DE102018101558A1 - Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements - Google Patents

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Abstract

Es wird eine Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements beschrieben, mit den Schritten:- Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1),- Aufwachsen einer Nukleationsschicht (2) aus einem Aluminium enthaltenden Nitrid-Verbindungshalbleiter auf das Aufwachssubstrat (1),- Aufwachsen einer Verspannungsschichtstruktur (10) zur Erzeugung einer kompressiven Spannung, wobei die Verspannungsschichtstruktur (10) mindestens eine erste GaN-Halbleiterschicht (4) und eine zweite GaN-Halbleiterschicht (7) umfasst, und wobei zwischen der ersten GaN-Halbleiterschicht (4) und der zweiten GaN-Halbleiterschicht (7) eine Al(Ga)N-Zwischenschicht (5) zur Erzeugung der kompressiven Spannung angeordnet ist, und- Aufwachsen einer funktionellen Halbleiterschichtenfolge (14) des Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements auf die Verspannungsschichtstruktur (10),wobei- vor dem Aufwachsen der zweiten GaN-Halbleiterschicht (7) eine 3D-AlGaN-Schicht (6) auf der Al(Ga)N Zwischenschicht (5) derart aufgewachsen wird, dass sie nicht-planare Strukturen aufweist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements.
  • Nitrid-Verbindungshalbleiter werden häufig in LEDs oder Laserdioden eingesetzt, die in der Regel im blauen Spektralbereich emittieren. Abhängig von der Zusammensetzung des Halbleitermaterials ist beispielsweise auch eine Emission im ultravioletten oder grünen Spektralbereich möglich. Durch Lumineszenzkonversion mittels Leuchtstoffen kann die kurzwellige Strahlung zu größeren Wellenlängen hin konvertiert werden. Auf diese Weise ist es möglich, mischfarbiges Licht, insbesondere Weißlicht, zu erzeugen. Auf Nitrid-Verbindungshalbleitern basierende LEDs sind daher für LED-Beleuchtungssysteme von erheblicher Bedeutung. Nitrid-Verbindungshalbleiter können auch in elektronischen Halbleiterbauelementen außerhalb der Optoelektronik eingesetzt werden, zum Beispiel in einem Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT, High Electron Mobility Transistor).
  • Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen werden die Nitrid-Verbindungshalbleiterschichten in der Regel epitaktisch auf ein Aufwachssubstrat aufgewachsen, das an die Gitterkonstante und die Kristallstruktur des Nitrid-Verbindungshalbleitermaterials angepasst ist. Geeignete Substratmaterialien sind insbesondere Saphir, GaN oder SiC. Diese Substratmaterialien sind allerdings vergleichsweise teuer.
  • Das Aufwachsen von Nitrid-Verbindungshalbleitern auf vergleichsweise kostengünstigen Siliziumsubstraten wird durch eine vergleichsweise große Differenz der thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Siliziums und des Nitrid-Verbindungshalbleitermaterials erschwert. Insbesondere werden beim Abkühlen des Schichtsystems von der zum Aufwachsen von Nitrid-Verbindungshalbleitern verwendeten Wachstumstemperatur von über 1000 °C auf Raumtemperatur große tensile Verspannungen im GaN erzeugt.
  • In den Druckschriften DE 10 2006 008 929 A1 und WO 2011/039181 A1 werden jeweils Verfahren zur Herstellung von Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelementen auf Siliziumsubstraten beschrieben. Aus diesen Druckschriften ist bekannt, zwischen der Silizium-Oberfläche des Aufwachssubstrats und der funktionellen Schichtenfolge des optoelektronischen Bauelements eine Schichtstruktur zur Erzeugung einer kompressiven Verspannung einzubauen, welche der beim Abkühlen durch das Silizium erzeugten tensilen Verspannung entgegenwirkt.
  • Die Druckschrift DE 10 2011 114 665 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements, bei dem eine Verspannungsschichtstruktur zur Erzeugung einer kompressiven Spannung und eine funktionelle Halbleiterschichtenfolge aufgewachsen werden. Die Verspannungsschichtstruktur umfasst eine erste GaN-Halbleiterschicht und eine zweite GaN-Halbleiterschicht, wobei in die erste GaN-Halbleiterschicht eine Maskierungsschicht eingebettet ist, und wobei zwischen der ersten GaN-Halbleiterschicht und der zweiten GaN-Halbleiterschicht eine Al(Ga)N-Zwischenschicht zur Erzeugung einer kompressiven Spannung angeordnet ist.
