DE102011014845B4 - Licht emittierendes Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauteils - Google Patents

Licht emittierendes Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauteils Download PDF

Info

Publication number
DE102011014845B4
DE102011014845B4 DE102011014845.0A DE102011014845A DE102011014845B4 DE 102011014845 B4 DE102011014845 B4 DE 102011014845B4 DE 102011014845 A DE102011014845 A DE 102011014845A DE 102011014845 B4 DE102011014845 B4 DE 102011014845B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor body
semiconductor
light
growth
emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102011014845.0A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102011014845A1 (de
Inventor
Dr. Sabathil Matthias
Dr. Lugauer Hans-Jürgen
Dr. Plößl Andreas
Dr. Linkov Alexander
Patrick Rode
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to DE102011014845.0A priority Critical patent/DE102011014845B4/de
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to US14/006,304 priority patent/US9331243B2/en
Priority to CN201710080866.1A priority patent/CN107039564B/zh
Priority to JP2013557083A priority patent/JP5694575B2/ja
Priority to CN201280014614.4A priority patent/CN103443940B/zh
Priority to PCT/EP2012/053914 priority patent/WO2012126735A1/de
Priority to KR1020137025341A priority patent/KR101515319B1/ko
Publication of DE102011014845A1 publication Critical patent/DE102011014845A1/de
Priority to US15/144,728 priority patent/US9853186B2/en
Application granted granted Critical
Publication of DE102011014845B4 publication Critical patent/DE102011014845B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials

Abstract

Licht emittierendes Halbleiterbauteil mit- einem ersten Halbleiterkörper (1), der eine aktive Zone (11) umfasst, in der im Betrieb des Licht emittierenden Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, die den ersten Halbleiterkörper (1) zumindest teilweise durch eine Strahlungsaustrittsfläche (1a) hindurch verlässt, und- einem zweiten Halbleiterkörper (2), der zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung in konvertierte elektromagnetische Strahlung größerer Wellenlänge geeignet ist, wobei- der erste Halbleiterkörper (1) und der zweite Halbleiterkörper (2) getrennt voneinander gefertigt sind,- der zweite Halbleiterkörper (2) elektrisch inaktiv ist,- der zweite Halbleiterkörper (2) sich in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittfläche (1a) befindet und dort verbindungsmittelfrei am ersten Halbleiterkörper (1) befestigt ist,- die Strahlungsaustrittsfläche (1a) und die der Strahlungsaustrittsfläche (1a) zugewandte Außenfläche des zweiten Halbleiterkörpers (2) jeweils einen Mittenrauwert von höchstens 2 nm aufweisen, und- der zweite Halbleiterkörper (2) auf einem III-V Verbindungshalbleitermaterial basiert.

