RU2600047C2 - Способ и устройство для осаждения атомных слоев - Google Patents

Способ и устройство для осаждения атомных слоев Download PDF

Info

Publication number
RU2600047C2
RU2600047C2 RU2014139815/02A RU2014139815A RU2600047C2 RU 2600047 C2 RU2600047 C2 RU 2600047C2 RU 2014139815/02 A RU2014139815/02 A RU 2014139815/02A RU 2014139815 A RU2014139815 A RU 2014139815A RU 2600047 C2 RU2600047 C2 RU 2600047C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
dry air
reactor
reaction chamber
precursor
deposition
Prior art date
Application number
RU2014139815/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2014139815A (ru
Inventor
Свен ЛИНДФОРС
Original Assignee
Пикосан Ой
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Пикосан Ой filed Critical Пикосан Ой
Publication of RU2014139815A publication Critical patent/RU2014139815A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2600047C2 publication Critical patent/RU2600047C2/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способу химического осаждения атомных слоев на подложку, устройству и линии для упомянутого осаждения. Способ химического осаждения атомных слоев на подложку включает использование реактора для осаждения атомных слоев, выполненного с возможностью осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения, использование сухого воздуха в реакторе в качестве продувочного газа и использование сухого воздуха в качестве несущего инертного газа для увеличения давления в источнике прекурсора. Устройство для упомянутого осаждения содержит реакционную камеру для осаждения атомных слоев, выполненную с возможностью осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения, линию подачи сухого воздуха из источника сухого воздуха для подачи сухого воздуха в качестве продувочного газа в реакционную камеру упомянутого устройства и средства для использования сухого воздуха в качестве несущего инертного газа для увеличения давления в источнике прекурсора. Производственная линия для химического осаждения атомных слоев на подложку, которая содержит в качестве средства для химического осаждения атомных слоев на подложку упомянутое устройство. Обеспечивается простая и экономичная конструкция устройства для упомянутого осаждения с использованием сухого воздуха в качестве продувочного и несущего инертного газа для увеличения давления во время осаждения. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 10 ил.

