RU2013108267A - Элемент магнитной памяти - Google Patents

Элемент магнитной памяти Download PDF

Info

Publication number
RU2013108267A
RU2013108267A RU2013108267/08A RU2013108267A RU2013108267A RU 2013108267 A RU2013108267 A RU 2013108267A RU 2013108267/08 A RU2013108267/08 A RU 2013108267/08A RU 2013108267 A RU2013108267 A RU 2013108267A RU 2013108267 A RU2013108267 A RU 2013108267A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
element according
magnetic
outer layer
central
Prior art date
Application number
RU2013108267/08A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2585578C2 (ru
Inventor
Жиль Луи ГОДЕН
Иоан Михай МИРОН
Пьетро ГАМБАРДЕЛЛА
Ален ШУЛЬ
Original Assignee
Сантр Насьональ Де Ля Решерш Сьянтифик
Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Э О Энержи Альтернатив
Юниверсите Жозеф Фурье
Институт Катала Де Нанотекнолохия (Икн)
Институсио Каталана Де Ресерка И Эстудис Аванкатс (Икрэа)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сантр Насьональ Де Ля Решерш Сьянтифик, Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Э О Энержи Альтернатив, Юниверсите Жозеф Фурье, Институт Катала Де Нанотекнолохия (Икн), Институсио Каталана Де Ресерка И Эстудис Аванкатс (Икрэа) filed Critical Сантр Насьональ Де Ля Решерш Сьянтифик
Publication of RU2013108267A publication Critical patent/RU2013108267A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2585578C2 publication Critical patent/RU2585578C2/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1659—Cell access
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/18—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using Hall-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

1. Магнито-записываемый элемент, содержащий набор слоев, включающий магнитный записывающий слой, отличающийся тем, что набор слоев содержит упомянутый магнитный записывающий слой, а именно центральный слой (13, 53, 70, 23, 63, 80), по меньшей мере, из магнитного материала, имеющего направление намагничивания, параллельное или перпендикулярное плоскости центрального слоя, который расположен между первым (12, 52, 71, 22, 62) и вторым (12, 54, 72, 24, 64, 82) внешними слоями из немагнитного материала, при этом первый внешний слой (12, 52, 71, 22, 62) содержит первый немагнитный материал, а второй внешний слой (14, 54, 72, 24, 64, 82) содержит второй немагнитный материал, отличный от первого немагнитного материала, при этом, по меньшей мере, второй немагнитный материал является электропроводным, а также тем, что он содержит, с одной стороны, устройство для обеспечения пропускания тока записи только через второй внешний слой и центральный слой и, при необходимости, через первый внешний слой только в случае, когда он является проводящим, причем ток записи проходит в направлении тока параллельно плоскости центрального слоя, и, с другой стороны, устройство для наложения магнитного поля, содержащего составляющую в направлении магнитного поля либо параллельную, либо перпендикулярную плоскости центрального слоя (13, 53, 70, 23, 63, 80) и направлению тока, а также тем, что направление намагничивания и направление магнитного поля перпендикулярны между собой.2. Элемент по п.1, отличающийся тем, что магнитное поле либо параллельно, либо перпендикулярно плоскости центрального слоя и направлению тока.3. Элемент по п.1, отличающийся тем, что направление магнитного поля параллельно н�

Claims (24)