Description

  • Die Druckschriften EP 0 486 052 A1 , WO 2009/ 075 972 A2 , WO 2009/ 064 330 A2 , WO 2010/ 123 814 A1 , US 2007 / 0 126 017 A1 beschreiben Licht emittierende Halbleiterbauteile sowie Verfahren zu deren Herstellung.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil anzugeben, das eine verbesserte Effizienz der Lichterzeugung aufweist. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein entsprechendes Verfahren anzugeben.
  • Diese Aufgaben werden durch das Halbleiterbauteil gemäß Anspruch 1 und das Verfahren gemäß Anspruch 5 gelöst.
  • Das Licht emittierende Halbleiterbauteil umfasst einen ersten Halbleiterkörper. Der erste Halbleiterkörper ist beispielsweise epitaktisch auf einen Aufwachsträger abgeschieden. Der erste Halbleiterkörper basiert dabei beispielsweise auf einem Nitrid-Verbindungs-Halbleitermaterial.
  • Der erste Halbleiterkörper umfasst zumindest eine aktive Zone, in der im Betrieb des Licht emittierenden Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird. Bei der elektromagnetischen Strahlung kann es sich beispielsweise um UV-Strahlung und/oder sichtbares Licht handeln. Die in der zumindest einen aktiven Zone erzeugte elektromagnetische Strahlung verlässt den ersten Halbleiterkörper zumindest teilweise durch eine Strahlungsaustrittsfläche.
  • Bei der Strahlungsaustrittsfläche handelt es sich beispielsweise um zumindest einen Teil einer Hauptfläche des ersten Halbleiterkörpers. Beispielsweise ist die Strahlungsaustrittsfläche durch diejenige Außenfläche des Halbleiterkörpers gebildet, welche einem Anschlussträger oder einer Leiterplatte, auf der das Licht emittierende Halbleiterbauteil montiert ist, abgewandt angeordnet ist. Beispielsweise handelt es sich bei dem ersten Halbleiterkörper um eine Leuchtdiode.
  • Das Licht emittierende Halbleiterbauteil umfasst einen zweiten Halbleiterkörper, der zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung, welche in der zumindest einen aktiven Zone des ersten Halbleiterkörpers erzeugt wird, geeignet ist. Dabei wird die elektromagnetische Strahlung, welche den ersten Halbleiterkörper durch die Strahlungsaustrittsfläche verlässt, zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung größerer Wellenlänge konvertiert. Das heißt, der zweite Halbleiterkörper ist zur so genannten „down-conversion“ geeignet. Beispielsweise wirkt der zweite Halbleiterkörper aufgrund seiner natürlichen Bandlücke als Konverter. Es ist jedoch auch möglich, dass der zweite Halbleiterkörper zumindest einen pn-Übergang, zumindest eine Quantentopfstruktur oder zumindest eine Mehrfachquantentopfstruktur umfasst, welche von der im ersten Halbleiterkörper erzeugten elektromagnetischen Strahlung optisch gepumpt wird.
  • Auch der zweite Halbleiterkörper kann beispielsweise mittels epitaktischen Aufwachsens des zweiten Halbleiterkörpers auf einen Aufwachsträger hergestellt sein.
  • Der erste Halbleiterkörper und der zweite Halbleiterkörper sind getrennt voneinander gefertigt. Das heißt, der zweite Halbleiterkörper wird insbesondere nicht epitaktisch auf die Strahlungsaustrittsfläche des ersten Halbleiterkörpers aufgewachsen. Vielmehr können der erste Halbleiterkörper und der zweite Halbleiterkörper getrennt voneinander, beispielsweise epitaktisch, hergestellt werden und anschließend miteinander verbunden werden. Bei dem Merkmal, wonach der erste Halbleiterkörper und der zweite Halbleiterkörper getrennt voneinander gefertigt sind, handelt es sich um ein gegenständliches Merkmal, das am fertigen Licht emittierenden Halbleiterbauteil nachweisbar ist. Das heißt, das Licht emittierende Halbleiterbauteil ist eindeutig von einem Licht emittierenden Halbleiterbauteil zu unterscheiden, bei dem der zweite Halbleiterkörper epitaktisch auf dem ersten Halbleiterkörper aufgewachsen ist.
  • Der zweite Halbleiterkörper ist elektrisch inaktiv. Das heißt, die Erzeugung der konvertierten elektromagnetischen Strahlung im zweiten Halbleiterkörper erfolgt nicht aufgrund eines elektrischen Pumpens des zweiten Halbleiterkörpers, sondern der zweite Halbleiterkörper wird durch die vom ersten Halbleiterkörper im Betrieb erzeugte elektromagnetische Strahlung optisch gepumpt. Das Licht emittierende Halbleiterbauteil ist daher beispielsweise frei von elektrischen Anschlüssen, mittels denen der zweite Halbleiterkörper kontaktiert wird.
  • Der zweite Halbleiterkörper und der erste Halbleiterkörper befinden sich in direktem Kontakt miteinander. Das heißt, der zweite Halbleiterkörper befindet sich beispielsweise in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittsfläche des ersten Halbleiterkörpers und ist dort verbindungsmittelfrei am ersten Halbleiterkörper befestigt.
  • „Verbindungsmittelfrei“ heißt, dass kein Verbindungsmittel wie beispielsweise ein Klebstoff oder ein so genanntes „Index Matching Gel“ zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper angeordnet ist. Die Haftung zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper wird insbesondere durch Wasserstoffbrücken und/oder Van-der-Waals-Wechselwirkung im Bereich der Schnittstelle zwischen erstem Halbleiterkörper und zweitem Halbleiterkörper vermittelt. Mit anderen Worten sind der erste Halbleiterkörper und der zweite Halbleiterkörper über so genanntes „direktes Bonden“ aneinander befestigt.
  • Die Verbindung zwischen erstem Halbleiterkörper und zweitem Halbleiterkörper ist mechanisch stabil. Gegebenenfalls ist es möglich, dass die Verbindung nicht zerstörungsfrei gelöst werden kann. Das heißt, bei einem Lösen der Verbindung würde zumindest einer der beiden Halbleiterkörper beschädigt oder zerstört werden. Dies ist zum Beispiel der Fall, wenn es sich bei der Verbindung um eine starke chemische Bindung beziehungsweise eine primäre chemische Bindung handelt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Licht emittierenden Halbleiterbauteils umfasst das Licht emittierende Halbleiterbauteil einen ersten Halbleiterkörper, der eine aktive Zone umfasst, in der im Betrieb des Licht emittierenden Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird. Die im ersten Halbleiterkörper erzeugte elektromagnetische Strahlung tritt zumindest teilweise durch eine Strahlungsaustrittsfläche hindurch. Das Licht emittierende Halbleiterbauteil umfasst weiter einen zweiten Halbleiterkörper, der zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung in konvertierte elektromagnetische Strahlung größerer Wellenlänge geeignet ist. Bei einem Licht emittierenden Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform sind der erste Halbleiterkörper und der zweite Halbleiterkörper getrennt voneinander gefertigt, der zweite Halbleiterkörper ist elektrisch inaktiv und der zweite Halbleiterkörper befindet sich in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittsfläche und ist dort verbindungsmittelfrei am ersten Halbleiterkörper befestigt.
