RU2217862C2 - Схема усилителя радиоприемника, схема радиочастотного смесителя и содержащий их радиоприемник - Google Patents

Схема усилителя радиоприемника, схема радиочастотного смесителя и содержащий их радиоприемник Download PDF

Info

Publication number
RU2217862C2
RU2217862C2 RU99119093/28A RU99119093A RU2217862C2 RU 2217862 C2 RU2217862 C2 RU 2217862C2 RU 99119093/28 A RU99119093/28 A RU 99119093/28A RU 99119093 A RU99119093 A RU 99119093A RU 2217862 C2 RU2217862 C2 RU 2217862C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistors
radio
effect transistors
circuit
input
Prior art date
Application number
RU99119093/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU99119093A (ru
Inventor
Андрей ЛИТВИН
Свен Эрик МАТТИССОН
Original Assignee
Телефонактиеболагет Лм Эрикссон
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Телефонактиеболагет Лм Эрикссон filed Critical Телефонактиеболагет Лм Эрикссон
Publication of RU99119093A publication Critical patent/RU99119093A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2217862C2 publication Critical patent/RU2217862C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
    • H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/266—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232—Field-effect technology
    • H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
  • Executing Machine-Instructions (AREA)
  • Mobile Radio Communication Systems (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение относится к структуре, ориентированной на радиосвязь, в частности, к структуре КМОП-микросхем для цифрового приемопередатчика радиосвязи. Предложена схема усилителя радиоприемника, реализованная на основе КМОП-микросхемы, включающая в себя два канальных полевых униполярных транзистора (КПУ-транзистора) с общим затвором и два входных КПУ-транзистора со стандартными пороговыми напряжениями, на которые подается входной сигнал, причем входные КПУ-транзисторы соединены с напряжением питания и с "землей", а КПУ-транзисторы с общим затвором соединены по каскадной схеме между входными КПУ-транзисторами, при этом КПУ-транзисторы с общим затвором имеют уменьшенные пороговые напряжения по сравнению с стандартными пороговыми напряжениями входных КПУ-транзисторов. Также предложена схема радиочастотного смесителя, содержащая два передаточных вентиля, каждый из которых включает в себя два КПУ-транзистора, причем соответствующие сигналы гетеродина подаются на затворы транзисторов, а входной сигнал подается на входы передаточных вентилей, при этом транзисторы передаточных вентилей имеют уменьшенные пороговые напряжения по сравнению с транзисторами, имеющими стандартные пороговые напряжения, которые используются для генерирования сигналов гетеродина. Предлагаемый радиоприемник реализован на основе указанных КМОП-микросхем усилителя и смесителя. В результате повышается эффективность функционирования КМОП-микросхем при низких напряжениях питания. 3 с. и 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Description

Область техники
Это изобретение относится к структуре, ориентированной на радиосвязь, в частности к структуре КМОП (комплементарного металло-оксидного полупроводника) (CMOS) для цифрового приемопередатчика радиосвязи.
Уровень техники
В области цифровой мобильной телефонной связи необходимо осуществлять передачу и прием радиосигналов, которые содержат в себе цифровые сигналы. Кроме того, в предпочтительном варианте приемопередатчик мобильной связи должен быть небольшим и легким, насколько это возможно, и иметь низкое энергопотребление. Целесообразно реализовать цифровые компоненты приемопередатчика, например цифровой процессор сигнала, аналого-цифровой преобразователь (АЦП) и цифроаналоговый преобразователь (ЦАП) с использованием КМОП-технологий изготовления. Это означает, что с точки зрения изготовления также целесообразно реализовать аналоговые компоненты приемопередатчика, например усилители, смесители и т.д. с использованием тех же самых КМОП-технологий изготовления. Структура такого типа раскрыта в публикации "Набор КМОП-микросхем с низким энергопотреблением для связи с разнесением сигнала по спектру" "A Low-Power CMOS Chipset for Spread-Spectrum Communications"), с. Шенга (S. Sheng) и др., Международная конференция по полупроводниковым схемам (International Solid-State Circuits Conference), 1996.
Однако КМОП-транзисторы обычно предназначены для функционирования в качестве переключателей с низкими токами утечки. Следствием этого является то, что такие транзисторы менее пригодны для использования в аналоговых ВЧ-схемах. Например, они обычно имеют низкие значения крутизны характеристики, особенно при низких напряжениях смещения, что приводит к низкому коэффициенту усиления и к высоким (фазовым) шумам.