Description

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Настоящее изобретение, в общем, относится к осадительным реакторам. Более конкретно, но не исключительно, изобретение относится к таким осадительным реакторам, в которых материал осаждается на поверхностях в результате последовательных поверхностных реакций самонасыщения.
ПРЕДПОСЫЛКИ СОЗДАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Способ атомной эпитаксии слоев АЭС (ALE) изобрел доктор Туома Сунтола в начале 1970-х годов. В настоящее время вместо АЭС (ALE) используется другое название способа - осаждение атомных слоев ОАС (ALD). ОАС (ALD) представляет собой специальный способ химического осаждения, основанный на последовательном введении по меньшей мере двух видов активного прекурсора на по меньшей мере одну подложку.
Тонкие пленки, выращенные способом ОАС (ALD) являются плотными, без точечных отверстий и имеют равномерную толщину. Например, во время эксперимента с помощью термического ОАС (ALD) был выращен оксид алюминия из триметилалюминия (СН3)3Al, называемого также ТМА, и воды при температуре 250-300°С; в результате неравномерность пластины подложки составила всего 1%.
Типовые реакторы ОАС (ALD) являются достаточно сложными устройствами. Соответственно, всегда существует необходимость поиска решений, которые упростили бы сами устройства или их использование.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
В соответствии с первым примерным аспектом настоящего изобретения обеспечен способ, содержащий: эксплуатацию реактора для осаждения атомных слоев, выполненного с возможностью осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения; и использование сухого воздуха в реакторе в качестве продувочного газа.
В некоторых примерах осуществления сухой воздух поступает (или может поступать) по линии подачи продувочного газа. В некоторых примерах осуществления сухой воздух в качестве продувочного газа поступает из источника инертного газа по линии подачи продувочного газа в реакционную камеру.
В некоторых примерах осуществления способ содержит использование сухого воздуха в качестве несущего газа.
В некоторых примерах осуществления сухой воздух поступает (или может поступать) по линии подачи паров прекурсора. В некоторых примерах осуществления это может происходить во время процесса ОАС (ALD). В некоторых примерах осуществления сухой воздух в качестве несущего газа поступает из источника инертного газа через источник прекурсора в реакционную камеру. В некоторых примерах осуществления сухой воздух в качестве несущего газа используется для увеличения давления в источнике прекурсора. В некоторых других вариантах осуществления сухой воздух в качестве несущего газа поступает из источника инертного газа по линии подачи паров прекурсора в реакционную камеру, минуя источник прекурсора. Тракт потока может быть выполнен в зависимости от того, является ли давление паров прекурсора само по себе достаточно высоким или его нужно увеличить за счет направления потока инертного газа, в источник прекурсора.
Можно использовать один или несколько источников сухого воздуха. Понятие «сухой воздух (или высушенный воздух)» в настоящем контексте означает «воздух без остаточной влажности». Сухой воздух может быть сжатым газом. Его можно использовать для перемещения прекурсора из источника прекурсора в реакционную камеру.
В некоторых примерах осуществления заявленный способ содержит: подачу сухого воздуха в реакционную камеру реактора в течение всей последовательности осаждения. Последовательность осаждения состоит из одного или более последовательных циклов осаждения, причем каждый цикл состоит, по меньшей мере, из первого периода воздействия прекурсора (импульса А), за которым следует первый этап продувки (продувка А), за которым следует второй период воздействия прекурсора (импульс В), за которым следует второй этап продувки (продувка В).
В некоторых примерах осуществления нагревание реакционной камеры осуществляется, по меньшей мере, частично, путем подачи нагретого сухого воздуха в реакционную камеру. Это может произойти во время начальной продувки и/или во время процесса ОАС (ALD) (осаждения).
Соответственно, в некоторых примерах осуществления способ содержит использование сухого воздуха при нагревании реакционной камеры реактора.
В некоторых примерах осуществления способ содержит нагревание сухого воздуха после клапана подачи продувочного газа.
В некоторых примерах осуществления способ содержит обеспечение обратного соединения для подачи тепла из выпускной части реактора в нагреватель линии подачи продувочного газа.
В некоторых примерах осуществления выпускная часть содержит теплообменник; выпускной частью может служить выпускная часть реакционной камеры реактора. Выпускная часть может быть газовой выпускной частью.
В некоторых примерах осуществления способ содержит использование указанного реактора для осаждения атомных слоев при давлении окружающей среды.
В таких вариантах осуществления отсутствует необходимость в вакуумном насосе.
В некоторых примерах осуществления способ содержит использование эжектора, соединенного с выпускной частью реактора, для снижения рабочего давления в реакторе.
Вместо вакуумного насоса может использоваться эжектор, если требуется работать при давлении ниже атмосферного, но вакуум не нужен. Выпускной частью может служить крышка камеры реактора. В качестве эжектора может использоваться вакуумный эжектор, соединенный с крышкой или выпускным каналом.
Вход газов в реакционную камеру может осуществляться в нижней части реакционной камеры, а выход остаточных продуктов реакции - в верхней части реакционной камеры. Возможен альтернативный вариант, при котором вход газов в реакционную камеру может осуществляться в верхней части реакционной камеры, а выход остаточных продуктов реакции - в нижней части реакционной камеры.
В некоторых примерах осуществления реакционная камера может быть облегченной. Не требуется использование сосуда под давлением в качестве реакционной камеры.
Согласно второму примерному аспекту настоящего изобретения обеспечено устройство, содержащее: реакционную камеру для осаждения атомных слоев, выполненную с возможностью осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения; и линию подачи сухого воздуха из источника сухого воздуха для подачи сухого воздуха в качестве продувочного газа в реакционную камеру реактора.
Устройством может являться реактор для осаждения атомных слоев ОАС (ALD).
