطياف النفاذية التي تم قياسها ‎(T)‏ والانعكاس ‎(R)‏ (7 من السطح الأول)؛ مقابل الطول الموجي (نانو ‎of jie‏ ويظهر النتائج المتحصل عليها من مثال 4؛ حيث يستخدم ‎JO‏ ‏غلافاً ‎TCC‏ ؟ مقاومته ‎٠١‏ أوم / مربع أساسه ‎Ag‏ لركيزة زجاجية أمامية ‎١ front glass substrate‏ ذات سطح مركب ‎.١‏ على النحو المبين أعلاه؛ يتميز مثال ؛ بسطح مركب ١أ‏ بنفاذية ‎(T)‏ متزايدة © بصورة طفيفة وانعكاس ‎(R)‏ منخفض بصورةٍ طفيفة في النطاق ‎Veo mown‏ نانو ‎Jie‏ مقارنة بالمثال المقارن الموضح في شكل ‎VY‏ حيث لم يكن السطح ١أ‏ (السطح الأول) منمّشا. يعتبر هذا ميزة في أنه يتم انتاج المزيد من التيار في الغشاء شبه الموصل 0 للجهاز الفلطائي الضوئي. يعتبر شكل ‎Vo‏ رسما ‎Wily‏ للنسبة المئوية للنفاذية ‎T)‏ 7) مقابل الطول الموجي ‎wavelength‏ (نانو ‎(Jie‏ ‏يوضح طيف النفاذية في خلية ‎CAS /CdTe‏ للجهاز الفولطائي الضوئي لمقارنة المثال ؛ بالمثال ‎٠‏ المقارن. يبين شكل ‎Yo‏ (النفاذية المتوقعة في الخلية ‎CdS /CdTe‏ للجهاز الفطائي الضوئي في الوحدة النمطية للخلية الشمسية ‎CdTe‏ لمثال ‎ef‏ التي تشتمل على الركائز الأمامية المختلفة) أن مثال 4 ‎Gia‏ نفاذية متزايدة في نطاق الطول الموجي الذي يترواح تقريباً من 5060 -0 70 نانو مترء وبالتالي قدرة خرج وحدة نمطية فلطائية ضوئية متزايدة مقارنة بالمثال المقارن بدون السطح الأمامي المنمّش ‎etched front surface‏ (الخط المتقطع ‎(X‏ والمثال المقارن للركيزة السطحية ‎TCO‏ ‎Ve‏ التقليدية (الخط المتصل 0( في مثال 0 بالإشارة إلى الشكل ‎VY‏ كانت مجموعة الطبقات المكدسة عند التحرك من الركيزة الزجاجية ‎١ glass substrate‏ إلى الداخل تجاه شبه الموصل ‎semiconductor‏ © عبارة عن الركيزة الزجاجية ١؛‏ طبقة ‎silicon nitride‏ (سمكها ‎٠‏ نانومتر) ؟أ؛ وطبقة «110 (سمكها ‎٠١‏ ‏نانومتر) ‎«oY‏ و طبقة ‎ZnA10x‏ (سمكها ‎٠‏ نانومتر) "ج؛ وطبقة ‎Ag‏ (سمكها ‎A‏ نانومتر) ؛ ج؛ ‎٠‏ وطبقة ‎NiCrOx‏ (سمكها ‎١‏ نانومتر) ؛ ؛ و طبقة ‎ITO‏ (سمكها ‎7١‏ نانو متر) ؛ ه؛ وطبقة ‎Youd‏
‏نانو متر) 4 ؛ ثم شبه الموصل :8-5. يبين شكل ؟١ النتائج التي تم قياسها‎ ٠١ ‏سمكها‎ ( SnOx ‏والتي تم التنبؤ بها؛ وطيف النفاذية المتكاملة والمنتظمة الذي تم قياسه والتشتت/الانتشار المتوقع‎ ‏أن النفاذية المتكاملة التي تشتمل على كل من ضوء النفاذية‎ VE ‏للضوء ؛ وفقا لمثال ©. يبين شكل‎ ‏من ضوء النفاذية المنتظم فقط. وهذا يعني أن أكثر‎ Jef ١ ‏المشتت والمنتظم تصل إلى حوالي‎ ‏من الضوء في نطاق الأشعة تحت الحمراء القريبة و نطاق الضوء المرئي تكون إما‎ 7 ١7 ‏من‎ © ‏مبعثرة أو موزعة. يعمل الضوء المبعشر و / أو الموزع على زيادة السسار الضوئي في المواد‎ a- ‏من نوع‎ solar cells ‏الفطائية الضوئية ©؛ وهذا يكون مطلوباً بصفة خاصة في الخلايا الشمسية‎
Si ‏لهذا الاختراع.‎ ١١ ‏عبارة عن منظر مقطعي عرضي لمثال النموذج المبين في شكل‎ VT ‏شكل‎ ‏الفلطائية الضوئية على نوعين‎ solar cells ‏يشتمل الإشعاع الشمسي الساقط على الخلايا الشمسية‎ ٠ ‏؛ فوتونات ذات طول موجي قصير ذات طاقة مرتفعة بدرجة كافية لخلق أزواج من‎ photons ‏من‎ ‏الالكترونات والثقوب في المواد الفلطائية الضوئية؛ وفوتونات ذات طول موجي طويل لا تساهم في‎ ‏خلق أزواج الالكترونات والثتقوب ولكنها تقوم بتوليد حرارة تساعد على تدهور طاقة خرج الخلية‎ ‏أمامي‎ puede / ‏من المرغوب فيه أن يكون لدينا ركيزة موصلة ومنفذة (أو الكترود‎ ٠ ‏الشمسية. ولهذا‎ ‏تعمل يس فقط كملامس أمامي موصل ومنفذ ولكن أيضاً كمرشح ضيق‎ ( front electrode/contact © ‏ذات الطاقة المرتفعة بدرجة كافية (كما في نطاق‎ photons ‏النطاق يسمح بمرور كمية زائدة من‎ ‏الضوء المرئي ونطاق الأشعة تحت الحمراء القريب؛ من الطيف) إلى المنطقة الفعالة أو عنصر‎ ‏الامتصاص للخلايا الشمسية؛ ويقوم أيضاً بمنع ما تبقى أو جزء كبير مما تبقى من الإشعاع‎ ‏الشمسي الساقط الذي قد يكون ضاراً أو غير مرغوب فيه. وبهذه الطريقة؛ يمكن تحسين قدرة خرج‎
Yoo)
- gv ‏الخلية الشمسية وذلك بفضل انخفاض درجة حرارة الوحدة النمطية عن طريق زيادة انعكاس الأشعة‎ ‏وزيادة النفاذية في النطاق المرئي ونطاق 18 القريب.