В патенте США 5407849 раскрыт способ изготовления схемы КМОП, в которой пороговое напряжение некоторых транзисторов (полевых транзисторов (ПТ)) уменьшают, например, так, чтобы оно было близким к нулю вольт.
Краткое описание изобретения
Таким образом, если для реализации всех схем решено использовать технологии КМОП, то структура для радиосвязи на известном уровне техники предусматривает наличие компромисса при функционировании устройства. Между тем, в патенте США 5407849 раскрыт способ снижения порогового напряжения некоторых полевых транзисторов в схеме с КМОП, но не раскрыто то, как это может быть использовано в структуре для радиосвязи.
Изобретение включает в себя использование транзисторов с различными пороговыми напряжениями в различных частях интегральной схемы для цифрового радио.
В предпочтительном варианте изобретение включает в себя использование транзисторов с высокими или нормальными пороговыми напряжениями в схемах, которые осуществляют обработку цифровых сигналов, и транзисторов с уменьшенными пороговыми напряжениями в схемах, которые осуществляют обработку аналоговых сигналов.
Кроме того, изобретение может также включать в себя использование в схемах входного каскада приемопередатчика радиосвязи некоторого количества транзисторов с высокими или нормальными пороговыми напряжениями и некоторого количества транзисторов с уменьшенными пороговыми напряжениями. Такой приемопередатчик может представлять собой КМОП-устройство или же в нем могут быть использованы только n-МОП (МОП-структура с каналом n-типа) (NMOS) или р-МОП (МОП-структура с каналом р-типа) (PMOS) устройства.
Краткое описание чертежей
Фиг. 1 представляет собой принципиальную блок-схему приемопередатчика радиосвязи в соответствии с изобретением.
Фиг. 2 представляет собой принципиальную электрическую схему входного каскада в соответствии с изобретением.
На фиг. 3 показана первая общепринятая схема, поясняющая преимущества настоящего изобретения.
На фиг. 4 показана вторая общепринятая схема, поясняющая преимущества настоящего изобретения.
Подробное описание вариантов осуществления
Как показано на фиг. 1, приемопередатчик 2 радиосвязи, используемый в телефонном аппарате мобильной связи, имеет приемную антенну 4 для приема радиосигналов и малошумящий усилитель 6 для восстановления принятых сигналов до пригодных для использования уровней. Усиленные сигналы поступают к смесителю 8, где осуществляют преобразование их частоты из высокой в более низкую промежуточную частоту, а затем фильтрацию в фильтре 10. Отфильтрованные сигналы поступают в аналого-цифровой преобразователь (АЦП) 12, который преобразовывает сигналы в цифровой вид, в котором они могут быть обработаны процессором 14 сигнала, после которого осуществляют их вывод по линии 16.
Сигналы для передачи подают в цифровой форме по линии 18 в процессор 14 сигнала, а затем после обработки подают в цифроаналоговый преобразователь (ЦАП) 20. После преобразования в аналоговый вид сигналы передают в модулятор 22 для преобразования в высокую частоту, а затем - в усилитель 24 мощности и на передающую антенну 26 (которая может быть объединена с приемной антенной 4) для передачи в виде радиосигнала.
Общая структура приемопередатчика, описанная в общих чертах выше, известна для специалиста в данной области техники, и для него очевидно, что возможны различные видоизменения и модификации.
Кроме того, было предложено, что целесообразно было бы объединить схемы в одной микросхеме.
Авторами настоящего изобретения здесь было признано, что приемопередатчик, показанный на фиг. 1, включает в себя схемы двух различных типов, которые предъявляют различные требования, и что эти противоречивые требования могут быть удовлетворены путем использования в различных типах схемы транзисторов с различными пороговыми напряжениями. Это позволяет оптимизировать характеристики приемопередатчика, предоставляя, однако, возможность сформировать радиосхемы в одиночной монолитной интегральной схеме, которая имеет преимущества с точки зрения размера и веса телефонного аппарата.