В некоторых примерах осуществления устройство содержит линию подачи прекурсора из источника сухого воздуха через источник прекурсора в реакционную камеру для подачи паров прекурсора в реакционную камеру.
В некоторых примерах осуществления устройство содержит нагреватель, выполненный с возможностью нагревания сухого воздуха. В некоторых примерах осуществления устройство содержит указанный нагреватель после клапана подачи продувочного газа.
В некоторых примерах осуществления устройство содержит обратное соединение для подачи тепла из выпускной части реактора в нагреватель линии подачи продувочного газа. В некоторых примерах осуществления выпускная часть содержит теплообменник. Выпускная часть может являться выпускной частью реакционной камеры реактора. Выпускная часть может являться газовой выпускной частью.
В некоторых примерах осуществления используется облегченный реактор, выполненный с возможностью работы при давлении окружающей среды или давлении, близком к давлению окружающей среды. Возможно использование облегченного реактора без вакуумного насоса. Формулировка «близкое к давлению окружающей среды» означает, что давление может быть пониженным, но не вакуумным. В этих вариантах осуществления реактор может иметь тонкие стенки. В некоторых примерах осуществления осаждение атомных слоев происходит без использования вакуумного насоса. Также в некоторых примерах осуществления осаждение атомных слоев происходит без использования сосуда под давлением. Соответственно, облегченный реактор (имеющий облегченную конструкцию) в некоторых примерах осуществления реализуется с облегченной (имеющей облегченную конструкцию) реакционной камерой без сосуда под давлением.
В некоторых примерах осуществления устройство содержит эжектор, присоединенный к выпускной части реактора для снижения рабочего давления в реакторе.
Эжектор может использоваться вместо вакуумного насоса, если нужно работать при давлении ниже атмосферного, но вакуум не нужен. Выпускной частью может служить крышка камеры реактора. Эжектором может являться вакуумный эжектор, присоединенный к крышке или к выпускному каналу.
В соответствии с третьим примерным аспектом заявленного изобретения обеспечена производственная линия, содержащая устройство согласно второму аспекту заявленного изобретения, являющееся частью производственной линии.
В соответствии с четвертым примерным аспектом заявленного изобретения обеспечено устройство, содержащее: средства для работы реактора для осаждения атомных слоев, выполненного с возможностью осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения; и средства для использования сухого воздуха в реакторе в качестве продувочного газа.
Раскрытые выше аспекты и варианты осуществления настоящего изобретения не имеют ограничительного характера. Вышеприведенные варианты осуществления используются только для пояснения избранных аспектов или этапов, которые могут использоваться при реализациях настоящего изобретения. Следует понимать, что соответствующие варианты осуществления также можно использовать в других примерных аспектах. Можно создавать любые требуемые комбинации вариантов осуществления.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Изобретение будет раскрыто далее, только в качестве примера, со ссылкой на сопровождающие чертежи, на которых:
на фиг. 1 изображен осадительный реактор и способ загрузки согласно примеру осуществления настоящего изобретения;
на фиг. 2 изображен осадительный реактор по фиг. 1 при работе на этапе продувки;
на фиг. 3 изображен осадительный реактор по фиг. 1 при работе во время первого периода воздействия прекурсора;
на фиг. 4 изображен осадительный реактор по фиг. 1 при работе во время второго периода воздействия прекурсора;
на фиг. 5 изображено загрузочное устройство согласно примеру осуществления настоящего изобретения;
на фиг. 6 изображен осадительный реактор согласно еще одному примеру осуществления настоящего изобретения;
на фиг. 7 изображена реакция осаждения в соответствии с еще одним примером осуществления настоящего изобретения;
на фиг. 8 изображен еще один пример осуществления настоящего изобретения;
на фиг. 9 более подробно изображены некоторые детали осадительного реактора в соответствии с определенными примерами осуществления; и
на фиг. 10 изображен осадительный реактор как часть производственной линии в соответствии с некоторыми примерами осуществления.
ПОДРОБНОЕ РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
В данном описании технология осаждения атомных слоев ОАС (ALD) используется в качестве примера. Основы механизма роста ОАС (ALD) известны специалисту. Как было упомянуто во введении к этой патентной заявке, осаждение атомных слоев является специальным способом химического осаждения, основанным на последовательном введении по меньшей мере двух видов активного прекурсора на по меньшей мере одну подложку. Подложка или, во многих случаях, группа подложек располагается внутри реакционного пространства. Реакционное пространство, как правило, подогревается. Базовый механизм роста ОАС (ALD) основывается на различиях в прочности связей между химической адсорбцией (хемосорбцией) и физической адсорбцией (физической сорбцией). ОАС (ALD) использует хемосорбцию и не использует физическую сорбцию в процессе осаждения. В процессе хемосорбции образуется сильная химическая связь между атомом (атомами) сплошной фазовой поверхности и молекулой, приходящей из газовой фазы. Связь с помощью физической сорбции намного слабее, потому что здесь действует только сила Ван-дер-Ваальса. Связь физической сорбции легко разрывается тепловой энергией, если местная температура превышает конденсационную температуру молекул.
Реакционное пространство реактора ОАС (ALD) содержит все обычно нагретые поверхности, которые могут попеременно или последовательно подвергаться воздействию со стороны каждого прекурсора ОАС (ALD), используемого для осаждения тонких пленок или слоев. Базовый цикл ОАС (ALD) состоит из четырех последовательных этапов: импульса А, продувки А, импульса В и продувки В. Импульс А обычно состоит из паров металлического прекурсора, а импульс В - из паров неметаллического прекурсора, в частности паров азотного или кислородного прекурсора. В ходе продувки А и продувки В для продувки побочных продуктов газовой реакции и остаточных молекул реагирующего вещества из реакционного пространства обычно используют инертный газ, такой как азот или аргон, и вакуумный насос. Последовательность осаждения состоит из по меньшей мере одного цикла осаждения. Циклы осаждения повторяются до тех пор, пока последовательность осаждения не создаст тонкую пленку или слой требуемой толщины.
