RU2612361C2 - Система литографии с модулем дифференциального интерферометра - Google Patents
Система литографии с модулем дифференциального интерферометра Download PDFInfo
- Publication number
- RU2612361C2 RU2612361C2 RU2013148110A RU2013148110A RU2612361C2 RU 2612361 C2 RU2612361 C2 RU 2612361C2 RU 2013148110 A RU2013148110 A RU 2013148110A RU 2013148110 A RU2013148110 A RU 2013148110A RU 2612361 C2 RU2612361 C2 RU 2612361C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- beams
- measuring
- mirror
- module
- incident
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02001—Interferometers characterised by controlling or generating intrinsic radiation properties
- G01B9/02007—Two or more frequencies or sources used for interferometric measurement
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02001—Interferometers characterised by controlling or generating intrinsic radiation properties
- G01B9/02011—Interferometers characterised by controlling or generating intrinsic radiation properties using temporal polarization variation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02001—Interferometers characterised by controlling or generating intrinsic radiation properties
- G01B9/02012—Interferometers characterised by controlling or generating intrinsic radiation properties using temporal intensity variation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02015—Interferometers characterised by the beam path configuration
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02015—Interferometers characterised by the beam path configuration
- G01B9/02016—Interferometers characterised by the beam path configuration contacting two or more objects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/02015—Interferometers characterised by the beam path configuration
- G01B9/02027—Two or more interferometric channels or interferometers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/283—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising used for beam splitting or combining
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30433—System calibration
- H01J2237/30438—Registration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области литографии и касается системы литографии. Система литографии включает в себя основание, установленную на основании оптическую колонну для проецирования шаблона на мишень, подвижный держатель мишени, модуль дифференциального интерферометра, предназначенный для измерения смещения держателя мишени. Держатель мишени и оптическая колонна снабжены соответственно первым и вторым зеркалами. Модуль дифференциального интерферометра содержит источник луча, выполненный с возможностью обеспечения трех когерентных лучей, блок делителя луча, объединитель лучей и приемники луча. Блок делителя содержит один делитель луча и разделяет три луча на три пары лучей, состоящие из измерительного луча и связанного с ним эталонного луча. Измерительные лучи направляются на первое зеркало, а эталонные лучи направляются на второе зеркало. Объединитель лучей предназначен для объединения трех отраженных измерительных лучей со связанными с ними тремя отраженными эталонными лучами в три объединенных луча и проецирования объединенных лучей на соответствующие приемники луча. Технический результат заключается в упрощении конструкции системы. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 12 ил.
Description
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
Изобретение относится к системе литографии, содержащей оптическую колонну, подвижный держатель мишени для перемещения мишени, такой как подложка, и дифференциальный интерферометр, причем интерферометр выполнен с возможностью измерения смещения между зеркалом, обеспеченным на оптической колонне, и зеркалом, обеспеченным на держателе мишени. Настоящее изобретение дополнительно относится к модулю интерферометра и к способу измерения такого смещения.
Типичной проблемой измерительных систем на основе интерферометра является то, что небольшие ошибки в отражающей поверхности зеркала, например, из-за неплоскостности зеркала и/или из-за теплового расширения держателя мишени или оптической колонны, приводят к ошибкам измерения смещения из-за погрешности Аббе и косинусной ошибки. Ошибки смещения негативно влияют на точность выравнивания, необходимую, например, для сшивания или наложения шаблона.
Ошибки поворота Rz оптической колонны - особенно важный фактор в системе литографии, в которой ориентация оптической колонны, в частности ее линз проекционной оптики, по существу определяет ориентацию изображения, спроецированного таким образом на мишени. Примером систем литографии, на которые оказывают такое влияние, является система экспонирования с множеством лучей, в частности - системы экспонирования с множеством лучей из заряженных частиц, в которых каждый из множества лучей фокусируют отдельно на мишени с помощью массива проекционных линз. В таких системах ошибки Rx и/или Ry проекционных оптических линз приводят к ошибкам фокусировки при проецировании изображения на экспонируемую поверхность мишени.
Патент США № 7,224,466 обеспечивает компактный дифференциальный интерферометр для измерения смещения между измерительным зеркалом и эталонным зеркалом вдоль двух осей. Интерферометр использует совместное использование измерительных и эталонных лучей, которые, соответственно, отражаются от измерительного отражателя и эталонного отражателя до того, как совместно используемые лучи разделяют на отдельные лучи, соответствующие осям измерения интерферометра. Хотя этот интерферометр излучает три пятна компланарных (находящихся в одной плоскости) измерительных лучей на измерительное зеркало и три соответствующих пятна компланарных эталонных лучей на эталонное зеркало, перемещение измеряют только вдоль двух осей измерения.
Патент США № 6,486,955 обеспечивает систему, содержащую множество дифференциальных интерферометров, некоторые из которых используются для отслеживания смещения зеркала зажима относительно зеркала проекционной оптики вдоль направления X, а также поворота вокруг оси вдоль направления Z. Дополнительные интерферометры обеспечивают для измерения смещения зеркала зажима относительно зеркала проекционной оптики вдоль направления Y, наклона зажима относительно проекционной оптики вокруг оси вдоль направления X и наклона зажима относительно проекционной оптики вдоль направления Y, соответственно.
Таким образом, по меньшей мере четыре интерферометра необходимы для получения информации о смещении вдоль направления X, направления Y и относительно наклона вдоль направления X и направления Y, а также поворота вдоль направления Z. Это большое количество интерферометров увеличивает сложность системы и по существу увеличивает время простоя системы, необходимое для корректировки и/или замены интерферометров.
Задача настоящего изобретения состоит в создании системы литографии, требующей меньшего количества интерферометров для получения информацию об относительном смещении и повороте между держателем мишени и оптической колонной.
РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Согласно первому аспекту, настоящее изобретение обеспечивает способ измерения относительного смещения между первым зеркалом и вторым зеркалом в системе литографии, в котором упомянутое первое зеркало соединено с держателем мишени, и упомянутое второе зеркало соединено с со средством экспонирования упомянутой системы, причем упомянутое первое зеркало подвижно относительно упомянутого второго зеркала, упомянутый способ содержит этапы, на которых а) формируют три когерентных луча, b) разделяют упомянутые лучи на три пары измерительного луча и связанного с ним эталонного луча, причем упомянутые лучи разделяют, используя единый делитель луча, с) направляют упомянутые три измерительных луча таким образом, чтобы они падали на упомянутое первое зеркало таким образом, чтобы они отражались им, причем упомянутые три измерительных луча являются некомпланарными, направляют упомянутые три эталонных луча таким образом, чтобы они падали на упомянутое второе зеркало таким образом, чтобы они отражались ими, причем упомянутые три эталонных луча являются некомпланарными, причем упомянутые три эталонных луча и упомянутые три измерительных луча, падающие на упомянутые первое и второе зеркало, соответственно, все по существу параллельны друг другу, d) объединяют упомянутые три отраженных измерительных луча с тремя связанными с ними отраженными эталонными лучами для обеспечения трех объединенных лучей, е) проецируют каждый из упомянутых объединенных лучей на соответствующий приемник луча, каждый приемник выполнен с возможностью преобразования луча в сигнал, представляющий изменение положения и/или ориентации первого зеркала относительно второго зеркала.
Средство экспонирования, с которым соединено второе зеркало, например, содержит оптическую колонну системы литографии. При использовании одного оптического элемента, то есть единого делителя луча, для разделения трех когерентных лучей на три пары измерительного и связанного с ним эталонного луча, компактный модуль интерферометра может быть создан для обеспечения упомянутых сигналов, представляющих изменение положения и/или ориентации первого зеркала относительно второго зеркала. Из этих сигналов могут быть получены относительное смещение вдоль одной оси, например, оси X, и поворот вокруг двух других осей, например, вокруг Rz и Ry.
Предпочтительно каждый измерительный луч и/или эталонный луч отражается только один раз в первом и/или втором зеркале, соответственно, что минимизирует потерю света из-за отражения. Поэтому можно использовать источник освещения с низким энергопотреблением.
В варианте осуществления на этапе d) единый объединитель лучей используется для обеспечения упомянутых трех объединенных лучей, что сокращает количество оптических элементов, требуемых для выполнения способа. Предпочтительно, единый делитель луча и единый объединитель лучей являются тем же самым оптическим элементом.
В варианте осуществления первый падающий измерительный луч и второй падающий измерительный луч охватывают первую плоскость, и второй падающий измерительный луч и третий падающий измерительный луч охватывают вторую плоскость, расположенную под углом α к первой плоскости, и первый падающий эталонный луч и второй падающий эталонный луч охватывают третью плоскость, и второй падающий эталонный луч и третий падающий эталонный луч охватывают четвертую плоскость, расположенную по существу под тем же углом α к упомянутой третьей плоскости. Эти три измерительных луча и эти три эталонных луча таким образом излучают в упомянутой угловой ориентации, облегчая объединение упомянутых измерительных лучей и эталонных лучей в соответствующие объединенные лучи.
В варианте осуществления упомянутый угол α равен 90°. Каждый из этих трех эталонных лучей и этих трех измерительных лучей таким образом распространяется в форме буквы L.
В варианте осуществления вторая плоскость и четвертая плоскость по существу совпадают. Два измерительных луча и соответствующие эталонные лучи расположены таким образом в одной плоскости друг относительно друга, но не в той же самой плоскости, как оставшиеся измерительный луч и соответствующий эталонный луч.
В варианте осуществления три падающих измерительных луча по существу параллельны друг другу, и/или три падающих эталонных луча по существу параллельны друг другу.