  • Eine Aufgabe besteht darin, ein weiter verbessertes Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements anzugeben, durch das eine kompressive Verspannung und eine geringe Defektdichte bei geringem Herstellungsaufwand erzielt werden können.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zunächst ein Aufwachssubstrat bereitgestellt. Das Aufwachssubstrat kann insbesondere ein Siliziumsubstrat oder ein SOI-Substrat (Silicon On Insulator) sein. Das Verfahren ist vorteilhaft auch für andere Substratmaterialien anwendbar, die insbesondere ein ähnliches thermisches Ausdehnungsverhalten wie Silizium aufweisen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird bei dem Verfahren eine Nukleationsschicht, die einen Aluminium enthaltenden Nitrid-Verbindungshalbleiter aufweist, auf das Aufwachssubstrat aufgewachsen. Die Nukleationsschicht kann insbesondere AlN enthalten oder daraus bestehen. Es ist aber nicht ausgeschlossen, dass die Nukleationsschicht weitere Bestandteile wie beispielsweise einen Dotierstoff und/oder geringe Mengen weiterer Gruppe III-Materialien wie beispielsweise In oder Ga aufweist.
  • Die Nukleationsschicht kann in mehreren Teilschichten aufgewachsen werden, die sich in ihrer Zusammensetzung und/oder ihren Wachstumsparametern wie beispielsweise der Wachstumstemperatur oder der Wachstumsrate unterscheiden.
  • In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird eine Verspannungsschichtstruktur zur Erzeugung einer kompressiven Spannung über der Nukleationsschicht aufgewachsen. Die Verspannungsschichtstruktur weist insbesondere eine erste GaN-Halbleiterschicht und eine zweite GaN-Halbleiterschicht auf. Die zweite GaN-Halbleiterschicht folgt der ersten GaN-Halbleiterschicht in Wachstumsrichtung der Verspannungsschichtstruktur nach. Unter einer GaN-Halbleiterschicht wird hier und im Folgenden eine Halbleiterschicht verstanden, die im Wesentlichen GaN aufweist. Dies schließt nicht aus, dass die GaN-Halbleiterschicht geringe Mengen eines weiteren Gruppe III-Materials, insbesondere In oder Al, und/oder einen Dotierstoff enthält.
  • Zwischen der ersten GaN-Halbleiterschicht und der zweiten GaN-Halbleiterschicht ist vorteilhaft eine Al(Ga)N-Zwischenschicht angeordnet. Die Zwischenschicht enthält vorzugsweise einen sehr hohen Anteil an Al oder besteht aus AlN. Es ist aber nicht ausgeschlossen, dass die Zwischenschicht geringe Mengen von Gallium und/oder einem Dotierstoff enthält. Dadurch, dass das Al enthaltende Nitrid-Halbleitermaterial der Zwischenschicht eine kleinere Gitterkonstante als GaN aufweist, wird eine kompressive Verspannung in der nachfolgenden zweiten GaN-Halbleiterschicht erzeugt. Zwar liegt bereits in der ersten GaN-Halbleiterschicht vorteilhaft eine kompressive Verspannung durch das Aufwachsen auf der Aluminium enthaltenden Nukleationsschicht, insbesondere einer AlN-Nukleationsschicht, vor. Eine derartige kompressive Verspannung kann sich aber während des Wachstums der ersten GaN-Halbleiterschicht zum Beispiel durch die Ausbildung von Versetzungen wieder reduzieren. Durch das Einfügen der Al(Ga)N-Zwischenschicht zwischen die erste GaN-Halbleiterschicht und die zweite GaN-Halbleiterschicht wird erreicht, dass auch in der zweiten GaN-Halbleiterschicht eine ausreichend große kompressive Verspannung aufgebaut wird, welche beim Abkühlen des Schichtsystems von der Wachstumstemperatur auf Raumtemperatur einer durch das Substrat erzeugten tensilen Verspannung entgegenwirkt.