В обычном процессе ОАС (ALD), вещества-прекурсоры образуют посредством хемосорбции химическую связь на реакционноспособных участках нагретых поверхностей. Обычно создают такие условия, что образуется не более одного молекулярного монослоя сплошного материала на поверхностях за один импульс прекурсора. Таким образом, процесс роста является самопрекращающимся или самонасыщаемым. Например, в состав первого прекурсора могут входить лиганды, которые остаются в составе абсорбированных частиц и насыщают поверхность, что предотвращает продолжение хемосорбции. Температура в реакционном пространстве поддерживается выше температуры конденсации и ниже температуры термического разложения используемых прекурсоров, так что молекулы вещества прекурсора химически адсорбируются на подложке (подложках), по существу, в неизменном виде. Формулировка «по существу, в неизменном виде» означает, что от молекулы прекурсора могут отделиться летучие лиганды во время хемосорбции молекул прекурсора на поверхности. Поверхность, по существу, насыщается первым типом реакционноспособных участков, т.е. адсорбированным веществом из молекул первого прекурсора. После этого этапа хемосорбции обычно следует первый этап продувки (продувка А), на котором излишки первого прекурсора и возможные побочные продукты реакции удаляются из реакционного пространства. После этого в реакционное пространство поступает пар второго прекурсора. Молекулы второго прекурсора обычно вступают в реакцию с адсорбированным веществом из молекул первого прекурсора и, таким образом, образуют требуемый тонкопленочный материал или покрытие. Этот рост прекратится, когда будет использовано все количество абсорбированного первого прекурсора и поверхность, по существу, насытится вторым типом реакционноспособных участков. Избыток паров второго прекурсора и возможные побочные пары реакции удаляются на втором этапе продувки (продувка В). Потом цикл повторяется до тех пор, пока пленка или покрытие не нарастет до нужной толщины. Циклы осаждения также могут быть более сложными. Например, в состав циклов может входить три или более импульса пара-реагента, разделенные этапами продувки. Все эти циклы осаждения образуют во времени последовательность осаждения, управляемую логическим устройством или микропроцессором.
На фиг. 1 изображен осадительный реактор и способ загрузки в соответствии с примером осуществления. Осадительный реактор содержит реакционную камеру 110, образующую пространство для размещения держателя 130 подложки, удерживающего по меньшей мере одну подложку 135. Указанная по меньшей мере одна подложка фактически может быть группой подложек. В варианте осуществления, изображенном на фиг. 1, по меньшей мере одна подложка 135 установлена вертикально в держателе 130 подложки. Держатель 130 подложки в этом варианте осуществления содержит первый ограничитель 131 потока в нижней части и второй (опциональный) ограничитель 132 потока в верхней части. Второй ограничитель 132 потока обычно более грубый, чем первый ограничитель 131 потока. Как вариант, один или оба ограничителя 131, 132 потока могут быть отдельными от держателя 130 подложки. Реакционная камера 110 закрыта крышкой 120 реакционной камеры в верхней части реакционной камеры. К крышке 120 присоединен выпускной клапан 125.
Осадительный реактор содержит линии 101 и 102 подачи паров прекурсора в нижней части осадительного реактора. Первая линия 101 подачи паров прекурсора проходит от источника 141 инертного несущего газа через первый источник 142 прекурсора (здесь - ТМА) и через первый клапан 143 подачи прекурсора в нижнюю часть реакционной камеры 110. Первый клапан 143 подачи прекурсора управляется приводом 144. Аналогично, вторая линия 102 подачи паров прекурсора проходит из источника 151 инертного несущего газа через второй источник 152 прекурсора (здесь - H2O) и через второй клапан 153 подачи прекурсора в нижнюю часть реакционной камеры 110. Второй клапан 153 подачи прекурсора управляется приводом 154. Источники 141, 151 инертного несущего газа могут быть реализованы посредством одного источника или отдельных источников. В варианте осуществления, изображенном на фиг. 1, в качестве инертного несущего газа используют азот. Тем не менее, при использовании источников прекурсора с высоким давлением пара, в некоторых случаях несущий газ вообще не нужно использовать. Как вариант, в таких случаях маршрут несущего газа может быть следующим: газ будет поступать по линии подачи паров прекурсора, о которой идет речь, но мимо источника прекурсора, о котором идет речь.
Осадительный реактор дополнительно содержит линию 105 подачи продувочного газа в нижней части осадительного реактора. Линия 105 подачи продувочного газа проходит из источника 162 продувочного газа через клапан 163 продувочного газа в нижнюю часть реакционной камеры 110.
Клапан 163 продувочного газа управляется приводом 164. В варианте осуществления, изображенном на фиг. 1, в качестве продувочного газа используют сжатый газ, такой как сухой воздух (или высушенный воздух). В настоящем документе выражения «сухой воздух» и «высушенный воздух» означают «воздух без остаточной влажности».
В реакционную камеру 110 загружают по меньшей мере одну подложку путем опускания держателя 130 подложки в реакционную камеру 110 с верхней части осадительного реактора. После осаждения реакционная камера 110 разгружается в противоположном направлении, иными словами, путем поднятия держателя 130 подложки из реакционной камеры 110. Для выполнения загрузки и разгрузки крышку 120 реакционной камеры сдвигают в сторону.
Как упоминалось ранее, последовательность осаждения состоит из одного или более последовательных циклов осаждения; каждый цикл состоит, по меньшей мере, из первого периода воздействия прекурсора (импульса А), после которого наступает первый этап продувки (продувка А), после которого следует второй период воздействия прекурсора (импульс В), после которого следует второй этап продувки (продувка В). После загрузки, но до начала последовательности осаждения выполняется продувка реакционной камеры 110.
На фиг. 2 изображен осадительный реактор по фиг. 1, работающий во время такой фазы продувки, иными словами, во время начальной продувки или во время продувки А, или продувки В.
