RU2665263C1 - Способ контроля конструкции с мдп-структурой в тонкопленочных транзисторах и система для осуществления контроля - Google Patents

Способ контроля конструкции с мдп-структурой в тонкопленочных транзисторах и система для осуществления контроля Download PDF

Info

Publication number
RU2665263C1
RU2665263C1 RU2017117490A RU2017117490A RU2665263C1 RU 2665263 C1 RU2665263 C1 RU 2665263C1 RU 2017117490 A RU2017117490 A RU 2017117490A RU 2017117490 A RU2017117490 A RU 2017117490A RU 2665263 C1 RU2665263 C1 RU 2665263C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
mis structure
capacitance
silicon nitride
voltage
voltage characteristics
Prior art date
Application number
RU2017117490A
Other languages
English (en)
Inventor
Сяндун ЦЮЭ
Original Assignee
Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд. filed Critical Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.
Application granted granted Critical
Publication of RU2665263C1 publication Critical patent/RU2665263C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/51—Insulating materials associated therewith
    • H01L29/518—Insulating materials associated therewith the insulating material containing nitrogen, e.g. nitride, oxynitride, nitrogen-doped material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
    • H01L29/66181—Conductor-insulator-semiconductor capacitors, e.g. trench capacitors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136254—Checking; Testing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области техники жидкокристаллических дисплеев, в частности к контролю конструкции с МДП-структурой (структурой металл - диэлектрик - полупроводник) в ТПТ (тонкопленочных транзисторах) и его системе. Раскрыт способ контроля конструкции с МДП-структурой (структурой металл - диэлектрик - полупроводник) в ТПТ (тонкопленочных транзисторах). Техническим результатом является обеспечение улучшения функционирования и стабильности жидкокристаллических дисплеев на тонкопленочных транзисторах за счет эффективного контроля конструкции МДП-структуры. В способе контроля конструкции с МДП-структурой в ТПТ получают диэлектрическую постоянную нитрида кремния в МДП-структуре, рассчитанную путем вычисления. Оценивают, достигает ли диэлектрическая постоянная нитрида кремния значения, заданного в процедуре изготовления ТПТ. Корректируют параметры МДП-структуры так, чтобы после корректировки обеспечивалось достижение диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре значения, заданного в процедуре изготовления ТПТ. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 9 ил.

Description

Перекрестная ссылка на родственные заявки
В заявке на настоящее изобретение испрашивается приоритет на основании китайской заявки на патент CN 201410579313.7 под названием «Способ контроля конструкции с МДП-структурой в ТПТ и его система», поданной 24 октября 2014 г., которая приведена в полном объеме в описании настоящей заявки в качестве ссылки.
Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к области техники жидкокристаллических дисплеев, в частности, к способу контроля конструкции с МДП-структурой (структурой металл - диэлектрик - полупроводник) в ТПТ (тонкопленочных транзисторах) и его системе.
Предпосылки создания изобретения
В последние годы с учетом тенденции утоньшения дисплеев широко использовались жидкокристаллические дисплеи (сокращенно ЖК-дисплеи) в различных электронных приборах, таких как мобильные телефоны, ноутбуки, цветные телевизоры и т.д.
Жидкокристаллические дисплеи на тонкопленочных транзисторах производятся путем последовательного проведения процедур матрицы, ячейки и модуля. Среди всех процедур процедура матрицы, аналогичная процедуре полупроводника, включает формирование устройств на тонкопленочных транзисторах, пикселей и других структур на стеклянной подложке согласно соответствующим требованиям.
В отличие от процедуры полупроводника, в процессе производства тонкопленочных транзисторов структура металл-диэлектрик-полупроводник (сокращенно МПД-структура), по существу, использует нитрид кремния, выращенный методом плазмохимического осаждения из газовой фазы (сокращенно ПХО или ПХГФО), вместо тонкого SiO2, выращенного на кремниевой подложке методом прямого окисления, в качестве затвора для активации изоляционного слоя. Следовательно, свойства нитрида кремния очень важны для характеристик тонкопленочных транзисторов.
Однако, до сих пор отсутствует эффективный способ контроля конструкции с МДП-структурой в тонкопленочных транзисторах в данной области техники, а также определения МДП-структуры в тонкопленочных транзисторах. Таким образом, способ нуждается в срочном решении вышеуказанных проблем.
Краткое описание изобретения
Одной из проблем, которые решаются настоящим изобретением, является создание способа контроля конструкции с МДП-структурой в тонкопленочных транзисторах. Благодаря этому способу желательная МДП-структура может быть эффективно получена при проектировании МДП-структуры. Настоящее раскрытие изобретения дополнительно предусматривает систему контроля конструкции с МДП-структурой в тонкопленочных транзисторах.
1) Настоящее изобретение предусматривает способ контроля конструкции с МДП-структурой в тонкопленочных транзисторах, включающий: получение диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре, рассчитанной путем вычисления; и оценку, достигает ли диэлектрическая постоянная нитрида кремния значения, заданного в процедуре изготовления тонкопленочных транзисторов, причем, если получается отрицательный результат оценки, параметры МДП-структуры корректируются так, чтобы после корректировки обеспечивалось достижение диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре значения, заданного в процедуре изготовления тонкопленочных транзисторов.