В варианте осуществления каждый из упомянутых трех падающих измерительных лучей по существу параллелен связанному с ним падающему эталонному лучу.
В варианте осуществления упомянутые три когерентных луча формируют из одного луча.
В варианте осуществления способ содержит дополнительный этап преобразования интенсивности объединенного луча в электрический сигнал в упомянутых приемниках луча, каждый из упомянутых приемников луча предпочтительно содержит фотодиод, каждый из упомянутых приемников луча более предпочтительно состоит из фотодиода.
В варианте осуществления первый эталонный луч и второй эталонный луч излучают на расстоянии друг от друга, которое равно расстоянию между первым измерительным лучом и вторым измерительным лучом, упомянутый первый эталонный луч и третий эталонный луч излучают на расстоянии друг от друга, равном расстоянию между упомянутым первым измерительным лучом и третьим измерительным лучом, и упомянутый второй эталонный луч и третий эталонный луч излучают на расстоянии друг от друга, равном расстоянию между упомянутым вторым измерительным лучом и упомянутым третьим измерительным лучом.
В варианте осуществления упомянутые измерительные лучи излучают на первое зеркало на уровне упомянутой мишени.
В варианте осуществления измерительный луч и эталонный луч пары упомянутых пар измерительного и связанного с ним эталонного лучей излучают на расстоянии 4 мм или меньше друг от друга, предпочтительно - на расстоянии 2 мм или меньше, более предпочтительно - на расстоянии 0,5 мм.
В варианте осуществления способ выполняют, используя модуль дифференциального интерферометра, причем упомянутый модуль содержит: источник луча, выполненный с возможностью формирования упомянутых трех когерентных лучей, единый делитель луча, выполненный с возможностью разделения упомянутых трех лучей на упомянутые соответствующие пары измерительного луча и связанного с ним эталонного луча, по меньшей мере один объединитель лучей для объединения упомянутых трех отраженных измерительных лучей со связанными с ними тремя отраженными эталонными лучами в три соответствующих объединенных луча, и три приемника луча для приема упомянутых объединенных лучей. Один компактный модуль дифференциального интерферометра можно таким образом использовать для измерения смещения между упомянутым первым зеркалом и упомянутым вторым зеркалом вдоль трех некомпланарных осей измерения.
Согласно второму аспекту настоящее изобретение обеспечивает систему литографии, содержащую основание, оптическую колонну для проецирования шаблона на мишень, причем упомянутая оптическая колонна установлена на упомянутом основании, держатель мишени для перемещения упомянутой мишени относительно оптической колонны, причем держатель мишени обеспечен первым зеркалом, и причем оптическая колонна обеспечена вторым зеркалом, один или более модулей дифференциального интерферометра для формирования одного или более сигналов, представляющих смещение держателя мишени относительно оптической колонны, причем каждый из упомянутых модулей дифференциального интерферометра содержит источник луча, выполненный с возможностью обеспечения трех когерентных лучей, причем каждый из упомянутого одного или более модулей интерферометра дополнительно содержит блок делителя луча, выполненный с возможностью разделения упомянутых трех лучей на три соответствующие пары измерительного луча и связанного с ним эталонного луча, причем упомянутые три измерительных луча падают на первое зеркало и отражаются назад, и причем эти три эталонных луча падают на второе зеркало и отражаются назад, по меньшей мере один объединитель лучей для объединения упомянутых трех отраженных измерительных лучей со связанными с ними тремя отраженными эталонными лучами в три объединенных луча, и три приемника луча, причем каждый из упомянутых трех объединенных лучей проецируют на соответствующий приемник луча.
Модуль дифференциального интерферометра системы выполнен с возможностью излучения трех измерительных лучей к зеркалу держателя мишени, и трех связанных с ними эталонных лучей - к зеркалу проекционной оптики, и объединения соответствующих отраженных измерительных лучей и связанных с ними отраженных эталонных лучей на трех блоках приема света. Таким образом требуется только один модуль для обеспечения трех сигналов дифференциального метода измерений. Выравнивание лучей, излучаемых модулем, предпочтительно выполняют, когда модуль находится за пределами системы литографии. Таким образом, когда модуль выровнен с основанием, все лучи также выровнены, что устраняет необходимость отдельного выравнивания измерительных или эталонных лучей, когда модуль прикрепляют к основанию. Когерентные лучи внутренне когерентны, но не обязательно когерентны по отношению друг к другу. Объединенные лучи формируют с помощью отраженных эталонных и связанных с ними отраженных измерительных лучей, которые по меньшей мере частично совпадают в соответствующем приемнике луча.
Следует признать, что держатель мишени может содержать любое устройство для перемещения мишени относительно оптической колонны. Держатель мишени может, например, содержать одно из стола для подложки, зажима, платформы или их комбинацию.
В варианте осуществления упомянутый блок делителя луча содержит один делитель луча для разделения упомянутых трех лучей на упомянутые три пары измерительный луч / эталонный луч. Таким образом модуль не является сборным узлом из трех отдельных интерферометров, а вместо этого одним модулем, в котором три луча разделяют, используя один делитель луча. В данном варианте осуществления выравнивание этих трех эталонных лучей и этих трех измерительных лучей можно выполнять с помощью выравнивания одного упомянутого делителя. Кроме того, поскольку делитель луча жестко соединен с модулем, упомянутые эталонные и измерительные лучи можно выравнивать в пределах системы литографии просто с помощью выравнивания упомянутого модуля в системе. Предпочтительно делитель луча также функционирует в качестве объединителя лучей для отраженных эталонного и измерительного лучей.
В варианте осуществления первый падающий измерительный луч из упомянутых трех измерительных лучей и второй падающий измерительный луч из упомянутых измерительных лучей охватывают первую плоскость, и второй падающий измерительный луч и третий падающий измерительный луч упомянутых измерительных лучей охватывают вторую плоскость, расположенную под углом α к первой плоскости, и первый падающий эталонный луч из упомянутых эталонных лучей и второй падающий эталонный луч из упомянутых эталонных лучей охватывают третью плоскость, и второй падающий эталонный луч и третий падающий эталонный луч из упомянутых эталонных лучей охватывают четвертую плоскость, расположенную по существу под тем же углом α к упомянутой третьей плоскости. Эталонные и измерительные лучи таким образом излучают ко второму и первому зеркалу, соответственно, в аналогичных конфигурациях, упрощая конструкцию модуля.
В варианте осуществления упомянутый угол α равен 90°, что дополнительно упрощает конструкцию модуля.
В варианте осуществления вторая плоскость и четвертая плоскость по существу совпадают.
В варианте осуществления три падающих измерительных луча по существу параллельны друг другу, и/или три падающих эталонных луча по существу параллельны друг другу. Когда первое и/или второе зеркало содержит по существу гладкую плоскую отражающую поверхность, отраженные измерительные и эталонные лучи, соответственно, могут поэтому отражаться назад к модулю, в частности - к объединителю лучей модуля.
В варианте осуществления каждый из упомянутых трех падающих измерительных лучей по существу параллелен связанному с ним падающему эталонному лучу.
В варианте осуществления каждый из упомянутых трех падающих измерительных лучей по существу параллелен связанному с ним падающему эталонному лучу.
В варианте осуществления источник луча содержит оптическое волокно. Оптическое волокно предпочтительно соединяют с лазерным излучателем, расположенным за пределами модуля, в частности - за пределами вакуумной камеры системы литографии. Таким образом избегают введения электрических полей близко к оптической колонне.
В варианте осуществления источник луча содержит или соединен с множеством отличающихся излучателей упомянутых трех когерентных световых лучей. Источник луча может, например, содержать три оптических волокна, каждое из упомянутых волокон соединяют с отличающимся лазерным излучателем, внешним по отношению к модулю.
В варианте осуществления источник луча содержит один излучатель луча для обеспечения одного луча и делитель луча для разделения упомянутого одного луча на три луча.
В варианте осуществления один или более сигналов, обеспеченных модулем интерферометра, содержит сигнал, обеспеченный приемником луча.
В варианте осуществления приемники луча содержат датчики интенсивности луча, выполненные с возможностью преобразования интенсивности объединенного луча в электрический сигнал, каждый из упомянутых приемников луча предпочтительно содержит фотодиод. В предпочтительном варианте осуществления каждый из упомянутых приемников луча состоит из фотодиода. Предпочтительно, упомянутый электрический сигнал не усиливают в пределах модуля, дополнительно обеспечивая простую конструкцию модуля и уменьшая формирование электрических полей упомянутым модулем. Поэтому один или более сигналов, обеспеченных модулем интерферометра, содержит электрический сигнал, сформированный приемником луча.
В варианте осуществления приемники луча содержат торцы оптических волокон, выводящих из модуля, предпочтительно из вакуумной камеры системы, в которую помещен модуль. Таким образом модуль может не выводить электрические сигналы. Один или более сигналов, обеспеченных модулем интерферометра, поэтому содержит оптический сигнал, принятый приемником луча.
В варианте осуществления упомянутый держатель мишени подвижен в первом направлении перемещения и во втором направлении перемещения, по существу перпендикулярном упомянутому первому направлению, причем упомянутый по меньшей мере один модуль дифференциального интерферометра выполнен с возможностью формирования сигнала, представляющего смещение первого зеркала относительно упомянутого второго зеркала вдоль упомянутого первого направления, причем упомянутая оптическая колонна имеет оптическую ось, причем упомянутый по меньшей мере один модуль дифференциального интерферометра дополнительно выполнен с возможностью обеспечения сигнала, представляющего поворот между первым зеркалом и вторым зеркалом вокруг упомянутой оси, параллельной упомянутой оптической оси, а также для обеспечения сигнала, представляющего поворот между первым зеркалом и вторым зеркалом вокруг оси, параллельной упомянутому второму направлению перемещения. Таким образом, используя один модуль, который должен быть выровнен только один раз относительно основания, можно выполнять по меньшей мере три относительных измерения, которые представляют смещение или изменение поворота между первым зеркалом и вторым зеркалом.