В частности, цифровые компоненты схемы, например аналого-цифровой преобразователь (АЦП) и цифроаналоговый преобразователь (ЦАП) в предпочтительном варианте формируют с использованием КМОП-транзисторов со стандартными (иногда упоминаемыми здесь как высокие) пороговыми напряжениями, например, в области +1 В для n-МОП устройства или -1 В для р-МОП устройства. Таким образом, величина порогового напряжения в каждом случае превышает 0,5 В. В отличие от этого, аналоговые компоненты ВЧ-схемы, например усилители, в предпочтительном варианте формируют с использованием КМОП-транзисторов с уменьшенными пороговыми напряжениями, имеющими величину менее 0,5 В. В результате это может привести к уменьшению потребляемой мощности, снижению шумов и большей ширине полосы частот. Пороговые напряжения в предпочтительном варианте уменьшают до величины, близкой к нулю, или даже за пределы нуля. Таким образом, n-МОП-транзисторы могут иметь малые отрицательные пороговые напряжения, а р-МОП транзисторы могут иметь малые положительные пороговые напряжения.
Пунктирная линия 28 на фиг.1 показывает одно разделение схемы, которое является предпочтительным в настоящее время. Схемы справа от линии 28 могут иметь транзисторы с высокими пороговыми напряжениями, в то время как схемы слева от линии 28 имеют транзисторы с низкими пороговыми напряжениями. Однако возможны и другие разделения, а транзисторы с различными пороговыми напряжениями действительно можно использовать в различных частях одной и той же схемы.
Как раскрыто в патенте США 5407849, возможно достичь различных пороговых напряжений в различных транзисторах посредством изменения доз пороговой имплантации в выбранных частях полупроводникового прибора либо путем использования существующих масок, либо путем добавления дополнительных масок.
Таким образом, в нем раскрыта структура для радиосвязи, которая может быть объединена в единой микросхеме без ухудшения функциональных характеристик.
Фиг.2 представляет собой принципиальную электрическую схему входного каскада радиоприемника в соответствии с изобретением. Как кратко упомянуто выше, эта схема включает в себя транзисторы с различными пороговыми напряжениями. Для ясности на чертеже изображены только транзисторы. На фиг.2 транзисторы, имеющие уменьшенные пороговые напряжения, изображены с утолщенными каналами исток-сток. Как упомянуто выше, пороговые напряжения этих устройств могут быть сильно уменьшены в предпочтительном варианте до величины, близкой к нулю или даже меньшей нуля. Устройства, имеющие пороги ниже нуля, называют устройствами с обеднением. Остальная часть схемы является обычной, а общее проектирование интегральных микросхем для специалиста в данной области техники известно. Транзисторы могут представлять собой КМОП-устройства либо n-МОП-устройства, либо р-МОП-устройства.
В общем случае схема приемника по фиг.2 включает в себя входной усилительный каскад 52, задающие генераторы 54, 56 гетеродина и два смесителя 58, 60. Эта схема образует один балансный входной каскад. Для формирования двойного балансного малошумящего усилителя и смесителя схема может быть объединена с другой идентичной схемой.
Усилительный каскад 52 включает в себя два входных транзистора M1, M4, которые соединены соответственно с "землей" и с напряжением Vdd питания. Входной радиочастотный сигнал RFin подают на затвор первого входного транзистора M1, а на второй входной транзистор M4 его подают в инвертированном виде. Усилительный каскад 52 также включает в себя два транзистора М2, М3 с общим затвором, на затворы которых подают деленное напряжение Vdd/2 питания (инвертированное в случае М3), и каналы истока-стока которых соединены с каналами истока-стока входных транзисторов M1, M4.
Понятно, что каскадные транзисторы М2, М3 с общим затвором являются устройствами с низким порогом.
Выходной сигнал из усилительного каскада 52 подают в синфазный смеситель 58, состоящий из транзисторов М5, М6, и в квадратурный смеситель 60, состоящий из транзисторов М7, М8.
Сигнал синфазного гетеродина LOi подают на затвор транзистора М9, а на затвор транзистора М10 его подают в инвертированном виде, причем транзисторы М9 и M10 подключены между напряжением питания Vdd и "землей" так, что М9 и М10 образуют задающий генератор гетеродина 54. Выходной сигнал от транзисторов М9 и М10 подают на затвор транзистора М8, а на затвор транзистора М5 его подают в инвертированном виде.