1. Магнито-записываемый элемент, содержащий набор слоев, включающий магнитный записывающий слой, отличающийся тем, что набор слоев содержит упомянутый магнитный записывающий слой, а именно центральный слой (13, 53, 70, 23, 63, 80), по меньшей мере, из магнитного материала, имеющего направление намагничивания, параллельное или перпендикулярное плоскости центрального слоя, который расположен между первым (12, 52, 71, 22, 62) и вторым (12, 54, 72, 24, 64, 82) внешними слоями из немагнитного материала, при этом первый внешний слой (12, 52, 71, 22, 62) содержит первый немагнитный материал, а второй внешний слой (14, 54, 72, 24, 64, 82) содержит второй немагнитный материал, отличный от первого немагнитного материала, при этом, по меньшей мере, второй немагнитный материал является электропроводным, а также тем, что он содержит, с одной стороны, устройство для обеспечения пропускания тока записи только через второй внешний слой и центральный слой и, при необходимости, через первый внешний слой только в случае, когда он является проводящим, причем ток записи проходит в направлении тока параллельно плоскости центрального слоя, и, с другой стороны, устройство для наложения магнитного поля, содержащего составляющую в направлении магнитного поля либо параллельную, либо перпендикулярную плоскости центрального слоя (13, 53, 70, 23, 63, 80) и направлению тока, а также тем, что направление намагничивания и направление магнитного поля перпендикулярны между собой.
2. Элемент по п.1, отличающийся тем, что магнитное поле либо параллельно, либо перпендикулярно плоскости центрального слоя и направлению тока.
3. Элемент по п.1, отличающийся тем, что направление магнитного поля параллельно направлению тока, а также тем, что направление намагничивания перпендикулярно плоскости центрального магнитного слоя (13, 53, 70).
4. Элемент по п.3, отличающийся тем, что центральный слой (13, 53, 70) имеет толщину, составляющую от 1 нм до 5 нм, и предпочтительно, меньшую или равную 2 нм.
5. Элемент по п.1, отличающийся тем, что направление намагничивания параллельно направлению тока, а также тем, что направление магнитного поля перпендикулярно плоскости центрального магнитного слоя (23, 63, 80).
6. Элемент по п.5, отличающийся тем, что центральный слой (23, 63, 80) имеет толщину, составляющую толщину от 0,1 нм до 5 нм и, предпочтительно, меньшую или равную 3 нм.
7. Элемент по п.3 или 4, отличающийся тем, что центральный слой (13, 53, 70, 23, 63, 80) выполнен из сплава с собственной перпендикулярной магнитной анизотропией, а именно, в частности, из FePt, Fepd, CoPt либо также из сплава редкоземельный металл/переходный металл, в частности, из GdCo, TbFeCo.
8. Элемент по п.3 или 4, отличающийся тем, что центральный слой содержит металл или сплав, имеющий в наборе слоев перпендикулярную магнитную анизотропию, наведенную межфазными переходами, в частности, Со, Fe, CoFe, Ni, CoNi.
9. Элемент по п.5 или 6, отличающийся тем, что центральный слой выполнен из металла или сплава, имеющего в наборе слоев планарную магнитную анизотропию, в частности, Со, Fe, CoFe, Ni, NiFe, CoNi.
10. Элемент по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один наружный слой является проводящим и выполнен из немагнитного металла, такого как Pt, W, Ir, Ru, Rd, Cu, Au, Bi, или из сплава этих металлов.
11. Элемент по п.10, отличающийся тем, что толщина упомянутого внешнего проводящего слоя меньше 10 нм и, предпочтительно, меньше или равна 5 нм.
12. Элемент по п.1, отличающийся тем, что первый внешний слой выполнен из диэлектрического оксида, такого как SiOx, MgOx, TiOx, TaOx, HfOx, или из диэлектрического нитрида, такого как SiNx, BNx.
13. Элемент по п.12, отличающийся тем, что толщина упомянутого внешнего слоя составляет от 0,5 нм до 200 нм, в частности, от 0,5 нм до 100 нм и, предпочтительно, меньше 3 нм.
14. Элемент по п.10 или 12, отличающийся тем, что два внешних слоя являются проводящими и выбраны из двух различных немагнитных материалов или сплавов.
15. Элемент по п.1, отличающийся тем, что упомянутый ток имеет плотность тока от 104 А/см2 до 109 А/см2 и, предпочтительно, от 105 А/см2 до 108 А/см2.
16. Элемент по п.1, отличающийся тем, что наложенное магнитное поле имеет величину, составляющую от 0,002 Тл до 1 Тл, и, преимущественно, от 0,005 Тл до 0,8 Тл.
17. Элемент по п.1, отличающийся тем, что первый внешний слой (52) покрыт считывающим слоем (58) из магнитного материала и считывающим электродом (59).
18. Элемент по п.17, отличающийся тем, что первый внешний слой (52) выполнен из немагнитного металла, а также тем, что он образует со считывающим слоем (58), считывающим электродом (59) и центральным слоем затвор спина.
19. Элемент по п.17, отличающийся тем, что первый внешний слой (52) является диэлектрическим, а также тем, что он образует со считывающим слоем (58), считывающим электродом (59) и центральным слоем магнитный туннельный электронно-дырочный переход.
20. Элемент по любому из пп.17-19, отличающийся тем, что толщина первого внешнего слоя меньше 3 нм.
21. Элемент по п.1, отличающийся тем, что первый внешний слой и центральный слой образуют контакт, тогда как второй внешний слой образует дорожку.
22. Элемент по п.21, отличающийся тем, что второй внешний слой содержит выступ, который является частью контакта.
23. Магнито-записываемое устройство, отличающееся тем, что оно содержит множество контактов по пп.21 и 22, внешний слой которого содержит упомянутую общую с ними дорожку.
24. Магнито-записываемое устройство, отличающееся тем, что первый внешний слой, центральный слой и выступ второго внешнего слоя образуют контакт по п.22, а также тем, что оно содержит множество упомянутых контактов, а также электропроводящую дорожку, окаймляющую второй внешний слой упомянутых контактов для инжектирования упомянутого тока через второй внешний слой и центральный слой каждого из упомянутых контактов, причем второй внешний слой выполнен из электрически проводящего материала, отличного от материала электропроводящей дорожки.
RU2013108267/02A 2010-07-26 2011-07-21 Элемент магнитной памяти RU2585578C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1003123 2010-07-26
FR1003123A FR2963152B1 (fr) 2010-07-26 2010-07-26 Element de memoire magnetique
PCT/IB2011/053258 WO2012014131A1 (fr) 2010-07-26 2011-07-21 Element de memoire magnetique