В варианте осуществления упомянутый модуль выполнен с возможностью излучения упомянутых эталонных лучей и упомянутых измерительных лучей, расстояние между первым эталонным лучом и вторым эталонным лучом равно расстоянию между первым измерительным лучом и вторым измерительным лучом, расстояние между первым эталонным лучом и третьим эталонным лучом равно расстоянию между первым измерительным лучом и третьим измерительным лучом, и расстояние между вторым эталонным лучом и третьим эталонным лучом равно расстоянию между вторым измерительным лучом и третьим измерительным лучом. Лучи таким образом излучают в аналогичных пространственных конфигурациях.
В варианте осуществления первое зеркало расположено на держателе мишени для отражения падающих измерительных лучей на уровне упомянутой мишени, предпочтительно близко к экспонируемой поверхности упомянутой мишени. Измеренный поворот первого зеркала относительно второго зеркала таким образом представляет поворот мишени относительно оптической колонны, в частности - ее проекционной оптики.
В варианте осуществления вторичный делитель луча выполнен с возможностью обеспечения по меньшей мере одного падающего эталонного луча и по меньшей мере одного падающего измерительного луча на расстоянии 4 мм или меньше друг от друга, предпочтительно - на расстоянии 2 мм или меньше, более предпочтительно - на расстоянии 0,5 мм. Таким образом относительное смещение и поворот между оптической колонной и мишенью можно точно оценивать. Это особенно удобно, когда оптическая колонна содержит фокусирующий массив для фокусировки множества экспонирующих элементарных лучей на мишени. Упомянутое расстояние предпочтительно является расстоянием при проецировании на второе и первое зеркала, соответственно. Альтернативно, упомянутое расстояние может быть расстоянием между упомянутыми лучами, когда их излучают из модуля.
В варианте осуществления система дополнительно содержит вакуумную камеру, причем упомянутый один или более модулей интерферометра прикрепляют к основанию в пределах упомянутой вакуумной камеры. В системе согласно данному варианту осуществления весь модуль дифференциального интерферометра можно устанавливать или заменять в вакуумной камере без необходимости выравнивать делитель луча и/или объединитель лучей модуля. Поэтому уменьшают время простоя системы.
В варианте осуществления упомянутый один или более модулей интерферометра прикрепляют к упомянутому основанию посредством кинематического крепления. Расширение основания и/или модуля, например, из-за его теплового расширения, таким образом по существу не влияет на выравнивание модуля. Кроме того, дополнительная калибровка модуля после того, как он прикреплен, не требуется, поскольку он может быть прикреплен к основанию с высокой позиционной точностью.
В варианте осуществления упомянутый модуль дифференциального интерферометра - первый модуль дифференциального интерферометра для измерения смещения держателя мишени вдоль первого направления, упомянутая система дополнительно содержит второй дифференциальный модуль интерферометра для измерения смещения держателя мишени вдоль второго направления, перпендикулярного к первому направлению, упомянутые первое и второе направления определяют плоскость перемещения держателя мишени, причем первый модуль дифференциального интерферометра дополнительно выполнен с возможностью обеспечения сигнала, представляющего поворот вдоль оси, параллельной второму направлению, и причем второй модуль дифференциального интерферометра дополнительно выполнен с возможностью обеспечения сигнала, представляющего поворот вдоль оси, параллельной первому направлению. Первое и второе направления обычно обозначают направлениями X и Y, и перпендикулярное направления к направлениям X и Y обычно обозначается направление Z. Таким образом, используя только два дифференциальных интерферометра система может предоставлять информацию о смещении держателя мишени относительно оптической колонны в первом и втором направлениях, а также информацию об относительном повороте Rx, Ry и Rz между держателем мишени и оптической колонной вдоль осей, перпендикулярных этим направлениям X, Y и Z.
В варианте осуществления источники луча первого и второго модулей дифференциального интерферометра соединены через оптическое волокно с одним излучателем луча, таким как лазерный излучатель. Таким образом один когерентный источник освещения может использоваться для обеспечения когерентных лучей для обоих модулей дифференциального интерферометра.
В варианте осуществления каждый из источников луча первого и второго модулей дифференциального интерферометра содержит отдельный излучатель луча, предпочтительно лазерный излучатель малой мощности. В данном варианте осуществления может быть увеличена точность измерений, поскольку могут использоваться излучатели луча малой мощности, имеющие высокое отношение сигнал к шуму.
В варианте осуществления упомянутая система дополнительно содержит приводы для перемещения и/или изменения ориентации проекционной оптики оптической колонны относительно основания. Система предпочтительно содержит блок управления, выполненный с возможностью управления блоком приводов для перемещения и/или изменения ориентации проекционной оптики относительно основания, основываясь на сигналах, сформированных с помощью упомянутых одного или более модулей дифференциального интерферометра.
В варианте осуществления упомянутая система - система с множеством лучей, оптическая колонна содержит множество фокусирующих элементов для фокусировки упомянутых множества лучей на упомянутой мишени.
В варианте осуществления упомянутая система - система с множеством лучей из заряженных частиц, причем множество фокусирующих элементов содержит множество электростатических линз.
Согласно третьему аспекту настоящее изобретение обеспечивает модуль дифференциального интерферометра, содержащий источник луча, выполненный с возможностью обеспечения трех когерентных лучей, блок делителя луча, выполненный с возможностью разделения упомянутых трех лучей на соответствующие пары измерительных лучей и связанных с ними эталонных лучей, причем эти три измерительных луча падают на первое зеркало, и причем эти три эталонных луча падают на второе зеркало, подвижное относительно упомянутого первого зеркала, по меньшей мере один объединитель лучей для объединения каждого отраженного измерительного луча со связанным с ним отраженным эталонным лучом в объединенный луч, и три приемника луча, причем каждый из объединенных лучей проецируют на соответствующий приемник луча.
В варианте осуществления упомянутый блок делителя луча содержит один делитель луча для разделения упомянутых трех лучей на три пары измерительный луч/эталонный луч.
В варианте осуществления каждый из упомянутых трех приемников луча содержит датчик интенсивности для обнаружения интенсивности соответствующего объединенного луча. Предпочтительно датчик интенсивности выполнен с возможностью преобразования сигнала интенсивности в электрический сигнал.
В варианте осуществления блок делителя луча выполнен с возможностью излучения упомянутых трех измерительных лучей некомпланарно и/или для излучения упомянутых трех эталонных лучей некомпланарно.
В варианте осуществления первый падающий измерительный луч и второй падающий измерительный луч охватывают первую плоскость, и второй падающий измерительный луч и третий падающий измерительный луч охватывают вторую плоскость, расположенную под углом α к первой плоскости, и первый падающий эталонный луч и второй падающий эталонный луч охватывают третью плоскость, и второй падающий эталонный луч и третий падающий эталонный луч охватывают четвертую плоскость, расположенную по существу под тем же углом α к упомянутой третьей плоскости.
В варианте осуществления упомянутый угол α равен 90°. В варианте осуществления вторая плоскость и четвертая плоскость по существу совпадают.
В варианте осуществления три падающих измерительных луча по существу параллельны друг другу, и/или три падающих эталонных луча по существу параллельны друг другу.
В варианте осуществления каждый из упомянутых трех падающих измерительных лучей по существу параллелен связанному с ним падающему эталонному лучу.
В варианте осуществления упомянутые первое и второе зеркало расположены отдельно от упомянутого модуля.
В варианте осуществления внутренняя часть упомянутого модуля по существу заполнена твердым материалом, предпочтительно - отвержденной эпоксидной смолой, более предпочтительно - Stycast®.
В предпочтительном варианте осуществления делитель луча и объединитель лучей формируют один интегрированный блок. Другими словами, делитель луча также выполнен с возможностью функционирования в качестве объединителя лучей, и наоборот.
Согласно четвертому аспекту настоящее изобретение обеспечивает систему литографии, содержащую основание и модуль интерферометра, выполненный с возможностью излучения по меньшей мере одного луча и для приема его отражения, причем модуль интерферометра прикрепляют к упомянутому основанию, и причем упомянутый модуль интерферометра прикрепляют к упомянутому основанию посредством кинематического крепления. Кинематическое крепление предпочтительно содержит три кинематические шаровые опоры, жестко прикрепленные к модулю интерферометра. Кинематическое крепление предпочтительно дополнительно содержит стопорный элемент для того, чтобы в него упирались упомянутые кинематические шаровые опоры, причем стопорный элемент жестко присоединен к упомянутому основанию. Модуль интерферометра предпочтительно является описанным выше модулем интерферометра.
Согласно пятому аспекту настоящее изобретение обеспечивает способ калибровки модуля интерферометра для использования в системе литографии, содержащей основание, обеспеченное стопорным элементом, причем упомянутый модуль содержит три кинематических шаровых опоры для того, чтобы они упирались в упомянутый стопорный элемент, упомянутый способ содержит этапы, на которых: калибруют модуль интерферометра по отношению к упомянутым кинематическим шаровым опорам за пределами упомянутой системы литографии и прикрепляют откалиброванный интерферометр в системе литографии с помощью размещения кинематических шаровых опор вплотную к стопорному элементу упомянутого основания.