Сигнал квадратурного гетеродина LOq подают на затвор транзистора М11, а на затвор транзистора М12 его подают в инвертированном виде, причем транзисторы М11 и М12 подключены между напряжением питания Vdd и "землей" так, что М11 и М12 образуют задающий генератор гетеродина 56. Выходной сигнал от транзисторов М11 и М12 подают на затвор транзистора М6, а на затвор транзистора М7 его подают в инвертированном виде.
Выходной сигнал синфазного смесителя 58 представляет собой синфазный сигнал IFi промежуточной частоты, а выходной сигнал квадратурного смесителя 60 представляет собой квадратурный сигнал IFq промежуточной частоты.
Понятно, что транзисторы М5, М6, М7 и М8 являются устройствами с низким порогом, а транзисторы М9, M10, М11 и M12 задающего генератора гетеродина относятся к типу с обычным порогом. Для транзисторов задающего генератора гетеродина целесообразно, чтобы токи утечки в выключенном состоянии были минимальными, и поэтому предпочтительным является использование транзисторов с обычным порогом. Кроме того, преимущество использования транзисторов с высоким или обычными пороговыми напряжениями в ГУН (генераторе, управляемом напряжением) (VCO) состоит в том, что это приводит к большому "размаху сигнала" в резонаторе и, следовательно, к более низким (фазовым) шумам.
Преимущество использования устройств с низким порогом в каскадной схеме, такой как усилитель 52, будет пояснено со ссылкой на фиг.3. На фиг.3 показаны два каскадных транзистора Q1 и Q2, которые имеют соответствующие напряжения затвор-исток Vgsl и Vgs2. Входной сигнал подают на затвор транзистора Q1, а выходной сигнал получают на стоке транзистора Q2. Напряжение Vgsl затвор-исток заземленного истокового устройства Q1 должно быть, по меньшей мере, достаточно высоким по сравнению с пороговым напряжением Vth, таким что Vgsl-Vth= 1 В. В противном случае устройство не будет работать в радиочастотном диапазоне. Подобные соображения относятся и к Q2, в которых подразумевают, что напряжение затвора транзистора Q2 должно быть установлено, по меньшей мере, около 2,8 В. Это не может быть достигнуто при 3-вольтовом режиме, и почти наверняка не может быть достигнуто при любом режиме с более низким напряжением питания. Однако если бы пороговое напряжение было уменьшено, например, до нуля, то для Q2 было бы достаточным напряжение затвора, равное 2 В.
Следовательно, возвращаясь к схеме из фиг.2, можно увидеть, что использование устройств с низким порогом для каскадных транзисторов М2, М3 с общим затвором улучшает динамический диапазон схемы или может дать возможность использовать более низкие напряжения питания.
Одна из возможных проблем, связанных с использованием устройств с низким порогом, состоит в том, что они имеют проводимость (из-за проводимости ниже порога) даже тогда, когда напряжение затвор-исток на них равно нулю. Эта проблема решена в схеме усилителя 52 из фиг.2 таким образом, что входные транзисторы M1, М4 имеют порог обычного типа с малыми токами утечки. Входные транзисторы M1, M4 могут также иметь уменьшенные пороги, но в этом случае для отключения усилителя необходимо отключать ток питания. В этом случае также необходимо осуществить связь транзисторов M1, М4 на входе по переменному току и подавать на них раздельное смещение.
Преимущество использования устройств с низким порогом в передаточном вентиле, а также в смесителях 58, 60 будет объяснено со ссылкой на фиг.4. В частности, на фиг. 4 показан передаточный вентиль, состоящий из двух транзисторов, затвор одного из которых Q3 подключен к напряжению питания Vdd, a затвор другого из которых Q4 заземлен. Для каждого транзистора напряжение затвор-исток равно Vdd/2. Учитывая пороговое напряжение и игнорируя влияние обратного смещения, эффективное напряжение затвора равно Vdd/2-Vth. Для 3-вольтового режима, в котором пороговое напряжение равно 0,8 В, это дает эффективное напряжение затвора около 0,7 В. Чем меньшим становится эффективное напряжение затвора, тем большей становится проблема, возникающая из-за шумов. Кроме того, если бы напряжение питания уменьшить, то эффективное напряжение затвора вряд ли было бы достаточно высоким для того, чтобы вообще включить затвор. Если пороговое напряжение уменьшено до нуля, то эффективное напряжение затвора становится приблизительно равным Vdd/2, то есть около 1,5 В, что приблизительно равно удвоенному значению напряжения при использовании устройств с обычным порогом.