  • Beim vorliegenden Licht emittierenden Halbleiterbauteil ist es insbesondere möglich, dass keine Zwischenschicht vorhanden ist, welche die optische, thermische und mechanische Verbindung zwischen der Pumpquelle, also dem ersten Halbleiterkörper, und dem Konverter, also dem zweiten Halbleiterkörper, vermittelt. Vielmehr wird der Konverter direkt auf die Pumpquelle derart aufgebracht, dass dadurch eine chemische Bindung zwischen dem Konverter und der Strahlungsaustrittsfläche der Pumpquelle entsteht. Dadurch können die Lichteinkopplung in den Konverter sowie die Wärmeanbindung zwischen Konverter und Pumpquelle deutlich verbessert werden. Auf diese Weise ist das Licht emittierende Halbleiterbauteil zur hocheffizienten Konversion und damit zur Erzeugung von polychromatischem oder monochromatischem Licht geeignet. Die hohe Effizienz ergibt sich insbesondere durch eine Minimierung von Stokes-Verlusten, Konverterüberhitzung und Ein- beziehungsweise Auskoppelverlusten.
  • Vorliegend kommt als Konverter der zweite Halbleiterkörper zum Einsatz. Da ein Halbleiterkörper eine hohe Absorptionskonstante aufweist, kann der Halbleiterkörper sehr dünn ausgebildet sein. Das hier beschriebene Licht emittierende Halbleiterbauteil zeichnet sich daher auch durch eine besonders kleine Bauhöhe aus und eignet sich daher besonders gut zur direkten Hinterleuchtung von Bild gebenden Elementen wie beispielsweise LCD-Panels.
  • Die Verbindung zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper kann kovalent oder ionisch sein. Das Abführen der Verlustwärme aus dem zweiten Halbleiterkörper durch den ersten Halbleiterkörper ist durch eine Minimierung der thermischen Widerstände zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper minimiert. Die unmittelbare Ankopplung durch starke chemische Bindungen zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper maximiert den Wärmeübergang vom zweiten Halbleiterkörper zum ersten Halbleiterkörper. Da der erste Halbleiterkörper beispielsweise an eine Wärmesenke angebunden sein kann, kann die Verlustwärme, welche bei der Konversion erzeugt wird, optimal aus dem zweiten Halbleiterkörper abgeführt werden.
  • Die direkte Verbindung zwischen erstem Halbleiterkörper und zweitem Halbleiterkörper kann dabei sogar bei Raumtemperatur erfolgen, sodass gewährleistet ist, dass die Verspannungen bei thermisch nicht aneinander angepassten erstem und zweitem Halbleiterkörper nicht zur Schichtschädigung führen.
  • Ferner ermöglicht die Verwendung eines zweiten Halbleiterkörpers als Konverter den Einsatz von Konvertern, welche im Wesentlichen den gleichen optischen Brechungsindex wie der erste Halbleiterkörper aufweisen. Damit erfolgt die Konversion hocheffizient durch direkte Einkopplung der elektromagnetischen Strahlung in den Konverter ohne zwischenliegende, Verlust behaftete Verbindungsmittelschichten, welche keine Konversionswirkung aufweisen.
  • Der zweite Halbleiterkörper als Konverter weist ferner bevorzugt eine deutlich geringere Halbwertsbreite als herkömmliche, zum Beispiel keramische Konverter, auf, was unter anderem geringere Stokes-Verluste bewirken kann. Damit ist beispielsweise eine höhere Konversionseffizienz für die Erzeugung von warmweißem Licht möglich, da insbesondere die dazu erforderliche Konversion von blauem Licht zu rotem Licht sehr schmalbandig erfolgen kann. Der in der Regel verlustreiche langwellige Anteil des konvertierten Lichts wird damit minimiert.
  • Das hier beschriebene Licht emittierende Halbleiterbauteil kann aufgrund der verbesserten Wärmeabfuhr ferner hochstromtauglich sein, da thermisch schlecht leitende Matrixmaterialien, in welchen Konversionsmaterialien üblicherweise angeordnet sind, entfallen.
  • Das hier beschriebene Licht emittierende Halbleiterbauteil kann dabei im Betrieb farbiges Licht, wie beispielsweise grünes, gelbes oder rotes Licht, erzeugen. Ferner ist es möglich, dass das Licht emittierende Halbleiterbauteil im Betrieb weißes Licht erzeugt.
  • Der erste Halbleiterkörper und der zweite Halbleiterkörper können beispielsweise bereits auf Waferebene miteinander verbunden werden, sodass die gleichzeitige Herstellung einer Vielzahl von Licht emittierenden Halbleiterbauteilen möglich ist.
  • Ferner kann eine Auskopplung von Licht oder elektromagnetischer Strahlung aus dem zweiten Halbleiterkörper durch beispielsweise Aufrauung der dem ersten Halbleiterkörper abgewandten Außenfläche des zweiten Halbleiterkörpers maximiert werden.
  • Die Strahlungsaustrittsfläche und die der Strahlungsaustrittsfläche zugewandte Außenfläche des zweiten Halbleiterkörpers weisen jeweils einen Mittenrauwert von höchstens 2 nm, insbesondere kleiner gleich 1 nm, bevorzugt kleiner gleich 0,5 nm auf. Der Mittenrauwert Rq ist dabei der quadratische Mittelwert aller Profilwerte des Rauheitsprofils. Für den Mittenrauwert wird dabei auch die Bezeichnung RMS verwendet. Vorliegend sind die beiden Außenflächen des ersten Halbleiterkörpers und des zweiten Halbleiterkörpers, an denen der erste Halbleiterkörper und der zweite Halbleiterkörper miteinander verbunden werden, also besonders glatt ausgebildet. Vorzugsweise ist der Mittenrauwert zumindest einer der beiden zugewandten Oberflächen wesentlich kleiner als 0,5 nm, zum Beispiel 0,2 nm oder kleiner.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Licht emittierenden Halbleiterbauteils basiert der erste Halbleiterkörper auf einem Nitrid-Verbindungs-Halbleitermaterial. „Auf Nitrid-Verbindungs-Halbleitermaterial basierend“ bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die Halbleiterschichtenfolge oder zumindest ein Teil davon, besonders bevorzugt zumindest die aktive Zone und/oder der Aufwachssubstratwafer, ein Nitrid-Verbindungs-Halbleitermaterial, vorzugsweise AlnGamIn1-n-mN aufweist oder aus diesem besteht, wobei 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n+m ≤ 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es beispielsweise ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al, Ga, In, N), auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können. Der erste Halbleiterkörper ist dabei beispielsweise epitaktisch hergestellt, wobei das Aufwachssubstrat vom ersten Halbleiterkörper entfernt ist.