  • In einem weiteren Verfahrensschritt wird die funktionelle Halbleiterschichtenfolge des Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements auf die Verspannungsschichtstruktur aufgewachsen. Die funktionelle Halbleiterschichtenfolge kann die Halbleiterschichtenfolge eines elektronischen oder optoelektronischen Bauelements sein. Die funktionelle Halbleiterschichtenfolge kann im Falle eines optoelektronischen Bauelements insbesondere eine aktive Schicht des optoelektronischen Bauelements enthalten. Die aktive Schicht kann beispielsweise eine strahlungsemittierende oder eine strahlungsempfangende Schicht sein. Zusätzlich zur aktiven Schicht kann die funktionelle Halbleiterschichtenfolge beispielsweise einen n-Typ Halbleiterbereich und einen p-Typ Halbleiterbereich aufweisen, welche die aktive Schicht umgeben.
  • Die funktionelle Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterbauelements basiert insbesondere auf einem Nitrid-Verbindungshalbleiter. „Auf einem Nitridverbindungshalbleiter basierend“ bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die Halbleiterschichtenfolge oder zumindest eine Schicht davon ein III-Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial, vorzugsweise InxAlyGa1-x-yN umfasst, wobei 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die charakteristischen physikalischen Eigenschaften des InxAlyGa1-x-yN-Materials im Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (In, Al, Ga, N), auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird auf der Al(Ga)N Zwischenschicht eine 3D-AlGaN-Schicht aufgewachsen, bevor die zweite GaN-Halbleiterschicht aufgewachsen wird. Unter einer „3D-AlGaN-Schicht“ wird hier und im Folgenden eine Schicht verstanden, die ganz oder im Wesentlichen aus AlGaN besteht und durch ein dreidimensionales Wachstum gekennzeichnet ist. Die 3D-AlGaN-Schicht wird insbesondere derart aufgewachsen, dass sie nicht-planare Strukturen aufweist. Beim Aufwachsen der 3D-AlGaN-Schicht werden die Wachstumsbedingungen, insbesondere die Wachstumstemperatur, der Druck und/oder die Gasflüsse derart eingestellt, dass ein vorwiegend dreidimensionales Wachstum erfolgt.
  • Ein vorwiegend dreidimensionales Wachstum bedeutet insbesondere, dass die Oberfläche der 3D-AlGaN-Schicht im Wesentlichen durch Kristallflächen gebildet wird, welche nicht parallel zum Aufwachssubstrat verlaufen. Insbesondere sind die Kristallflächen der 3D-AlGaN-Schicht überwiegend nicht in der c-Ebene orientiert. Die c-Ebene entspricht insbesondere einer [0001]-Kristalloberfläche des AlGaN-Materials. Das Wachstum der 3D-AlGaN-Schicht in der [0001]-Kristallrichtung ist vorzugsweise vernachlässigbar gering. Die 3D-AlGaN-Schicht bildet aufgrund der Wachstumsbedingungen nicht-planare dreidimensionale Strukturen, insbesondere pyramidenförmige Strukturen, aus.