В этом примере осуществления, как упоминалось ранее, в качестве продувочного газа используют сжатый газ, такой как сухой воздух. Клапан 163 продувочного газа остается открытым, что позволяет продувочному газу поступать из источника 162 продувочного газа по линии 105 подачи продувочного газа в реакционную камеру 110. Продувочный газ входит в реакционную камеру 110 у расширяющего объема 171 перед первым ограничителем 131 потока. Благодаря ограничителю 131 потока продувочный газ распространяется в стороны в расширяющем объеме 171. Давление в расширяющем объеме 171 выше, чем давление в зоне с подложками, иными словами, в объеме 172. Продувочный газ поступает через ограничитель 131 потока в зону с подложками. Давление в объеме 173 крышки за вторым ограничителем 132 расхода ниже, чем давление в зоне 172 с подложками, поэтому продувочный газ поступает из зоны 172 с подложками через второй ограничитель 132 потока в объем 173 крышки. Из объема 173 крышки продувочный газ поступает через выпускной клапан 125 в выпускной канал. В ходе продувки А и В задача продувки заключается в удалении побочных продуктов газовой реакции и остаточных молекул реагирующего вещества. В ходе начальной продувки задача, как правило, состоит в удалении остаточной влажности и любых загрязнителей.
В одном из примеров осуществления продувочный газ используют для нагревания реакционной камеры 110. Нагревание продувочным газом может происходить во время начальной продувки или во время начальной продувки и последовательности осаждения, в зависимости от обстоятельств. Если сжатый газ, такой как сухой воздух, используемый для нагрева реакционной камеры 110, является инертным в отношении используемых прекурсоров и используемых несущих газов (если они используются), то нагрев продувочным газом может использоваться в периоды воздействия прекурсора (импульс А и импульс В).
В вариантах осуществления с нагреванием продувочный газ нагревается в линии 105 подачи продувочного газа. Нагретый продувочный газ поступает в реакционную камеру 110, нагревает реакционную камеру 110 и, в частности, указанную по меньшей мере одну подложку 135. Применяемый способ передачи тепла в общем является конвекцией, а в частности - принудительной конвекцией.
«Сухой воздух (или высушенный воздух)» означает «воздух без остаточной влажности»; его можно легко получить, например, с помощью обычного устройства для получения чистого сухого воздуха (источника чистого сухого воздуха), которое самого по себе известно. Такое устройство может использоваться в качестве источника 162 продувочного газа.
На фиг. 3 изображен осадительный реактор по фиг. 1, при работе во время импульса А, где используемый прекурсор (первый прекурсор) является триметилалюминием (ТМА). В этом варианте осуществления в качестве инертного несущего газа используют азот N2. Инертный несущий газ поступает через первый источник 142 прекурсора, перенося пары прекурсора в реакционную камеру 110. Перед попаданием в зону 172 с подложками, пары прекурсора распространяются по сторонам в расширяющем объеме 171. Первый клапан 143 подачи прекурсора остается открытым, а второй клапан 153 подачи прекурсора - закрытым.
Одновременно нагретый инертный продувочный газ поступает в реакционную камеру 110 по линии 105 продувочного газа через открытый клапан 163 продувочного газа и нагревает реакционную камеру 110.
На фиг. 4 изображен осаждающий реактор по фиг. 1 при работе во время импульса В, где используемый прекурсор (второй прекурсор) является водой H2O. В этом варианте осуществления в качестве инертного несущего газа используют азот N2. Инертный несущий газ проходит через второй источник 152 прекурсора и несет пары прекурсора в реакционную камеру 110. Перед поступлением в зону 172 подложки пары прекурсора распространяются по сторонам в расширяющем объеме 171. Второй клапан 153 подачи прекурсора остается открытым, а первый клапан 143 подачи прекурсора - закрытым.
Одновременно нагретый инертный продувочный газ поступает в реакционную камеру 110 по линии 105 продувочного газа через открытый клапан 163 продувочного газа, нагревая реакционную камеру 110.
На фиг. 5 изображена компоновка с загрузкой в соответствии с одним из примеров осуществления. В этом варианте осуществления реакционная камера 110 имеет двери в боковых стенках, а держатель 130 подложек загружается с одной стороны и выгружается с другой стороны, например с противоположной стороны. Крышку 120 реакционной камеры можно не открывать.
В некоторых примерах осуществления последовательность осаждения в осадительном реакторе может проходить при давлении окружающей среды (обычно при комнатном давлении) или при давлении, близком к одной стандартной атмосфере (1 атм). В этих вариантах осуществления не требуется использовать в выпускном канале вакуумный насос или что-то подобное. Также не нужна вакуумная камера для обеспечения реакционной камеры 110. Можно не использовать сосуд под давлением. Можно использовать облегченную реакционную камеру 110. Стенки реакционной камеры 110 могут быть тонкими, изготовленными, например, из листового металла. Перед использованием стены можно пассивировать, нанеся на них пассивирующий слой. Можно использовать способ ОАС (ALD). Фактически внутреннюю поверхность реакционной камеры 110 можно пассивировать заранее (перед выполнением последовательностей осаждения на подложках), используя для этого сам осадительный реактор с соответствующими прекурсорами.
Если требуется работать при давлении ниже давления окружающей среды, то осадительный реактор можно оснастить вакуумным эжектором, который сам по себе известен. На фиг. 6 изображен такой вакуумный эжектор 685, установленный в выпускном канале осадительного реактора. В вакуумном эжекторе 685 подходящий инертный движущийся газ поступает в эжектор и создает зону низкого давления путем засасывания газа и мелких частиц из реакционной камеры 110, таким образом снижая давление в реакционной камере 110.
На фиг. 7 изображена реакция осаждения в соответствии с еще одним примером осуществления. В этом изобретении тот же газ, используемый в качестве продувочного газа в линии 105 продувочного газа, также используется в качестве инертного несущего газа. Во время работы сжатый газ, такой как сухой воздух, поочередно поступает из источника 141 через первый источник 142 прекурсора в реакционную камеру 110 и из источника 151 через второй источник 152 прекурсора в реакционную камеру 110 и несет с собой пары прекурсора. Дополнительно, инертный продувочный газ поступает по линии 105 подачи продувочного газа в реакционную камеру 110. Возможен альтернативный вариант маршрута, при котором несущий газ поступает по рассматриваемой линии подачи паров прекурсора, но мимо рассматриваемого источника прекурсора. В данном примере осуществления инертный несущий газ подается из рассматриваемого источника инертного газа по рассматриваемой линии подачи паров прекурсора в реакционную камеру 110, при этом фактически не проходит через рассматриваемый источник прекурсора. Источники газа 141, 151 и 162 могут быть реализованы как один источник или как отдельные источники.
