RU95121861A - Полупроводниковый датчик давления - Google Patents
Полупроводниковый датчик давленияInfo
- Publication number
- RU95121861A RU95121861A RU95121861/28A RU95121861A RU95121861A RU 95121861 A RU95121861 A RU 95121861A RU 95121861/28 A RU95121861/28 A RU 95121861/28A RU 95121861 A RU95121861 A RU 95121861A RU 95121861 A RU95121861 A RU 95121861A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- pressure sensor
- semiconductor pressure
- semiconductor
- gate electrode
- dielectric layer
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
Claims (1)
- Полупроводниковый датчик давления, содержащий металлдиэлектрическую полупроводниковую структуру, выполненную в виде полупроводниковой подложки одного типа проводимости со сформированными в ней диффузионными областями другого типа проводимости и затвор, отделенный от подложки слоем диэлектрика, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений и уровня технологичности изготовления, а также расширения диапазона работы датчика давления, в него введены силовые чувствительные резисторы, электрод-затвор выполнен из синтетического материала, например из проводящего эластомера, слой диэлектрика между электродами выполнен сплошным с воздушным зазором между ним и электрод-затвором, причем диффузионные области и сами электроды истока и стока выполнены в виде встречно-штырьевых структур.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU95121861A RU2134869C1 (ru) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | Полупроводниковый датчик давления |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU95121861A RU2134869C1 (ru) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | Полупроводниковый датчик давления |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU95121861A true RU95121861A (ru) | 1997-12-27 |
| RU2134869C1 RU2134869C1 (ru) | 1999-08-20 |
Family
ID=20175051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU95121861A RU2134869C1 (ru) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | Полупроводниковый датчик давления |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2134869C1 (ru) |
-
1995
- 1995-12-26 RU RU95121861A patent/RU2134869C1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900003896A (ko) | 반도체 메모리와 그 제조방법 | |
| KR890702022A (ko) | 가연성 가스센서 | |
| KR970003739A (ko) | 박막 트랜지스터를 이용한 생화학적 감지기 및 그 제조 방법 | |
| KR840006873A (ko) | 반도체 메모리 | |
| KR940003098A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR960036125A (ko) | 반도체장치 | |
| KR980003732A (ko) | 액정표시소자의 제조방법 | |
| KR900019234A (ko) | 반도체기억장치 | |
| KR900019261A (ko) | 반도체장치 | |
| KR870008395A (ko) | 절연게이트 전계효과 트랜지스터 | |
| KR940006395A (ko) | 고체촬상장치 및 그 제조방법 | |
| KR960019766A (ko) | 에스오아이(soi) 기판상의 모스페트(mosfet) | |
| WO2005012896A8 (de) | Kapazitiv kontrollierter feldeffekt-gassensor, enthaltend eine hydrophobe schicht | |
| KR910008861A (ko) | 집적회로소자 | |
| RU95121861A (ru) | Полупроводниковый датчик давления | |
| KR910020740A (ko) | 반도체기억장치 | |
| KR930022575A (ko) | 전하 전송 촬상 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR920008964A (ko) | 전송 전하 증폭 장치 | |
| KR880002039A (ko) | 광전변환장치 | |
| KR910017656A (ko) | 반도체장치 | |
| KR870009483A (ko) | 고체촬상장치 | |
| KR860001489A (ko) | 반도체장치 | |
| KR920005814A (ko) | 전계효과트랜지스터, 메모리셀, 반도체기억장치 및 전계효과트랜지스터의 제조방법 | |
| KR910008853A (ko) | 반도체장치와 그 제조방법 | |
| JPS6467970A (en) | Thin film transistor |