  • Es hat sich herausgestellt, dass durch die Anordnung der 3D-AlGaN-Schicht auf der Al(Ga)N Zwischenschicht, welche zum Aufbau einer kompressiven Verspannung dient, die Versetzungsdichte reduziert werden kann. Es wurde festgestellt, dass die Al(Ga)N Zwischenschicht zwar vorteilhaft eine kompressive Verspannung der nachfolgend aufgewachsenen zweiten GaN-Schicht bewirkt, dass aber andererseits aber auch neue Versetzungen von der Al(Ga)N Zwischenschicht ausgehen. Das hierin beschriebene Verfahren macht insbesondere von der Idee Gebrauch, dass durch die Anordnung der 3D-AlGaN-Schicht auf der Al(Ga)N Zwischenschicht diese Versetzungen reduziert werden können, ohne dass die kompressive Verspannung zu stark beeinträchtigt wird.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die 3D-AlGaN-Schicht mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) hergestellt. Es ist insbesondere möglich, dass die gesamte Verspannungsschichtstruktur und die funktionelle Halbleiterschichtenfolge des Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie hergestellt werden. Die nicht-planaren Strukturen der 3D-AlGaN-Schicht können insbesondere dadurch erzeugt werden, dass die Wachstumstemperatur beim Aufwachsen der 3D-AlGaN-Schicht im Vergleich zu den weiteren Halbleiterschichten vermindert wird. Zweidimensionale Nitrid-Verbindungshalbleiter Schichten werden beispielsweise bei einer Wachstumstemperatur von 1050 °C oder mehr hergestellt. Die 3D-AlGaN-Schicht wird vorzugsweise bei einer Wachstumstemperatur von weniger als 1050° C hergestellt. Vorzugsweise beträgt die Wachstumstemperatur beim Aufwachsen der 3D-AlGaN-Schicht weniger als 1000 °C.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die 3D-AlGaN-Schicht, die erste GaN-Halbleiterschicht und die zweite GaN-Halbleiterschicht mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie hergestellt, wobei NH3 als Reaktionsgas verwendet wird. Vorzugsweise ist ein NH3-Gasfluss bei der Herstellung der 3D-AlGaN-Schicht um mindestens 50% geringer ist als bei der Herstellung der ersten GaN-Halbleiterschicht und/oder der zweiten GaN-Halbleiterschicht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die 3D-AlGaN-Schicht, die erste GaN-Halbleiterschicht und die zweite GaN-Halbleiterschicht mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie in einer Reaktionskammer hergestellt, wobei der Druck in der Reaktionskammer bei der Herstellung der 3D-AlGaN-Schicht geringer ist als bei der Herstellung der ersten GaN-Halbleiterschicht und/oder der zweiten GaN-Halbleiterschicht.
  • Das dreidimensionale Wachstum der 3D-AlGaN-Schicht kann bei einer Ausgestaltung durch die von der darunterliegenden Halbleiterschicht verschiedene Gitterkonstante gefördert werden. Der Unterschied der Gitterkonstanten fördert das sog. Stranski-Krastanov-Wachstum, d.h. man erhält eine dreidimensionale Schicht. Das dreidimensionale Wachstum kann weiterhin durch mindestens einen der folgenden Wachstumsparameter gefördert werden: hohe Temperatur, hohe Si-Dotierung, niedriger NH3-FLuß, hoher H2/N2-Faktor im Reaktor.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Verspannungsschichtstruktur keine Maskierungsschicht auf. Insbesondere kann im Vergleich zum in der Einleitung erwähnten Stand der Technik aus der Druckschrift DE 10 2011 114 665 A1 auf die Siliziumnitrid-Maskierungsschicht und die unmittelbar darüber angeordnete GaN-Halbleiterschicht verzichtet werden. Der Herstellungsaufwand zum Aufbringen und Strukturieren der Maskierungsschicht kann daher vorteilhaft entfallen. Die Reduzierung der Versetzungsdichte erfolgt bei dem Verfahren vielmehr mittels der 3D-AlGaN-Schicht. Die 3D-AlGaN-Schicht hat somit insbesondere den Vorteil, dass zur Reduktion der Versetzungsdichte keine Maskierungsschicht in die Verspannungsschichtstruktur eingebaut werden muss.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Verspannungsschichtstruktur kein Siliziumnitrid auf. Insbesondere kann auf eine Siliziumnitrid-Maskierungsschicht verzichtet werden. Weiterhin ist es vorteilhaft, dass im Vergleich zum genannten Stand der Technik auf die zwischen der Maskierungsschicht und der Al(Ga)N Zwischenschicht angeordnete GaN-Halbleiterschicht verzichtet werden kann. Es hat sich herausgestellt, dass die GaN-Halbleiterschicht auf der Maskierungsschicht eine unvorteilhafte tensile Verspannung aufweisen kann.