RU2012147484A - Светоизлучающий прибор и способ его изготовления - Google Patents

Светоизлучающий прибор и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2012147484A
RU2012147484A RU2012147484/28A RU2012147484A RU2012147484A RU 2012147484 A RU2012147484 A RU 2012147484A RU 2012147484/28 A RU2012147484/28 A RU 2012147484/28A RU 2012147484 A RU2012147484 A RU 2012147484A RU 2012147484 A RU2012147484 A RU 2012147484A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
region
light emitting
substrate
emitting device
wavelength
Prior art date
Application number
RU2012147484/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2528604C2 (ru
Inventor
Масацугу ИТИКАВА
Original Assignee
Нития Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Нития Корпорейшн filed Critical Нития Корпорейшн
Publication of RU2012147484A publication Critical patent/RU2012147484A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2528604C2 publication Critical patent/RU2528604C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H01L33/18—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light emitting region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

1. Светоизлучающий прибор, содержащий:связанные друг с другом светоизлучающий элемент и элемент, преобразующий длину волны, при этомсветоизлучающий элемент содержит со стороны элемента, преобразующего длину волны, первую область и вторую область, аэлемент, преобразующий длину волны, содержит со стороны светоизлучающего элемента третью область и четвертую область, причемпервая область имеет нерегулярное расположение атомов, по сравнению со второй областью, а третья область имеет нерегулярное расположение атомов по сравнению с четвертой областью,при этом первая область и третья область связаны напрямую.2. Светоизлучающий прибор по п.1, в котором светоизлучающий элемент содержит подложку, включающую указанные первую область и вторую область, и полупроводниковый многослойный элемент, сформированный на подложке, при этом элемент, преобразующий длину волны, содержит опорный элемент, включающий указанные третью область и четвертую область, и люминесцентный материал, содержащийся в опорном элементе.3. Светоизлучающий прибор по п.2, в котором подложка изготовлена из сапфира, а опорный элемент изготовлен из оксида алюминия.4. Способ изготовления светоизлучающего прибора, включающий в себя этапы, на которых:подготавливают светоизлучающий элемент;подготавливают элемент, преобразующий длину волны; исвязывают светоизлучающий элемент и элемент, преобразующий длину волны, с помощью технологии поверхностно активируемого связывания.5. Способ изготовления светоизлучающего прибора по п.4, в котором светоизлучающий элемент содержит подложку, изготовленную из сапфира, и полупроводниковый многослойный элемент, сформир

Claims (5)

1. Светоизлучающий прибор, содержащий:
связанные друг с другом светоизлучающий элемент и элемент, преобразующий длину волны, при этом
светоизлучающий элемент содержит со стороны элемента, преобразующего длину волны, первую область и вторую область, а
элемент, преобразующий длину волны, содержит со стороны светоизлучающего элемента третью область и четвертую область, причем
первая область имеет нерегулярное расположение атомов, по сравнению со второй областью, а третья область имеет нерегулярное расположение атомов по сравнению с четвертой областью,
при этом первая область и третья область связаны напрямую.
2. Светоизлучающий прибор по п.1, в котором светоизлучающий элемент содержит подложку, включающую указанные первую область и вторую область, и полупроводниковый многослойный элемент, сформированный на подложке, при этом элемент, преобразующий длину волны, содержит опорный элемент, включающий указанные третью область и четвертую область, и люминесцентный материал, содержащийся в опорном элементе.
3. Светоизлучающий прибор по п.2, в котором подложка изготовлена из сапфира, а опорный элемент изготовлен из оксида алюминия.
4. Способ изготовления светоизлучающего прибора, включающий в себя этапы, на которых:
подготавливают светоизлучающий элемент;
подготавливают элемент, преобразующий длину волны; и
связывают светоизлучающий элемент и элемент, преобразующий длину волны, с помощью технологии поверхностно активируемого связывания.
5. Способ изготовления светоизлучающего прибора по п.4, в котором светоизлучающий элемент содержит подложку, изготовленную из сапфира, и полупроводниковый многослойный элемент, сформированный на подложке, при этом элемент, преобразующий длину волны, содержит опорный элемент, изготовленный из оксида алюминия, и люминесцентный материал, содержащийся в опорном элементе, причем на этапе связывания связывают подложку и опорный элемент.
RU2012147484/28A 2010-04-08 2011-04-05 Светоизлучающий прибор и способ его изготовления RU2528604C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010089267 2010-04-08
JP2010-089267 2010-04-08
PCT/JP2011/058586 WO2011126000A1 (ja) 2010-04-08 2011-04-05 発光装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012147484A true RU2012147484A (ru) 2014-05-20
RU2528604C2 RU2528604C2 (ru) 2014-09-20