2) В одном предпочтительном варианте осуществления изобретения в соответствии с пунктом 1) настоящего раскрытия изобретения этап получения диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре, рассчитанной путем вычисления, дополнительно включает: получение кривой вольт-фарадных характеристик МДП-структуры путем проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик; определение значения толщины пленки нитрида кремния в МДП-структуре; и получение диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре путем вычисления на основе максимального значения емкости на кривой вольт-фарадных характеристик МДП-структуры и значения толщины пленки нитрида кремния в МДП-структуре.
3) В одном предпочтительном варианте осуществления изобретения в соответствии с пунктом 1) или 2) настоящего раскрытия изобретения диэлектрическую постоянную εi нитрида кремния в МДП-структуре получают по следующей формуле:
Figure 00000001
где Cmax, di, A, и ε0 соответственно являются максимальным значением емкости МДП-структуры, значением толщины пленки нитрида кремния в МДП-структуре, площадью электрода и вакуумной диэлектрической постоянной.
4) В одном предпочтительном варианте осуществления изобретения согласно любому из пунктов с 1) по 3) этап получения кривой вольт-фарадных характеристик МДП-структуры путем проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик дополнительно включает: подачу сигнала высокочастотного напряжения в МДП-структуру, регулируя сигнал высокочастотного напряжения от первого напряжения до второго напряжения с заранее определенными интервалами напряжения, чтобы получить множество распределенных значений вольт-фарадных характеристик, и соединив все точки, представляющие распределенные значения вольт-фарадных характеристик, сформировать кривую вольт-фарадных характеристик МДП-структуры.
5) Согласно другому аспекту настоящего изобретения дополнительно предусматривается система контроля конструкции с МДП-структурой в тонкопленочных транзисторах, содержащая: вычислительное устройство, которое выполнено с возможностью получения диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре, рассчитанной путем вычисления; и устройство оценки, которое выполнено с возможностью оценки того, достигает ли диэлектрическая постоянная нитрида кремния значения, заданного в процедуре изготовления тонкопленочных транзисторов, причем, если получается отрицательный результат оценки, параметры МДП-структуры корректируются так, чтобы после корректировки обеспечивалось достижение диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре значения, заданного в процедуре изготовления тонкопленочных транзисторов.
6) В одном предпочтительном варианте осуществления изобретения в соответствии с пунктом 5) настоящего раскрытия изобретения вычислительное устройство дополнительно содержит: контрольное устройство для проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик, которое выполнено с возможностью получения кривой вольт-фарадных характеристик МДП-структуры путем проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик; устройство для измерения толщины пленки, которое выполнено с возможностью определения значения толщины пленки нитрида кремния в МДП-структуре; и вычислитель, который выполнен с возможностью получения диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре путем вычисления на основе максимального значения емкости на кривой вольт-фарадных характеристик МДП-структуры и значения толщины пленки нитрида кремния в МДП-структуре.
7) В одном предпочтительном варианте осуществления изобретения в соответствии с пунктом 5) или 6) настоящего раскрытия изобретения вычислитель получает диэлектрическую постоянную εi нитрида кремния в МДП-структуре по следующей формуле:
Figure 00000002
где Cmax, di, A, и ε0 соответственно являются максимальным значением емкости МДП-структуры, значением толщины пленки нитрида кремния в МДП-структуре, площадью электрода и вакуумной диэлектрической постоянной.
8) В одном предпочтительном варианте осуществления изобретения в соответствии с любым из пунктов с 5) по 7) настоящего раскрытия изобретения контрольное устройство для проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик содержит: измеритель высокочастотных вольт-фарадных характеристик, который выполнен с возможностью подачи сигнала высокочастотного напряжения в МДП-структуру и регулировки сигнала высокочастотного напряжения от первого напряжения до второго напряжения с заранее определенными интервалами напряжения, чтобы получить множество распределенных значений вольт-фарадных характеристик; и регистратор функции X-Y, который соединен с измерителем высокочастотных вольт-фарадных характеристик и выполнен с возможностью соединения всех точек, представляющих множество распределенных выходных значений вольт-фарадных характеристик с измерителя высокочастотных вольт-фарадных характеристик для формирования кривой вольт-фарадных характеристик МДП-структуры.
По сравнению с предшествующим уровнем техники один или несколько вариантов осуществления настоящего изобретения имеют следующие преимущества.
Согласно настоящему изобретению характеристики диэлектрического слоя в предварительно спроектированной МДП-структуре проверяются для получения диэлектрической постоянной содержащегося в ней нитрида кремния. Затем оценивается, удовлетворяет ли диэлектрическая постоянная нитрида кремния требованиям, предъявляемым к процедуре изготовления тонкопленочных транзисторов, чтобы можно было определить, соответствует ли МДП-структура, разработанная в настоящее время, требуемой структуре. Если это не так, параметры МДП-структуры могут быть скорректированы для получения требуемой МДП-структуры. Следовательно, конструкция с МДП-структурой может эффективно контролироваться в соответствии с настоящим изобретением, благодаря чему улучшается функционирование и стабильность жидкокристаллических дисплеев на тонкопленочных транзисторах.
Другие признаки и преимущества настоящего изобретения будут более подробно объяснены в нижеследующем описании и частично станут очевидными из него или понятными путем реализации настоящего изобретения. Цели и преимущества настоящего изобретения будут достигаться посредством структуры, конкретно указанной в описании, формуле изобретения и прилагаемых чертежах.