  • Eine elektrische Kontaktierung des ersten Halbleiterkörpers kann dabei beispielsweise von der dem zweiten Halbleiterkörper abgewandten Seite her erfolgen. Ferner ist es möglich, dass zumindest ein Kontakt zum Anschließen des ersten Halbleiterkörpers zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper angeordnet ist oder der zweite Halbleiterkörper zumindest eine Aussparung aufweist, in welcher der zumindest eine Kontakt auf der dem zweiten Halbleiterkörper zugewandten Außenfläche des ersten Halbleiterkörpers angeordnet ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Licht emittierenden Halbleiterbauteils basiert der zweite Halbleiterkörper auf einem III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial. Beispielsweise basiert der zweite Halbleiterkörper auf dem Materialsystem (AlGaIn) (NAsP) .
  • Auch ein zweiter Halbleiterkörper aus diesem Materialsystem zeichnet sich durch eine hohe strahlende Effizienz aus und kann epitaktisch mit atomar glatten Oberflächen großflächig auf einem Aufwachsträger, beispielsweise aus GaAs oder InP, abgeschieden werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Licht emittierenden Halbleiterbauteils weist der zweite Halbleiterkörper eine Dicke von höchstens 6 um, insbesondere höchstens 3 um, bevorzugt höchstens 1,5 µm auf. Eine so geringe Dicke ist insbesondere aufgrund der hohen Absorptionskonstanten von Halbleiterkonversionsschichten möglich. Auf diese Weise kann die Bauhöhe des fertigen Licht emittierenden Halbleiterbauteils sehr gering ausfallen, da der zweite Halbleiterkörper diese Bauhöhe kaum erhöht.
  • Es wird darüber hinaus ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauteils angegeben. Vorzugsweise kann mittels des Verfahrens ein hier beschriebenes Licht emittierendes Halbleiterbauteil hergestellt werden. Das heißt, sämtliche für das Licht emittierende Halbleiterbauteil beschriebenen Merkmale sind auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in einem Verfahrensschritt der erste Halbleiterkörper epitaktisch auf eine mit Silizium gebildete Aufwachsfläche eines Aufwachsträgers abgeschieden. Beispielsweise kann der Aufwachsträger dabei aus Silizium bestehen. Es ist jedoch auch möglich, dass der Aufwachsträger eine Schicht aus Silizium umfasst, wobei eine Außenfläche dieser Schicht die Aufwachsfläche bildet.
  • Gemäß einem weiteren Verfahrensschritt wird der Aufwachsträger mittels Ätzens vom ersten Halbleiterkörper abgelöst. Das heißt, ein Ablösen des Aufwachsträgers erfolgt insbesondere nasschemisch. Dabei wird die sehr gute Politurqualität von Silizium-Oberflächen ausgenutzt. Nach dem nasschemischen Ablösen des Aufwachsträgers, also insbesondere der Silizium-Oberfläche, vom ersten Halbleiterkörper kann die dem Aufwachsträger ursprünglich zugewandte Außenfläche des ersten Halbleiterkörpers direkt zum Verbinden mit dem zweiten Halbleiterkörper benutzt werden, da diese Außenfläche des ersten Halbleiterkörpers als Replika der sehr glatten Silizium-Oberfläche anzusehen ist. Das heißt, die atomar glatte Silizium-Oberfläche wird mittels des Verfahrens auf die Außenfläche des ersten Halbleiterkörpers übertragen, welche dann zum Fügen des ersten und des zweiten Halbleiterkörpers zur Verfügung steht.
  • In einem weiteren Verfahrensschritt wird der erste Halbleiterkörper an seiner der Aufwachsfläche ursprünglich zugewandten Außenfläche, welche die Strahlungsaustrittsfläche umfasst, mit dem zweiten Halbleiterkörper verbunden.
  • Bei dem Verfahren ist es daher ohne weitere Verfahrensschritte zur Behandlung der Außenfläche des ersten Halbleiterkörpers möglich, dass die Strahlungsaustrittsfläche einen Mittenrauwert von höchstens 2 nm, insbesondere höchstens 1 nm, bevorzugt höchstens 0,5 nm aufweist. Dazu weist die Aufwachsfläche des Aufwachsträgers vorzugsweise selbst einen Mittenrauwert von höchstens 2 nm, insbesondere höchstens 1 nm, bevorzugt höchstens 0,5 nm auf, der auf die Außenfläche des ersten Halbleiterkörpers übertragen wird.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist der zweite Halbleiterkörper mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) epitaktisch auf einen Aufwachsträger abgeschieden und wird mit seiner dem Aufwachsträger abgewandten Außenfläche mit dem ersten Halbleiterkörper verbunden. Bei dem Aufwachsträger für den zweiten Halbleiterkörper kann es sich dabei beispielsweise um einen Aufwachsträger mit einer Aufwachsfläche aus GaAs, Ge oder InP handeln. Zum Beispiel ist der Aufwachsträger mit einem dieser Materialien gebildet. Bei der Molekularstrahlepitaxie können glatte Außenflächen erzeugt werden. Ferner ist es möglich, dass die Außenfläche vor dem Fügen der beiden Halbleiterkörper beispielsweise durch Polieren oder chemisches Polieren geglättet wird.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist der Aufwachsträger für den zweiten Halbleiterkörper an seiner dem zweiten Halbleiterkörper zugewandten Außenfläche einen Mittenrauwert von höchstens 2 nm, insbesondere höchstens 1 nm, bevorzugt höchstens 0,5 nm auf. Der Aufwachsträger wird nach dem Abscheiden des zweiten Halbleiterkörpers vom zweiten Halbleiterkörper abgelöst und der zweite Halbleiterkörper wird mit seiner dem Aufwachsträger zugewandten Außenfläche mit dem ersten Halbleiterkörper verbunden. Dabei kann beispielsweise die sehr gute Politurqualität einer Aufwachsfläche aus GaAs, Ge oder InP genutzt werden.
  • Die zum Fügen von erstem und zweitem Halbleiterkörper benötigte saubere Oberfläche kann in situ, also beispielsweise im Epitaxiereaktor, erzeugt werden.
  • Zum Beispiel kann ein Zerstäuben von Adsorbat und Kontaminationsschichten auf den zum Fügen bestimmten Oberflächen durch Sputtern oder Ionenbeschuss, insbesondere mit Argon-Ionen, erfolgen. Ferner ist eine Reinigung durch thermische Desorption und/oder durch UV-induzierte Desorption möglich. Um die mittels des Reinigungsschrittes aktivierten Oberflächen vor Repassivierung zu schützen, erfolgt das Fügen zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper vorzugsweise in inerter Atmosphäre oder im Vakuum, insbesondere im Ultrahoch-Vakuum.