‎ «IR ‏عبارة عن منظر مقطعي عرضي يوضح مثال لتصميم مرشح موصل ضيق النطاق‎ ١١ ‏وشكل‎ ‎IR ‏أمامي؛ حيث يحقق النفاذية المرتفعة في نطاق الضوء المرئي ونطاق‎ electrode ‏كهذا كالكترود‎ ‏القريب ولكنه يعكس ضوء 18 الذي له طول موجي طويل. ويمكن أن تكون الطبقة المعدنية بشكل‎ © ‏أو يمكن أن تكون مقحمة‎ (Ag ‏فقط أو سبيكة‎ Ag ‏؛ج عبارة عن‎ Ag ‏أساسي الرقيقة التي أساسها‎ ‏يزيد السمك المادي‎ VI ‏(غير موضحة). ويمكن‎ NiCr ‏11؛ أو‎ ¢TiNx Jie ‏بين طبقة معدنية أخرى‎ ‏نانو مترء؛ ويمكن أل‎ ١5 ‏عن‎ ١١ ‏في نموذج شكل‎ front electrode ‏الإجمالي للالكترود ا لأمامي‎ ‏ميكرو أوم - سم. ويمكن أن يكون الأكسيد (الأكاسيد)‎ 7٠ ‏تزيد مقاومة هذا الالكترود الأمامي عن‎ ْ «Zn «Sn ‏من مل‎ plurality of layers ‏الموصل عبارة عن أكاسيد أحادية أو متعددة الطبقات‎ ٠ ‏وغيرها في بعض‎ Sb «Ga (Al Jie ‏من مواد الإشابة‎ 7٠١ ‏وسبائكها مع وجود ما لا يزيد عن‎ ‏النماذج التمثيلية. والالكترود الموصل الأمامي الإجمالي يكون له معامل انكسار فعال لا يقل عن‎ ‏نانومتر؛ وفي بعض‎ VAs VT ‏والأفضل‎ ٠٠١ -١٠١ ‏وسمك ضوئي يتراوح من حوالي‎ 6), A0 ‏الفلطائية الضوئية. والالكترود الموصل‎ a-Si ‏النماذج التمثيلية فإنه يمكن استخدامه في الأجهزة‎ ‏الأمامي الإجمالي يكون له معامل انكسار فعال لا يقل عن 1,85؛ وسمك ضوئي يتراوح من حوالي‎ ٠ ‏نانومتر؛ وفي بعض النماذج التمثيلية فإنه يمكن استخدامه‎ 790 —You ‏والأفضل‎ ١-6 ‏الإجمالية‎ sheet resistance ‏الفلطائية الضوئية. ولا تزيد المقاومة اللوحية‎ CdS/CdTe ‏في الأجهزة‎ ‏أوم/ مربع؛ وذلك في بعض النماذج التمثيلية. ويوفر الأكسيد‎ ٠٠٠08١0 ‏لطبقة الأكسيد الموصل عن‎ ‏المسار الموصل المطلوب لزوج الالكترونات/ الثقوب المتولد من المواد الفلطائية‎ Ag ‏الموصل و‎
IY) ‏ويمكن أن تكون الطبقة الأساسية المنفذة‎ . (° semiconductor ‏الضوئية (مثل؛ شبه الموصل‎ ٠
Ya
دام "ب) عبارة عن أكسيد؛ أوكسي نيتريد؛ أو نيتريد أحادي أو متعدد الطبقات؛ ويمكن أن تكون موصلة أو غير موصلة. ويكون للطبقة الأساسية المنفذة ‎(FoI)‏ معامل انكسار إجمالي فعال لا يقل عن ؟ وسمك ضوئي يتراوح بين ‎9٠ m0‏ نانو متر في بعض النماذج التمثيلية التي يمكن استخدامها في الأجهزة ‎a-Si‏ الفلطائية الضوئية؛ ويمكن أن يكون لها معامل انكسار إجمالي فعال لا © يقل عن ؟ وسمك ضوئي يتراوح بين ‎٠٠١ =T‏ نانو متر في بعض النماذج التمثيلية التي يمكن استخدامها في الأجهزة ‎CAS/CdTe‏ الفلطائية الضوئية. وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يكون السمك المادي و/ أو الضوئي للطبقة ‎EV‏ أكبر مرتين على الأقل من سمك الطبقة ‎«gf‏ والأفضل أن يكون أكبر ؟ مرات على الأقل. وعلاوة على ذلك؛ في بعض النماذج التمثيلية فيما يتعلق بالشكل ‎١١‏ أو النماذج الأخرى؛ فإن الطبقة ‎st‏ يمكن أن يكون ‎٠‏ .لها معامل اتكسار (ه) يتراوح من حوالي ‎٠,5‏ إلى ١,7؛‏ ويمكن أن يكون للطبقة 4ه معامل اتكسار ‎(n)‏ يتراوح من حوالي ‎٠,8‏ إلى ‎oY‏ ويمكن أن يكون للطبقة “ج معامل انكسار ‎(n)‏ يتراوح من حوالي 4 إلى ‎oY v0‏ والأفضل من حوالي 1,88 إلى 1,55؛ ويمكن أن يكون للطبقة "ب معامل انكسار («) يتراوح من حوالي ‎7,١‏ إلى 1,5 والأفضل من حوالي 7,75 إلى 7,45؛ ويمكن أن يكون للطبقة ‎IY‏ معامل انكسار («) يتراوح من حوالي ‎٠,4‏ إلى ‎.7,١‏ ‏5 سيتم ذكر الأمثلة ‎lial -7‏ بالإشارة إلى نموذج شكل ‎١١‏ لهذا الاختراع. يتعلق مثال 6 بجهاز فلطائي ضوئي أساسه ‎a-Si‏ وفي مثال 6؛ بالإشارة إلى شكل ‎١١‏ وباستخدام قيم السمك المادي وقيم معامل الانكسار ‎refractive index‏ عند ‎٠ Mga‏ 09 نانو متر؛ كانت مجموعة الطبقات المكدسة؛ عند التحرك من الزجاج ‎١‏ للداخل نحو غشاء شبه الموصل ‎semiconductor film‏ الماص © عبارة عن الزجاج « طبقة ‎I¥ silicon nitride‏ (بسمك حوالي ‎You‏
‎V0‏ نانو مترء معامل انكسار "0" حوالي 7)؛ طبقة ‎TiO,‏ "ب (بسمك حوالي ‎٠١‏ نانو مترء معامل انكسار ‎san’‏ 7,4)؛ طبقة ,20/810 "ج (بسمك حوالي ‎٠١‏ نانو مترء معامل ‎"JL‏ ‏حوالي 3 ,)(( طبقة ‎Ag‏ ؛ ج بسمك حوالي ‎A‏ نانو مترء طبقة ‎af NiCrOx‏ (بسمك حوالي ‎١‏ نانو متر)ء طبقة ‎TCO ITO‏ أي ‎(indium tin oxide)‏ (بسمك حوالي ‎7١‏ نانو متر؛ معامل انكسار "د" © حوالي 1,9)؛ طبقة ,500 ‎TCO‏ ؛و (بسمك حوالي ‎٠١‏ نانو مترء معامل انكسار "0" حوالي ؟)؛ ثم شبه الموصل ‎semiconductor‏ * الذي أساسه ‎a-Si‏ وشكل ‎VY‏ يظهر النتائج التي يمكن التنبؤ بها للنفاذية إلى الخلية ‎a-Si‏ لجهاز مثال 6 هذا مقارنة بالكترود أمامي تقليدي مكون فقط من أكسيد قصدير ‎TCO tin oxide‏ على الركيزة الزجاجية ‎.glass substrate‏ وتحديداً شكل ‎١7‏ عبارة عن منحنى للنسبة المثوية للنفاذية ‎(ZT)‏ مقابل الطول الموجي ‎wavelength‏ (نانو متر) حيث يوضح ‎٠‏ أطياف النفاذية لمثال 6 إلى خلية 8-51؛ حيث يظهر المنحنى أن مثال 1 ‎(Jie)‏ المنحنى 1-9 في شكل ‎(VY‏ قد حقق الزيادة في النفاذية في نطاق الطول الموجي الذي يتراوح تقريباً من ‎7٠0-500‏ ‏نانو متر وبالتالي زيادة قدرة خرج الوحدة النمطية الفلطائية الضوئية»؛ مقارنة بالمثال المقارن (المنحنى المشار إليه بالرمز - 76 في شكل ‎(VY‏ وعلاوة على ‎dia‏ يمكن أن يكون لنموذج الأشكال ‎١7 -١١‏ أطياف نفاذية حسب الطلب بنسب نفاذية تزيد عن 77860 ‎JAS‏ أو حتى ‎TAY‏ ‎VO‏ إلى شبه الموصل ‎semiconductor‏ © في جزء؛ معظم؛ أو كل نطاق الطول الموجي الذي يتراوح من حوالي +45- 00 نانو متر و/ أو ‎70١ mtn‏ نانو ‎Jie‏ كما هو مبين في شكل ‎AY‏ وذلك
