ES2306470T3 - Arquitectura de radio. - Google Patents

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Abstract

Un circuito de amplificador de receptor de radio que comprende un par de transistores MSFET de puerta común, y un par de transistores MOSFET a los cuales se aplica una señal de entrada en uso, estando los transistores de entrada, en uso, conectados al voltaje de alimentación y tierra, y estando los transistores de puerta común en cascada entre los transistores de entrada, caracterizado porque los transistores de entrada tienen primeros voltajes de umbral y los transistores de puerta común tienen segundos voltajes de umbral, en el que los segundos voltajes de umbral son reducidos en comparación con los primeros voltajes de umbral.

Description

Arquitectura de radio.
Campo técnico de la invención
Esta invención se refiere a la arquitectura de radio de un amplificador de receptor de radio.
Descripción de la técnica anterior
Es necesario, en el campo de la tecnología de móvil digital, transmitir y recibir señales de radio que lleven señales digitales. Además, es preferible que el transcibidor de móvil sea tan pequeño y ligero como sea posible, con requisitos de baja potencia. Es ventajoso realizar los componentes digitales del transcibidor, tales como el procesador de señal digital y un convertidor A/D y un convertidor D/A, utilizando técnicas de fabricación CMOS. Esto significa que también es ventajoso, desee el punto de vista de la fabricación, realizar los componentes analógicos del transcibidor, tales como los amplificadores, mezcladores, etc., utilizando las mismas técnicas de fabricación CMOS. Una arquitectura de este tipo está expuesta del "A Low-Power CMOS Chipset for Spread-Spectrum Communications", S. Sheng y otros, International Solid-State Circuits Conference, 1996.
Sin embargo los transistores CMOS normalmente están diseñados para funcionar como conmutadores con corrientes de fuga bajas. Una consecuencia de esto es que tales transcibidores son menos adecuados para utilizar en circuitos RF analógicos. Por ejemplo, típicamente tienen transconductancias bajas, especialmente a bajos voltajes de polarización, dando lugar a una baja ganancia y elevado ruido (fase).
La Patente de Estados Unidos. 5.407.849 expone un método de fabricación de un circuito CMOS en el que el voltaje umbral de algunos transistores (FETs) es reducido, por ejemplo es cercano a cero voltios.
Sumario de la invención
De este modo, la arquitectura de radio de la técnica anterior implica comprometer el rendimiento del dispositivo, si se decide utilizar procesos CMOS para realizar todos los circuitos. Mientras tanto, la Patente de Estados Unidos Nº 5.407.849 expone reducir el voltaje umbral de algunas de los FETs en un circuito CMOS, pero falla en expone cómo esto puede tener cualquier aplicación a arquitecturas de radio.
La invención implica utilizar transistores de diferentes valores umbrales en diferentes partes de un circuito integrado de un amplificador de receptor de radio.
De acuerdo con la presente invención, se proporciona un circuito de amplificador de receptor de radio que comprende un par de transistores MOSFET de puerta común, y un par de transistores MOSFET de entrada a los que se aplica la señal de entrada. Los transistores de entrada están conectados al voltaje de alimentación y a tierra y los transistores de puerta común están conectados entre los transistores de entrada. Al circuito de amplificador de receptor de radio está caracterizado porque los transistores de entrad tiene primeros voltajes de umbral y los transistores de puerta común tiene segundo voltajes de umbral, en donde los segundo voltajes de umbral son reducidos en comparación a los primeros voltajes de umbral.
En un segundo aspecto, se proporciona un receptor de radio que comprende un circuito amplificador como se ha descrito anteriormente.
Breve descripción de los dibujos
La Figura 1 es un diagrama esquemático de un transcibidor de radio de acuerdo con la invención.
La Figura 2 es un diagrama de circuito esquemático de un circuito de extremo delantero de acuerdo con la invención.
La Figura 3 es un primer circuito convencional para ilustrar las ventajas de la presente invención.
La Figura 4 muestra un segundo circuito convencional para ilustrar las ventajas de la presente invención.
Descripción detallada de las realizaciones
Como se muestra en la Figura 1, un transcibidor de radio 2, para utilizar en un teléfono móvil, tiene una antena de recepción 4 para recibir señales de radio, un amplificador de bajo ruido 6 para restaurar las señales recibidas a niveles utilizables. Las señales amplificadas pasa a un mezclador 8, en el que son convertidas de frecuencia de radio a una frecuencia intermedia inferior, y son entonces filtradas a un filtrador 10. Las señales filtradas pasan a un convertidor de analógico a digital 12 (A/D) que convierte las señales a una forma digital, en laque pueden ser manipuladas por el procesador de señal 14, después de lo cual son enviadas a la línea 16.