На фиг. 8 изображена реакция осаждения в соответствии с еще одним примером осуществления изобретения. Этот вариант осуществления особенно подходит для случаев, когда продувочный газ из линии 105 подачи не должен поступать в реакционную камеру 110 во время последовательности осаждения (например, если продувочный газ не является инертным по отношению к используемым прекурсорам). В этом варианте осуществления линия 105 подачи продувочного газа открыта во время начальной продувки. Во время начальной продувки подогретый продувочный газ поступает из линии 105 подачи продувочного газа в реакционную камеру 110 для нагревания реакционной камеры 110. После начальной продувки клапан 163 продувочного газа закрывается и остается в закрытом положении в течение всей последовательности осаждения.
На фиг. 9 более подробно изображены некоторые детали осадительного реактора в соответствии с некоторыми примерами осуществления. На фиг. 9 показан нагреватель (или нагреватели) 902 реакционной камеры, теплообменник 905, нагреватель (или нагреватели) 901 линии подачи продувочного газа и обратное соединение 950 для подачи тепла.
Нагреватель 902 реакционной камеры, расположенный вокруг реакционной камеры 110, обеспечивает реакционную камеру 110 теплом, когда это необходимо. Нагреватель 902 может быть электронагревателем или чем-либо подобным. Используемым способом передачи тепла является в основном излучение.
Нагреватель 901 линии подачи продувочного газа нагревает продувочный газ в линии 105 подачи, который, в свою очередь, нагревает реакционную камеру 110. Используемый способ передачи тепла - принудительная конвекция, как было раскрыто ранее. Нагреватель 901 линии подачи газа в линии 105 подачи находится за клапаном 163 продувочного газа на фиг. 9. В альтернативном варианте, нагреватель 901 линии подачи продувочного газа может находиться перед клапаном 163 продувочного газа, ближе к источнику 162 продувочного газа.
Теплообменник 905, присоединенный к верхней части крышки 120 реакционной камеры или к выпускному каналу, может использоваться для осуществления обратного соединения 950. В некоторых вариантах осуществления полученная от выпускных газов тепловая энергия используется при нагревании продувочного газа нагревателем 901 и/или тепловая энергия может использоваться в нагревателе 902.
В каждом из представленных вариантах осуществления крышка 120 реакционной камеры или выпускной канал осадительного реактора могут быть оснащены газовым скруббером. Такой газовый скруббер содержит активный материал для поглощения таких газов, соединений и/или частиц, которые не должны покидать осадительный реактор.
В некоторых вариантах осуществления источники 142, 152 прекурсора могут нагреваться. В своей конструкции источники 142, 152 могут быть сквозными. В некоторых вариантах осуществления опционально могут использоваться ограничители 131, 132 потока, особенно - более крупный, иными словами, ограничитель 132 второго потока. Если у последовательности осаждения медленный механизм роста, то в некоторых вариантах осуществления выпускной клапан 125 можно закрыть во время импульсов А и В, а в остальное время он будет открыт для снижения потребления прекурсора. В некоторых вариантах осуществления осадительный реактор установлен вверх дном по сравнению с представленными здесь вариантами.
На фиг. 10 изображен осадительный реактор, являющийся частью производственной линии, то есть реактор ОАС (ALD) является встроенным в линию реактором (или реакторным модулем) ОАС (ALD). Осадительный реактор, аналогично реактору, ОАС (ALD), раскрытому выше, может использоваться в производственной линии. Пример осуществления на фиг. 10 изображает три соседних модуля или установки в производственной линии. По меньшей мере, одна подложка, или держатель подложки, или кассета, или подобное устройство, удерживающее по меньшей мере одну указанную подложку, подается из модуля или установки 1010, расположенной перед модулем 1020 реактора ОАС (ALD), через впускной проход или дверь 1021. Выпускной проход или дверь 1022 может находиться на противоположной стороне реакторного модуля ОАС (ALD) относительно впускного прохода или двери 1021.
Без ограничения объема и интерпретации притязаний настоящего изобретения, ниже перечислены некоторые технические результаты одного или нескольких раскрытых в настоящем документе примеров осуществления. Техническим результатом является более простая и экономичная конструкция осадительного реактора. Еще один технический результат заключается в нагревании или предварительном нагревании реакционной камеры и поверхностей подложки путем принудительной конвекции. Еще один технический результат заключается в использовании сухого воздуха в качестве продувочного и несущего газа во время последовательности осаждения ОАС (ALD). Еще одной технической особенностью является работа ОАС (ALD) при давлении окружающей среды или немного ниже, что позволяет удобно использовать реактор ОАС (ALD) / реакторный модуль ОАС (ALD) 110 в производственной линии.
Вышеприведенное описание обеспечило с помощью не ограничивающих примеров конкретных реализаций и вариантов исполнения изобретения полное и информативное раскрытие наилучшего варианта, рассматриваемого в настоящее время изобретателями для реализации заявленного изобретения. Тем не менее специалисту в данной области понятно, что изобретение не ограничено деталями вышеизложенных вариантов осуществления и что его можно реализовать в других вариантах осуществления посредством эквивалентных средств, не отклоняясь от отличительных признаков заявленного изобретения.
Кроме того, некоторые признаки раскрытых выше вариантов осуществления этого изобретения можно успешно применять без соответствующего использования других признаков. В связи с этим вышеприведенное описание нужно рассматривать только как иллюстрацию принципов настоящего изобретения, а не как их ограничение. Таким образом, объем заявленного изобретения ограничен только прилагаемой формулой изобретения.