‏في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع. ويتعلق مثال ‎١‏ بجهاز فلطائي ضوئي أساسه ‎.CAS/CdTe‏ وفي مثال ء بالإشارة إلى شكل ‎١١6‏ ‏وباستخدام قيم السمك المادي وقيم معامل الانكسار ‎refractive index‏ عند حوالي ‎٠‏ 05 نانو مترء ‎Yo‏ كانت مجموعة الطبقات المكدسة؛ عند التحرك من الزجاج ‎١‏ للداخل نحو غشاء شبه الموصل
‎semiconductor film‏ الماص 0 عبارة عن الزجاج )¢ طبقة ‎iY silicon nitride‏ (بسمك حوالي ‎Vo‏ نانو مترء معامل انكسار "0" حوالي ؟)؛ طبقة ‎TiO,‏ "ب (بسمك حوالي ‎١١‏ نانو متر؛ معامل انكسار "0" حوالي 7,4)؛ طبقة ,7010 7ج (بسمك حوالي ‎٠١‏ نانو مترء معامل انكسار 7:7 حوالي 4) طبقة ‎Ag‏ 4ج بسمك حوالي ‎١‏ نانو مترء طبقة ‎NiCrO,‏ ؛د (بسمك حوالي ‎١‏ نانو ‎٠‏ متر)ء طبقة ‎(indium tin oxide) 2¢ TCO ITO‏ (بسمك حوالي ‎١١١‏ نانو متر؛ معامل انكسار ‎ssn’‏ 4) طبقة ,500 ‎TCO‏ ؛و (يسمك حوالي ‎"١‏ نانو مترء معامل انكسار "7 حوالي ")؛ ثم شبه الموصل ‎semiconductor‏ © الذي أساسه ‎a-Si‏ وشكل ‎VA‏ يظهر النتائج التي يمكن التتبؤ بها للنفاذية إلى الخلية 605/0076 لجهاز مثال 7 هذا مقارنة بجهاز مشابه يشتمل على الكترود أمامي تقليدي مكون فقط من أكسيد قصدير ‎tin oxide‏ من ‎TCO‏ على الركيزة الزجاجية ‎ayaa -glass substrate ٠‏ شكل ‎VA‏ عبارة عن منحنى للنسبة المئوية للنفاذية (771) مقابل الطول الموجي ‎wavelength‏ (نانو متر) حيث يوضح أطياف النفاذية لمثال ‎١‏ إلى خلية ‎«CdS/CdTe‏ ‏حيث يظهر المنحنى أن مثال 7 (مثل؛ المنحنى ‎TA‏ في شكل ‎(VA‏ قد حقق الزيادة في النفاذية في نطاق الطول الموجي الذي يتراوح تقريباً من +5؛- 100 و 700-2060 نانو متر وبالتالي زيادة قدرة خرج الوحدة النمطية الفلطائية الضوئية؛ مقارنة بالمثال المقارن (المنحنى المشار إليه ‎٠‏ بالرمز - ‎3X‏ شكل ‎(OA‏ . وعلاوة على هذاء يمكن أن يكون لنموذج الأشكال 16 ‎٠8‏ أطياف نفاذية حسب الطلب بنسب نفاذية تزيد عن ‎79٠0 AS‏ أو حتى 791 أو 797 إلى شبه الموصل ‎semiconductor‏ © في جزء؛ معظم؛ أو كل نطاق الطول الموجي الذي يتراوح من حوالي ‎٠.٠‏ 8- ‎٠٠‏ نانو مترء +5؛- 100 و/ أو 9+6؛- ‎٠٠١‏ نانو مترء كما هو مبين في شكل ‎VA‏ وذلك في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع.
— ١ ‏في حين قد تم وصف الاختراع فيما يتعلق ما يمكن اعتباره في الوقت الراهن النموذج المفضل‎ ‏والأكثر قابلية للتطبيق العملي؛ إلا أنه يجب أن يفهم أن الاختراع لا يقتصر على النموذج الذي تم‎ ‏تتجه النية لأن يغطي الاختراع مختلف التعديلات والترتيبات‎ ٠ ‏الكشف عنه؛ ولكن على العكس‎ ‏المكافئة التي تم تصمينها داخل فحوى ومجال عناصر الحماية المرفقة.‎ ٠ ١

Claims (1)

  1. الى عناصر الحماية ‎-١ ١‏ بنية الكترود أمامي ‎front electrode structure‏ لجهاز فُلطائي ضوئي ‎photovoltaic device‏ ‎Cam + "‏ تشتمل بنية الالكترود أ لأمامي ‎front electrode structure‏ على: ‎ ¥‏ ركيزة زجاجية أمامية ‎front glass substrate‏ منفذة إلى حد كبير؛ ؛ | طبقة أولى تشتمل على واحد أو أكثر من بين ‎silicon ¢ silicon oxide « silicon nitride‏ ‎oxynitride ©‏ و أو أكسيد قصدير ‎tin oxide‏ ¢ 1 طبقة ثانية تشتمل على واحد أو أكثر من بين ‎niobium oxide sf / titanium oxide‏ ¢ حيث ‎٠‏ تتواجد الطبقة الأولى على الأقل بين الركيزة الأمامية والطبقة الثانية؛ ‎A‏ طبقة ثالثة تشتمل على ‎zinc oxide‏ و/ ‎zinc aluminum oxide sl‏ ¢ 4 طبقة موصلة تشتمل على فضة :»511 ؛ حيث يتم توفير الطبقة الثالثة على الأقل بين الطبقة ‎٠‏ الموصلة التي تشتمل على الفضة والطبقة الثانية؛ ‎١١‏ طبقة تشتمل على أكسيد ‎Ni‏ و/أو ‎(Cr‏ ‎VY‏ طبقة من أكسيد موصل منفذ ‎transparent conductive oxide (TCO)‏ تتمل على ‎indium tin‏ ‎oxide VT‏ يتم توفيرها بين الطبقة التي تشتمل على أكسيد ‎Ni‏ و/أو :© وطبقة من أكسيد موصل
    4 . منفذ ‎(TCO)‏ تشتمل على أكسيد قصدير ‎tin oxide‏ ؛ و ‎٠‏ حيث يتم توفير مجموعة من الطبقات المكدسة تشتمل على الطبقة الأولى المذكورة؛ و الطبقة ‎٠‏ الثانية المذكورة» و الطبقة ‎RAEN‏ المذكورة والطبقة الموصلة المذكورة التي تشتمل على الفضة ‎١‏ والطبقة المذكورة التي تشتمل على أكسيد ‎Ni‏ و/أو ‎Cr‏ وطبقة ‎transparent conductive (TCO)‏ ‎oxide ٠8‏ المذكورة التي تشتمل على ‎indium tin oxide‏ وطبقة ‎(TCO)‏ المذكورة التي تشتمل على 14 أكسيد قصدير ‎tin oxide‏ على سطح داخلي للركيزة الزجاجية الأمامية ‎front glass substrate‏
    4 . مواجه للغشاء شبه الموصل ‎semiconductor film‏ للجهاز الفُلطائي الضوثي. ‎Youd‏
    ب سج -
    ‎١‏ "- بنية الالكترود ‎electrode structure‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎١١‏ حيث يكون سطح خارجي " للركيزة الزجاجية منمّشاً؛ ولكن لا يكون السطح الداخلي للركيزة الزجاجية الذي يتم عليه توفير ‎T‏ مجموعة الطبقات المكدسة ‎Like‏ ويكون مسطحا إلى حد كبير.