Следовательно, возвращаясь к схеме из фиг.2, можно заметить, что использование устройств с низким порогом для транзисторов М5, М6, М7 и М8 уменьшает шумы, а также уменьшает сопротивление устройств во включенном состоянии. Также становится возможным использование более низкого напряжения питания.
Одна из вероятных проблем, связанных с использованием устройств с низким порогом, состоит в том, что они имеют проводимость (из-за проводимости ниже порога) даже тогда, когда напряжение затвор-исток на них равно нулю. Эта проблема решена в схемах смесителей 58, 60 из фиг.2 таким образом, что каждый из транзисторов может быть соответствующим образом выключен путем подачи отрицательного напряжения затвор-исток, равного рабочему напряжению Vdd/2 и противоположного ему по знаку.
Таким образом, здесь раскрыты схемы приемника, которые могут эффективно функционировать при низких напряжениях питания, не вызывая проблем из-за высоких токов утечки.

Claims (4)

1. Схема усилителя радиоприемника, реализованная на основе КМОП-микросхемы, включающая в себя два канальных полевых униполярных транзистора (КПУ-транзистора) с общим затвором и два входных КПУ-транзистора со стандартными пороговыми напряжениями, на которые подается входной сигнал, причем входные КПУ-транзисторы соединены с напряжением питания и с "землей", а КПУ-транзисторы с общим затвором соединены по каскадной схеме между входными КПУ-транзисторами, при этом КПУ-транзисторы с общим затвором имеют уменьшенные пороговые напряжения по сравнению с стандартными пороговыми напряжениями входных КПУ-транзисторов.
2. Схема радиочастотного смесителя, реализованная на основе КМОП-микросхемы, содержащая два передаточных вентиля, каждый из которых включает в себя два канальных полевых униполярных транзистора (КПУ-транзистора), причем соответствующие сигналы гетеродина подаются на затворы транзисторов, а входной сигнал подается на входы передаточных вентилей, при этом транзисторы передаточных вентилей имеют уменьшенные пороговые напряжения по сравнению с транзисторами, имеющими стандартные пороговые напряжения, которые используются для генерирования сигналов гетеродина.
3. Схема радиочастотного смесителя по п.2, в котором сигналы гетеродина подаются на передаточные вентили через два задающих генератора гетеродина, каждый из которых образован двумя транзисторами, причем транзисторы задающих генераторов гетеродина имеют стандартные пороговые напряжения.
4. Радиоприемник, реализованный на основе КМОП-микросхем, включающий в себя усилитель по п.1 и схему смесителя по п.2 или 3.
RU99119093/28A 1997-02-05 1998-01-26 Схема усилителя радиоприемника, схема радиочастотного смесителя и содержащий их радиоприемник RU2217862C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9702375A GB2322042B (en) 1997-02-05 1997-02-05 Radio architecture
GB9702375.8 1997-02-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU99119093A RU99119093A (ru) 2001-07-10
RU2217862C2 true RU2217862C2 (ru) 2003-11-27

Family

ID=10807155

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99119093/28A RU2217862C2 (ru) 1997-02-05 1998-01-26 Схема усилителя радиоприемника, схема радиочастотного смесителя и содержащий их радиоприемник

Country Status (21)

Country Link
US (2) US6611680B2 (ru)
EP (3) EP1742268A3 (ru)
JP (1) JP2001516525A (ru)
KR (2) KR20050111639A (ru)
CN (1) CN1165998C (ru)
AU (1) AU746534B2 (ru)
BR (1) BR9807551A (ru)
CA (1) CA2280128C (ru)
DE (1) DE69839512D1 (ru)
DK (1) DK0970523T3 (ru)
EE (1) EE9900342A (ru)
ES (1) ES2306470T3 (ru)
GB (1) GB2322042B (ru)