Поскольку стопорный элемент основания имеет фиксированные положение и ориентацию, откалиброванный модуль интерферометра можно прикреплять в системе без дополнительного выравнивания. Время простоя системы во время обслуживания или замены модуля интерферометра уменьшают, поскольку трудоемкую калибровку модуля по существу выполняют, когда модуль находится вне системы литографии.
Различные аспекты и признаки, описанные и показанные в описании, могут применяться отдельно везде, где это возможно. Эти отдельные аспекты, в частности, аспекты и признаки, описанные в прилагаемых зависимых пунктах формулы изобретения, могут быть сделаны предметом выделенных патентных заявок.
Краткое описание чертежей
Изобретение будет объяснено на основе примерного варианта осуществления, показанного на прилагаемых чертежах, на которых:
фиг. 1A и 1B показывают схематические виды сбоку системы литографии согласно настоящему изобретению,
фиг. 1C показывает схематический вид сбоку дополнительного варианта осуществления системы литографии согласно настоящему изобретению,
фиг. 2A и 2B показывают схематический вид сбоку и изометрический вид, соответственно, модуля дифференциального интерферометра согласно настоящему изобретению,
фиг. 3A и 3B показывают вид сбоку в разрезе и вид сверху в разрезе модуля дифференциального интерферометра согласно изобретению,
фиг. 4A показывает детали делителя луча и принимаемого объединенного луча, которые используются в дифференциальном интерферометре согласно изобретению,
фиг. 4B показывает график сигналов, полученных, используя дифференциальный интерферометр на фиг. 4A,
фиг. 4C показывает график сигналов, полученных, используя дополнительный вариант осуществления дифференциального интерферометра согласно настоящему изобретению,
фиг. 5A и 5B показывают вид сверху и вид сбоку, соответственно, системы литографии, содержащей два модуля интерферометра согласно настоящему изобретению.
Осуществление изобретения
Фиг. 1A показывает систему 1 литографии согласно настоящему изобретению. Система содержит основание 4, на котором установлена оптическая колонна 36, которая имеет оптическую ось 37. Оптическая колонна выполнена с возможностью проецирования множества излучаемых элементарных лучей 10 на мишень 7. С помощью выборочного включения или выключения выбранных излучаемых элементарных лучей на экспонируемой поверхности мишени под оптической колонной может быть сформировано изображение. Мишень помещают на стол 6 для подложки, который в свою очередь помещают в зажим 66, который имеет возможность перемещаться относительно оптической колонны 36 посредством платформы 9, в который размещен зажим 66. В показанном варианте осуществления зажим, стол для подложки и платформа формируют держатель для мишени для перемещения мишени 7 относительно оптической колонны 36.
Зажим 66 содержит первое зеркало 21, содержащее по существу плоскую поверхность по существу на том же самом уровне или высоте в пределах системы, как мишень 7 или ее экспонируемая поверхность. Оптическая колонна содержит второе зеркало 81, которое содержит по существу плоскую поверхность близко к проецирующему торцу оптической колонны.
Система дополнительно содержит головку 60 модульного интерферометра, или модуль дифференциального интерферометра, который прикреплен к основанию 4 посредством кинематического крепления 62, 63, 64. Головка 60 модульного интерферометра излучает эталонные лучи Rb на второе зеркало 81 и связанные с ними измерительные лучи Mb - на первое зеркало 21. Хотя не показано на данном чертеже, эталонные лучи содержат три эталонных луча, и измерительные лучи содержат три измерительных луча, и относительное перемещение между первым зеркалом 81 и вторым зеркалом 21 измеряют, оценивая интерференцию между эталонным лучом и связанным с ним измерительным лучом.
Эти три измерительных луча Mb и эти три эталонных луча Rb исходят из лазерного блока 31, который доставляет когерентный световой луч, и который связан с модулем 60 интерферометра через оптическое волокно 92, которое является частью источника луча для модуля 60.
Фиг. 1B схематично показывает систему 1 литографии, показанную на фиг. 1A, причем система литографии содержит вакуумную камеру 2. В пределах вакуумной камеры 2 показаны только головка 60 интерферометра и ее соединения, и первое 81 и второе 21 зеркала, хотя будет подразумеваться, что держатель мишени на фиг. 1A также будет содержаться в пределах вакуумной камеры 2.
Оптическое волокно 92 от лазера 31 проходит через стенку упомянутой вакуумной камеры 2 через вакуумный ввод 91. Сигналы, представляющие интерференцию между измерительными лучами и связанными с ними эталонными лучами, транспортируют от модуля 60 интерферометра из вакуумной камеры 2 через сигнальные кабели 54, которые проходят через вакуумный ввод 61.
Фиг. 1C схематично показывает систему литографии, аналогичную системе, показанной на фиг. 1A, причем данная система - система литографии на основе лучей из заряженных частиц, содержащая электронную оптику 3 для обеспечения множества элементарных лучей из заряженных частиц, и причем проекционная оптика 5 содержит множество электростатических линз для отдельной фокусировки упомянутых элементарных лучей из заряженных частиц на экспонируемой поверхности мишени 7. Проекционная оптика 5 содержит приводы 67 для корректировки ориентации и/или положения проекционной оптики относительно основания 4. Система дополнительно содержит модуль 94 обработки сигналов, выполненный с возможностью обеспечения сигнала положения и/или смещения к блоку 95 управления платформой для управления перемещением платформы 11. Сигналы передают от модуля 60 интерферометра и датчика 57 выравнивания через сигнальные кабели 54, 58, которые проходят через вакуумные вводы 61 и 59, к модулю 94 обработки сигналов, который обрабатывает эти сигналы для обеспечения сигнала для приведения в действие платформы 11 и/или проекционной оптики 5. Смещение стола 6 для подложки, а значит - поддерживаемой с его помощью мишени 7, относительно проекционной оптики 5, поэтому непрерывно контролируется и исправляется.
В показанном варианте осуществления стол 6 для подложки поддерживается подвижной платформой 11 через кинематическое крепление 8, и платформа 9 может перемещаться относительно проекционной оптики 5 в направлении к или от модуля 60 интерферометра. Модуль 60 дифференциального интерферометра излучает три эталонных луча к зеркалу на проекционной оптике, и излучает три измерительных луча к зеркалу на столе для подложки.
Фиг. 2A и 2B показывают вид спереди и изометрический вид, соответственно, модуля интерферометра, показанного на фиг. 1A. Модуль 60 интерферометра содержит кинематическое крепление 62, 63, 64 для простого и очень точного выравнивания модуля во время прикрепления модуля в основании. Модуль интерферометра содержит три отверстия 71, 72, 73 для излучения трех соответствующих эталонных лучей rb1, rb2, rb3, а также для приема их отражений назад в модуль. Модуль интерферометра дополнительно содержит три отверстия 74, 75, 76 для излучения трех соответствующих измерительных лучей mb1, mb2, mb3, а также для приема их отражений назад в модуль. Отверстие 73 для излучения эталонного луча расположено на расстоянии d5, равном 4 мм, от отверстия 75 для излучения измерительного луча. Отверстия 71 и 72 расположены на расстоянии d1, отверстия 72 и 73 - на расстоянии d2, отверстия 74 и 75 - на расстоянии d3, равном расстоянию d1, и отверстия 75 и 76 - на расстоянии d4, равном расстоянию d2. В показанном варианте осуществления расстояния d1, d2, d3, d4 и d5 являются расстояниями от центра до центра, равными 12, 5, 12, 5 и 4 миллиметра, соответственно. На фиг. 2В можно заметить, что первый эталонный луч rb1 и второй эталонный луч rb2 охватывают первую плоскость, и второй эталонный луч rb2 и третий эталонный луч rb3 охватывают вторую плоскость, причем вторая плоскость находится под углом а (не показан), равном 90 градусам, относительно первой плоскости.
Аналогично, первый измерительный луч mb1 и второй измерительный луч mb2 охватывают третью плоскость, и второй измерительный луч mb2 и третий измерительный луч rb3 охватывают четвертую плоскость, причем третья плоскость находится по существу под тем же углом а (не показан) относительно четвертой плоскости.
Фиг. 3А и 3В показывают схематические вид сбоку и вид сверху, соответственно, варианта осуществления модуля 60 дифференциального интерферометра согласно настоящему изобретению. Модуль содержит первичный блок 32, 33, 34 делителя луча для разделения лазерного луча LB, излучаемого лазерным блоком 31, на три когерентных световых луча b1, b2, b3. Показанный первичный блок делителя луча является блоком, содержащим два делителя 32, 34 луча и две отражающих призмы 33, 35. Каждый из когерентных световых лучей b1, b2, b3 затем излучают к вторичному блоку 42, 43 делителя луча, выполненному с возможностью разделения упомянутых трех когерентных световых лучей b1, b2, b3 на соответствующие пары измерительного и связанного с ним эталонного лучей. Первая из этих пар содержит измерительный луч mb1 и связанный с ним эталонный луч rb1, вторая из этих пар содержат измерительный луч mb2 и связанный с ним эталонный луч rb2, и третья пара содержит измерительный луч mb3 и связанный с ним эталонный луч rb3.
Таким образом из вторичного блока делителя луча излучают 6 лучей - три эталонных луча rb1, rb2, rb3 и три связанных с ними измерительных луча mb1, mb3, mb3.