Краткое описание чертежей
Прилагаемые чертежи предназначены для дополнительного понимания настоящего изобретения и представляют собой одну часть описания. Они служат для объяснения настоящего изобретения в сочетании с вариантами осуществления изобретения, а не для ограничения настоящего изобретения каким-либо образом. На чертежах:
На фиг. 1 схематически показана блок-схема способа контроля конструкции с МДП-структурой в тонкопленочных транзисторах в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
На фиг. 2 схематически показана блок-схема способа измерения диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
На фиг. 3 схематически показана МДП-структура;
На фиг. 4 показана эквивалентная схема МДП-структуры;
На фиг. 5 показан примерный график предварительно спроектированного МДП-конденсатора;
На фиг. 6 схематически показано поперечное сечение МДП-конденсатора, показанного на фиг. 5;
На фиг. 7 схематически показана структура системы контроля конструкции с МДП-структурой в тонкопленочных транзисторах в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
На фиг. 8 схематически показана структура контрольного устройства для проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик 710; и
На фиг. 9 показан график кривой вольт-фарадных характеристик, полученной в результате проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик с помощью контрольного устройства 710.
Подробное описание вариантов осуществления изобретения
Чтобы более подробно представить цель, техническое решение и преимущества настоящего изобретения, настоящее изобретение будет дополнительно подробно объяснено вместе с прилагаемыми чертежами.
Во время изготовления тонкопленочных транзисторов диэлектрический слой затвора может напрямую влиять на надежность изделий на тонкопленочных транзисторах. И в процессе изготовления обычно предполагается, что можно получить нитрид кремния с высокой диэлектрической постоянной и минимально подверженный ионным загрязнениям, а между нитридом кремния и полупроводниковым слоем существуют лишь незначительные межфазные дефекты. Таким образом, изделия на тонкопленочных транзисторах с прекрасными свойствами и высокой надежностью могут быть защищены. В вариантах осуществления настоящего изобретения процедура изготовления может быть оптимизирована, главным образом, путем проверки диэлектрической постоянной диэлектрического слоя нитрида кремния в МДП-структуре, как было предусмотрено. Следовательно, может быть получена желательная МДП-структура, имеющая высокую диэлектрическую постоянную нитрида кремния.
Вариант осуществления 1
На фиг. 1 схематически показана блок-схема способа контроля конструкции с МДП-структурой в тонкопленочных транзисторах в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Обратимся к фиг. 1, чтобы проиллюстрировать этапы способа.
На этапе S110 диэлектрическая постоянная нитрида кремния в МДП-структуре, как и было предусмотрено, получается путем вычисления.
Ниже будет приведен пример, поясняющий, как можно вычислить диэлектрическую постоянную нитрида кремния в МДП-структуре. На фиг. 2 схематически показана блок-схема подэтапов на этапе S110 в соответствии с первым вариантом осуществления настоящего изобретения.
Как показано на фиг. 2, на подэтапе S1101 кривая статических вольт-фарадных характеристик (сокращенно C-V кривая) исследуемой МДП-структуры может быть сначала получена путем проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик. В частности, сигнал высокочастотного напряжения может быть подан в МДП-структуру и отрегулирован от первого напряжения до второго напряжения с заранее определенными интервалами напряжения, чтобы получить множество распределенных значений вольт-фарадных характеристик. Все точки, представляющие множество распределенных значений вольт-фарадных характеристик, могут быть соединены для формирования кривой статических вольт-фарадных характеристик МДП-структуры.
Затем, как показано на подэтапе S1102, может быть определено значение толщины пленки нитрида кремния в исследуемой МДП-структуре. Наконец, на подэтапе S1103 диэлектрическая постоянная нитрида кремния в исследуемой МДП-структуре может быть получена путем вычисления, основанного на максимальном значение емкости на кривой статических вольт-фарадных характеристик исследуемой МДП-структуры и значение толщины пленки нитрида кремния в исследуемой МДП-структуре.
На подэтапе S1103 диэлектрическую постоянную εi нитрида кремния в МДП-структуре получают по следующей формуле:
Figure 00000003
где Cmax, di, A, и ε0 соответственно являются максимальным значением емкости МДП-структуры, значением толщины пленки нитрида кремния в МДП-структуре, площадью электрода и вакуумной диэлектрической постоянной.
На этапе S120 оценивается, достигает ли диэлектрическая постоянная нитрида кремния значения, заданного в процедуре изготовления тонкопленочных транзисторов. Если получается отрицательный результат оценки, параметры МДП-структуры корректируются так, чтобы после корректировки обеспечивалось достижение диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре значения, заданного в процедуре изготовления тонкопленочных транзисторов.
Изобретатель настоящего изобретения приобрел следующие знания в ходе многочисленных исследований.
МДП-структура подобна плоскому конденсатору, сформированному из металла и диэлектрика, как показано на фиг. 3. Тем не менее, поскольку плотность заряда в полупроводнике может быть намного меньше, чем в металле, зона объемного заряда, сформированная электрическими зарядами, имеет определенную толщину (обычно порядка микрона) на поверхности полупроводника (аморфный кремний 50, как показано на чертеже), принимая во внимание, что он просто образует тонкую пленку (примерно 0,1 нм) на поверхности металла. На фиг. 4 показана эквивалентная схема МДП-структуры. Толщина зоны объемного заряда на поверхности полупроводника меняется с напряжением смещения VG. Поэтому МДП-конденсатор является дифференциальным, в частности, как показано в формуле (1):
Figure 00000004
где QG является плотностью поверхностного заряда на металлическом электроде, а A - площадь электрода.