Las señales para la transmisión son suministradas en forma digital en la línea 18 al procesador de señal 14 y entonces, después del procesamiento, son suministradas a un convertidor de digital analógico 20 (D/A). Después de la conversión a forma analógica, las señales son enviadas a un modulador 22 para la conversión a frecuencia de radio, y después a un amplificador e potencia 24, y a una antena de transmisión 26 (que puede estar combinada con la antena de recepción 4) para la transmisión como una señal de radio.
La estructura general del transcibidor como se ha expuesto anteriormente resultará familiar a las personas expertas en la técnica y será evidente que son posibles diversos cambios y modificaciones.
Además, se ha propuesto que sería ventajoso integrar los circuitos en un único chip.
Se reconoce también ahora por los presentes inventores que el transcibidor mostrado en la Figura 1 incluye circuitos de dos tipos diferentes, que presentan diferentes requisitos, y que aquellos requisitos conflictivos se pueden cumplir utilizando transistores con diferentes voltajes umbrales en diferentes tipos de circuito. Esto permite que el rendimiento del transcibidor sea optimizado, permitiendo todavía que los circuit9os de radio estén formados en un único circuito integrado monolítico, que tiene ventajas desde el punto de vista del tamaño y peso del teléfono.
Específicamente, las partes digitales del circuito, por ejemplo el convertidor A/D y el convertido D/A, están ventajosamente formados utilizando transistores CMOS con voltajes de umbral normales (a veces referidos aquí como elevados), por ejemplo en el intervalo de +1V para dispositivo NMOS o -1V para un dispositivo PMOS. De este modo, la magnitud del voltaje umbral en cada caso es mayor que 0,5V. Por el contrario, las partes RF análogas del circuito, por ejemplo, los amplificadores, están ventajosamente formados utilizando transistores CMOS con voltajes de umbral reducido, con magnitudes menores que 0,5V. Esto puede dar lugar a un consumo de potencia menor, menor ruido, y mayor anchura de banda. Los voltajes de umbral son preferiblemente reducido para aproximarse a cero, o incluso por debajo de cero. De este modo los transistores NMOS pueden tener pequeños voltajes de umbral negativos, mientras que los transistores PMOS pueden tener pequeños voltajes de umbral positivos.
La línea a trazos 28 de la Figura 1 muestra una división actualmente preferida del circuito. Los circuitos de la derecha de la línea 28 pueden tener transistores con elevados voltajes de umbral, mientras que los circuitos de la izquierda de la línea 28 tienen transistores con bajos valores de umbral. Sin embrago, son posibles otras divisiones, y de hecho es posible utilizar transistores con diferentes valores de umbral en diferentes partes del mismo
circuito.
Como se ha expuesto en la Patente de Estados Unidos Nº 5.407.849, es posible conseguir los diferentes voltajes de umbral en diferentes transistores cambiando las dosis de implantación de umbral en partes seleccionadas del dispositivo semiconductor, o bien utilizando máscaras, o bien añadiendo máscaras extras.
De este modo se expone una arquitectura de radio que puede estar integrada en un único chip, sin sacrificar el rendimiento.
La Figura 2 es un diagrama de circuito esquemático de un circuito de extremo delantero de receptor de radio de acuerdo con la invención. Como se mencionó brevemente anteriormente este circuito incluye transistores con diferentes voltajes de umbral. En el dibujo, sólo se muestran los transistores para mayor claridad. En la Fig. 2, los transistores con reducidos voltajes de umbral se muestran con canales de fuente de drenaje gruesos. Como se ha mencionado anteriormente, los voltajes de umbral de estos dispositivos se pueden reducir ampliamente, de manera ventajosa hasta cerca de cero, o incluso por debajo de cero. Los dispositivos con umbrales por debajo de cero se llaman dispositivos de empobrecimiento. El resto del circuito es convencional, y el diseño general del circuito es bien conocido por los expertos en la técnica. Los transistores pueden ser dispositivos CMOS, o pueden ser dispositivos PMOS o NMOS.