Эталонные лучи rb1, rb2, rb3 излучают так, что они падают на второе зеркало 81 оптической колонны, в то время как измерительные лучи mb1, mb2, mb3 излучают так, что они падают на первое зеркало 21 держателя мишени. Эталонные и измерительные лучи отражаются назад в модуль 60, в частности, назад во вторичный блок 42, 43 делителя луча, который действует в качестве объединителя 42, 43 лучей для отраженных измерительных лучей и связанных с ними эталонных лучей. Объединитель лучей таким образом излучает три объединенных луча cb1, cb2, cb3, причем каждый из упомянутых объединенных лучей сформирован отраженными измерительным лучом и связанным с ним эталонным лучом, которые по меньшей мере частично накладываются в соответствующих приемниках 51, 52, 53 света, в этом случае датчики 51, 52, 53 интенсивности света содержат фотодиод. Изменение интерференции измерительных лучей и связанных с ними эталонных лучей в любом из приемников луча приводит к изменению интенсивности света в данном приемнике луча. Фотодиоды преобразовывают сигнал интенсивности света в электрический сигнал, который подают из модуля 60 неусиленным.
Фиг. 4А показывает детали предпочтительного варианта осуществления головки 100 интерферометра согласно настоящему изобретению. Единый когерентный луч b излучают на поляризующий
делитель 101 луча, который разделяет луч b на поляризованный измерительный луч Mb и на связанный с ним поляризованный эталонный луч Rb. После прохождения поляризующего делителя 101 луча измерительный луч Mb проходит четвертьволновую пластину 103. Падающий измерительный луч затем отражается назад первым зеркалом 21, и снова проходит четвертьволновую пластину 103. Впоследствии отраженный измерительный луч отражается через диафрагму 104 с помощью поляризующего делителя 101 луча.
Точно так же часть когерентного луча, которая формирует эталонный луч Rb, отражается призмой 102 через четвертьволновую пластину 103 и падает на второе зеркало 81. Эталонный луч Rb затем отражается назад зеркалом 81 и снова проходит через ту же самую четвертьволновую пластину 103, после чего он отражается призмой 102 через поляризующий делитель 101 луча к диафрагме 104.
Таким образом, когда интерферометр является активным, объединенный луч Cb проходит диафрагму 104. Неполяризующий делитель 105 луча разделяет объединенный луч на два, причем две объединенных части луча, на которые разделен объединенный луч, содержат и часть отраженного эталонного луча, и часть отраженного измерительного луча. Две части луча в свою очередь разделяют с помощью поляризующих делителей 106 и 107 луча, соответственно. Поляризующий делитель 106 луча повернут на 45 градусов относительно поляризующего делителя 107 луча. Таким образом это приводит к четырем отличающимся объединенным частям луча, которые имеют параллельную поляризацию, перпендикулярную поляризацию, поляризацию под углом 45 градусов и поляризацию под углом 135 градусов, соответственно. Датчики 108, 109, 110 и 111 преобразуют интенсивности этих четырех объединенных частей луча в первый сигнал sig1, второй сигнал sig2, третий сигнал sig3 и четвертый сигнал sig4, соответственно.
Фиг. 4B показывает график различия между упомянутыми сигналами sig1 и sig2, и различия между упомянутыми сигналами sig3 и sig4, когда стол для подложки, или держатель мишени, перемещается с постоянной скоростью относительно проекционной оптики. График показывает две синусоидальных кривые 121, 122, которые используются для определения смещения стола для подложки и таким образом - положения стола для подложки.
Когда доступна только одна синусоидальная кривая, может быть трудно определять направление относительного перемещения, когда происходит изменение интенсивности от пикового уровня до более низкого уровня, поскольку перемещение стола для подложки и к оптической колонне, и от нее приведет к более низкому сигналу интенсивности. Согласно настоящему изобретению, направление перемещения можно определять в любое время при использовании двух синусоидальных кривых, которые не совпадают по фазе по отношению друг к другу, например, не совпадают по фазе на 45 градусов. Дополнительным преимуществом использования двух кривых вместо одной является то, что измерения можно выполнять более точно. Например, когда пик измеряют для кривой 121, небольшое перемещение в любую сторону приведет к небольшим изменениям измеренного сигнала интенсивности кривой. Однако вместо этого, то же самое небольшое перемещение приводит к большому изменению измеренного сигнала интенсивности кривой 122, который может затем использоваться для определения смещения.
Фиг. 4C схематично показывает головку интерферометра согласно изобретению, аналогичную варианту осуществления, показанному на фиг. 4A, однако в которой три когерентных световых луча b1, b2, b3, вместо только одного, падают на поляризующий делитель 101 луча. Это приводит к тому, что три эталонных луча rb1, rb2, rb3 излучают ко второму зеркалу 81, и три измерительных луча излучают к первому зеркалу 21. Эти три эталонных луча и связанные с ними три измерительных луча излучают из источника луча, как описано выше, предпочтительно некомпланарно.
Три отраженных эталонных луча и связанные с ними три отраженных измерительных луча объединяют в три объединенных луча, которые передают через диафрагму 104 и разделяют таким же образом, как описано выше. Принимающие луч датчики 1081, 1082, 1083 интенсивности обнаруживают интерференцию частей каждого из объединенных лучей cb1, cb2, cb3, соответственно. Датчики 1091, 1092, 1093, 1101, 1102, 1103, 1111, 1112, 1113 функционируют аналогично для объединенных частей луча с различной поляризацией, что приводит в общей сложности к 12 обнаруживаемым сигналам. Из этих обнаруживаемых сигналов могут быть созданы 6 синусоидальных кривых, которые предоставляют информацию об относительном смещении и повороте двух зеркал 81, 21.
Фиг. 5A и 5B показывают вид сверху и вид сбоку системы литографии согласно настоящему изобретению, в которой первый и второй модули 60A, 60B дифференциального интерферометра, которые описаны в данной работе, расположены таким образом, чтобы измерять смещение подложки 7 относительно проекционной оптики 5. Проекционная оптика обеспечена двумя плоскими зеркалами 81A, 81B, расположенными под углом 90 градусов по отношению друг к другу. Подложка 7 поддерживается столом 6 для подложки, который содержит два плоских зеркала 21A и 21B, также расположенные под углом 90 градусов по отношению друг к другу. Первый модуль 60A дифференциального интерферометра излучает три эталонных луча rb1, rb2, rb3 на зеркало 81A проекционной оптики, и излучает три измерительных луча на зеркало 21A стола для подложки. Точно так же второй модуль 60B дифференциального интерферометра излучает эталонные лучи на зеркало 81B проекционной оптики и излучает измерительные лучи на зеркало 21B стола для подложки.
В сущности настоящее изобретение относится к системе литографии, содержащей оптическую колонну, подвижный держатель мишени для перемещения мишени, такой как подложка, и модуль дифференциального интерферометра, причем модуль интерферометра выполнен с возможностью излучения трех эталонных лучей к второму зеркалу и трех измерительных лучей к первому зеркалу для определения смещения между упомянутыми первым и вторым зеркалом. В варианте осуществления тот же модуль также выполнен с возможностью измерения относительного поворота вокруг двух перпендикулярных осей.
Следует понимать, что вышеприведенное описание представлено для демонстрации работы предпочтительных вариантов осуществления, а не предназначено для ограничения объема изобретения. Из вышеприведенного описания специалистам будут очевидны многие варианты, которые тем не менее будут охватываться сущностью и объемом настоящего изобретения.
На чертежах:
LB - лазерный луч
b - когерентный луч
cb - объединенный луч
cb1, cb2, cb3 - объединенные лучи
b1, b2, b3 - когерентные лучи
rb1, rb2, rb3 - эталонные лучи
rb эталонный луч
mb1, mb2, mb3 - измерительные лучи
mb - измерительный луч
sig1, sig2, sig3, sig4 - сигналы интенсивности
1 - система литографии
2 - вакуумный кожух
3 - электронная оптика
4 - основание
5 - проекционная оптика
6 - стол для подложки
7 - подложка
8 - кинематическое крепление
9 - платформа
10 - множество излучаемых элементарных лучей
11 - платформа
21, 21A, 21B - первое зеркало
31 - лазерный блок
32, 34, 42 - делители луча
33, 35, 43 - призма
36 - оптическая колонна
37 - оптическая ось
51, 52, 53 - датчики света
54, 58 - сигнальные кабели
55 - электроника интерферометра
56 - измерение положения второго зеркала относительно первого зеркала
57 - датчик выравнивания
59, 61 - вакуумный ввод
60, 60A, 60B - головка интерферометра/модуль интерферометра
62, 63, 64 - кинематическое крепление
65 - маркер выравнивания
66 - зажим
67 - привод проекционной оптики
71, 72, 73 - отверстие для измерительных лучей
74, 75, 76 - отверстие для эталонных лучей
81, 81A, 81B - второе зеркало
91 - вакуумный ввод
92 - оптическое волокно
94 - модуль обработки сигналов
95 - управление платформой
100 - головка интерферометра
101 - поляризующий делитель луча
102 - призма
103 - четвертьволновая пластина
104 - диафрагма
105 - неполяризующий делитель луча
106, 107 - поляризующий делитель луча
108, 1081, 1082, 1083 - датчики
109, 1091, 1092, 1093 - датчики
110, 1101, 1102, 1103 - датчики
111, 1111, 1112, 1113 - датчики
121, 122 - синусоидальные кривые
Claims (48)
1. Способ измерения относительного смещения между первым зеркалом и вторым зеркалом в системе литографии, в котором упомянутое первое зеркало соединено с держателем мишени, и упомянутое второе зеркало соединено со средством экспонирования упомянутой системы, причем упомянутое первое зеркало подвижно относительно упомянутого второго зеркала,
причем упомянутый способ содержит этапы, на которых
a) формируют три когерентных луча,
b) разделяют упомянутые лучи на три пары из измерительного луча и связанного с ним эталонного луча, причем упомянутые лучи разделяют, используя единый делитель луча,
при этом упомянутый этап формирования осуществляют до этапа разделения, при этом способ дополнительно содержит этапы, на которых
c) направляют упомянутые три измерительных луча таким образом, чтобы они падали на упомянутое первое зеркало таким образом, чтобы они отражались от него, причем упомянутые три измерительных луча являются некомпланарными,
направляют упомянутые три эталонных луча таким образом, чтобы они падали на упомянутое второе зеркало таким образом, чтобы они отражались от него, причем упомянутые три эталонных луча являются некомпланарными,
d) объединяют упомянутые три отраженных измерительных луча с тремя связанными с ними отраженными эталонными лучами для обеспечения трех объединенных лучей,
e) проецируют каждый из упомянутых объединенных лучей на соответствующий приемник луча, причем каждый приемник выполнен с возможностью преобразования луча в сигнал, представляющий изменение положения и/или ориентации первого зеркала относительно второго зеркала.