    ‎١‏ ؟- بنية الالكترود ‎electrode structure‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ١؛‏ حيث تعمل بنية الالكترود
    ‏ل لأمامي ‎front electrode‏ ليس فقط كالكترود ‎electrode‏ أمامي للجهاز ‎Salil‏ الضوئي؛ ¥ ولكن أيضاً كمرشح ضيق النطاق يسمح (أ) بمرور كمية زائدة من ‎photons‏ التي لها طاقة في ؛ نطاق الضوء ‎all‏ ونطاق الأشعة تحت الحمراء القريب إلى الغشاء شبه الموصل ‎semiconductor film ©‏ » و(ب) منع كميات كبيرة من أشعة 18 الأخرى من الوصول إلى الغشاء 1 شبه الموصل ‎٠ semiconductor film‏
    ‎١‏ ؟- بنية الالكترود ‎electrode structure‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ؛ حيث يشتمل الغشاء المصنع من ‎oli‏ الموصلات ‎semiconductor layers‏ على ‎«a-Si‏ وتكون بنية الالكترود ‎boy‏ لأمامي ‎front electrode‏ ذات نفاذية تبلغ 85 على الأقل في القدر الأكبر على الأقل من 8 نطاق يتراوح من حوالي ‎٠٠٠١-425٠‏ نانو متر.
    ‎—o ١‏ بنية الالكترود ‎electrode structure‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ؛ حيث يشتمل الغشاء ‎Y‏ المصنع من أشباه الموصلات ‎semiconductor layers‏ على ‎a-Si‏ وتكون بنية الالكترود ‎boy‏ لأمامي ‎front electrode‏ ذات نفاذية تبلغ ‎LAY‏ على الأقل في جزء على الأقل من نطاق يتراوح ¢ من حوالي - ‎gli ٠٠08‏ متر.
    ‎١‏ +- بنية الالكترود ‎electrode structure‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎oF‏ حيث يشتمل الغشاء ‎Y‏ المصنع من أشباه الموصلات ‎semiconductor layers‏ على ‎CdS‏ و/أو ‎«CdTe‏ وتكون بنية
    ‎Yeu)
    —- 0 4 —
    ‎Y‏ الالكترود الأمامي ‎front electrode‏ ذات نفاذية تبلغ 74980 على الأقل في القدر الأكبر على ¢ الأقل من نطاق يتراوح من حوالي و و ‎٠٠ —Q‏ تأنو متر.
    ‎١‏ 7- بنية الالكترود ‎electrode structure‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ؛ حيث يشتمل الغشاء ‎YX‏ المصنع من أشباه الموصلات ‎semiconductor layers‏ على ‎CdS‏ و/أو ؛ وتكون بنية » الالكترود الأمامي ‎front electrode‏ ذات نفاذية تبلغ 747 على الأقل في جزء على الأقل من ‎ll‏ يتراوح من حوالي ‎٠٠١ moe‏ نانو متر.
    ‎—A ١‏ بنية الالكترود ‎electrode structure‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎١‏ حيث يكون للطبقة ‎١‏ لأولى 7 معامل انكسار ‎(n) refractive index‏ يتراوح من حوالي 4 إلى ‎oY,‏ ويكون للطبقة الثانية ‎ ¥‏ معامل انكسار ‎(n) refractive index‏ يتراوح من حوالي ‎oY 80 NY, Ye‏ وحيث يكون للطبقة ؛ - التثانية معامل انكسار ‎refractive index‏ أكبر من الطبقة الأولى.
    ‎١‏ 4- بنية الالكتررد ‎electrode structure‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎١‏ حيث تشتمل الطبقة الأولى " على ‎silicon nitride‏ » وتشتمل الطبقة الثانية على ‎titanium oxide‏ .
    ‎-٠ ١‏ بنية الالكترود ‎electrode structure‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎OY‏ حيث يشتمل الغشاء " المصنع من أشباه الموصلات ‎semiconductor layers‏ على طبقة تشتمل على ‎CdS‏ وطبقة ¥ تشتمل على ‎CdTe‏
    دوج - ‎-١١ ١‏ بنية الالكترود ‎electrode structure‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎١‏ حيث يتراوح سمك الطبقة " الموصلة التي تشتمل على فضة »511 من حوالي ‎AY‏ 4 نانو متر. ‎-٠ ١‏ بنية الالكترود ‎electrode structure‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎oY‏ حيث يكون للركيزة " الأمامية وجميع طبقات بنية الالكترود ‎electrode structure‏ على جانب أمامي للغشاء المصنع ‎YT‏ من أشباه الموصلات ‎semiconductor layers‏ مجتمعة نسبة انعكاس للأشعة ‎IR‏ تبلغ حوالي 4 240 على الأقل في جزء كبير إلى حد ما على الأقل من نطاق للطول الموجي ‎wavelength‏ ‏د للأشعة ‎IR‏ يتراوح من حوالي ‎7700-١0٠١‏ نانو متر. ‎-١“9 ١‏ بنية الالكتررد ‎electrode structure‏ وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎١١‏ حيث يكون للركيزة ‎oy‏ الأمامية وجميع طبقات بنية الالكترود ‎electrode structure‏ على جانب أمامي للغشاء المصنع ¥ من أشباه الموصلات ‎semiconductor layers‏ مجتمعة نسبة انعكاس للأشعة 8 تبلغ حوالي ؛ ‎Tee‏ على الأقل في القدر الأكبر على الأقل من نطاق للطول الموجي ‎wavelength‏ للأشعة ‎IR‏ ‏0 يتراوح من حوالي ‎-٠٠٠١‏ 1500 نانو متر.