En general, el circuito de receptor de la Figura 2 incluye una etapa de amplificador de entrada 52, accionadores de oscilador locales 54, 56 y un par de mezcladores 58, 60. El circuito forma un único extremo delantero equilibrado. El circuito puede estar combinado con otro circuito idéntico para formar un amplificador o mezclador de bajo ruido doble equilibrado.
La etapa amplificadora 52 incluye un par de transistores de entrada M1, M4, que están respectivamente conectados a tierra y al voltaje de alimentación Vdd. Una señal de frecuencia de radio de entrada RFin es suministrada a la entrada del primer transistor de entrada M1, y es suministrada invertida al segundo transistor de entrada M4. La etapa de amplificador 52 incluye también un par de transistores comunes M2, M3, que reciben el voltaje de alimentación dividido Vdd/2 en sus puertas (invertidas en el caso de M3) y tiene sus canales de fuente de drenaje conectados a los canales de fuente de drenaje de los transistores de entrada M1, M4.
Se observará que los transistores de puerta común en cascada M2, M3 son dispositivos de umbral bajo.
La salida de la etapa amplificadora 52 es suministrada a un mezclador en-fase 58 hecho de transistores M7, M8.
Una señal de oscilador local in-fase LOi es suministrada a la puerta de un transistor M9, y es suministrada invertida a la puerta de un transistor M10, estando los transistores M9 y M10 conectados entre el voltaje de suministro Vdd y tierra, de manera que M9 y M10 forman un dispositivo oscilador local 54. La señal de salida de los transistores M9 y M10 es suministrada a la puerta del transistor M8, y es suministrada invertida a la puerta del transistor M5.
Una señal de oscilador local en cuadratura es suministrada a la puerta del transistor M11, y es suministrada invertida a la puerta del transistor M12, estando los transistores M11 y M12 conectados entre el voltaje de suministro Vdd y tierra, de manera que M11 y M12 forman un accionador de oscilador local 56. La señal de salida procedente de los transistores M11 y M12 es suministrada a la puerta del transistor M6, y es suministrada invertida a la puerta del transistor M7.
La salida procedente del mezclador in-fase 58 es una señal de frecuencia intermedia in-fase IFI, y la salida del mezclador en cuadratura 60 es una señal de frecuencia en cuadratura intermedia IFq.
Se observará que los transistores M5, m6, M7 y M8 son ahora dispositivos de umbral bajo, mientras que los transistores de accionador de oscilador M9, M10, M11 y M12 son del tipo umbral regular. En el caso de los transistores de accionador de oscilador local, es ventajoso que las corrientes de fuga en el estado desactivado sean reducidas al mínimo, y así se prefiere el uso de transistores de umbral regular. Además, una ventaja de utilizar transistores con voltajes de umbral altos o regulares en un VCO es que esto da lugar a un "balanceo de señal" bajo sobre el resonador, y por tanto menor ruido (fase).
La ventaja de utilizar dispositivos de umbral bajo en cascada, como en el amplificador 52, se explicará con referencia a la Figura 3. La Figura 3 muestra dos transistores en cascada Q1 y Q2, que tienen respectivos voltajes de fuente de puerta Vgs1 y Vgs2. Una señal de entrada es aplicada a la puerta de Q1, y una señal de salida es obtenida en el drenaje de Q2. El voltaje de puerta-fuente Vgs1 del dispositivo de fuete puesto atierra Q1 debe se r al menos lo suficientemente elevado, comprado con el voltaje de umbral Vth, que Vgs1-Vth=1V. De lo contrario, el dispositivo no funcionará en RF. Consideraciones similares se aplican a Q2, lo que significa que el voltaje de puerta de Q2 se debe establecer en al menos 2,8V. Esto puede que no se pueda conseguir en procesos de 3V, y ciertamente casi no se podrá conseguir en ningún proceso con voltaje de suministro inferior. Sin embargo, si el voltaje de umbral se redijera, por ejemplo a cero, el voltaje de puerta de 2V sería suficiente para Q2.
Volviendo al circuito de la Figura 2, por tanto se puede observar que la utilización de dispositivos de umbral bajo para transistores de puerta común en cascada M2, M3 mejora el rango dinámico del circuito, o puede permitir el uso de voltajes de suministro inferiores.
Un problema potencial con el uso de dispositivos de umbral bajo es que conducirán (debido a la conducción de umbral) incluso cuando el voltaje de puerta-fuente sea cero. Este problema es superado en el circuito de amplificador 52 de la Figura 2 ya que los transistores de entrada M1, M4 son del tipo de umbral regular, con corrientes de fuga bajas. Los transistores de entrada M1, M4 podrían tener también umbrales reducidos, en cuyo caso sería necesario desconectar la corriente de suministro para desconectar en amplificador. En este caso, también sería necesario acopar en AC los transistores M1, M4 a la salida a la entrada, y polarizarlos separadamente.