2. Способ по п. 1, в котором на этапе d) для обеспечения упомянутых трех объединенных лучей используют единый объединитель лучей.
3. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором упомянутые три когерентных луча формируют из одного луча.
4. Способ по п. 1 или 2, причем упомянутый способ выполняется с использованием модуля дифференциального интерферометра, который содержит:
источник луча, выполненный с возможностью обеспечения трех когерентных лучей,
причем упомянутый единый делитель луча выполнен с возможностью разделения упомянутых трех когерентных лучей на упомянутые соответствующие пары измерительных лучей и связанных с ними эталонных лучей;
единый объединитель лучей для объединения упомянутых трех отраженных измерительных лучей со связанными с ними тремя отражёнными эталонными лучами в три соответствующих объединенных луча; и
три приемника лучей, каждый из которых предназначен для приема одного из упомянутых трех объединенных лучей.
5. Система литографии, содержащая
основание,
оптическую колонну для проецирования шаблона на мишень, причем упомянутая оптическая колонна установлена на упомянутом основании,
держатель мишени для перемещения упомянутой мишени относительно оптической колонны,
причем держатель мишени снабжен первым зеркалом,
причем оптическая колонна снабжена вторым зеркалом, и
один или более модулей дифференциального интерферометра для формирования одного или более сигналов, представляющих смещение держателя мишени относительно оптической колонны,
причем каждый из упомянутых модулей дифференциального интерферометра содержит источник луча, выполненный с возможностью обеспечения трех когерентных лучей,
причем каждый из упомянутого одного или более модулей интерферометра дополнительно содержит:
блок делителя луча, принимающий упомянутые три луча и выполненный с возможностью разделения упомянутых трех лучей на три соответствующие пары измерительного луча и связанного с ним эталонного луча, при этом упомянутые три луча формируются до разделения упомянутых трех лучей на упомянутые соответствующие пары лучей, причем эти три измерительных луча направляются таким образом, чтобы они падали на первое зеркало и отражались назад, и причем эти три эталонных луча направляются таким образом, чтобы они падали на второе зеркало и отражались назад, причем упомянутый блок делителя луча содержит один делитель луча для разделения упомянутых трех лучей на три пары измерительный луч/эталонный луч,
по меньшей мере один объединитель лучей для объединения упомянутых трех отраженных измерительных лучей со связанными с ними тремя отраженными эталонными лучами в три объединенных луча, и
три приемника луча, причем каждый из упомянутых трех объединенных лучей проецируют на соответствующий приемник луча.
6. Система литографии по п. 5, в которой упомянутый блок делителя луча содержит один делитель луча для разделения упомянутых трех лучей на упомянутые три пары измерительного луча/эталонного луча.
7. Система литографии по п. 5 или 6, в которой модуль дифференциального интерферометра выполнен с возможностью излучения упомянутых трех измерительных лучей некомпланарно из упомянутого модуля на первое зеркало, и дополнительно выполнен с возможностью излучения упомянутых эталонных лучей некомпланарно из упомянутого модуля на второе зеркало.
8. Система литографии по п. 5 или 6, в которой приемники луча содержат торцы оптических волокон, ведущих из модуля.
9. Система литографии по п. 5 или 6, в которой упомянутый один или более модулей интерферометра установлены на упомянутом основании посредством кинематического крепления.
10. Система литографии по п. 5 или 6, в которой упомянутый модуль дифференциального интерферометра представляет собой первый модуль дифференциального интерферометра для измерения смещения держателя мишени вдоль первого направления, причем упомянутая система дополнительно содержит второй модуль дифференциального интерферометра для измерения смещения держателя мишени вдоль второго направления, перпендикулярного первому направлению, причем упомянутые первое и второе направления определяют плоскость перемещения для держателя мишени, причем первый модуль дифференциального интерферометра дополнительно выполнен с возможностью обеспечения сигнала, представляющего поворот вдоль оси, параллельной второму направлению,
и причем второй модуль дифференциального интерферометра дополнительно выполнен с возможностью обеспечения сигнала, представляющего поворот вдоль оси, параллельной первому направлению.
11. Система литографии по п. 5 или 6, в которой первый падающий измерительный луч и второй падающий измерительный луч охватывают первую плоскость, и второй падающий измерительный луч и третий падающий измерительный луч охватывают вторую плоскость, расположенную под углом к первой плоскости, и первый падающий эталонный луч и второй падающий эталонный луч охватывают третью плоскость, и второй падающий эталонный луч и третий падающий эталонный луч охватывают четвертую плоскость, расположенную под тем же углом к упомянутой третьей плоскости.
13. Модуль дифференциального интерферометра, содержащий
источник луча, выполненный с возможностью формирования трех когерентных лучей,
блок делителя луча для приема упомянутых трех лучей и разделения упомянутых трех лучей на соответствующие пары измерительных лучей и связанных с ними эталонных лучей, причем упомянутые три луча формируются до разделения упомянутых трех лучей на соответствующие пары лучей, при этом три измерительных луча направляются таким образом, чтобы они падали на первое зеркало вне упомянутого модуля, и причем три эталонных луча направляются таким образом, чтобы они падали на второе зеркало вне упомянутого модуля, причем первое зеркало является подвижным относительно упомянутого второго зеркала, и при этом упомянутый блок делителя луча содержит один делитель луча для разделения упомянутых трех когерентных лучей на упомянутые соответствующие пары измерительных лучей и эталонных лучей,
по меньшей мере один объединитель лучей для объединения каждого отраженного измерительного луча со связанным с ним отраженным эталонным лучом в объединенный луч, таким образом формируя три объединенных луча, и
три приемника луча, причем каждый объединенный луч проецируют на соответствующий один из трех приемников луча.
14. Модуль дифференциального интерферометра по п. 13, в котором упомянутый блок делителя луча содержит один делитель луча для разделения упомянутых трех лучей на три пары измерительный луч/эталонный луч.
15. Модуль дифференциального интерферометра по п. 13 или 14, в котором каждый из упомянутых трех приемников луча содержит датчик интенсивности для обнаружения интенсивности соответствующего объединенного луча.
16. Модуль дифференциального интерферометра по п. 13 или 14, в котором блок делителя луча выполнен с возможностью излучения упомянутых трех измерительных лучей некомпланарно и/или для излучения упомянутых трех эталонных лучей некомпланарно.
17. Модуль дифференциального интерферометра по п. 13 или 14, в котором внутренняя часть упомянутого модуля по существу заполнена твердым материалом, предпочтительно отвержденной эпоксидной смолой.
18. Модуль дифференциального интерферометра по п. 13 или 14, в котором делитель луча и объединитель лучей содержатся в одном интегрированном блоке.