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013108267A true RU2013108267A (ru) 2014-09-20
RU2585578C2 RU2585578C2 (ru) 2016-05-27

Family

ID=43430915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013108267/02A RU2585578C2 (ru) 2010-07-26 2011-07-21 Элемент магнитной памяти

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8416618B2 (ru)
EP (1) EP2599085B1 (ru)
JP (1) JP6154745B2 (ru)
KR (1) KR101974149B1 (ru)
CN (1) CN103329204B (ru)
FR (1) FR2963152B1 (ru)
RU (1) RU2585578C2 (ru)
WO (1) WO2012014131A1 (ru)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011111473A1 (ja) 2010-03-10 2011-09-15 株式会社日立製作所 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
JP5725735B2 (ja) * 2010-06-04 2015-05-27 株式会社日立製作所 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
FR2966636B1 (fr) * 2010-10-26 2012-12-14 Centre Nat Rech Scient Element magnetique inscriptible
US9564579B2 (en) * 2011-05-27 2017-02-07 University Of North Texas Graphene magnetic tunnel junction spin filters and methods of making
JP5765721B2 (ja) * 2012-03-22 2015-08-19 国立研究開発法人物質・材料研究機構 高い垂直磁気異方性を示す極薄垂直磁化膜、その製造方法及び用途
US9368176B2 (en) * 2012-04-20 2016-06-14 Alexander Mikhailovich Shukh Scalable magnetoresistive element
JP2013232497A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Renesas Electronics Corp 磁性体装置及びその製造方法
WO2014025838A1 (en) 2012-08-06 2014-02-13 Cornell University Electrically gated three-terminal circuits and devices based on spin hall torque effects in magnetic nanostructures
US9076537B2 (en) * 2012-08-26 2015-07-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for providing a magnetic tunneling junction using spin-orbit interaction based switching and memories utilizing the magnetic tunneling junction
JP6191941B2 (ja) * 2013-01-24 2017-09-06 日本電気株式会社 磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ
US9429633B2 (en) 2013-02-11 2016-08-30 HGST Netherlands B.V. Magnetic sensor utilizing rashba effect in a two-dimensional conductor
US9076541B2 (en) * 2013-03-14 2015-07-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Architecture for magnetic memories including magnetic tunneling junctions using spin-orbit interaction based switching
KR20140123340A (ko) * 2013-04-12 2014-10-22 삼성전자주식회사 자기 터널 접합을 갖는 반도체 소자의 형성 방법 및 관련된 소자
CN104751861A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 福建省辉锐材料科技有限公司 一种磁存储装置的制备方法
US10008248B2 (en) 2014-07-17 2018-06-26 Cornell University Circuits and devices based on enhanced spin hall effect for efficient spin transfer torque
FR3031622B1 (fr) * 2015-01-14 2018-02-16 Centre National De La Recherche Scientifique Point memoire magnetique
US9589619B2 (en) * 2015-02-09 2017-03-07 Qualcomm Incorporated Spin-orbit-torque magnetoresistive random access memory with voltage-controlled anisotropy
KR102466342B1 (ko) 2015-06-11 2022-11-15 삼성전자주식회사 자기 메모리 소자
WO2017034563A1 (en) * 2015-08-26 2017-03-02 Intel IP Corporation Dual pulse spin hall memory with perpendicular magnetic elements
CN105679358B (zh) * 2015-09-22 2018-05-25 上海磁宇信息科技有限公司 垂直型自旋转移矩磁性随机存储器记忆单元
FR3042303B1 (fr) 2015-10-08 2017-12-08 Centre Nat Rech Scient Point memoire magnetique
FR3042634B1 (fr) * 2015-10-16 2017-12-15 Centre Nat Rech Scient Point memoire magnetique
CN108292703B (zh) * 2015-11-27 2022-03-29 Tdk株式会社 自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件及磁存储器
US10573363B2 (en) 2015-12-02 2020-02-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for performing self-referenced read in a magnetoresistive random access memory
US9837602B2 (en) * 2015-12-16 2017-12-05 Western Digital Technologies, Inc. Spin-orbit torque bit design for improved switching efficiency
US10475988B2 (en) * 2016-07-27 2019-11-12 National University Of Singapore High efficiency spin torque switching using a ferrimagnet
US11495735B2 (en) * 2016-09-28 2022-11-08 Tdk Corporation Spin-current magnetization rotational element and element assembly
KR101963482B1 (ko) 2016-10-20 2019-03-28 고려대학교 산학협력단 자기 터널 접합 소자 및 자기 메모리 소자
KR102458889B1 (ko) 2017-08-09 2022-10-27 한국과학기술원 반도체 소자 및 반도체 로직 소자