La ventaja de utilizar dispositivos de umbral bajo en la puerta de transmisión, como en los mezcladores 56, 60, se explicará con referencia a la Figura 4. Específicamente, la Figura 4 muestra una puerta de transmisión hecha de dos transistores, uno de los cuales Q3 tiene su puerta conectada al voltaje de alimentación Vdd, y la otra Q4 tiene su puerta conectada a tierra. Para cada Transistor, el voltaje de puerta-fuente es Vdd/2. Teniendo en cuenta el voltaje de umbral, e ignorando los efectos de retropolarización, el voltaje de puerta efectivo es Vdd/2-Vth. para un proceso de 3V, en el que el voltaje umbral es 0,8, esto proporciona un voltaje de puerta efectivo de 0,7 V. Cuanto menor es el voltaje efectivo, mayor es el problema que aparece debido al ruido. Además, si el voltaje de suministro se redujera, el voltaje de puerta efectivo sería apenas lo suficientemente elevado para activar la puerta en todo. Si el voltaje de umbral se reduce a cero, el voltaje de puerta efectivo se hace aproximadamente igual a Vdd/2, que es aproximadamente 1,5V, aproximadamente dos veces el valor cuando se utilizan dispositivos de umbral normal.
Volviendo al circuito de la Figura 2, por tanto, se puede observar que la utilización de dispositivos de umbral bajo para los transistores M5, M6, M7 y M8 reduce el ruido, y también reduce la resistencia de los dispositivos en el estado activado. El uso de voltaje de alimentación bajo también es posible.
Un problema potencial con el uso de dispositivo de umbral bajo es que conducirán (debido a la subconducción de umbral) incluso cuando su voltaje de puerta-fuente sea cero. Este problema se supera en los circuitos mezcladores 58, 60 de la Figura 2 porque los transistores puede cada uno ser apropiadamente desactivados aplicando un voltaje de puerta-fuente negativo, igual y opuesto al voltaje de funcionamiento Vdd/2.
De este modo, se exponen circuitos receptores que son capaces de funcionar de forma efectiva con voltajes de alimentación bajos, sin que se causen los problemas de corrientes de fuga altas.

Claims (2)

1. Un circuito de amplificador de receptor de radio que comprende un par de transistores MSFET de puerta común, y un par de transistores MOSFET a los cuales se aplica una señal de entrada en uso, estando los transistores de entrada, en uso, conectados al voltaje de alimentación y tierra, y estando los transistores de puerta común en cascada entre los transistores de entrada, caracterizado porque los transistores de entrada tienen primeros voltajes de umbral y los transistores de puerta común tienen segundos voltajes de umbral, en el que los segundos voltajes de umbral son reducidos en comparación con los primeros voltajes de umbral.