19. Модуль дифференциального интерферометра по п. 13 или 14, в котором первый падающий измерительный луч и второй падающий измерительный луч охватывают первую плоскость, и второй падающий измерительный луч и третий падающий измерительный луч охватывают вторую плоскость, расположенную под углом к первой плоскости, и первый падающий эталонный луч и второй падающий эталонный луч охватывают третью плоскость, и второй падающий эталонный луч и третий падающий эталонный луч охватывают четвертую плоскость, расположенную под тем же углом к упомянутой третьей плоскости.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL2006496 | 2011-03-30 | ||
NL2006496 | 2011-03-30 | ||
PCT/NL2012/050209 WO2012134290A1 (en) | 2011-03-30 | 2012-03-30 | Lithography system with differential interferometer module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013148110A RU2013148110A (ru) | 2015-05-10 |
RU2612361C2 true RU2612361C2 (ru) | 2017-03-07 |
Family
ID=45930961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013148110A RU2612361C2 (ru) | 2011-03-30 | 2012-03-30 | Система литографии с модулем дифференциального интерферометра |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US9261800B2 (ru) |
EP (3) | EP2691733B1 (ru) |
JP (3) | JP5985605B2 (ru) |
KR (2) | KR101804610B1 (ru) |
CN (5) | CN107036528B (ru) |
RU (1) | RU2612361C2 (ru) |
TW (3) | TWI624733B (ru) |
WO (3) | WO2012134291A1 (ru) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2612361C2 (ru) | 2011-03-30 | 2017-03-07 | МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В. | Система литографии с модулем дифференциального интерферометра |
JP6181189B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2017-08-16 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 多軸微分干渉計 |
JP6170694B2 (ja) * | 2013-03-06 | 2017-07-26 | 株式会社荏原製作所 | 測長計の設置構造 |
CN103257402B (zh) * | 2013-04-23 | 2015-08-12 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 光混合器以及应用光混合器进行信号解调的方法 |
US9874435B2 (en) * | 2014-05-22 | 2018-01-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Measuring system and measuring method |
KR102238107B1 (ko) * | 2014-05-22 | 2021-04-12 | 삼성전자주식회사 | 계측 시스템 및 계측 방법 |
JP5839759B1 (ja) * | 2015-07-30 | 2016-01-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光干渉計 |
US10272851B2 (en) * | 2015-10-08 | 2019-04-30 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Vehicle emblem alignment and installation tools and methods of use |
CN106931878A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 上海微电子装备有限公司 | 一种干涉仪测量装置及其控制方法 |
CN107024176A (zh) * | 2016-02-01 | 2017-08-08 | 上海微电子装备有限公司 | 基于衍射光栅的位移测量系统及方法 |
US10712775B2 (en) * | 2016-12-06 | 2020-07-14 | Facebook Technologies, Llc | Dichroic combiner backlight used in a head mounted display |
DE102017003084A1 (de) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Just Vacuum Gmbh | System zum Messen von Längenänderungen im Vakuum |
EP4300058A3 (en) | 2017-07-06 | 2024-03-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical module |
CN107328355B (zh) * | 2017-09-01 | 2023-06-23 | 中科酷原科技(武汉)有限公司 | 用于冷原子干涉仪的集成化光学系统 |
IL273651B2 (en) * | 2017-10-04 | 2024-06-01 | Asml Netherlands Bv | Interferometric positioning device |
CN108627996B (zh) * | 2018-05-07 | 2020-12-08 | 西安应用光学研究所 | 一种基于双层透光框架的变间隙fp干涉仪装调机构和方法 |
CN109520428B (zh) * | 2018-11-09 | 2020-01-31 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种位移测量光学系统 |
KR102125624B1 (ko) * | 2018-11-22 | 2020-07-07 | 전북대학교산학협력단 | 핸드헬드형 분광타원편광계측장치 및 이를 이용한 분광타원편광 파라미터 측정방법 |
US11698526B2 (en) * | 2019-02-08 | 2023-07-11 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Multi-channel optical system |
CN109975727B (zh) * | 2019-03-04 | 2020-03-27 | 中国科学技术大学 | 纳米级磁共振扫描成像设备以及方法 |
US20220221802A1 (en) * | 2019-05-30 | 2022-07-14 | Asml Holding N.V. | Self-referencing interferometer and dual self-referencing interferometer devices |
CN112113509B (zh) * | 2019-06-20 | 2022-06-17 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 龙门式测量装置及龙门式测量方法 |
CN110806680B (zh) | 2019-10-31 | 2020-11-24 | 清华大学 | 激光干涉光刻系统 |
CN111045070B (zh) * | 2019-11-26 | 2021-11-30 | 浙江大学 | 一种基于差分干涉仪测量被捕获冷原子的系统及方法 |
CN110927880B (zh) * | 2019-11-28 | 2021-06-18 | 中国科学院微电子研究所 | 高稳定偏振保持合束装置及方法 |
US11761750B1 (en) | 2022-02-25 | 2023-09-19 | Utah State University Space Dynamics Laboratory | Multi-environment Rayleigh interferometer |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2047085C1 (ru) * | 1992-06-30 | 1995-10-27 | Владимир Николаевич Давыдов | Интерферометр для измерения перемещений двухкоординатного стола |
US5880839A (en) * | 1994-10-12 | 1999-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical displacement measuring apparatus including a light-emitting element and an adjacent ball lens |
US20040114152A1 (en) * | 1998-09-18 | 2004-06-17 | Hill Henry A. | Interferometry systems involving a dynamic beam-steering assembly |
US20070085027A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Baxter Bruce B | Real-time compensation of mechanical position error in pattern generation or imaging applications |
Family Cites Families (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4504147A (en) | 1981-07-28 | 1985-03-12 | Huang Cheng Chung | Angular alignment sensor |
EP0074679B1 (de) | 1981-09-03 | 1985-03-20 | BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie. | Verfahren zur Herstellung eines Werkstückes aus einer warmfesten Legierung |
US4528490A (en) * | 1982-08-11 | 1985-07-09 | Hughes Aircraft Company | Two axis drive for stage |
JPS60203804A (ja) | 1984-03-29 | 1985-10-15 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真直度測定装置 |
US4891526A (en) * | 1986-12-29 | 1990-01-02 | Hughes Aircraft Company | X-Y-θ-Z positioning stage |
JPH01184402A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-24 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 光学式変位測定方法および測定装置 |
NL9100215A (nl) * | 1991-02-07 | 1992-09-01 | Asm Lithography Bv | Inrichting voor het repeterend afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
US5719702A (en) | 1993-08-03 | 1998-02-17 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Polarization-balanced beamsplitter |
JP3367209B2 (ja) * | 1994-05-30 | 2003-01-14 | 株式会社ニコン | 干渉計 |
US6122036A (en) | 1993-10-21 | 2000-09-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
JP3413945B2 (ja) | 1994-01-28 | 2003-06-09 | 株式会社ニコン | 縞計数変位干渉計 |
JP3315540B2 (ja) | 1994-10-28 | 2002-08-19 | キヤノン株式会社 | 位置計測装置、位置合わせ装置、露光装置およびデバイスの製造方法 |
JP3739121B2 (ja) | 1995-10-30 | 2006-01-25 | 株式会社ソキア | レーザ測長機 |
CN1133866C (zh) * | 1996-03-06 | 2004-01-07 | Asm石版印刷公司 | 差分干涉仪系统和配有该系统的平版印刷分步扫描装置 |
US6020963A (en) | 1996-06-04 | 2000-02-01 | Northeastern University | Optical quadrature Interferometer |
US5880838A (en) | 1996-06-05 | 1999-03-09 | California Institute Of California | System and method for optically measuring a structure |
US6507326B2 (en) | 1996-07-10 | 2003-01-14 | Nikon Corporation | Color-projection apparatus operable to project a high-contrast image with minimal change in the state or phase of polarization of light flux |
JP2879325B2 (ja) * | 1996-07-29 | 1999-04-05 | 新菱冷熱工業株式会社 | レーザ光を用いた配管組立治具 |
JP3832681B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2006-10-11 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び該装置を備えた露光装置 |
US5949546A (en) | 1997-05-14 | 1999-09-07 | Ahead Optoelectronics, Inc. | Interference apparatus for measuring absolute and differential motions of same or different testing surface |
KR100228285B1 (ko) | 1997-07-23 | 1999-11-01 | 윤종용 | 액정 표시 장치의 액정 물질 주입 장치 및 그 방법 |
AU8746998A (en) * | 1997-08-19 | 1999-03-08 | Nikon Corporation | Object observation device and object observation method |
EP1028456A4 (en) | 1997-09-19 | 2003-03-05 | Nikon Corp | PLATINUM, SCANNING ALIGNMENT DEVICE, AND SCANNING EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY |
US6020964A (en) | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
JPH11265847A (ja) | 1998-01-16 | 1999-09-28 | Canon Inc | 位置検出方法及び位置検出装置 |
JPH11281319A (ja) | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 光学素子の位置設定装置、及び光学素子の位置設定方法 |
US6765217B1 (en) * | 1998-04-28 | 2004-07-20 | Nikon Corporation | Charged-particle-beam mapping projection-optical systems and methods for adjusting same |
JP4109765B2 (ja) | 1998-09-14 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 結像性能評価方法 |
US6181420B1 (en) * | 1998-10-06 | 2001-01-30 | Zygo Corporation | Interferometry system having reduced cyclic errors |
AU6122099A (en) | 1998-10-14 | 2000-05-01 | Nikon Corporation | Shape measuring method and shape measuring device, position control method, stage device, exposure apparatus and method for producing exposure apparatus, and device and method for manufacturing device |
JP3796363B2 (ja) | 1998-10-30 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置及びそれを用いた露光装置 |
US6550919B1 (en) | 1999-03-26 | 2003-04-22 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Spectral light division and recombination configuration as well as process for the spectrally selective modulation of light |