Необходимо, чтобы идеальная МДП-структура удовлетворяла следующим требованиям: (а) разность рабочих функций между металлом и полупроводником должна быть равна нулю (то есть идеальный омический контакт достигается посредством слоя N+ 40 на чертеже); (b) изолирующий слой затвора из нитрида кремния (далее называемый изолирующим слоем SiNx или SiNx) 60 не имеет заряда; и (3) на пограничном слое между изолирующим слоем SiNx 60 и полупроводником не существует пограничного состояния. Напряжение смещения VG частично действует на SiNx, называемое Vi, а частично в зоне объемного заряда на поверхности полупроводника, называемое Vs. То есть, VG удовлетворяет формуле (2) следующим образом:
Figure 00000005
где Vs можно также назвать поверхностным потенциалом.
Так как заряды в зоне объемного заряда на поверхности полупроводника и на металлическом электроде имеют одинаковые количественные характеристики, но противоположные электрические свойства, то существует следующая формула (3):
Figure 00000006
где QSC является поверхностной плотностью электрического заряда в зоне объемного заряда на поверхности полупроводника.
Поэтому, когда формулы (2) и (3) подставляются в формулу (1), можно получить формулу (4):
Figure 00000007
Формула (4) выше показывает, что МДП-конденсатор сформирован конденсаторами Ci и Cs, последовательно соединенными друг с другом, и имеет эквивалентную схему, показанную на фиг. 4. Ci представляет собой конденсатор слоя нитрида кремния с SiNx в качестве диэлектрика, и его значение не будет меняться в зависимости от VG, a Cs обозначает конденсатор зоны объемного заряда на поверхности полупроводника (аморфный кремний 50), и его значение будет меняться в зависимости от VG. Следовательно:
Figure 00000008
Figure 00000009
В формулах (5) и (6) εi, di и ε0 соответственно являются относительной диэлектрической постоянной SiNx, толщиной диэлектрического слоя SiNx и вакуумной диэлектрической постоянной. Из формул (4) и (5) можно сделать вывод, что максимальная емкость МДП-структуры следующая:
Figure 00000010
Поэтому диэлектрическая постоянная нитрида кремния в МДП-структуре может быть вычислена следующим образом:
Figure 00000011
Чтобы дополнительно объяснить способ настоящего изобретения, ниже будет приведен пример.
Пример
Можно предположить, что конструктивная структура МДП-конденсатора показана на фиг. 5, с поперечным сечением, показанным на фиг. 6.
На фиг. 5 показан вид сверху структуры, предназначенной для изделия в соответствии с настоящим изобретением, которая образует круг диаметром 500 мкм. Нетрудно понять, что размер диаметра не следует рассматривать как ограничение, а просто как пример. Специалисты в данной области техники могут выбрать любой размер по мере необходимости. Круговое поперечное сечение, показанное на фиг. 6, содержит снизу вверх стеклянную подложку 70 в качестве основания, первый слой металла 10 (металлический слой затвора), изолирующий слой затвора из нитрида кремния 60, полупроводниковый аморфный слой 50, слой N+ 40, второй слой металла 20 (металлический слой истока) и пассивирующий защитный слой из нитрида кремния 30.
Первый слой металла 10 (металлический слой затвора), полупроводниковый аморфный слой 50, слой N+ 40 и второй слой металла 20 (металлический слой истока) образуют круговую диаграмму, как показано на фиг. 5. Кроме того, первый слой металла 10 и второй слой металла 20 каждый приводит к прямоугольной площадке, имеющей размер 200 мкм * 300 мкм, для контакта с контрольным штырьком во время процедуры проверки. Толщина каждого из вышеуказанных слоев определяется процедурой изготовления тонкопленочных транзисторов и формируется при этом. Безусловно, вышеупомянутые размеры - это только примеры, не исключающие другие размеры конструкции.
На вышеуказанные площадки, контактирующие с двумя слоями металла, подается сигнал высокочастотного напряжения 1 МГц, который регулируется от -20 В до 20 В. Множество значений вольт-фарадных характеристик записывается с интервалами 50 мВ или 100 мВ при комнатной температуре, так что получается соответствующая C-V кривая. Максимальное значение емкости С МДП-структуры может быть затем получено согласно C-V кривой. Как можно понять из формулы (7), это максимальное значение емкости приблизительно равно емкости нитрида кремния в МДП-структуре.
Между тем, значение толщины пленки нитрида кремния можно измерить с помощью устройства для измерения толщины или сканирующего электронного микроскопа (сокращенно SEM) в процессе изготовления. Диэлектрическая постоянная нитрида кремния в исследуемой МДП-структуре может быть вычислена в соответствии с зависимостью между значением толщины пленки, площадью электрода, вакуумной диэлектрической постоянной и емкостью. Более высокое значение диэлектрической постоянной указывает на более впечатляющие изоляционные свойства нитрида кремния.
Наконец, оценивается, достигает ли диэлектрическая постоянная нитрида кремния значения, заданного в процедуре изготовления тонкопленочных транзисторов. Если нет, МДП-структура, разработанная в настоящее время, еще не удовлетворяет требованиям, и поэтому ее параметры должны быть дополнительно скорректированы.
Кроме того, МДП-структура, которая была разработана, также может быть проверена на качество ее функционирования. В частности, сначала может быть получена первая C-V кривая МДП-структуры. Затем МДП-структура сначала смещается при определенной температуре, а затем восстанавливает исходное положение. Вторая C-V кривая восстановленной МДП-структуры может быть дополнительно получена и сравнена с первой C-V кривой. Сдвиг на более низкое напряжение второй C-V кривой от первой C-V кривой указывает на лучшее функционирование нитрида кремния и более высокую надежность тонкопленочных транзисторов.