    Foul
SA109300244A 2008-04-29 2009-04-25 الكترود أمامي للاستخدام في جهاز ڤٌلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه SA109300244B1 (ar)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/149,263 US7964788B2 (en) 2006-11-02 2008-04-29 Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SA109300244B1 true SA109300244B1 (ar) 2012-11-03

Family

ID=41078096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SA109300244A SA109300244B1 (ar) 2008-04-29 2009-04-25 الكترود أمامي للاستخدام في جهاز ڤٌلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7964788B2 (ar)
EP (1) EP2279528A1 (ar)
BR (1) BRPI0911773A2 (ar)
SA (1) SA109300244B1 (ar)
WO (1) WO2009134302A1 (ar)

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8076571B2 (en) * 2006-11-02 2011-12-13 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8203073B2 (en) * 2006-11-02 2012-06-19 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8012317B2 (en) 2006-11-02 2011-09-06 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US7964788B2 (en) * 2006-11-02 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8334452B2 (en) 2007-01-08 2012-12-18 Guardian Industries Corp. Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like
US10690823B2 (en) 2007-08-12 2020-06-23 Toyota Motor Corporation Omnidirectional structural color made from metal and dielectric layers
US10870740B2 (en) 2007-08-12 2020-12-22 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Non-color shifting multilayer structures and protective coatings thereon
US10788608B2 (en) 2007-08-12 2020-09-29 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Non-color shifting multilayer structures
US7888594B2 (en) * 2007-11-20 2011-02-15 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
FR2932009B1 (fr) * 2008-06-02 2010-09-17 Saint Gobain Cellule photovoltaique et substrat de cellule photovoltaique
US8022291B2 (en) 2008-10-15 2011-09-20 Guardian Industries Corp. Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device
TWI382551B (zh) * 2008-11-06 2013-01-11 Ind Tech Res Inst 太陽能集光模組
JP5667748B2 (ja) * 2009-03-18 2015-02-12 株式会社東芝 光透過型太陽電池およびその製造方法
JP4629153B1 (ja) * 2009-03-30 2011-02-09 富士フイルム株式会社 太陽電池および太陽電池の製造方法
DE102009040621A1 (de) * 2009-09-08 2011-03-24 Schott Solar Ag Dünnschichtsolarmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
US8252618B2 (en) * 2009-12-15 2012-08-28 Primestar Solar, Inc. Methods of manufacturing cadmium telluride thin film photovoltaic devices
US8143515B2 (en) * 2009-12-15 2012-03-27 Primestar Solar, Inc. Cadmium telluride thin film photovoltaic devices and methods of manufacturing the same
TW201123508A (en) * 2009-12-22 2011-07-01 Univ Nat Chiao Tung Antireflection layer, method for fabricating antireflection surface, and photovoltaic device applying the same
US10000411B2 (en) 2010-01-16 2018-06-19 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology
US9862640B2 (en) 2010-01-16 2018-01-09 Cardinal Cg Company Tin oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods
US11155493B2 (en) 2010-01-16 2021-10-26 Cardinal Cg Company Alloy oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods
JP5722346B2 (ja) 2010-01-16 2015-05-20 日本板硝子株式会社 高品質放射制御コーティング、放射制御ガラスおよび製造方法
US10060180B2 (en) 2010-01-16 2018-08-28 Cardinal Cg Company Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology
US10000965B2 (en) 2010-01-16 2018-06-19 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductive coating technology
US8293344B2 (en) 2010-02-26 2012-10-23 Guardian Industries Corp. Articles including anticondensation coatings and/or methods of making the same
KR101669953B1 (ko) * 2010-03-26 2016-11-09 삼성전자 주식회사 산화물 박막, 산화물 박막의 형성 방법 및 산화물 박막을 포함하는 전자 소자
US8872295B2 (en) * 2010-03-31 2014-10-28 Dsm Ip Assets B.V. Thin film photovoltaic device with enhanced light trapping scheme
SG184829A1 (en) * 2010-04-27 2012-11-29 Univ Florida Electronic gate enhancement of schottky junction solar cells
WO2012012136A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-26 First Solar, Inc Cadmium stannate sputter target
US20120037213A1 (en) * 2010-08-11 2012-02-16 Du Pont Apollo Limited Backsheet for a photovoltaic module
WO2012024676A2 (en) 2010-08-20 2012-02-23 First Solar, Inc. Anti-reflective photovoltaic module
WO2012024557A2 (en) * 2010-08-20 2012-02-23 First Solar, Inc. Photovoltaic device front contact
US9559247B2 (en) 2010-09-22 2017-01-31 First Solar, Inc. Photovoltaic device containing an N-type dopant source
CN103250122B (zh) * 2010-11-30 2017-02-08 康宁股份有限公司 具有光漫射玻璃面板的显示设备
CN102610663A (zh) * 2011-01-25 2012-07-25 东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司 单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜
KR101221722B1 (ko) 2011-03-04 2013-01-11 주식회사 엘지화학 전도성 구조체 및 이의 제조방법
US8816190B2 (en) * 2011-04-18 2014-08-26 First Solar, Inc. Photovoltaic devices and method of making
US20130005139A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Guardian Industries Corp. Techniques for manufacturing planar patterned transparent contact and/or electronic devices including same
US20130056054A1 (en) * 2011-09-06 2013-03-07 Intermolecular, Inc. High work function low resistivity back contact for thin film solar cells
CN102394258B (zh) * 2011-11-18 2013-05-01 牡丹江旭阳太阳能科技有限公司 薄膜太阳电池高导电性前电极的制备方法
WO2013084900A1 (ja) * 2011-12-08 2013-06-13 旭硝子株式会社 積層体、及び積層体の製造方法
US9082914B2 (en) 2012-01-13 2015-07-14 Gaurdian Industries Corp. Photovoltaic module including high contact angle coating on one or more outer surfaces thereof, and/or methods of making the same
WO2013186668A1 (de) * 2012-06-11 2013-12-19 Heliatek Gmbh Filtersystem für photoaktive bauelemente
CN102723378A (zh) * 2012-07-17 2012-10-10 东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司 类单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜
US9379259B2 (en) * 2012-11-05 2016-06-28 International Business Machines Corporation Double layered transparent conductive oxide for reduced schottky barrier in photovoltaic devices
US9306106B2 (en) * 2012-12-18 2016-04-05 International Business Machines Corporation Monolithic integration of heterojunction solar cells
WO2014114708A2 (en) 2013-01-23 2014-07-31 Dsm Ip Assets B.V. A photovoltaic device with a highly conductive front electrode
GB201309717D0 (en) * 2013-05-31 2013-07-17 Pilkington Group Ltd Interface layer for electronic devices
US20150034155A1 (en) * 2013-08-02 2015-02-05 Epistar Corporation Optoelectronic device and the manufacturing method thereof
CN103943717B (zh) * 2014-03-19 2017-02-01 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种采用管式pecvd制备太阳能电池叠层减反射膜的方法
DE112015001639B4 (de) 2014-04-01 2023-12-14 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Nicht-farbverschiebende mehrschichtige strukturen
US9287428B2 (en) * 2014-05-06 2016-03-15 Perumala Corporation Photovoltaic systems with intermittent and continuous recycling of light