2. Un receptor de radio que comprende un circuito de amplificador como el reivindicado en la reivindicación 1.
ES98904147T 1997-02-05 1998-01-26 Arquitectura de radio. Expired - Lifetime ES2306470T3 (es)

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CA (1) CA2280128C (es)
DE (1) DE69839512D1 (es)
DK (1) DK0970523T3 (es)
EE (1) EE9900342A (es)
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GB (1) GB2322042B (es)
HK (1) HK1024098A1 (es)
ID (1) ID22766A (es)
MY (1) MY126413A (es)
NO (1) NO993778L (es)
PL (1) PL334808A1 (es)
RU (1) RU2217862C2 (es)
TR (3) TR199901818T2 (es)
WO (1) WO1998035386A1 (es)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3566608B2 (ja) * 1999-12-28 2004-09-15 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路
US6871057B2 (en) * 2000-03-08 2005-03-22 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Mixer circuit
JP2004040735A (ja) * 2002-07-08 2004-02-05 Toyota Industries Corp 半導体集積回路及び半導体集積回路の製造方法
KR100446004B1 (ko) * 2002-07-12 2004-08-25 한국과학기술원 깊은 엔 웰 씨모스 공정으로 구현된 수직형 바이폴라 정션트랜지스터를 사용한 직접 변환 수신기
US20040044512A1 (en) * 2002-08-29 2004-03-04 Motorola, Inc. Method and apparatus for increasing a number of operating states of a circuit device
GB2412260B (en) 2004-03-16 2007-09-26 Wolfson Microelectronics Plc Low noise op amp
GB2412259A (en) 2004-03-16 2005-09-21 Wolfson Ltd A CMOS folded-cascode operational amplifier having low flicker noise
EP1858166A1 (en) * 2005-03-10 2007-11-21 Niigata Seimitsu Co., Ltd. Semiconductor device
US7587224B2 (en) * 2005-12-21 2009-09-08 Broadcom Corporation Reconfigurable topology for receiver front ends
FI20075275A0 (fi) * 2007-04-19 2007-04-19 Nokia Corp RF-transkonduktanssituloaste
US20090088124A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-02 Nanoamp Solutions, Inc. (Cayman) Radio Frequency Receiver Architecture
DE102008018871B4 (de) * 2008-04-14 2010-10-07 Atmel Automotive Gmbh Empfängerschaltung, Verfahren zum Empfang eines Signals und Verwendung einer Detektionsschaltung und einer Kontrollschaltung

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3675144A (en) * 1969-09-04 1972-07-04 Rca Corp Transmission gate and biasing circuits
US4105874A (en) 1977-03-01 1978-08-08 Siemens Aktiengesellschaft Centrally controlled electronic telephone system having a customer memory for storing information on two or more different subscriber stations and peripheral equipment-specific information
US4142114A (en) * 1977-07-18 1979-02-27 Mostek Corporation Integrated circuit with threshold regulation
JPS5530862A (en) * 1978-08-25 1980-03-04 Seiko Instr & Electronics Ltd Method of making semiconductor device
JPS5763925A (en) 1980-10-06 1982-04-17 Nec Corp Transmitter for time-division multiplex radio communication
SU1331277A1 (ru) 1983-08-15 1996-12-10 В.И. Бабуров Импульсный радиоприемник
DE3582696D1 (de) * 1984-05-29 1991-06-06 John S Donovan Gegentaktverstaerker ohne vorspannungserzeugung.
JPS6387010A (ja) 1986-09-30 1988-04-18 Toshiba Corp デジタルチユ−ニング回路
GB2201559A (en) * 1987-01-23 1988-09-01 Gen Electric Plc Electrical signal mixer circuit
KR890003217B1 (ko) 1987-02-24 1989-08-26 삼성전자 주식회사 디램 쎌의 제조방법
JPS63246021A (ja) 1987-03-31 1988-10-13 Citizen Watch Co Ltd チユ−ナ−
US4897662A (en) * 1988-12-09 1990-01-30 Dallas Semiconductor Corporation Integrated circuit with wireless freshness seal
JPH02222309A (ja) * 1989-02-23 1990-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 平衡変調器
US4979230A (en) * 1989-12-04 1990-12-18 General Instrument Corporation Up-conversion homodyne receiver for cable television converter with frequency offset to avoid adjacent channel interference
US5585288A (en) * 1990-07-16 1996-12-17 Raytheon Company Digital MMIC/analog MMIC structures and process
JP2679889B2 (ja) * 1990-07-19 1997-11-19 株式会社テック 無線通信装置及びその装置の受信制御方式
US6320429B1 (en) * 1991-06-28 2001-11-20 Fuji Electric Co., Ltd. Integrated circuit having a comparator circuit including at least one differential amplifier
US5248627A (en) 1992-03-20 1993-09-28 Siliconix Incorporated Threshold adjustment in fabricating vertical dmos devices
EP0564204A3 (en) * 1992-03-30 1994-09-28 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPH05335855A (ja) * 1992-05-29 1993-12-17 Sanyo Electric Co Ltd ラジオ受信機
US5407849A (en) * 1992-06-23 1995-04-18 Imp, Inc. CMOS process and circuit including zero threshold transistors
JP3197956B2 (ja) * 1992-09-21 2001-08-13 富士通株式会社 半導体集積回路
JPH06283675A (ja) * 1993-03-25 1994-10-07 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JPH06309477A (ja) * 1993-04-27 1994-11-04 Toshiba Corp アナログ乗算器およびこの乗算器を使用した検波回路
US5465418A (en) * 1993-04-29 1995-11-07 Drexel University Self-oscillating mixer circuits and methods therefor
KR0137105B1 (ko) * 1993-06-17 1998-04-29 모리시다 요이치 데이터 전송회로, 데이터선 구동회로, 증폭회로, 반도체 집적회로 및 반도체 기억장치
US5379457A (en) * 1993-06-28 1995-01-03 Hewlett-Packard Company Low noise active mixer
JP3143277B2 (ja) * 1993-07-21 2001-03-07 株式会社日立製作所 差動型ｍｏｓ伝送回路
EP0637073A1 (en) * 1993-07-29 1995-02-01 STMicroelectronics S.r.l. Process for realizing low threshold P-channel MOS transistors for complementary devices (CMOS)
JP3227983B2 (ja) * 1993-09-10 2001-11-12 ソニー株式会社 半導体装置及びその製造方法
EP0653843A3 (en) 1993-11-17 1996-05-01 Hewlett Packard Co CMOS circuits with adaptive voltage threshold.