Согласно настоящему изобретению характеристики диэлектрического слоя в предварительно разработанной МДП-структуре проверяются для получения диэлектрической постоянной содержащегося в ней нитрида кремния. Затем оценивается, удовлетворяет ли диэлектрическая постоянная нитрида кремния требованиям, предъявляемым в процедуре изготовления тонкопленочных транзисторов, чтобы можно было определить, соответствует ли МДП-структура, разработанная в настоящее время, требуемой структуре. Если нет, параметры МДП-структуры могут быть скорректированы для получения желаемой МДП-структуры. Следовательно, конструкция с МДП-структурой может эффективно контролироваться в соответствии с настоящим изобретением, благодаря чему улучшается функционирование и стабильность жидкокристаллических дисплеев на тонкопленочных транзисторах.
Вариант осуществления 2
На фиг. 7 схематически показана структура системы контроля конструкции с МДП-структурой в тонкопленочных транзисторах в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Обратимся к фиг. 7, чтобы подробно проиллюстрировать структуру и функцию системы в соответствии с настоящим изобретением.
Как показано на фиг. 7, система содержит вычислительное устройство 700 и устройство оценки 800, соединенное с ним.
Вычислительное устройство 700 выполнено с возможностью получения диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре, рассчитанной путем вычисления.
Устройство оценки 800 выполнено с возможностью оценки того, достигает ли диэлектрическая постоянная нитрида кремния значения, заданного в процедуре изготовления тонкопленочных транзисторов, причем, если получается отрицательный результат оценки, параметры МДП-структуры корректируются так, чтобы после корректировки обеспечивалось достижение диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре значения, заданного в процедуре изготовления тонкопленочных транзисторов.
Вычислительное устройство 700 дополнительно содержит: контрольное устройство для проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик 710 (сокращенно контрольное устройство высокочастотных C-V), которое выполнено с возможностью получения кривой статических вольт-фарадных характеристик МДП-структуры путем проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик
На фиг. 8 схематически показана структура контрольного устройства для проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик 710. Как показано на фиг. 8, контрольное устройство для проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик 710 содержит: измеритель высокочастотных вольт-фарадных характеристик 711 (измеритель высокочастотных C-V, как показано на чертеже), который выполнен с возможностью подачи сигнала высокочастотного напряжения в МДП-структуру (отмечено «образец» на чертеже), предусмотренную на платформе образца 713, и регулировки сигнала высокочастотного напряжения от первого напряжения до второго напряжения с заранее определенными интервалами напряжения, чтобы получить множество распределенных значений вольт-фарадных характеристик.
Регистратор функции X-Y 712, который соединен с измерителем высокочастотных вольт-фарадных характеристик 711 и выполнен с возможностью соединения всех точек, представляющих множество распределенных выходных значений вольт-фарадных характеристик с измерителя высокочастотных вольт-фарадных характеристик 711 для формирования кривой статических вольт-фарадных характеристик МДП-структуры.
Кроме того, контрольное устройство для проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик 710 дополнительно содержит нагревательный блок 714, блок регулирования температуры 715 и блок охлаждения воды 716. Эти блоки могут быть установлены для проверки функционирования МДП-структуры, которая была разработана. В частности, сначала может быть получена первая C-V кривая (кривая статических вольт-фарадных характеристик) МДП-структуры. Затем МДП-структура сначала смещается при определенной температуре, а затем восстанавливает исходное положение. Вторая C-V кривая (кривая статических вольт-фарадных характеристик) восстановленной МДП-структуры может быть дополнительно получена и сравнена с первой C-V кривой. Сдвиг на более низкое напряжение второй C-V кривой от первой C-V кривой указывает на лучшее функционирование нитрида кремния и более высокую надежность тонкопленочных транзисторов.
Устройство для измерения толщины пленки 720 выполнено с возможностью определения значения толщины пленки нитрида кремния в МДП-структуре.
Вычислитель 730 выполнен с возможностью получения диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре путем вычисления на основе максимального значения емкости на кривой вольт-фарадных характеристик МДП-структуры и значения толщины пленки нитрида кремния в МДП-структуре.
В частности, вычислитель 730 получает диэлектрическую постоянную εi нитрида кремния в МДП-структуре по следующей формуле:
Figure 00000012
В вышеуказанной формуле Cmax, di, A, и ε0 соответственно являются максимальным значением емкости МДП-структуры, значением толщины пленки нитрида кремния в МДП-структуре, площадью электрода и вакуумной диэлектрической постоянной.
Контрольное устройство для проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик 710 может быть использовано для проверки на следующих этапах.
Для начала, измеритель высокочастотных вольт-фарадных характеристик 711 и регистратор функции X-Y 712 могут быть оба включены и предварительно прогреты в течение 10 мин. Затем могут быть определены нулевая точка и диапазон измерения регистратора функции X-Y 712. Кроме того, соответствующий диапазон измерения емкости измерителя высокочастотных вольт-фарадных характеристик 711 может быть выбран в соответствии с максимальным значением емкости исследуемого образца, который может быть оценен на основе известной площади электрода и толщины слоя окисления. Выбранный диапазон измерения емкости должен быть скорректирован. Измеритель высокочастотных вольт-фарадных характеристик 711 может выдавать значения емкости в соответствии с временем жизни неосновных носителей образца. Регистратор функции X-Y 712 может определять C-V кривую напряжения смещения на основе выходных значений. C-V кривая напряжения смещения в этот момент, однако, не такая, как требуется. Впоследствии сигнал высокочастотного напряжения 1 МГц может использоваться для проверки с предварительно выбранной скоростью 100 мВ в секунду. Если кривая глубокого обеднения все еще должна быть получена, скорость должна быть уменьшена до получения C-V кривой статических характеристик.