Claims (15)

1. Способ химического осаждения атомных слоев на подложку, включающий использование реактора для осаждения атомных слоев, выполненного с возможностью осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения, использование сухого воздуха в реакторе в качестве продувочного газа и использование сухого воздуха в качестве несущего инертного газа для увеличения давления в источнике прекурсора.
2. Способ по п. 1, включающий подачу сухого воздуха в реакционную камеру реактора в течение всей последовательности осаждения.
3. Способ по п. 1 или 2, включающий использование сухого воздуха при нагревании реакционной камеры реактора.
4. Способ по п. 1 или 2, включающий нагревание сухого воздуха после клапана подачи продувочного газа.
5. Способ по п. 1 или 2, включающий обеспечение обратного соединения для подачи тепла из выпускной части реактора в нагреватель линии подачи продувочного газа.
6. Способ по п. 1 или 2, включающий использование указанного реактора для осаждения атомных слоев при давлении окружающей среды для осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения.
7. Способ по п. 1 или 2, включающий использование эжектора, присоединенного к выпускной части реактора, для снижения рабочего давления в реакторе.
8. Устройство для химического осаждения атомных слоев на подложку, содержащее реакционную камеру для осаждения атомных слоев, выполненную с возможностью осаждения материала на по меньшей мере одной подложке путем последовательных поверхностных реакций самонасыщения, линию подачи сухого воздуха из источника сухого воздуха для подачи сухого воздуха в качестве продувочного газа в реакционную камеру упомянутого устройства и средства для использования сухого воздуха в качестве несущего инертного газа для увеличения давления в источнике прекурсора.
9. Устройство по п. 8, содержащее линию подачи прекурсора, идущую из источника сухого воздуха через источник прекурсора в реакционную камеру, для подачи паров прекурсора в реакционную камеру.
10. Устройство по п. 8 или 9, содержащее нагреватель, выполненный с возможностью нагрева сухого воздуха.
11. Устройство по п. 10, содержащее указанный нагреватель, расположенный после клапана подачи продувочного газа.
12. Устройство по п. 8 или 9, содержащее обратное соединение для подачи тепла из выпускной части упомянутого устройства в нагреватель линии подачи продувочного газа.
13. Устройство по п. 8 или 9, которое является облегченным реактором, выполненным с возможностью работы при давлении окружающей среды или давлении, близком к давлению окружающей среды.
14. Устройство по п. 8 или 9, содержащее эжектор, присоединенный к выпускной части упомянутого устройства для снижения рабочего давления в упомянутом устройстве.
15. Производственная линия для химического осаждения атомных слоев на подложку, отличающаяся тем, что она содержит в качестве средства для химического осаждения атомных слоев на подложку устройство по любому из пп.8-14.
RU2014139815/02A 2012-03-23 2012-03-23 Способ и устройство для осаждения атомных слоев RU2600047C2 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/FI2012/050296 WO2013140021A1 (en) 2012-03-23 2012-03-23 Atomic layer deposition method and apparatuses