KR101998268B1 (ko) 2016-10-21 2019-07-11 한국과학기술원 반도체 소자
JP6712804B2 (ja) 2016-11-18 2020-06-24 国立研究開発法人理化学研究所 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリ搭載中央演算処理ｌｓｉ、データ記録装置、データ処理装置およびデータ通信装置
US11038099B2 (en) * 2016-12-13 2021-06-15 Intel Corporation Perpendicular magnetoelectric spin orbit logic
KR101825318B1 (ko) 2017-01-03 2018-02-05 고려대학교 산학협력단 스핀필터 구조체를 포함하는 자기 터널 접합 소자
US10276780B2 (en) 2017-01-13 2019-04-30 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Semiconductor device, semiconductor device control method and optical switch
WO2018155078A1 (ja) * 2017-02-27 2018-08-30 Tdk株式会社 スピン流磁化回転素子、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
US10593388B2 (en) * 2017-02-27 2020-03-17 Tdk Corporation Spin current magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory
JP6316474B1 (ja) * 2017-03-21 2018-04-25 株式会社東芝 磁気メモリ
CN110268530B (zh) * 2017-09-07 2022-07-26 Tdk株式会社 自旋流磁化反转元件和自旋轨道转矩型磁阻效应元件
KR102024876B1 (ko) 2017-09-14 2019-11-05 한국과학기술원 Sot 반도체 소자 및 sot 반도체 소자의 기록 방법
US10833249B2 (en) 2017-09-18 2020-11-10 Centre National De La Recherche Scientifique Magnetic memory cell of current programming type
US10897364B2 (en) * 2017-12-18 2021-01-19 Intel Corporation Physically unclonable function implemented with spin orbit coupling based magnetic memory
JP6539008B1 (ja) * 2018-02-19 2019-07-03 Tdk株式会社 スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
CN109065705B (zh) * 2018-07-09 2020-10-20 北京航空航天大学 一种磁性隧道结
EP3944325B1 (en) 2020-07-23 2023-06-21 Antaios Magneto resistive memory device
EP3945609A1 (en) 2020-07-31 2022-02-02 Antaios Magneto resistive memory device
EP3996093A1 (en) 2020-11-06 2022-05-11 Antaios SAS Magnetic random access memory cell and method for writing and reading such memory element
EP4016530A1 (en) 2020-12-16 2022-06-22 Antaios Magneto resistive memory device with thermally assisted operations
CN113036034B (zh) * 2021-03-09 2023-07-25 北京科技大学 可调控Co2FeX合金垂直磁各向异性的磁性薄膜材料及方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2081460C1 (ru) * 1994-04-18 1997-06-10 Институт проблем управления РАН Магниторезистивная ячейка памяти
RU2066484C1 (ru) * 1994-07-12 1996-09-10 Институт проблем управления РАН Запоминающий элемент на спин-вентильном магниторезистивном эффекте
JP2000195250A (ja) * 1998-12-24 2000-07-14 Toshiba Corp 磁気メモリ装置
US6269018B1 (en) * 2000-04-13 2001-07-31 International Business Machines Corporation Magnetic random access memory using current through MTJ write mechanism
US6538921B2 (en) * 2000-08-17 2003-03-25 Nve Corporation Circuit selection of magnetic memory cells and related cell structures
ATE405932T1 (de) * 2002-11-27 2008-09-15 Nxp Bv Stromumlenkschema für einen seriell programmierten mram
US7009877B1 (en) 2003-11-14 2006-03-07 Grandis, Inc. Three-terminal magnetostatically coupled spin transfer-based MRAM cell
US7257019B2 (en) * 2005-11-17 2007-08-14 Macronix International Co., Ltd. Systems and methods for a magnetic memory device that includes a single word line transistor
US7466585B2 (en) * 2006-04-28 2008-12-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Magnetic random access memory
JP4250644B2 (ja) * 2006-08-21 2009-04-08 株式会社東芝 磁気記憶素子およびこの磁気記憶素子を備えた磁気メモリならびに磁気メモリの駆動方法
KR100862183B1 (ko) * 2007-06-29 2008-10-09 고려대학교 산학협력단 강자성 물질의 도메인 구조 및 다중 상태를 이용한 자기기억 소자
US7577021B2 (en) 2007-11-21 2009-08-18 Magic Technologies, Inc. Spin transfer MRAM device with separated CPP assisted writing
US7826258B2 (en) * 2008-03-24 2010-11-02 Carnegie Mellon University Crossbar diode-switched magnetoresistive random access memory system
US8363461B2 (en) * 2008-07-10 2013-01-29 Nec Corporation Magnetic random access memory, method of initializing magnetic random access memory and method of writing magnetic random access memory
JP2010062342A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Fujitsu Ltd 磁性細線及び記憶装置
JP2010098259A (ja) * 2008-10-20 2010-04-30 Institute Of Physical & Chemical Research メモリセル、ならびに、磁気メモリ素子
KR101584099B1 (ko) * 2009-08-19 2016-01-13 삼성전자주식회사 자성층을 구비한 트랙 및 이를 포함하는 자성소자