  • Es kann zusätzlich noch eine Mesa-Ätzung oder Texturierung der dem ersten Halbleiterkörper abgewandten Außenfläche des zweiten Halbleiterkörpers erfolgen, was zu einer verbesserten Auskoppeleffizienz führt.
  • Im Folgenden werden das hier beschriebene Licht emittierende Halbleiterbauteil sowie das hier beschriebene Verfahren anhand von Ausführungsbeispielen mit zugehörigen Figuren erläutert.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
  • Die schematischen Schnittdarstellungen der 1A bis 1G zeigen verschiedene Verfahrensschritte eines hier beschriebenen Verfahrens. Die 1G zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer Vielzahl von hier beschriebenen Licht emittierenden Halbleiterbauteilen.
  • Die 2 zeigt eine schematische grafische Darstellung zur Erläuterung der Erfindung.
  • In Verbindung mit der schematischen Schnittdarstellung der 1A ist ein erster Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. In diesem ersten Verfahrensschritt wird ein erster Halbleiterkörper 1 epitaktisch auf die Aufwachsfläche 10a eines Aufwachsträgers 10 abgeschieden. Der erste Halbleiterkörper 1 basiert auf einem Nitrid-Verbindungs-Halbleitermaterial, insbesondere auf einem indiumhaltigen Nitrid-Verbindungs-Halbleitermaterial. Der Aufwachsträger 10 umfasst eine Aufwachsfläche 10a, die mit Silizium gebildet ist. Das heißt, der erste Halbleiterkörper 1 wird epitaktisch auf eine Silizium-Oberfläche abgeschieden. Die Aufwachsfläche 10a zeichnet sich durch ihre glatte Oberfläche auf und weist einen Mittenrauwert von höchstens 2 nm, insbesondere höchstens 1 nm, bevorzugt höchstens 0,5 nm auf.
  • Im Betrieb des herzustellenden Licht emittierenden Halbleiterbauteils ist die aktive Zone 11 zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung im Spektralbereich zwischen UV-Strahlung und blauem Licht geeignet.
  • In einem nachfolgenden Verfahrensschritt, siehe 1B, wird der Halbleiterkörper 1 mit seiner dem Aufwachsträger 10 abgewandten Seite auf einen Träger 12 aufgebracht und dort beispielsweise mit dem Verbindungsmittel 13, zum Beispiel einem Lot, befestigt. Bei dem Träger 12 kann es sich beispielsweise um einen metallischen, keramischen oder halbleitenden Träger handeln. Zum Beispiel ist der Träger 12 mit Kupfer, einem keramischen Material wie Aluminiumoxid oder einem halbleitenden Material wie Germanium gebildet. Ferner kann es sich beim Träger 12 auch um einen Anschlussträger wie eine Leiterplatte handeln.
  • Im nächsten Verfahrensschritt, 1C, wird der Aufwachsträger 10 vom Halbleiterkörper 1 abgelöst. Das Ablösen erfolgt vorzugsweise nasschemisch mittels Ätzen. Die Topografie der sehr glatten Aufwachsfläche 10a ist bedingt durch dieses Verfahren auf die dem Träger 12 abgewandte Außenfläche des ersten Halbleiterkörpers 1 übertragen. Diese Außenfläche bildet später die Strahlungsaustrittsfläche 1a des Halbleiterkörpers 1.
  • Im nächsten Verfahrensschritt wird zusätzlich zum derart präparierten Halbleiterkörper 1 ein zweiter Halbleiterkörper 2 bereitgestellt. Der zweite Halbleiterkörper 2 ist beispielsweise epitaktisch auf die Aufwachsfläche 20a eines Aufwachsträgers 20 aufgebracht. Bei dem Aufwachsträger 20 handelt es sich beispielsweise um ein Substrat mit einer Aufwachsfläche 20a, die mit GaAs, Ge oder InP gebildet ist. Der zweite Halbleiterkörper 2 ist beispielsweise mittels MBE aufgewachsen. Die dem Aufwachsträger 20 abgewandte Außenfläche des zweiten Halbleiterkörper 2 ist daher sehr glatt ausgebildet und weist einen Mittenrauwert von höchstens 0,5 nm auf.
  • Optional kann zwischen dem Aufwachsträger 20 und dem zweiten Halbleiterkörper 2 eine Zwischenschicht 21 angeordnet sein, die beispielsweise als Ätzstoppschicht oder Opferschicht dient und ebenfalls epitaktisch hergestellt ist.
  • Weiter ist es möglich, dass in diesem Verfahrensschritt unter Schutzatmosphäre oder im Vakuum eine Reinigung und damit Passivierung der freiliegenden Außenflächen vom ersten Halbleiterkörper 1 und zweiten Halbleiterkörper 2 erfolgt.
  • In Verbindung mit der 1E ist ein Fügeschritt beschrieben, bei dem der erste Halbleiterkörper 1 und der zweite Halbleiterkörper 2 mechanisch fest miteinander verbunden werden. Der zweite Halbleiterkörper 2 steht dabei in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittsfläche 1a des ersten Halbleiterkörpers 1 und die Verbindung zwischen den beiden Halbleiterkörpern ist verbindungsmittelfrei, zum Beispiel vermittelt durch ionische Kräfte oder Van-der-Waals-Wechselwirkung.
  • In einem weiteren Verfahrensschritt, 1F, werden der Aufwachsträger 20 und gegebenenfalls die Zwischenschicht 21 von dem zweiten Halbleiterkörper 2 abgelöst. Ein Aufrauen der dem ersten Halbleiterkörper 1 abgewandten Außenfläche des zweiten Halbleiterkörpers 2 zu einer aufgerauten Oberfläche 2a kann während dieses Ablösens oder nachfolgend erfolgen, siehe 1G. Durch diese Strukturierung weist das spätere Licht emittierende Halbleiterbauteil eine verbesserte Lichtauskoppelkoeffizienz auf.
  • In einem nachfolgenden Verfahrensschritt erfolgt eine Vereinzelung entlang der gestrichelten Linien in einzelne Licht emittierende Halbleiterbauteile. Eine Kontaktierung (nicht gezeigt) kann von der Seite des Trägers 12 her oder von der Seite des zweiten Halbleiterkörpers 2 her erfolgen.
  • Ein derart hergestelltes Licht emittierendes Halbleiterbauteil zeichnet sich unter anderem dadurch aus, dass der Brechungsindexsprung zwischen erstem Halbleiterkörper 1 und zweitem Halbleiterkörper 2 relativ klein gewählt werden kann. Dies führt zu einer erhöhten Effizienz des Bauteils. Unter der Annahme, dass der Brechungsindex des ersten Halbleiterkörpers 2,4 beträgt und das Licht emittierende Halbleiterbauteil in Silikon verkapselt ist, das einen Brechungsindex von 1,5 aufweist, ist die relative Effizienz in der 2 für unterschiedliche Werte des Brechungsindex n2 des zweiten Halbleiterkörpers 2 grafisch aufgetragen. Der rechte Teil der Säulen zeigt dabei jeweils die Effizienz für ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil, das warmweißes Licht emittiert, der linke Teil der Säule zeigt die Effizienz für ein kaltweißes Halbleiterbauteil. Wie der 2 zu entnehmen ist, steigt die Effizienz mit steigendem Brechungsindex n2 des zweiten Halbleiterkörpers 2 an. Beispielsweise für einen zweiten Halbleiterkörper, der mit ZnCdMgSe gebildet ist, ergibt sich n2=2,4 und eine Effizienzsteigerung zwischen 8 und 10 %, je nachdem, ob kaltweißes oder warmweißes Licht erzeugt werden soll.