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014139815A RU2014139815A (ru) 2016-05-20
RU2600047C2 true RU2600047C2 (ru) 2016-10-20

Family

ID=49221892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014139815/02A RU2600047C2 (ru) 2012-03-23 2012-03-23 Способ и устройство для осаждения атомных слоев

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20150307989A1 (ru)
EP (1) EP2841621A4 (ru)
JP (1) JP2015512471A (ru)
KR (1) KR20140144243A (ru)
CN (1) CN104204290A (ru)
IN (1) IN2014DN07267A (ru)
RU (1) RU2600047C2 (ru)
SG (1) SG11201405417YA (ru)
TW (1) TW201348504A (ru)
WO (1) WO2013140021A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2748658C1 (ru) * 2020-07-16 2021-05-28 Пикосан Ой Устройство для осаждения или очистки с подвижной конструкцией и способ его эксплуатации
US11725279B2 (en) 2017-02-08 2023-08-15 Picosun Oy Deposition or cleaning apparatus with movable structure

Families Citing this family (192)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11326255B2 (en) * 2013-02-07 2022-05-10 Uchicago Argonne, Llc ALD reactor for coating porous substrates
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
WO2018070284A1 (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 株式会社Ihi 気相プロセス用再熱捕集装置
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
JP7127036B2 (ja) 2017-01-23 2022-08-29 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア カソード材料の製造方法、及び当該方法を行うことに適する反応器
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
FI129627B (en) * 2019-06-28 2022-05-31 Beneq Oy Nuclear layer cultivation equipment
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11111578B1 (en) 2020-02-13 2021-09-07 Uchicago Argonne, Llc Atomic layer deposition of fluoride thin films
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
JP7378357B2 (ja) * 2020-06-17 2023-11-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびガス供給配管のパージ方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US11901169B2 (en) 2022-02-14 2024-02-13 Uchicago Argonne, Llc Barrier coatings

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7750558B2 (en) * 2006-12-27 2010-07-06 Global Oled Technology Llc OLED with protective electrode

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3061067B2 (ja) * 1991-04-23 2000-07-10 株式会社ニコン 焦点検出装置
US20040069448A1 (en) * 2001-02-20 2004-04-15 Osamu Suenaga Exhaust heat utilization system, exhaust heat utilization method, and semiconductor production facility
JP4921652B2 (ja) * 2001-08-03 2012-04-25 エイエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． イットリウム酸化物およびランタン酸化物薄膜を堆積する方法
US6893506B2 (en) * 2002-03-11 2005-05-17 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition apparatus and method
US6849464B2 (en) * 2002-06-10 2005-02-01 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a multilayer dielectric tunnel barrier structure
JP2006294750A (ja) * 2005-04-07 2006-10-26 Toshiba Corp 薄膜堆積装置及び方法
US7521356B2 (en) * 2005-09-01 2009-04-21 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition systems and methods including silicon-containing tantalum precursor compounds
AU2006316359A1 (en) * 2005-11-28 2007-05-31 Beneq Oy Method for preventing metal leaching from copper and its alloys
JP2008175948A (ja) * 2007-01-17 2008-07-31 Seiko Epson Corp 原子層堆積膜の形成装置
US10041169B2 (en) * 2008-05-27 2018-08-07 Picosun Oy System and method for loading a substrate holder carrying a batch of vertically placed substrates into an atomic layer deposition reactor
GB0816186D0 (en) * 2008-09-05 2008-10-15 Aviza Technologies Ltd Gas delivery device
US8282334B2 (en) * 2008-08-01 2012-10-09 Picosun Oy Atomic layer deposition apparatus and loading methods
CN102239278A (zh) * 2008-12-05 2011-11-09 莲花应用技术有限责任公司 具有改进的阻隔层性能的薄膜的高速沉积
JP5343838B2 (ja) * 2009-12-16 2013-11-13 富士電機株式会社 薄膜製造装置
FI20105906A0 (fi) * 2010-08-30 2010-08-30 Beneq Oy Laite
FI20105903A0 (fi) * 2010-08-30 2010-08-30 Beneq Oy Laite

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7750558B2 (en) * 2006-12-27 2010-07-06 Global Oled Technology Llc OLED with protective electrode

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11725279B2 (en) 2017-02-08 2023-08-15 Picosun Oy Deposition or cleaning apparatus with movable structure
RU2748658C1 (ru) * 2020-07-16 2021-05-28 Пикосан Ой Устройство для осаждения или очистки с подвижной конструкцией и способ его эксплуатации

Also Published As

Publication number Publication date
RU2014139815A (ru) 2016-05-20
JP2015512471A (ja) 2015-04-27
IN2014DN07267A (ru) 2015-04-24
EP2841621A4 (en) 2016-03-16
WO2013140021A1 (en) 2013-09-26
KR20140144243A (ko) 2014-12-18
SG11201405417YA (en) 2014-10-30
EP2841621A1 (en) 2015-03-04
TW201348504A (zh) 2013-12-01
US20150307989A1 (en) 2015-10-29
CN104204290A (zh) 2014-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2600047C2 (ru) Способ и устройство для осаждения атомных слоев
JP5977886B2 (ja) 原子層堆積法による基板ウェブのコーティング
US20180305813A1 (en) Methods and Apparatus for Deposition Reactors
TWI588286B (zh) 經改良的電漿強化原子層沉積方法、周期及裝置
WO2010103751A1 (ja) 原子層堆積装置及び薄膜形成方法
CN109689930B (zh) 用于原子层沉积的设备和方法
RU2586956C2 (ru) Реактор атомно-слоевого осаждения для обработки партии подложек и способ обработки партии подложек
CN110582591B (zh) 原子层沉积设备、方法和阀
WO2011088024A1 (en) Methods and apparatus for atomic layer deposition on large area substrates
JP6814136B2 (ja) Ａｌｄ法およびａｌｄ装置
US10597778B2 (en) ALD method and apparatus including a photon source