Вычислитель 730 может получить максимальное значение емкости Cmax при комнатной температуре в соответствии с C-V кривой статических характеристик.
Устройство для измерения толщины пленки 720 или сканирующий электронный микроскоп могут быть использованы для получения значения толщины пленки нитрида кремния путем измерения. Вычислитель 730 может, наконец, получить диэлектрическую постоянную нитрида кремния путем вычисления на основе максимального значения емкости и значения толщины пленки из нитрида кремния.
Измеритель высокочастотных вольт-фарадных характеристик 711 и регистратор функции X-Y 712 были использованы для проверки конструкции изделия, и C-V кривая, полученная в результате, показана на фиг. 9, с Cmax=3.212E-11F, A=πr2=3.14×(258×10-6)2=2.09×10-7(m2), и ε0=8.85×10-12 F/m.
Использовались сканирующий электронный микроскоп и нанотехнологии, и было установлено, что значение толщины пленки нитрида кремния составляет: di=3562A=3.562×10-7 m.
Следовательно,
Figure 00000013
В этот момент диэлектрическая постоянная нитрида кремния затвора равна 6,18, что является относительно высоким значением в пределах установленного диапазона от 5,8 до 6,3. Таким образом, это изделие может серийно выпускаться как готовое изделие.
Согласно настоящему изобретению характеристики диэлектрического слоя в предварительно спроектированной МДП-структуре проверяются для получения диэлектрической постоянной содержащегося в ней нитрида кремния. Затем оценивается, удовлетворяет ли диэлектрическая постоянная нитрида кремния требованиям, предъявляемым к процедуре изготовления тонкопленочных транзисторов, чтобы можно было определить, соответствует ли МДП-структура, разработанная в настоящее время, требуемой структуре. Если это не так, параметры МДП-структуры могут быть скорректированы для получения требуемой МДП-структуры. Следовательно, конструкция с МДП-структурой может эффективно контролироваться в соответствии с настоящим изобретением, благодаря чему улучшается функционирование и стабильность жидкокристаллических дисплеев на тонкопленочных транзисторах.
Вышеприведенное описание не следует истолковывать как ограничения настоящего изобретения, а просто как примеры его предпочтительных вариантов осуществления. Любые изменения или замены, которые могут быть легко предусмотрены специалистами в данной области техники, предполагаются в пределах области действия настоящего изобретения. Следовательно, область действия настоящего изобретения должна регулироваться областью действия, определенной в формуле изобретения.

Claims (29)

1. Способ контроля конструкции с МДП-структурой в тонкопленочных транзисторах, включающий:
получение диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре, рассчитанной путем вычисления; и
оценку, достигает ли диэлектрическая постоянная нитрида кремния значения, заданного в процедуре изготовления тонкопленочных транзисторов,
причем, если получается отрицательный результат оценки, параметры МДП-структуры корректируются так, чтобы после корректировки обеспечивалось достижение диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре значения, заданного в процедуре изготовления тонкопленочных транзисторов.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что этап получения диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре, рассчитанной путем вычисления, дополнительно включает:
получение кривой вольт-фарадных характеристик МДП-структуры путем проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик;
определение значения толщины пленки нитрида кремния в МДП-структуре и
получение диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре путем вычисления на основе максимального значения емкости на кривой вольт-фарадных характеристик МДП-структуры и значения толщины пленки нитрида кремния в МДП-структуре.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что диэлектрическую постоянную εi нитрида кремния в МДП-структуре получают по следующей формуле:
Figure 00000014
,
где Cmax, di, A, и ε0 соответственно являются максимальным значением емкости МДП-структуры, значением толщины пленки нитрида кремния в МДП-структуре, площадью электрода и диэлектрической постоянной в вакууме.
4. Способ по п. 2, отличающийся тем, что этап получения кривой вольт-фарадных характеристик МДП-структуры путем проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик дополнительно включает:
подачу сигнала высокочастотного напряжения в МДП-структуру, регулируя сигнал высокочастотного напряжения от первого напряжения до второго напряжения с заранее определенными интервалами напряжения, чтобы получить множество распределенных значений вольт-фарадных характеристик, и соединение всех точек, представляющих распределенные значения вольт-фарадных характеристик, для формирования кривой вольт-фарадных характеристик МДП-структуры.
5. Способ по п. 3, отличающийся тем, что этап получения кривой вольт-фарадных характеристик МДП-структуры путем проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик дополнительно включает:
подачу сигнала высокочастотного напряжения в МДП-структуру, регулируя сигнал высокочастотного напряжения от первого напряжения до второго напряжения с заранее определенными интервалами напряжения, чтобы получить множество распределенных значений вольт-фарадных характеристик, и соединение всех точек, представляющих распределенные значения вольт-фарадных характеристик, для формирования кривой вольт-фарадных характеристик МДП-структуры.