Claims (9)

  1. Licht emittierendes Halbleiterbauteil mit - einem ersten Halbleiterkörper (1), der eine aktive Zone (11) umfasst, in der im Betrieb des Licht emittierenden Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, die den ersten Halbleiterkörper (1) zumindest teilweise durch eine Strahlungsaustrittsfläche (1a) hindurch verlässt, und - einem zweiten Halbleiterkörper (2), der zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung in konvertierte elektromagnetische Strahlung größerer Wellenlänge geeignet ist, wobei - der erste Halbleiterkörper (1) und der zweite Halbleiterkörper (2) getrennt voneinander gefertigt sind, - der zweite Halbleiterkörper (2) elektrisch inaktiv ist, - der zweite Halbleiterkörper (2) sich in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittfläche (1a) befindet und dort verbindungsmittelfrei am ersten Halbleiterkörper (1) befestigt ist, - die Strahlungsaustrittsfläche (1a) und die der Strahlungsaustrittsfläche (1a) zugewandte Außenfläche des zweiten Halbleiterkörpers (2) jeweils einen Mittenrauwert von höchstens 2 nm aufweisen, und - der zweite Halbleiterkörper (2) auf einem III-V Verbindungshalbleitermaterial basiert.
  2. Licht emittierendes Halbleiterbauteil nach dem vorherigen Anspruch, bei dem der erste Halbleiterkörper (1) auf einen Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basiert.
  3. Licht emittierendes Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der zweite Halbleiterkörper (2) auf dem Materialsystem (AlGaIn)(NAsP) basiert.
  4. Licht emittierendes Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der zweite Halbleiterkörper (2) eine Dicke von höchstens 6 µm aufweist.
  5. Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauteils, wobei - ein erster Halbleiterkörper (1) epitaktisch auf eine mit Silizium gebildete Aufwachsfläche (10a) eines Aufwachsträgers (10) abgeschieden wird, - der Aufwachsträger (10) mittels Ätzen vom ersten Halbleiterkörper (1) abgelöst wird, und - der erste Halbleiterkörper (1) an seiner der Aufwachsfläche (10a) ursprünglich zugewandten Außenfläche, welche die Strahlungsaustrittsfläche (1a) umfasst, mit einem zweiten Halbleiterkörper (2) verbunden wird, wobei - der erste Halbleiterkörper (1) eine aktive Zone (11) umfasst, in der im Betrieb des Licht emittierenden Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, die den ersten Halbleiterkörper (1) zumindest teilweise durch eine Strahlungsaustrittsfläche (1a) hindurch verlässt, und - der Halbleiterkörper (2) zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung in konvertierte elektromagnetische Strahlung größerer Wellenlänge geeignet ist.
  6. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei die Aufwachsfläche (10a) einen Mittenrauwert von höchstens 2 nm aufweist.
  7. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei der zweite Halbleiterkörper (2), insbesondere mittels MBE, epitaktisch auf einen Aufwachsträger (20) abgeschieden wird und mit seiner dem Aufwachsträger (20) abgewandten Außenfläche mit dem ersten Halbleiterkörper (1) verbunden wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei der zweite Halbleiterkörper (2) auf einen mit GaAs, Ge oder InP gebildeten Aufwachsträger (20) epitaktisch abgeschieden wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, wobei - der Aufwachsträger (20) für den zweiten Halbleiterkörper (2) an seiner dem zweiten Halbleiterkörper (2) zugewandten Außenfläche (20a) einen Mittenrauwert von höchstens 2 nm aufweist, - der Aufwachsträger (20) nach dem Abscheiden des zweiten Halbleiterkörpers (2) vom zweiten Halbleiterkörper (2) abgelöst wird, und - der zweite Halbleiterkörper (2) mit seiner dem Aufwachsträger (20) zugewandten Außenfläche mit dem ersten Halbleiterkörper (1) verbunden wird.
DE102011014845.0A 2011-03-23 2011-03-23 Licht emittierendes Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauteils Active DE102011014845B4 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011014845.0A DE102011014845B4 (de) 2011-03-23 2011-03-23 Licht emittierendes Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauteils
CN201710080866.1A CN107039564B (zh) 2011-03-23 2012-03-07 发射光的半导体器件
JP2013557083A JP5694575B2 (ja) 2011-03-23 2012-03-07 発光半導体部品
CN201280014614.4A CN103443940B (zh) 2011-03-23 2012-03-07 发射光的半导体器件
US14/006,304 US9331243B2 (en) 2011-03-23 2012-03-07 Producing a light-emitting semiconductor component by connecting first and second semiconductor bodies
PCT/EP2012/053914 WO2012126735A1 (de) 2011-03-23 2012-03-07 Licht emittierendes halbleiterbauteil
KR1020137025341A KR101515319B1 (ko) 2011-03-23 2012-03-07 발광 반도체 소자
US15/144,728 US9853186B2 (en) 2011-03-23 2016-05-02 Producing a light-emitting semiconductor component by connecting first and second semiconductor bodies