HK (1) HK1024098A1 (ru)
ID (1) ID22766A (ru)
MY (1) MY126413A (ru)
NO (1) NO993778L (ru)
PL (1) PL334808A1 (ru)
RU (1) RU2217862C2 (ru)
TR (3) TR199901818T2 (ru)
WO (1) WO1998035386A1 (ru)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3566608B2 (ja) * 1999-12-28 2004-09-15 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路
US6871057B2 (en) * 2000-03-08 2005-03-22 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Mixer circuit
JP2004040735A (ja) * 2002-07-08 2004-02-05 Toyota Industries Corp 半導体集積回路及び半導体集積回路の製造方法
KR100446004B1 (ko) * 2002-07-12 2004-08-25 한국과학기술원 깊은 엔 웰 씨모스 공정으로 구현된 수직형 바이폴라 정션트랜지스터를 사용한 직접 변환 수신기
US20040044512A1 (en) * 2002-08-29 2004-03-04 Motorola, Inc. Method and apparatus for increasing a number of operating states of a circuit device
GB2412260B (en) 2004-03-16 2007-09-26 Wolfson Microelectronics Plc Low noise op amp
GB2412259A (en) 2004-03-16 2005-09-21 Wolfson Ltd A CMOS folded-cascode operational amplifier having low flicker noise
US20090028224A1 (en) * 2005-03-10 2009-01-29 Niigata Seimitsu Co., Ltd. Semiconductor device
US7587224B2 (en) * 2005-12-21 2009-09-08 Broadcom Corporation Reconfigurable topology for receiver front ends
FI20075275A0 (fi) * 2007-04-19 2007-04-19 Nokia Corp RF-transkonduktanssituloaste
US20090088124A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-02 Nanoamp Solutions, Inc. (Cayman) Radio Frequency Receiver Architecture
DE102008018871B4 (de) * 2008-04-14 2010-10-07 Atmel Automotive Gmbh Empfängerschaltung, Verfahren zum Empfang eines Signals und Verwendung einer Detektionsschaltung und einer Kontrollschaltung

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3675144A (en) * 1969-09-04 1972-07-04 Rca Corp Transmission gate and biasing circuits
US4105874A (en) 1977-03-01 1978-08-08 Siemens Aktiengesellschaft Centrally controlled electronic telephone system having a customer memory for storing information on two or more different subscriber stations and peripheral equipment-specific information
US4142114A (en) * 1977-07-18 1979-02-27 Mostek Corporation Integrated circuit with threshold regulation
JPS5530862A (en) * 1978-08-25 1980-03-04 Seiko Instr & Electronics Ltd Method of making semiconductor device
JPS5763925A (en) 1980-10-06 1982-04-17 Nec Corp Transmitter for time-division multiplex radio communication
SU1331277A1 (ru) 1983-08-15 1996-12-10 В.И. Бабуров Импульсный радиоприемник
DE3582696D1 (de) * 1984-05-29 1991-06-06 John S Donovan Gegentaktverstaerker ohne vorspannungserzeugung.
JPS6387010A (ja) 1986-09-30 1988-04-18 Toshiba Corp デジタルチユ−ニング回路
GB2201559A (en) * 1987-01-23 1988-09-01 Gen Electric Plc Electrical signal mixer circuit
KR890003217B1 (ko) 1987-02-24 1989-08-26 삼성전자 주식회사 디램 쎌의 제조방법
JPS63246021A (ja) 1987-03-31 1988-10-13 Citizen Watch Co Ltd チユ−ナ−
US4897662A (en) * 1988-12-09 1990-01-30 Dallas Semiconductor Corporation Integrated circuit with wireless freshness seal
JPH02222309A (ja) * 1989-02-23 1990-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 平衡変調器
US4979230A (en) * 1989-12-04 1990-12-18 General Instrument Corporation Up-conversion homodyne receiver for cable television converter with frequency offset to avoid adjacent channel interference
US5585288A (en) * 1990-07-16 1996-12-17 Raytheon Company Digital MMIC/analog MMIC structures and process
JP2679889B2 (ja) * 1990-07-19 1997-11-19 株式会社テック 無線通信装置及びその装置の受信制御方式
US6320429B1 (en) * 1991-06-28 2001-11-20 Fuji Electric Co., Ltd. Integrated circuit having a comparator circuit including at least one differential amplifier