6. Система контроля конструкции с МДП-структурой в тонкопленочных транзисторах, содержащая:
вычислительное устройство, выполненное с возможностью получения диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре, рассчитанной путем вычисления; и
устройство оценки, выполненное с возможностью оценки того, достигает ли диэлектрическая постоянная нитрида кремния значения, заданного в процедуре изготовления тонкопленочных транзисторов,
причем, если получается отрицательный результат оценки, параметры МДП-структуры корректируются так, чтобы после корректировки обеспечивалось достижение диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре значения, заданного в процедуре изготовления тонкопленочных транзисторов.
7. Система по п. 6, отличающаяся тем, что вычислительное устройство дополнительно содержит:
контрольное устройство для проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик, выполненное с возможностью получения кривой вольт-фарадных характеристик МДП-структуры путем проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик;
устройство для измерения толщины пленки, выполненное с возможностью определения значения толщины пленки нитрида кремния в МДП-структуре; и
вычислитель, выполненный с возможностью получения диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре путем вычисления на основе максимального значения емкости на кривой вольт-фарадных характеристик МДП-структуры и значения толщины пленки нитрида кремния в МДП-структуре.
8. Система по п. 7, отличающаяся тем, что вычислитель получает диэлектрическую постоянную εi нитрида кремния в МДП-структуре по следующей формуле:
Figure 00000015
,
где Cmax, di, A, и ε0 соответственно являются максимальным значением емкости МДП-структуры, значением толщины пленки нитрида кремния в МДП-структуре, площадью электрода и диэлектрической постоянной в вакууме.
9. Система по п. 7, отличающаяся тем, что контрольное устройство для проверки высокочастотных вольт-фарадных характеристик содержит:
измеритель высокочастотных вольт-фарадных характеристик, выполненный с возможностью подачи сигнала высокочастотного напряжения в МДП-структуру и регулировки сигнала высокочастотного напряжения от первого напряжения до второго напряжения с заранее определенными интервалами напряжения, чтобы получить множество распределенных значений вольт-фарадных характеристик; и
регистратор функции X-Y, соединенный с измерителем высокочастотных вольт-фарадных характеристик и выполненный с возможностью соединения всех точек, представляющих множество распределенных выходных значений вольт-фарадных характеристик с измерителя высокочастотных вольт-фарадных характеристик, для формирования кривой вольт-фарадных характеристик МДП-структуры.
RU2017117490A 2014-10-24 2014-12-29 Способ контроля конструкции с мдп-структурой в тонкопленочных транзисторах и система для осуществления контроля RU2665263C1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410579313.7A CN104282250B (zh) 2014-10-24 2014-10-24 Tft 中mis 结构设计的控制方法及系统
CN201410579313.7 2014-10-24
PCT/CN2014/095343 WO2016061893A1 (zh) 2014-10-24 2014-12-29 Tft中mis结构设计的控制方法及系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2665263C1 true RU2665263C1 (ru) 2018-08-28

Family

ID=52257086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017117490A RU2665263C1 (ru) 2014-10-24 2014-12-29 Способ контроля конструкции с мдп-структурой в тонкопленочных транзисторах и система для осуществления контроля

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9857655B2 (ru)
JP (1) JP6502490B2 (ru)
KR (1) KR101947931B1 (ru)
CN (1) CN104282250B (ru)
DE (1) DE112014006986T5 (ru)
GB (1) GB2547134A (ru)
RU (1) RU2665263C1 (ru)
WO (1) WO2016061893A1 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109696583B (zh) * 2019-02-26 2021-07-13 航天材料及工艺研究所 用于介电性能测试的氮化硅纤维试样、制样方法及测试方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2183882C2 (ru) * 1998-01-28 2002-06-20 Тин Филм Электроникс Аса Способ формирования электропроводящих или полупроводниковых трехмерных структур и способы уничтожения этих структур
US20040183116A1 (en) * 2000-08-11 2004-09-23 Hag-Ju Cho Integrated circuit devices having dielectric regions protected with multi-layer insulation structures and methods of fabricating same
CN101017153A (zh) * 2006-03-13 2007-08-15 信息产业部电子第五研究所 一种评估和监测介质层质量和可靠性的方法
US20100072581A1 (en) * 2008-09-25 2010-03-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Composition for film formation, insulating film, semiconductor device, and process for producing the semiconductor device
WO2013125696A1 (ja) * 2012-02-24 2013-08-29 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5650361A (en) * 1995-11-21 1997-07-22 The Aerospace Corporation Low temperature photolytic deposition of aluminum nitride thin films
KR100205318B1 (ko) * 1996-10-11 1999-07-01 구본준 자유전율의 절연막 제조방법
JP3736740B2 (ja) * 2000-12-12 2006-01-18 シャープ株式会社 絶縁膜容量評価装置および絶縁膜容量評価方法
US6642131B2 (en) * 2001-06-21 2003-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of forming a silicon-containing metal-oxide gate dielectric by depositing a high dielectric constant film on a silicon substrate and diffusing silicon from the substrate into the high dielectric constant film