EP0655839B1 (en) * 1993-11-29 2007-01-03 Fujitsu Limited Electronic system for terminating bus lines
JP3043250B2 (ja) * 1993-12-27 2000-05-22 ヒュンダイ エレクトロニクス アメリカ ゲートアレイ用アナログ出力駆動回路
JPH07235952A (ja) * 1993-12-28 1995-09-05 Oki Electric Ind Co Ltd 信号伝送回路およびその回路を用いた信号伝送装置
US5441906A (en) 1994-04-04 1995-08-15 Motorola, Inc. Insulated gate field effect transistor having a partial channel and method for fabricating
US5600275A (en) * 1994-04-29 1997-02-04 Analog Devices, Inc. Low-voltage CMOS comparator with offset cancellation
US5760449A (en) * 1994-05-31 1998-06-02 Welch; James D. Regenerative switching CMOS system
US5559050A (en) 1994-06-30 1996-09-24 International Business Machines Corporation P-MOSFETS with enhanced anomalous narrow channel effect
US6194945B1 (en) * 1994-07-15 2001-02-27 Unisys Corporation Dual threshold digital receiver with large noise margin
US5506544A (en) * 1995-04-10 1996-04-09 Motorola, Inc. Bias circuit for depletion mode field effect transistors
JPH08330590A (ja) * 1995-06-05 1996-12-13 Motorola Inc 絶縁ゲート電界効果トランジスタ構造およびその製造方法
US5532637A (en) * 1995-06-29 1996-07-02 Northern Telecom Limited Linear low-noise mixer
JPH0927597A (ja) 1995-07-12 1997-01-28 Sony Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0927594A (ja) 1995-07-13 1997-01-28 Hitachi Ltd 高周波モノリシック集積回路
US5708391A (en) * 1996-05-02 1998-01-13 Altmann; Michael High frequency differential filter with CMOS control
FR2746228A1 (fr) * 1996-03-13 1997-09-19 Philips Electronics Nv Dispositif semiconducteur incluant un melangeur en anneau
US5758274A (en) * 1996-03-13 1998-05-26 Symbol Technologies, Inc. Radio frequency receiver with automatic gain control
EP0806840B1 (en) * 1996-03-13 2008-08-13 Symbol Technologies, Inc. Radio frequency transceiver and subassemblies thereof
JP3693751B2 (ja) * 1996-05-20 2005-09-07 株式会社ルネサステクノロジ ハイ・インピーダンス検出回路、およびインタフェース回路
FR2751811B1 (fr) * 1996-07-24 1998-10-09 Matra Communication Procede de demodulation numerique
US5838117A (en) * 1997-02-28 1998-11-17 General Electric Company Ballast circuit with synchronization and preheat functions
US5966032A (en) * 1996-09-27 1999-10-12 Northern Telecom Limited BiCMOS transceiver (driver and receiver) for gigahertz operation
US5923184A (en) * 1996-12-23 1999-07-13 Motorola, Inc. Ferroelectric transistor logic functions for programming
US5886562A (en) * 1996-12-26 1999-03-23 Motorola, Inc. Method and apparatus for synchronizing a plurality of output clock signals generated from a clock input signal
US5757215A (en) * 1997-03-10 1998-05-26 Vtc Inc. Common-gate pre-driver for disc drive write circuit
JPH1155089A (ja) * 1997-07-29 1999-02-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体ゲート回路
US6297686B1 (en) * 1999-05-28 2001-10-02 Winbond Electronics Corporation Semiconductor integrated circuit for low-voltage high-speed operation
WO2004088847A2 (en) * 2003-03-28 2004-10-14 Ess Technology, Inc. Audio digital to analog converter with harmonic suppression

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