US5248627A (en) 1992-03-20 1993-09-28 Siliconix Incorporated Threshold adjustment in fabricating vertical dmos devices
DE69328743T2 (de) * 1992-03-30 2000-09-07 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Halbleiteranordnung
JPH05335855A (ja) * 1992-05-29 1993-12-17 Sanyo Electric Co Ltd ラジオ受信機
US5407849A (en) * 1992-06-23 1995-04-18 Imp, Inc. CMOS process and circuit including zero threshold transistors
JP3197956B2 (ja) * 1992-09-21 2001-08-13 富士通株式会社 半導体集積回路
JPH06283675A (ja) * 1993-03-25 1994-10-07 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JPH06309477A (ja) * 1993-04-27 1994-11-04 Toshiba Corp アナログ乗算器およびこの乗算器を使用した検波回路
US5465418A (en) * 1993-04-29 1995-11-07 Drexel University Self-oscillating mixer circuits and methods therefor
KR0137105B1 (ko) * 1993-06-17 1998-04-29 모리시다 요이치 데이터 전송회로, 데이터선 구동회로, 증폭회로, 반도체 집적회로 및 반도체 기억장치
US5379457A (en) * 1993-06-28 1995-01-03 Hewlett-Packard Company Low noise active mixer
JP3143277B2 (ja) * 1993-07-21 2001-03-07 株式会社日立製作所 差動型ｍｏｓ伝送回路
EP0637073A1 (en) * 1993-07-29 1995-02-01 STMicroelectronics S.r.l. Process for realizing low threshold P-channel MOS transistors for complementary devices (CMOS)
JP3227983B2 (ja) * 1993-09-10 2001-11-12 ソニー株式会社 半導体装置及びその製造方法
EP0653843A3 (en) * 1993-11-17 1996-05-01 Hewlett Packard Co CMOS circuits with adaptive voltage threshold.
DE69434903T2 (de) * 1993-11-29 2007-04-26 Fujitsu Ltd., Kawasaki Elektronisches System zum Abschluss von Busleitungen
JP3043250B2 (ja) * 1993-12-27 2000-05-22 ヒュンダイ エレクトロニクス アメリカ ゲートアレイ用アナログ出力駆動回路
JPH07235952A (ja) * 1993-12-28 1995-09-05 Oki Electric Ind Co Ltd 信号伝送回路およびその回路を用いた信号伝送装置
US5441906A (en) 1994-04-04 1995-08-15 Motorola, Inc. Insulated gate field effect transistor having a partial channel and method for fabricating
US5600275A (en) * 1994-04-29 1997-02-04 Analog Devices, Inc. Low-voltage CMOS comparator with offset cancellation
US5760449A (en) * 1994-05-31 1998-06-02 Welch; James D. Regenerative switching CMOS system
US5559050A (en) 1994-06-30 1996-09-24 International Business Machines Corporation P-MOSFETS with enhanced anomalous narrow channel effect
US6194945B1 (en) * 1994-07-15 2001-02-27 Unisys Corporation Dual threshold digital receiver with large noise margin
US5506544A (en) * 1995-04-10 1996-04-09 Motorola, Inc. Bias circuit for depletion mode field effect transistors
JPH08330590A (ja) * 1995-06-05 1996-12-13 Motorola Inc 絶縁ゲート電界効果トランジスタ構造およびその製造方法
US5532637A (en) * 1995-06-29 1996-07-02 Northern Telecom Limited Linear low-noise mixer
JPH0927597A (ja) 1995-07-12 1997-01-28 Sony Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0927594A (ja) 1995-07-13 1997-01-28 Hitachi Ltd 高周波モノリシック集積回路
US5708391A (en) * 1996-05-02 1998-01-13 Altmann; Michael High frequency differential filter with CMOS control
DE69738894D1 (de) * 1996-03-13 2008-09-25 Symbol Technologies Inc Funksendeempfängerund Modulen dafür
FR2746228A1 (fr) * 1996-03-13 1997-09-19 Philips Electronics Nv Dispositif semiconducteur incluant un melangeur en anneau
US5758274A (en) * 1996-03-13 1998-05-26 Symbol Technologies, Inc. Radio frequency receiver with automatic gain control
JP3693751B2 (ja) * 1996-05-20 2005-09-07 株式会社ルネサステクノロジ ハイ・インピーダンス検出回路、およびインタフェース回路
FR2751811B1 (fr) * 1996-07-24 1998-10-09 Matra Communication Procede de demodulation numerique
US5838117A (en) * 1997-02-28 1998-11-17 General Electric Company Ballast circuit with synchronization and preheat functions
US5966032A (en) * 1996-09-27 1999-10-12 Northern Telecom Limited BiCMOS transceiver (driver and receiver) for gigahertz operation