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013536574A (ja) 2013-09-19
CN103329204B (zh) 2016-05-04
FR2963152A1 (fr) 2012-01-27
US20120020152A1 (en) 2012-01-26
RU2585578C2 (ru) 2016-05-27
CN103329204A (zh) 2013-09-25
EP2599085A1 (fr) 2013-06-05
KR20130071467A (ko) 2013-06-28
FR2963152B1 (fr) 2013-03-29
KR101974149B1 (ko) 2019-04-30
WO2012014131A1 (fr) 2012-02-02
US8416618B2 (en) 2013-04-09
EP2599085B1 (fr) 2017-04-26
JP6154745B2 (ja) 2017-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013108267A (ru) Элемент магнитной памяти
KR101895250B1 (ko) 기록가능 자기 소자
JP4568926B2 (ja) 磁気機能素子及び磁気記録装置
US7018725B2 (en) Magneto-resistance effect element magneto-resistance effect memory cell, MRAM, and method for performing information write to or read from the magneto-resistance effect memory cell
Comstock Review modern magnetic materials in data storage
JP5283922B2 (ja) 磁気メモリ
JP4874884B2 (ja) 磁気記録素子及び磁気記録装置
CN103151455B (zh) 存储元件和存储装置
US20150287426A1 (en) Magnetic read head having spin hall effect layer
JP2006303159A (ja) スピン注入磁区移動素子およびこれを用いた装置
RU2599948C2 (ru) Самоотносимый элемент магнитной оперативной памяти, содержащий синтетический запоминающий слой
CN103151454A (zh) 存储元件和存储设备
JP2006287081A (ja) スピン注入磁区移動素子およびこれを用いた装置
Tannous et al. Magnetic information-storage materials
CN104662654B (zh) 存储单元、存储装置和磁头
CN103137855A (zh) 存储元件和存储设备
TW200903715A (en) Magnetic shielding in magnetic multilayer structures
JP2010219412A (ja) 磁気抵抗効果素子および磁気ランダムアクセスメモリ
JP2013138202A (ja) スピン注入書き込み操作を使用してセルに書き込むための自己参照磁気ランダムアクセスメモリセル及び方法
JP5338264B2 (ja) 磁気センサー
JP2012069958A (ja) 磁気記録素子
JP2009158789A (ja) 電流磁気効果素子及び磁気センサ
JP2002208681A (ja) 磁気薄膜メモリ素子、磁気薄膜メモリおよび情報記録方法
CN103959377A (zh) 电场写入型磁记录装置
JP2010219177A (ja) 磁気トンネル接合素子、磁気ランダムアクセスメモリ