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011014845.0A DE102011014845B4 (de) 2011-03-23 2011-03-23 Licht emittierendes Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauteils

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102011014845A1 DE102011014845A1 (de) 2012-09-27
DE102011014845B4 true DE102011014845B4 (de) 2023-05-17

Family

ID=45815539

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102011014845.0A Active DE102011014845B4 (de) 2011-03-23 2011-03-23 Licht emittierendes Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauteils

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9331243B2 (de)
JP (1) JP5694575B2 (de)
KR (1) KR101515319B1 (de)
CN (2) CN107039564B (de)
DE (1) DE102011014845B4 (de)
WO (1) WO2012126735A1 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9269870B2 (en) * 2011-03-17 2016-02-23 Epistar Corporation Light-emitting device with intermediate layer
JPWO2015146069A1 (ja) * 2014-03-28 2017-04-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光ダイオード素子
DE102018111021A1 (de) 2017-12-14 2019-06-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines licht emittierenden halbleiterbauteils

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0486052A1 (de) 1990-11-16 1992-05-20 Daido Tokushuko Kabushiki Kaisha Lichtemittierende Diode zur simultanen Ausstrahlung von Lichtern verschiedener Wellenlängen
US20060124917A1 (en) 2004-12-09 2006-06-15 3M Innovative Properties Comapany Adapting short-wavelength LED's for polychromatic, Broadband, or "white" emission
US20070126017A1 (en) 2005-11-29 2007-06-07 Lumileds Lighting U.S, Llc Luminescent ceramic element for a light emitting device
WO2009064330A2 (en) 2007-11-14 2009-05-22 Cree, Inc. Wire bond free wafer level led
WO2009075972A2 (en) 2007-12-10 2009-06-18 3M Innovative Properties Company Down-converted light emitting diode with simplified light extraction
WO2010075177A2 (en) 2008-12-24 2010-07-01 3M Innovative Properties Company Method of making double-sided wavelength converter and light generating device using same
WO2010123814A1 (en) 2009-04-20 2010-10-28 3M Innovative Properties Company Non-radiatively pumped wavelength converter