US5923184A (en) * 1996-12-23 1999-07-13 Motorola, Inc. Ferroelectric transistor logic functions for programming
US5886562A (en) * 1996-12-26 1999-03-23 Motorola, Inc. Method and apparatus for synchronizing a plurality of output clock signals generated from a clock input signal
US5757215A (en) * 1997-03-10 1998-05-26 Vtc Inc. Common-gate pre-driver for disc drive write circuit
JPH1155089A (ja) * 1997-07-29 1999-02-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体ゲート回路
US6297686B1 (en) * 1999-05-28 2001-10-02 Winbond Electronics Corporation Semiconductor integrated circuit for low-voltage high-speed operation
WO2004088847A2 (en) * 2003-03-28 2004-10-14 Ess Technology, Inc. Audio digital to analog converter with harmonic suppression

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000070610A (ko) 2000-11-25
CA2280128A1 (en) 1998-08-13
NO993778D0 (no) 1999-08-04
TR200000320T2 (tr) 2000-05-22
HK1024098A1 (en) 2000-09-29
EP0970523A1 (en) 2000-01-12
CN1165998C (zh) 2004-09-08
ID22766A (id) 1999-12-09
CA2280128C (en) 2008-08-12
KR100686413B1 (ko) 2007-02-23
TR199901818T2 (xx) 1999-10-21
EP1742268A2 (en) 2007-01-10
EP0970523B1 (en) 2008-05-21
ES2306470T3 (es) 2008-11-01
AU6213598A (en) 1998-08-26
EP1742267A2 (en) 2007-01-10
CN1246964A (zh) 2000-03-08
DK0970523T3 (da) 2008-09-15
US20030013416A1 (en) 2003-01-16
MY126413A (en) 2006-09-29
PL334808A1 (en) 2000-03-13
US6611680B2 (en) 2003-08-26
KR20050111639A (ko) 2005-11-25
EP1742268A3 (en) 2007-08-01
EP1742267A3 (en) 2007-08-08
TR200000321T2 (tr) 2000-05-22
US6973290B2 (en) 2005-12-06
WO1998035386A1 (en) 1998-08-13
EE9900342A (et) 2000-02-15
GB2322042A (en) 1998-08-12
GB9702375D0 (en) 1997-03-26
US20030211833A1 (en) 2003-11-13
BR9807551A (pt) 2000-02-01
DE69839512D1 (de) 2008-07-03
AU746534B2 (en) 2002-05-02
JP2001516525A (ja) 2001-09-25
GB2322042B (en) 2002-02-06
NO993778L (no) 1999-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6639447B2 (en) High linearity Gilbert I Q dual mixer
US6748204B1 (en) Mixer noise reduction technique
US7016664B2 (en) Mixer circuit arrangement and an image-reject mixer circuit arrangement
RU2217862C2 (ru) Схема усилителя радиоприемника, схема радиочастотного смесителя и содержащий их радиоприемник
US5963094A (en) Monolithic class AB shunt-shunt feedback CMOS low noise amplifier having self bias
US7277682B2 (en) RF passive mixer with DC offset tracking and local oscillator DC bias level-shifting network for reducing even-order distortion
TW330354B (en) A high conversion gain CMOS mixer
Harada et al. 2-GHz RF front-end circuits in CMOS/SIMOX operating at an extremely low voltage of 0.5 V
EP1704649B1 (en) Versatile baseband signal input current splitter
US6542019B1 (en) Highly linear and low noise figure mixer
US20050124311A1 (en) Low-voltage low-power high-linearity active CMOS mixer
CN106603014B (zh) 一种电压模式无源混频器
KR20080010747A (ko) 모스 전계효과 트랜지스터의 증폭도 및 잡음도 개선회로 및이를 이용한 주파수 혼합기, 증폭기 및 발진기
CA2193153C (en) An efficient rf cmos amplifier with increased transconductance
RU99119093A (ru) Структура, ориентированная на радиосвязь
US20040043741A1 (en) Integrated circuit
Chen et al. A 24-GHz High Linearity Down-conversion Mixer in 90-nm CMOS
Zencir et al. A low-power CMOS mixer for low-IF receivers
MXPA99007129A (en) Radio architecture
WO2003003595A1 (fr) Recepteur
US7171184B2 (en) Method and apparatus for a gain controlled mixer
JPH06216667A (ja) 演算増幅回路
KR20190077960A (ko) 저전력 cmos를 이용한 주파수 혼합기

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20100127