US10079571B2 (en) 2014-05-28 2018-09-18 Perumala Corporation Photovoltaic systems with intermittent and continuous recycling of light
US10097135B2 (en) 2014-05-06 2018-10-09 Perumala Corporation Photovoltaic systems with intermittent and continuous recycling of light
US10439552B2 (en) 2014-05-28 2019-10-08 Perumala Corporation Photovoltaic systems with intermittent and continuous recycling of light
WO2016035832A1 (ja) 2014-09-02 2016-03-10 国立大学法人東京大学 カーボンナノチューブ膜を有する透光性電極、太陽電池およびそれらの製造方法
JP6548896B2 (ja) * 2014-12-26 2019-07-24 株式会社マテリアル・コンセプト 太陽電池モジュールおよびその製造方法
KR101700884B1 (ko) * 2015-02-04 2017-02-01 한국과학기술연구원 망간주석산화물계 투명전도성산화물 및 이를 이용한 다층투명도전막 그리고 그 제조방법
US9525008B2 (en) * 2015-03-31 2016-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. RRAM devices
CN104882495B (zh) * 2015-05-07 2017-01-11 厦门神科太阳能有限公司 一种用于太阳能电池的透明导电窗口层及cigs基薄膜太阳能电池
DE102016110314A1 (de) * 2015-07-07 2017-01-12 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Omnidirektionale rote strukturelle farbe hoher chroma mit kombination aus halbleiterabsorber- und dielektrischen absorberschichten
TWI746603B (zh) * 2016-08-09 2021-11-21 南韓商東友精細化工有限公司 透明電極、包括其的觸控感測器及影像顯示裝置
US11148228B2 (en) 2017-07-10 2021-10-19 Guardian Glass, LLC Method of making insulated glass window units
US10987902B2 (en) 2017-07-10 2021-04-27 Guardian Glass, LLC Techniques for laser ablation/scribing of coatings in pre- and post-laminated assemblies, and/or associated methods
EP3503208A1 (en) * 2017-12-21 2019-06-26 Beijing Juntai Innovation Technology Co., Ltd Thin film assembly and method of preparing the same, and hetero-junction solar cell including thin film assembly
CN108231928A (zh) * 2017-12-21 2018-06-29 君泰创新（北京）科技有限公司 一种hjt异质结电池及其多层透明导电薄膜
EP3599649B1 (de) * 2018-07-27 2021-10-06 (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Solarmodul mit strukturierter deckplatte und optischer interferenzschicht
US11028012B2 (en) 2018-10-31 2021-06-08 Cardinal Cg Company Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same
FR3095523B1 (fr) * 2019-04-25 2022-09-09 Centre Nat Rech Scient Miroir pour cellule photovoltaïque, cellule et module photovoltaïques
US11476641B1 (en) * 2019-06-25 2022-10-18 Mac Thin Films, Inc. Window for laser protection
CN114171632A (zh) * 2020-08-21 2022-03-11 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 异质结太阳能电池及光伏组件
CN112599614A (zh) * 2020-12-25 2021-04-02 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 一种反射光谱可调的CdTe薄膜太阳能电池
CN114050188A (zh) * 2021-10-09 2022-02-15 中国建材国际工程集团有限公司 一种基于多层膜电极的碲化镉太阳能电池及其制备方法
CN114050191A (zh) * 2021-11-24 2022-02-15 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 一种柔性碲化镉薄膜太阳能电池结构
CN114039014A (zh) * 2021-11-24 2022-02-11 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 一种柔性有机发光半导体器件阳极结构

Family Cites Families (134)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL127148C (ar) * 1963-12-23
US4155781A (en) * 1976-09-03 1979-05-22 Siemens Aktiengesellschaft Method of manufacturing solar cells, utilizing single-crystal whisker growth
US4163377A (en) * 1976-11-10 1979-08-07 Trefimetaux Continuous hydrostatic extrusion process and apparatus
US4162505A (en) * 1978-04-24 1979-07-24 Rca Corporation Inverted amorphous silicon solar cell utilizing cermet layers
US4163677A (en) * 1978-04-28 1979-08-07 Rca Corporation Schottky barrier amorphous silicon solar cell with thin doped region adjacent metal Schottky barrier
US4213798A (en) * 1979-04-27 1980-07-22 Rca Corporation Tellurium schottky barrier contact for amorphous silicon solar cells
EP0309000B1 (en) 1981-07-17 1992-10-14 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Amorphous semiconductor and amorphous silicon photovoltaic device
US4378460A (en) * 1981-08-31 1983-03-29 Rca Corporation Metal electrode for amorphous silicon solar cells
US4554727A (en) * 1982-08-04 1985-11-26 Exxon Research & Engineering Company Method for making optically enhanced thin film photovoltaic device using lithography defined random surfaces
JPS59175166A (ja) * 1983-03-23 1984-10-03 Agency Of Ind Science & Technol アモルファス光電変換素子
US4598306A (en) * 1983-07-28 1986-07-01 Energy Conversion Devices, Inc. Barrier layer for photovoltaic devices
JPH0680837B2 (ja) 1983-08-29 1994-10-12 通商産業省工業技術院長 光路を延長した光電変換素子
US4689438A (en) * 1984-10-17 1987-08-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
JPS61108176A (ja) 1984-11-01 1986-05-26 Fuji Electric Co Ltd 粗面化方法
DE3446807A1 (de) * 1984-12-21 1986-07-03 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Duennschichtsolarzelle mit n-i-p-struktur
US4663495A (en) 1985-06-04 1987-05-05 Atlantic Richfield Company Transparent photovoltaic module
GB2188924B (en) * 1986-04-08 1990-05-09 Glaverbel Matted glass, process of producing matted glass, photo-voltaic cell incorporating a glass sheet, and process of manufacturing such a cell
DE3704880A1 (de) 1986-07-11 1988-01-21 Nukem Gmbh Transparentes, leitfaehiges schichtsystem
AU616736B2 (en) * 1988-03-03 1991-11-07 Asahi Glass Company Limited Amorphous oxide film and article having such film thereon
US5091764A (en) * 1988-09-30 1992-02-25 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Semiconductor device having a transparent electrode and amorphous semiconductor layers
US4940495A (en) * 1988-12-07 1990-07-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photovoltaic device having light transmitting electrically conductive stacked films
JP3117446B2 (ja) 1989-06-15 2000-12-11 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物導電膜の成膜加工方法
US5073451A (en) 1989-07-31 1991-12-17 Central Glass Company, Limited Heat insulating glass with dielectric multilayer coating
EP0436741B1 (en) 1989-08-01 1996-06-26 Asahi Glass Company Ltd. DC sputtering method and target for producing films based on silicon dioxide
WO1992007386A1 (en) * 1990-10-15 1992-04-30 United Solar Systems Corporation Monolithic solar cell array and method for its manufacture
DE4126738A1 (de) * 1990-12-11 1992-06-17 Claussen Nils Zr0(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-haltiger keramikformkoerper
US5171411A (en) 1991-05-21 1992-12-15 The Boc Group, Inc. Rotating cylindrical magnetron structure with self supporting zinc alloy target
US5256858A (en) * 1991-08-29 1993-10-26 Tomb Richard H Modular insulation electrically heated building panel with evacuated chambers
US5699035A (en) 1991-12-13 1997-12-16 Symetrix Corporation ZnO thin-film varistors and method of making the same
JP2974485B2 (ja) 1992-02-05 1999-11-10 キヤノン株式会社 光起電力素子の製造法
US5230746A (en) * 1992-03-03 1993-07-27 Amoco Corporation Photovoltaic device having enhanced rear reflecting contact
US5344718A (en) 1992-04-30 1994-09-06 Guardian Industries Corp. High performance, durable, low-E glass