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3187109B2 (ja) * 1992-01-31 2001-07-11 キヤノン株式会社 半導体部材およびその製造方法
JP3332127B2 (ja) 1995-03-20 2002-10-07 株式会社東芝 半導体素子
JP2000277441A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Nagoya Kogyo Univ 半導体構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法
US7341878B2 (en) * 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
JP2006303089A (ja) * 2005-04-19 2006-11-02 Sumco Corp シリコン基板の洗浄方法
US20070045638A1 (en) 2005-08-24 2007-03-01 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light emitting device with double heterostructure light emitting region
EP1929532A1 (de) 2005-09-19 2008-06-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Farbvariable lichtemittierende vorrichtung und verfahren zu ihrer steuerung
EP2175480A4 (de) * 2007-07-19 2012-12-19 Mitsubishi Chem Corp Gruppe iii-nitrid-halbleitersubstrat und verfahren zu seiner reinigung
CN101911318A (zh) 2007-12-28 2010-12-08 3M创新有限公司 发射均匀波长的下变换光源
DE102008031996A1 (de) * 2008-07-07 2010-02-18 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierende Vorrichtung
JPWO2011126000A1 (ja) * 2010-04-08 2013-07-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR20180030216A (ko) * 2010-09-29 2018-03-21 루미리즈 홀딩 비.브이. 파장 변환된 발광 장치
KR20130139938A (ko) * 2010-10-05 2013-12-23 인터매틱스 코포레이션 포토루미네센스 파장 변환을 구비한 고체상태 발광 디바이스 및 표지판

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0486052A1 (de) 1990-11-16 1992-05-20 Daido Tokushuko Kabushiki Kaisha Lichtemittierende Diode zur simultanen Ausstrahlung von Lichtern verschiedener Wellenlängen
US20060124917A1 (en) 2004-12-09 2006-06-15 3M Innovative Properties Comapany Adapting short-wavelength LED's for polychromatic, Broadband, or "white" emission
US20070126017A1 (en) 2005-11-29 2007-06-07 Lumileds Lighting U.S, Llc Luminescent ceramic element for a light emitting device
WO2009064330A2 (en) 2007-11-14 2009-05-22 Cree, Inc. Wire bond free wafer level led
WO2009075972A2 (en) 2007-12-10 2009-06-18 3M Innovative Properties Company Down-converted light emitting diode with simplified light extraction
WO2010075177A2 (en) 2008-12-24 2010-07-01 3M Innovative Properties Company Method of making double-sided wavelength converter and light generating device using same
WO2010123814A1 (en) 2009-04-20 2010-10-28 3M Innovative Properties Company Non-radiatively pumped wavelength converter

Also Published As

Publication number Publication date
JP5694575B2 (ja) 2015-04-01
CN103443940B (zh) 2017-03-08
CN107039564B (zh) 2019-05-10
KR20130128464A (ko) 2013-11-26
US20140070246A1 (en) 2014-03-13
KR101515319B1 (ko) 2015-04-24
DE102011014845A1 (de) 2012-09-27
US9853186B2 (en) 2017-12-26
JP2014507811A (ja) 2014-03-27
US9331243B2 (en) 2016-05-03
WO2012126735A1 (de) 2012-09-27
CN107039564A (zh) 2017-08-11
CN103443940A (zh) 2013-12-11
US20160247966A1 (en) 2016-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1920469B1 (de) Verfahren zum lateralen zertrennen eines halbleiterwafers und optoelektronisches bauelement
EP1774599B1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterchips in dünnfilmtechnik und halbleiterchip in dünnfilmtechnik
EP1314209B1 (de) Verfahren zum herstellen eines strahlungsemittierenden halbleiterchips auf iii-v-nitridhalbleiter-basis und strahlungsemittierender halbleiterchip
DE102010044986A1 (de) Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips
EP2011142B1 (de) Verfahren zur herstellung eines verbundsubstrats
EP1794816B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmhalbleiterchips
DE102010032497A1 (de) Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips
EP1675189A2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
DE102011014845B4 (de) Licht emittierendes Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauteils
WO2013131729A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
DE102011114670A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE102010052727B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips und derartiger Halbleiterchip
WO2019063412A1 (de) Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung von strahlungsemittierenden halbleiterbauelementen
DE102017103041B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen und optoelektronisches Bauelement
WO2019158416A1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements und halbleiterbauelement
WO2012089540A1 (de) Verbundsubstrat, halbleiterchip mit verbundsubstrat und verfahren zur herstellung von verbundsubstraten und halbleiterchips
DE102015107661A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Nitridverbindungshalbleiter-Bauelements
DE102017107198A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchip und optoelektronischer Halbleiterchip
DE112008003312T5 (de) Herstellung von Halbleiterbauelementen
DE102015109413A1 (de) Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Konversions-Halbleiterchips und Verbund von Konversions-Halbleiterchips
DE102018126924A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips mit einer Konverterschicht und Leuchtdiodenchip
DE102018101558A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements
DE102015107591B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
WO2019002097A1 (de) Halbleiterchip mit transparenter stromaufweitungsschicht
DE102015112944A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Halbleiterbauelements und Nitrid-Halbleiterbauelement

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final