Family

ID=44762936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012147484/28A RU2528604C2 (ru) 2010-04-08 2011-04-05 Светоизлучающий прибор и способ его изготовления

Country Status (9)

Country Link
US (3) US8916399B2 (ru)
EP (2) EP2557607B1 (ru)
JP (1) JPWO2011126000A1 (ru)
KR (3) KR102285141B1 (ru)
CN (1) CN102823000B (ru)
BR (1) BR112012025660B1 (ru)
RU (1) RU2528604C2 (ru)
TW (1) TWI521746B (ru)
WO (1) WO2011126000A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10185213B2 (en) 2015-05-15 2019-01-22 Sony Corporation Fluorescent substrate, light source device, and projection display unit

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2557607B1 (en) * 2010-04-08 2019-02-20 Nichia Corporation Light-emitting device and process for production thereof
JP2012142326A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 発光素子及び発光素子の製造方法
DE102011014845B4 (de) * 2011-03-23 2023-05-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Licht emittierendes Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauteils
CN104904024A (zh) * 2013-01-16 2015-09-09 皇家飞利浦有限公司 使用发光蓝宝石作为下转换器的led
WO2014155227A1 (en) * 2013-03-29 2014-10-02 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device comprising wavelength converter
JP2014225636A (ja) * 2013-04-16 2014-12-04 株式会社ディスコ 発光デバイス
JP6414391B2 (ja) 2013-04-30 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
EP3000138B8 (en) * 2013-05-20 2018-08-22 Lumileds Holding B.V. Chip scale light emitting device package with dome
JP6299478B2 (ja) * 2013-06-26 2018-03-28 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
CN104332539B (zh) * 2013-07-22 2017-10-24 中国科学院福建物质结构研究所 GaN基LED外延结构及其制造方法
JP6387780B2 (ja) 2013-10-28 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6438648B2 (ja) * 2013-11-15 2018-12-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
US10211374B2 (en) * 2014-01-09 2019-02-19 Lumileds Llc Light emitting device with reflective sidewall
JP6176171B2 (ja) 2014-03-28 2017-08-09 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP6398323B2 (ja) 2014-05-25 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
EP2953176A1 (de) * 2014-06-02 2015-12-09 Swarovski Energy GmbH Beleuchtungsvorrichtung
JP6515515B2 (ja) * 2014-12-11 2019-05-22 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造法
JP2017220652A (ja) * 2016-06-10 2017-12-14 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 レーザ装置とその製造方法
WO2017217486A1 (ja) * 2016-06-16 2017-12-21 日本碍子株式会社 蛍光体素子および照明装置
JP6724639B2 (ja) 2016-08-01 2020-07-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6245587B1 (ja) * 2016-10-28 2017-12-13 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 レーザー部品
DE102017101091A1 (de) 2017-01-20 2018-07-26 Osram Gmbh Konverter, laser activated remote phosphor (larp) system, scheinwerfer und verfahren
JP6579141B2 (ja) 2017-03-24 2019-09-25 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP7111939B2 (ja) 2017-04-28 2022-08-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6854715B2 (ja) 2017-06-30 2021-04-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US10128419B1 (en) 2017-08-03 2018-11-13 Lumileds Llc Method of manufacturing a light emitting device
JP7343749B2 (ja) * 2018-06-14 2023-09-13 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
EP3582271B1 (en) 2018-06-14 2021-03-17 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing same
JP7357082B2 (ja) 2020-02-07 2023-10-05 スタンレー電気株式会社 光学装置および光学装置の製造方法
JP7469641B2 (ja) 2020-05-20 2024-04-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の検査方法及び検査用治具
CN113808925A (zh) * 2021-09-28 2021-12-17 包头稀土研发中心 一种复合结构荧光衬底、复合方法及倒装led结构