WO1995009442A1 (fr) * 1993-09-30 1995-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Module a cellules solaires ayant une matiere de revetement de surface a structure en trois couches
JP3029178B2 (ja) * 1994-04-27 2000-04-04 キヤノン株式会社 薄膜半導体太陽電池の製造方法
GB9500330D0 (en) * 1995-01-09 1995-03-01 Pilkington Plc Coatings on glass
FR2730990B1 (fr) * 1995-02-23 1997-04-04 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent a revetement anti-reflets
DE69629613T2 (de) * 1995-03-22 2004-06-17 Toppan Printing Co. Ltd. Mehrschichtiger, elektrisch leitender Film, transparentes Elektrodensubstrat und Flüssigkristallanzeige die diesen benutzen
JP3431776B2 (ja) * 1995-11-13 2003-07-28 シャープ株式会社 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池用基板加工装置
US6433913B1 (en) * 1996-03-15 2002-08-13 Gentex Corporation Electro-optic device incorporating a discrete photovoltaic device and method and apparatus for making same
GB9619134D0 (en) * 1996-09-13 1996-10-23 Pilkington Plc Improvements in or related to coated glass
US6406639B2 (en) * 1996-11-26 2002-06-18 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Method of partially forming oxide layer on glass substrate
US6123824A (en) * 1996-12-13 2000-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing photo-electricity generating device
DE19713215A1 (de) 1997-03-27 1998-10-08 Forschungszentrum Juelich Gmbh Solarzelle mit texturierter TCO-Schicht sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen TCO-Schicht für eine solche Solarzelle
JP3805889B2 (ja) * 1997-06-20 2006-08-09 株式会社カネカ 太陽電池モジュールおよびその製造方法
JPH1146006A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Canon Inc 光起電力素子およびその製造方法
US6222117B1 (en) * 1998-01-05 2001-04-24 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device, manufacturing method of photovoltaic device, photovoltaic device integrated with building material and power-generating apparatus
EP1063317B1 (en) 1998-03-05 2003-07-30 Asahi Glass Company Ltd. Sputtering target, transparent conductive film, and method for producing the same
US6344608B2 (en) * 1998-06-30 2002-02-05 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic element
FR2781062B1 (fr) * 1998-07-09 2002-07-12 Saint Gobain Vitrage Vitrage a proprietes optiques et/ou energetiques electrocommandables
US6077722A (en) * 1998-07-14 2000-06-20 Bp Solarex Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts
CA2341629A1 (en) 1998-08-26 2000-03-09 Hodaka Norimatsu Photovoltaic device
JP2000091084A (ja) 1998-09-16 2000-03-31 Trustees Of Princeton Univ ホ―ル注入性改良電極
FR2791147B1 (fr) * 1999-03-19 2002-08-30 Saint Gobain Vitrage Dispositif electrochimique du type dispositif electrocommandable a proprietes optiques et/ou energetiques variables
TW463528B (en) * 1999-04-05 2001-11-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence element and their preparation
NO314525B1 (no) * 1999-04-22 2003-03-31 Thin Film Electronics Asa Fremgangsmåte ved fremstillingen av organiske halvledende innretninger i tynnfilm
US6380480B1 (en) * 1999-05-18 2002-04-30 Nippon Sheet Glass Co., Ltd Photoelectric conversion device and substrate for photoelectric conversion device
FR2793889B1 (fr) * 1999-05-20 2002-06-28 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent a revetement anti-reflets
US6187824B1 (en) * 1999-08-25 2001-02-13 Nyacol Nano Technologies, Inc. Zinc oxide sol and method of making
DE19958878B4 (de) * 1999-12-07 2012-01-19 Saint-Gobain Glass Deutschland Gmbh Dünnschicht-Solarzelle
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
US6524647B1 (en) 2000-03-24 2003-02-25 Pilkington Plc Method of forming niobium doped tin oxide coatings on glass and coated glass formed thereby
TW532048B (en) 2000-03-27 2003-05-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence element
US6576349B2 (en) 2000-07-10 2003-06-10 Guardian Industries Corp. Heat treatable low-E coated articles and methods of making same
US7267879B2 (en) * 2001-02-28 2007-09-11 Guardian Industries Corp. Coated article with silicon oxynitride adjacent glass
US6521883B2 (en) * 2000-07-18 2003-02-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
KR100748818B1 (ko) * 2000-08-23 2007-08-13 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 표시장치
US6784361B2 (en) * 2000-09-20 2004-08-31 Bp Corporation North America Inc. Amorphous silicon photovoltaic devices
JP2002260448A (ja) 2000-11-21 2002-09-13 Nippon Sheet Glass Co Ltd 導電膜、その製造方法、それを備えた基板および光電変換装置
JP2002170431A (ja) * 2000-11-29 2002-06-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 電極基板およびその製造方法
KR100768176B1 (ko) * 2001-02-07 2007-10-17 삼성에스디아이 주식회사 광학적 전기적 특성을 지닌 기능성 박막
WO2002063340A1 (fr) * 2001-02-07 2002-08-15 Kyoto Semiconductor Corporation Radiametre et element de detection de radiations
US6774300B2 (en) * 2001-04-27 2004-08-10 Adrena, Inc. Apparatus and method for photovoltaic energy production based on internal charge emission in a solid-state heterostructure
WO2002091483A2 (en) * 2001-05-08 2002-11-14 Bp Corporation North America Inc. Improved photovoltaic device
US6743488B2 (en) * 2001-05-09 2004-06-01 Cpfilms Inc. Transparent conductive stratiform coating of indium tin oxide
US6589657B2 (en) * 2001-08-31 2003-07-08 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Anti-reflection coatings and associated methods
JP4162447B2 (ja) 2001-09-28 2008-10-08 三洋電機株式会社 光起電力素子及び光起電力装置
US6936347B2 (en) * 2001-10-17 2005-08-30 Guardian Industries Corp. Coated article with high visible transmission and low emissivity
FR2832706B1 (fr) * 2001-11-28 2004-07-23 Saint Gobain Substrat transparent muni d'une electrode
US6830817B2 (en) * 2001-12-21 2004-12-14 Guardian Industries Corp. Low-e coating with high visible transmission
KR100835920B1 (ko) 2001-12-27 2008-06-09 엘지디스플레이 주식회사 터치패널 일체형 액정패널
US7144837B2 (en) 2002-01-28 2006-12-05 Guardian Industries Corp. Clear glass composition with high visible transmittance
US7169722B2 (en) * 2002-01-28 2007-01-30 Guardian Industries Corp. Clear glass composition with high visible transmittance
US7037869B2 (en) * 2002-01-28 2006-05-02 Guardian Industries Corp. Clear glass composition
US6919133B2 (en) * 2002-03-01 2005-07-19 Cardinal Cg Company Thin film coating having transparent base layer
TWI254080B (en) * 2002-03-27 2006-05-01 Sumitomo Metal Mining Co Transparent conductive thin film, process for producing the same, sintered target for producing the same, and transparent, electroconductive substrate for display panel, and organic electroluminescence device
FR2844136B1 (fr) * 2002-09-03 2006-07-28 Corning Inc Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques
FR2844364B1 (fr) * 2002-09-11 2004-12-17 Saint Gobain Substrat diffusant
US7141863B1 (en) * 2002-11-27 2006-11-28 University Of Toledo Method of making diode structures
TW583466B (en) * 2002-12-09 2004-04-11 Hannstar Display Corp Structure of liquid crystal display