JP3909712B2 (ja) * 2003-10-10 2007-04-25 セイコーエプソン株式会社 静電容量検出装置
US20050204864A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Borland William J Thick-film dielectric and conductive compositions
US7688569B2 (en) * 2004-03-16 2010-03-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick-film dielectric and conductive compositions
JP4441927B2 (ja) * 2004-10-12 2010-03-31 セイコーエプソン株式会社 静電容量検出装置
US20080248596A1 (en) * 2007-04-04 2008-10-09 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Method of making a circuitized substrate having at least one capacitor therein
JP2006269734A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Seiko Epson Corp 半導体素子を評価する方法および装置、半導体素子を製造する方法、ならびにプログラム
US7521946B1 (en) * 2005-04-06 2009-04-21 Kla-Tencor Technologies Corporation Electrical measurements on semiconductors using corona and microwave techniques
US7295022B2 (en) * 2005-08-31 2007-11-13 Solid State Measurements, Inc. Method and system for automatically determining electrical properties of a semiconductor wafer or sample
US7712373B2 (en) * 2006-03-03 2010-05-11 Nagle H Troy Sensor device for real-time monitoring or relative movement using capacitive fabric sensors
JP2009170439A (ja) * 2008-01-10 2009-07-30 Panasonic Corp ゲート絶縁膜の形成方法
US8106455B2 (en) * 2009-04-30 2012-01-31 International Business Machines Corporation Threshold voltage adjustment through gate dielectric stack modification
CN101655526B (zh) * 2009-09-10 2012-05-30 复旦大学 一种快速电压扫描测量铁电薄膜微分电容的方法
JP5521726B2 (ja) * 2010-04-16 2014-06-18 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
CN102346232A (zh) * 2010-07-30 2012-02-08 中国科学院微电子研究所 一种通过肖特基测试图形检测GaN基HEMT可靠性的方法
CN102110601B (zh) * 2010-12-03 2012-12-12 复旦大学 制备可测量mos电容器低频cv曲线的器件结构的方法
CN102176421A (zh) * 2011-03-15 2011-09-07 上海宏力半导体制造有限公司 Mos管栅极氧化层累积厚度的测量方法
CN102520020A (zh) * 2011-12-12 2012-06-27 复旦大学 寄生效应对电导法表征Ge衬底界面态所产生的干扰的修正方法
US8871425B2 (en) * 2012-02-09 2014-10-28 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Low dielectric photoimageable compositions and electronic devices made therefrom
TWI511257B (zh) * 2013-07-30 2015-12-01 Univ Nat Chiao Tung 半導體元件之內連接結構
US9082729B2 (en) * 2013-11-20 2015-07-14 Intermolecular, Inc. Combinatorial method for solid source doping process development
CN105336680B (zh) * 2014-08-13 2020-02-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件及其制作方法和电子装置
US10332684B2 (en) * 2015-07-19 2019-06-25 Vq Research, Inc. Methods and systems for material cladding of multilayer ceramic capacitors

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2183882C2 (ru) * 1998-01-28 2002-06-20 Тин Филм Электроникс Аса Способ формирования электропроводящих или полупроводниковых трехмерных структур и способы уничтожения этих структур
US20040183116A1 (en) * 2000-08-11 2004-09-23 Hag-Ju Cho Integrated circuit devices having dielectric regions protected with multi-layer insulation structures and methods of fabricating same
CN101017153A (zh) * 2006-03-13 2007-08-15 信息产业部电子第五研究所 一种评估和监测介质层质量和可靠性的方法
US20100072581A1 (en) * 2008-09-25 2010-03-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Composition for film formation, insulating film, semiconductor device, and process for producing the semiconductor device
WO2013125696A1 (ja) * 2012-02-24 2013-08-29 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104282250A (zh) 2015-01-14
GB201705786D0 (en) 2017-05-24
GB2547134A (en) 2017-08-09
CN104282250B (zh) 2016-08-31
DE112014006986T5 (de) 2017-06-22
JP2018503240A (ja) 2018-02-01
KR20170073636A (ko) 2017-06-28
US20160252765A1 (en) 2016-09-01
US9857655B2 (en) 2018-01-02
JP6502490B2 (ja) 2019-04-17
WO2016061893A1 (zh) 2016-04-28
KR101947931B1 (ko) 2019-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103197478B (zh) 一种阵列基板及液晶显示装置
US10008421B2 (en) Capacitance monitoring using x-ray diffraction
TWI608599B (zh) 顯示面板
RU2665263C1 (ru) Способ контроля конструкции с мдп-структурой в тонкопленочных транзисторах и система для осуществления контроля
CN103681692A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN105895548B (zh) 一种基于栅调制产生电流提取mosfet衬底掺杂浓度的方法
CN107063487A (zh) 温度传感器、显示面板和显示装置
US9638943B2 (en) LCD panel and manufacturing method thereof
US7521946B1 (en) Electrical measurements on semiconductors using corona and microwave techniques
CN104716065B (zh) 金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性修正方法
US20230326809A1 (en) Standard wafers, method of making the same and calibration method
CN108257941A (zh) 半导体器件的测试结构和测试方法
CN202870441U (zh) 阵列基板、显示装置和线宽测量装置
US6377067B1 (en) Testing method for buried strap and deep trench leakage current
WO2017101205A1 (zh) 阵列基板的esd检测方法
JP5343693B2 (ja) ドーパント濃度測定方法
KR102185647B1 (ko) Soi 기판의 평가 방법
JP2007199422A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
CN102981332B (zh) 线宽测量方法和装置
CN106960683B (zh) 一种应用于液晶显示器的动态随机存储器及其存取方法
US20100161262A1 (en) Method for Calculating Capacitance of High Voltage Depletion Capacitor
JP3871131B2 (ja) 空乏層容量測定方法
Zheng et al. Wafer level high-density trench capacitors by using a two-step trench-filling process
CN104730789A (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN115963324A (zh) 一种高效率测试耐高压大电容的系统及方法