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0810672B2 (ja) * 1987-07-03 1996-01-31 富士通株式会社 平板の接着方法
JPH11307813A (ja) * 1998-04-03 1999-11-05 Hewlett Packard Co <Hp> 発光装置、その製造方法およびディスプレイ
JP2000340509A (ja) 1999-05-26 2000-12-08 Sumitomo Electric Ind Ltd ＧａＮ基板およびその製造方法
US7053419B1 (en) * 2000-09-12 2006-05-30 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
JP2002141559A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Sanken Electric Co Ltd 発光半導体チップ組立体及び発光半導体リードフレーム
US7554258B2 (en) * 2002-10-22 2009-06-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body
JP4609319B2 (ja) 2003-01-20 2011-01-12 宇部興産株式会社 光変換用セラミックス複合材料およびその用途
JP3913700B2 (ja) 2003-04-08 2007-05-09 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイス及びその製造方法
RU2261502C1 (ru) * 2004-02-05 2005-09-27 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт ГИРИКОНД" Фотолюминесцентный излучатель, полупроводниковый фотоэлемент и оптрон на их основе
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
WO2006001316A1 (ja) * 2004-06-24 2006-01-05 Ube Industries, Ltd. 白色発光ダイオード装置
JP2006100787A (ja) 2004-08-31 2006-04-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置および発光素子
WO2006035353A2 (en) * 2004-09-28 2006-04-06 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Light emitting device with improved conversion layer
CN100521171C (zh) * 2004-10-21 2009-07-29 财团法人工业技术研究院 一种元件的封装接合结构
US7341878B2 (en) 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
KR100665214B1 (ko) * 2005-06-14 2007-01-09 삼성전기주식회사 형광체막 제조 방법, 이를 이용한 발광장치의 제조 방법 및발광장치
WO2007083829A1 (en) 2006-01-23 2007-07-26 Showa Denko K.K. Light-emitting diode and method for fabrication thereof
JP5021213B2 (ja) 2006-01-23 2012-09-05 昭和電工株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
JP5042506B2 (ja) * 2006-02-16 2012-10-03 信越化学工業株式会社 半導体基板の製造方法
JP2009540558A (ja) 2006-06-08 2009-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光装置
CN100578826C (zh) 2006-08-09 2010-01-06 广东昭信光电科技有限公司 一种白色发光二极管芯片的制备方法
US7521862B2 (en) * 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
US7687823B2 (en) * 2006-12-26 2010-03-30 Nichia Corporation Light-emitting apparatus and method of producing the same
JP5070557B2 (ja) 2007-02-27 2012-11-14 武仁 島津 常温接合方法
JP2009105123A (ja) 2007-10-22 2009-05-14 Showa Denko Kk 発光ダイオードおよびその製造方法
JP2009114953A (ja) 2007-11-06 2009-05-28 Nissan Motor Co Ltd 燃料噴射装置のマイクロノズルおよび燃料噴射装置のマイクロノズルの製造方法
CN101878540B (zh) 2007-11-29 2013-11-06 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
JP5315070B2 (ja) 2008-02-07 2013-10-16 昭和電工株式会社 化合物半導体発光ダイオード
EP2272102B1 (en) 2008-03-26 2016-06-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Semiconductor light-emitting apparatus
JP2009289835A (ja) * 2008-05-27 2009-12-10 Panasonic Electric Works Co Ltd 構造体の製造方法、発光装置の製造方法
US10147843B2 (en) * 2008-07-24 2018-12-04 Lumileds Llc Semiconductor light emitting device including a window layer and a light-directing structure
JP4631946B2 (ja) * 2008-08-11 2011-02-16 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体層貼り合わせ基板の製造方法
JP4911143B2 (ja) 2008-08-15 2012-04-04 信越化学工業株式会社 高温耐性接着剤組成物、基板の接着方法、及び３次元半導体装置
JP2010287687A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法
JP2009260391A (ja) * 2009-08-05 2009-11-05 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体層貼り合わせ基板および半導体デバイスの製造方法
JP2011109002A (ja) 2009-11-20 2011-06-02 Citizen Holdings Co Ltd 集積デバイスおよび集積デバイスの製造方法
EP2557607B1 (en) 2010-04-08 2019-02-20 Nichia Corporation Light-emitting device and process for production thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10185213B2 (en) 2015-05-15 2019-01-22 Sony Corporation Fluorescent substrate, light source device, and projection display unit
US10578957B2 (en) 2015-05-15 2020-03-03 Sony Corporation Fluorescent substrate, light source device, and projection display unit