US6975067B2 (en) 2002-12-19 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
TWI232066B (en) * 2002-12-25 2005-05-01 Au Optronics Corp Manufacturing method of organic light emitting diode for reducing reflection of external light
JP4241446B2 (ja) * 2003-03-26 2009-03-18 キヤノン株式会社 積層型光起電力素子
JP5068946B2 (ja) * 2003-05-13 2012-11-07 旭硝子株式会社 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法
US20040244829A1 (en) 2003-06-04 2004-12-09 Rearick Brian K. Coatings for encapsulation of photovoltaic cells
US7087309B2 (en) * 2003-08-22 2006-08-08 Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A. (C.R.V.C.) Coated article with tin oxide, silicon nitride and/or zinc oxide under IR reflecting layer and corresponding method
US7153579B2 (en) 2003-08-22 2006-12-26 Centre Luxembourgeois de Recherches pour le Verre et la Ceramique S.A, (C.R.V.C.) Heat treatable coated article with tin oxide inclusive layer between titanium oxide and silicon nitride
JP4761706B2 (ja) * 2003-12-25 2011-08-31 京セラ株式会社 光電変換装置の製造方法
US8524051B2 (en) * 2004-05-18 2013-09-03 Centre Luxembourg de Recherches pour le Verre et al Ceramique S. A. (C.R.V.C.) Coated article with oxidation graded layer proximate IR reflecting layer(s) and corresponding method
US20050257824A1 (en) * 2004-05-24 2005-11-24 Maltby Michael G Photovoltaic cell including capping layer
US7196835B2 (en) * 2004-06-01 2007-03-27 The Trustees Of Princeton University Aperiodic dielectric multilayer stack
US7700869B2 (en) * 2005-02-03 2010-04-20 Guardian Industries Corp. Solar cell low iron patterned glass and method of making same
US7531239B2 (en) * 2005-04-06 2009-05-12 Eclipse Energy Systems Inc Transparent electrode
US7743630B2 (en) * 2005-05-05 2010-06-29 Guardian Industries Corp. Method of making float glass with transparent conductive oxide (TCO) film integrally formed on tin bath side of glass and corresponding product
US7700870B2 (en) * 2005-05-05 2010-04-20 Guardian Industries Corp. Solar cell using low iron high transmission glass with antimony and corresponding method
US8093491B2 (en) 2005-06-03 2012-01-10 Ferro Corporation Lead free solar cell contacts
US7597964B2 (en) * 2005-08-02 2009-10-06 Guardian Industries Corp. Thermally tempered coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating
JP2007067194A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Fujifilm Corp 有機光電変換素子、および積層型光電変換素子
US20070184573A1 (en) * 2006-02-08 2007-08-09 Guardian Industries Corp., Method of making a thermally treated coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating for use in a semiconductor device
KR20070081184A (ko) * 2006-02-10 2007-08-16 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US20070193624A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Guardian Industries Corp. Indium zinc oxide based front contact for photovoltaic device and method of making same
US7557053B2 (en) * 2006-03-13 2009-07-07 Guardian Industries Corp. Low iron high transmission float glass for solar cell applications and method of making same
US8648252B2 (en) * 2006-03-13 2014-02-11 Guardian Industries Corp. Solar cell using low iron high transmission glass and corresponding method
US20080047602A1 (en) * 2006-08-22 2008-02-28 Guardian Industries Corp. Front contact with high-function TCO for use in photovoltaic device and method of making same
US20080047603A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Guardian Industries Corp. Front contact with intermediate layer(s) adjacent thereto for use in photovoltaic device and method of making same
US7964788B2 (en) * 2006-11-02 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8012317B2 (en) * 2006-11-02 2011-09-06 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080302414A1 (en) * 2006-11-02 2008-12-11 Den Boer Willem Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8203073B2 (en) * 2006-11-02 2012-06-19 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
WO2008063305A2 (en) * 2006-11-02 2008-05-29 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105298A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8076571B2 (en) * 2006-11-02 2011-12-13 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105299A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105293A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080178932A1 (en) * 2006-11-02 2008-07-31 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US8334452B2 (en) * 2007-01-08 2012-12-18 Guardian Industries Corp. Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like
US20080169021A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Guardian Industries Corp. Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like
US20080223430A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
US20080223436A1 (en) * 2007-03-15 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Back reflector for use in photovoltaic device
US20080308145A1 (en) 2007-06-12 2008-12-18 Guardian Industries Corp Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080308146A1 (en) 2007-06-14 2008-12-18 Guardian Industries Corp. Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
JP4531800B2 (ja) * 2007-11-13 2010-08-25 本田技研工業株式会社 水素製造発電システム及びその停止方法
US7888594B2 (en) * 2007-11-20 2011-02-15 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
US20090194157A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US20090194155A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same

Also Published As

Publication number Publication date
BRPI0911773A2 (pt) 2019-09-24
US20110214733A1 (en) 2011-09-08
EP2279528A1 (en) 2011-02-02
WO2009134302A1 (en) 2009-11-05
US20080308151A1 (en) 2008-12-18
US7964788B2 (en) 2011-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SA109300244B1 (ar) الكترود أمامي للاستخدام في جهاز ڤٌلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه
US8076571B2 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8203073B2 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105302A1 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8022291B2 (en) Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device
EP2154727B1 (en) Solar cells provided with color modulation and method for fabricating the same
US7888594B2 (en) Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
US20080302414A1 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080223436A1 (en) Back reflector for use in photovoltaic device
US11431282B2 (en) Glass cover with optical-filtering coating for managing color of a solar roof tile
US20080105298A1 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080178932A1 (en) Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
EP2276069A2 (en) Front electrode including transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
JP4940309B2 (ja) 太陽電池
WO2008063305A2 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same