US6201609B1 (en) * | 1999-08-27 | 2001-03-13 | Zygo Corporation | Interferometers utilizing polarization preserving optical systems |
CN1117963C (zh) * | 2000-07-07 | 2003-08-13 | 清华大学 | 利用合成波长法实现纳米测量的方法 |
JP2002141393A (ja) | 2000-07-18 | 2002-05-17 | Nikon Corp | 干渉計ボックス |
US6727992B2 (en) * | 2001-07-06 | 2004-04-27 | Zygo Corporation | Method and apparatus to reduce effects of sheared wavefronts on interferometric phase measurements |
WO2003033199A1 (en) | 2001-10-19 | 2003-04-24 | U.C. Laser Ltd. | Method for improved wafer alignment |
AU2002360927A1 (en) | 2002-01-24 | 2003-09-02 | Jenoptic Laser, Optik, Systeme Gmbh | Method for constructing an optical beam guide system |
US6757066B2 (en) | 2002-01-28 | 2004-06-29 | Zygo Corporation | Multiple degree of freedom interferometer |
TWI277720B (en) * | 2002-01-28 | 2007-04-01 | Zygo Corp | Multi-axis interferometer apparatus and method, lithography apparatus and method using same, and beam writing system and method using same |
DE10206061A1 (de) | 2002-02-08 | 2003-09-04 | Carl Zeiss Semiconductor Mfg S | Polarisationsoptimiertes Beleuchtungssystem |
US7057739B2 (en) * | 2002-02-12 | 2006-06-06 | Zygo Corporation | Separated beam multiple degree of freedom interferometer |
GB0222970D0 (en) | 2002-10-04 | 2002-11-13 | Renishaw Plc | Vacuum compatible laser interferometer |
EP1583934A1 (en) * | 2002-12-12 | 2005-10-12 | Zygo Corporation | In-process correction of stage mirror deformations during a photolithography exposure cycle |
CN1252444C (zh) * | 2002-12-24 | 2006-04-19 | 中国航空工业总公司第三○四研究所 | 一种实现阿贝误差实时补偿的激光干涉测长系统 |
WO2004065894A2 (en) | 2003-01-15 | 2004-08-05 | Inlight Solutions, Inc. | Optical path difference scanning interferometer |
JP2004228382A (ja) | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Nikon Corp | 露光装置 |
US7224466B2 (en) * | 2003-02-05 | 2007-05-29 | Agilent Technologies, Inc. | Compact multi-axis interferometer |
CN1227520C (zh) * | 2003-05-14 | 2005-11-16 | 安徽大学 | 远距离散射物微振动信号测量和保真拾取干涉仪 |
JP2005057222A (ja) | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Canon Inc | マーク検出装置、マーク検出方法、マーク検出プログラム、露光装置、デバイスの製造方法、及び、デバイス |
WO2005047974A2 (en) * | 2003-11-10 | 2005-05-26 | Zygo Corporation | Measurement and compensation of errors in interferometers |
US7443511B2 (en) * | 2003-11-25 | 2008-10-28 | Asml Netherlands B.V. | Integrated plane mirror and differential plane mirror interferometer system |
DE102004023030B4 (de) | 2004-05-06 | 2012-12-27 | SIOS Meßtechnik GmbH | Mehrfachstrahlteiler |
JP2005345329A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 測長用レーザ干渉計 |
US7212290B2 (en) | 2004-07-28 | 2007-05-01 | Agilent Technologies, Inc. | Differential interferometers creating desired beam patterns |
EP1794650A4 (en) * | 2004-09-30 | 2008-09-10 | Nikon Corp | OPTICAL PROJECTION DEVICE AND EXPOSURE DEVICE |
JP4465451B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2010-05-19 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光干渉計の周期誤差低減方法および装置 |
US7298492B2 (en) | 2004-12-29 | 2007-11-20 | Honeywell International Inc. | Method and system for on-line measurement of thickness and birefringence of thin plastic films |
JP5149486B2 (ja) | 2005-05-18 | 2013-02-20 | 株式会社ミツトヨ | 干渉計、形状測定方法 |
US7355719B2 (en) | 2005-08-16 | 2008-04-08 | Agilent Technologies, Inc. | Interferometer for measuring perpendicular translations |
US7362446B2 (en) * | 2005-09-15 | 2008-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Position measurement unit, measurement system and lithographic apparatus comprising such position measurement unit |
JP4631655B2 (ja) | 2005-10-31 | 2011-02-16 | セイコーエプソン株式会社 | 光伝送モジュール、光伝送モジュールの製造方法、光インターコネクション回路及び電子機器 |
US7379187B2 (en) * | 2006-03-31 | 2008-05-27 | Mitutoyo Corporation | Detector configuration for interferometric distance measurement |
JP4191201B2 (ja) | 2006-04-25 | 2008-12-03 | アンリツ株式会社 | 三次元形状測定装置 |
DE102007017630B4 (de) | 2006-05-16 | 2009-08-20 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Verfahren zum Steigern der Messgenauigkeit beim Bestimmen der Koordinaten von Strukturen auf einem Substrat |
JP5613893B2 (ja) | 2006-05-22 | 2014-10-29 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 作業装置におけるテーブル位置決め装置および位置決め方法。 |
EP2102711A1 (en) | 2006-12-08 | 2009-09-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure appararus |
JP4264667B2 (ja) | 2007-02-16 | 2009-05-20 | ソニー株式会社 | 振動検出装置 |
JP5523664B2 (ja) | 2007-11-06 | 2014-06-18 | 株式会社ミツトヨ | 干渉計 |
US20090135430A1 (en) | 2007-11-26 | 2009-05-28 | Miao Zhu | Systems and Methods for Reducing Nonlinearity in an Interferometer |
US8711327B2 (en) | 2007-12-14 | 2014-04-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US7897942B1 (en) | 2007-12-20 | 2011-03-01 | Kla-Tencor Corporation | Dynamic tracking of wafer motion and distortion during lithography |
DE102008004762A1 (de) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer Messeinrichtung |
TW200951640A (en) * | 2008-04-30 | 2009-12-16 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
WO2010004900A1 (ja) | 2008-07-09 | 2010-01-14 | 株式会社ニコン | 位置計測方法、並びに露光方法及び装置 |
TWI472884B (zh) | 2008-08-18 | 2015-02-11 | Mapper Lithography Ip Bv | 帶電粒子射束微影系統以及目標物定位裝置 |
US8462349B1 (en) | 2010-07-20 | 2013-06-11 | Science Applications International Corporation | System and method for a self-referencing interferometer |
RU2612361C2 (ru) | 2011-03-30 | 2017-03-07 | МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В. | Система литографии с модулем дифференциального интерферометра |
-
2012
- 2012-03-30 RU RU2013148110A patent/RU2612361C2/ru active
- 2012-03-30 KR KR1020137028682A patent/KR101804610B1/ko active IP Right Grant
- 2012-03-30 EP EP12712416.2A patent/EP2691733B1/en active Active
- 2012-03-30 WO PCT/NL2012/050210 patent/WO2012134291A1/en active Application Filing
- 2012-03-30 CN CN201710222191.XA patent/CN107036528B/zh active Active
- 2012-03-30 US US13/436,741 patent/US9261800B2/en active Active
- 2012-03-30 TW TW101111339A patent/TWI624733B/zh active
- 2012-03-30 CN CN2012201314341U patent/CN202793314U/zh not_active Expired - Lifetime
- 2012-03-30 TW TW101111337A patent/TWI566052B/zh active
- 2012-03-30 CN CN201210091968.0A patent/CN102735163B/zh active Active
- 2012-03-30 US US13/436,738 patent/US9069265B2/en active Active
- 2012-03-30 KR KR1020137028680A patent/KR101955561B1/ko active IP Right Grant
- 2012-03-30 WO PCT/NL2012/050211 patent/WO2012134292A1/en active Application Filing
- 2012-03-30 CN CN2012201314981U patent/CN202793315U/zh not_active Expired - Lifetime
- 2012-03-30 US US13/436,736 patent/US9678443B2/en active Active
- 2012-03-30 TW TW101111338A patent/TW201243278A/zh unknown
- 2012-03-30 WO PCT/NL2012/050209 patent/WO2012134290A1/en active Application Filing
- 2012-03-30 JP JP2014502500A patent/JP5985605B2/ja active Active
- 2012-03-30 EP EP12712415.4A patent/EP2691812B1/en active Active
- 2012-03-30 EP EP12712417.0A patent/EP2691734B1/en active Active
- 2012-03-30 CN CN201210091620.1A patent/CN102735170B/zh active Active
- 2012-03-30 JP JP2014502501A patent/JP2014509750A/ja not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-05-19 US US14/716,801 patent/US9690215B2/en active Active
-
2017
- 2017-04-12 JP JP2017078979A patent/JP6339262B2/ja active Active
- 2017-06-12 US US15/620,699 patent/US20170277043A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2047085C1 (ru) * | 1992-06-30 | 1995-10-27 | Владимир Николаевич Давыдов | Интерферометр для измерения перемещений двухкоординатного стола |
US5880839A (en) * | 1994-10-12 | 1999-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical displacement measuring apparatus including a light-emitting element and an adjacent ball lens |
US20040114152A1 (en) * | 1998-09-18 | 2004-06-17 | Hill Henry A. | Interferometry systems involving a dynamic beam-steering assembly |
US20070085027A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Baxter Bruce B | Real-time compensation of mechanical position error in pattern generation or imaging applications |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2612361C2 (ru) | Система литографии с модулем дифференциального интерферометра | |
US7864336B2 (en) | Compact Littrow encoder | |
US7019842B2 (en) | Position measuring device | |
CN112556579A (zh) | 一种六自由度空间坐标位置和姿态测量装置 | |
CN104011560A (zh) | 测距装置对准 | |
CN100524042C (zh) | 利用光学三角测量法的光学测量装置 | |
CN101114135A (zh) | 一种用于光刻设备的对准系统 | |
US6509971B2 (en) | Interferometer system | |
JP4852318B2 (ja) | 変位検出装置、偏光ビームスプリッタ及び回折格子 | |
KR20110137724A (ko) | 변위 검출 장치 | |
TW201413217A (zh) | 多軸微分干涉儀 | |
US20220342161A1 (en) | Optical measuring device, assembling device of mounting substrate, and assembling method for mounting substrate | |
CN113639665B (zh) | 基于漂移量反馈的高稳定性纳弧度量级角度测量方法与装置 | |
JP2000147311A (ja) | 光導波路結合装置における位置合わせ方法及びそれを用いて実現される光導波路結合装置 | |
JP2011038967A (ja) | 位置決め装置およびこれに着脱可能な光学アダプター | |
KR101533690B1 (ko) | 모듈형 광학 장치 | |
EP2538169B1 (en) | Grazing incidence interferometer | |
JP2005345230A (ja) | 光干渉型センサ | |
JP2019032177A (ja) | 変位検出装置 |