Also Published As

Publication number Publication date
EP3509113A1 (en) 2019-07-10
US9293643B2 (en) 2016-03-22
KR20180086303A (ko) 2018-07-30
BR112012025660B1 (pt) 2021-12-21
US9293642B2 (en) 2016-03-22
EP2557607A1 (en) 2013-02-13
KR102285141B1 (ko) 2021-08-04
WO2011126000A1 (ja) 2011-10-13
US20150118771A1 (en) 2015-04-30
EP2557607A4 (en) 2015-11-04
CN102823000A (zh) 2012-12-12
EP2557607B1 (en) 2019-02-20
KR102109668B1 (ko) 2020-05-12
US20150076548A1 (en) 2015-03-19
US20130026527A1 (en) 2013-01-31
KR20130029387A (ko) 2013-03-22
BR112012025660A2 (pt) 2016-06-28
RU2528604C2 (ru) 2014-09-20
TWI521746B (zh) 2016-02-11
US8916399B2 (en) 2014-12-23
JPWO2011126000A1 (ja) 2013-07-11
KR20200052981A (ko) 2020-05-15
CN102823000B (zh) 2016-08-03
TW201205897A (en) 2012-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012147484A (ru) Светоизлучающий прибор и способ его изготовления
US9121576B2 (en) Light wavelength conversion unit
RU2012157560A (ru) Светоизлучающее устройство и способ изготовления светоизлучающего устройства
WO2009148253A3 (ko) 반도체 발광소자 제조용 지지기판 및 상기 지지기판을 이용한 반도체 발광소자
JP2011507272A5 (ru)
WO2009048704A3 (en) Light emitting diode with bonded semiconductor wavelength converter
EP2372796A3 (en) Light emitting diode package and light unit having the same
RU2014136705A (ru) Прессованная линза, формирующая led-модуль масштаба интегральной схемы, и способ ее изготовления
JP2014175354A (ja) 発光ダイオード
EP2445021A3 (en) Lighting emitting diode (LED) package and method of fabrication
JP2010192629A5 (ru)
TW200739969A (en) Light emitting diode package
JP2013526052A5 (ru)
EP2466658A3 (en) LED including a phosphor layer, LED package and methods of manufacturing the same
TW200733436A (en) Light emitting diode package structure and fabrication method thereof
EP1804302A3 (en) Light emitting semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2011060807A5 (ja) 半導体チップの製造方法
WO2013019534A3 (en) Light emitting die (led) lamps, heat sinks and related methods
WO2009001596A1 (ja) 発光素子及び照明装置
JP2008042143A5 (ru)
EP2372790A3 (en) Light emitting diode, light emitting diode package, and lighting system
RU2014142050A (ru) Светоизлучающее устройство, выращенное на кремниевой подложке
WO2010123647A3 (en) Substrate based light source package with electrical leads
TW201505214A (zh) 具有光學元件而不具有基板載體之印刷電路發光裝置
JP2013168599A5 (ru)