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Aufwachsen der Nukleationsschicht und vor dem Aufwachsen der ersten GaN-Schicht eine zweite 3D-AlGaN-Schicht derart aufgewachsen, dass sie nicht-planare Strukturen aufweist. Die Herstellung der zweiten 3D-AlGaN-Schicht kann analog zu der zuvor beschriebenen 3D-AlGaN-Schicht erfolgen, die auf der Al(Ga)N-Zwischenschicht aufgewachsen wird. Die zweite 3D-AlGaN-Schicht hat insbesondere den Vorteil, dass die Versetzungsdichte bereits direkt oberhalb der Nukleationsschicht reduziert wird. Dies hat insbesondere den Vorteil, dass bereits die erste GaN-Halbleiterschicht eine reduzierte Versetzungsdichte aufweist. Weiterhin kann bereits die erste GaN-Halbleiterschicht kompressiv verspannt sein und so zur gesamten kompressiven Spannung in der Verspannungsschichtstruktur beitragen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Nukleationsschicht durch Sputtern hergestellt. Durch Sputtern kann die Nukleationsschicht vorteilhaft relaxiert auf dem Aufwachssubstrat abgeschieden werden. Es hat sich herausgestellt, dass die Nukleationsschicht bei der Herstellung durch Sputtern ein säulenförmiges Wachstum aufweist. Dies kann zum Beispiel mit Hilfe von Rasterkraftmikroskopie oder Transmissionselektronenmikroskopie nachgewiesen werden. Bei dem säulenförmigen Wachstum der mittels Sputtern hergestellten Nukleationsschicht entstehen vorteilhaft Korngrenzen, die zur Defektreduktion beitragen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens beträgt die Gesamtdicke der Verspannungsschichtstruktur weniger als 5 µm. Eine geringe Gesamtdicke der Verspannungsschichtstruktur von vorzugsweise weniger als 5 µm wird insbesondere dadurch erreicht, dass auf eine Maskierungsschicht und eine zwischen der Maskierungsschicht und der Al(Ga)N-Zwischenschicht angeordnete GaN-Halbleiterschicht verzichtet wird. Der Herstellungsaufwand wird so vorteilhaft vermindert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist das Aufwachssubstrat eine Siliziumoberfläche auf. Das Aufwachssubstrat kann insbesondere ein Siliziumsubstrat sein. Das Aufwachssubstrat kann alternativ auch ein SOI-Substrat (Silicon On Insulator) sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Silizium-Oberfläche des Aufwachssubstrats eine (111)-Ebene. Die (111)-Ebene eines Siliziumkristalls ist aufgrund der hexagonalen Kristallstruktur besonders gut zum Aufwachsen eines hexagonalen Nitrid-Verbindungshalbleiter-Materials geeignet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist das Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelement ein optoelektronisches Bauelement. Das Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelement kann insbesondere ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine LED, sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die funktionelle Halbleiterschichtenfolge eine Leuchtdiodenschichtenfolge, die einen n-Typ Halbleiterbereich, einen p-Typ Halbleiterbereich und eine zwischen dem n-Typ Halbleiterbereich und dem p-Typ Halbleiterbereich angeordnete aktive Schicht aufweist.
  • Bei einer bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens wird das Aufwachssubstrat nach dem Aufwachsen der funktionellen Halbleiterschichtenfolge abgelöst. Bei dieser Ausgestaltung wird die funktionelle Halbleiterschichtenfolge vorteilhaft an einer dem Aufwachssubstrat gegenüberliegenden Oberfläche mit einem Trägersubstrat verbunden. Da das Trägersubstrat nicht zum Aufwachsen eines Nitrid-Verbindungshalbleitermaterials geeignet sein muss, kann es vorteilhaft anhand von anderen Kriterien, insbesondere einer guten thermischen und/oder elektrischen Leitfähigkeit, ausgewählt werden. Weiterhin kann bei dieser Ausgestaltung vor dem Verbinden der funktionellen Halbleiterschichtenfolge mit dem Trägersubstrat eine Spiegelschicht auf die funktionelle Halbleiterschichtenfolge aufgebracht werden, um die beim Betrieb des Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements in Richtung des Trägersubstrats emittierte Strahlung zu einer dem Trägersubstrat gegenüberliegenden Strahlungsaustrittsfläche zu reflektieren.
  • Nach dem Ablösen des Aufwachssubstrats können die Nukleationsschicht und die Verspannungsschichtstruktur zumindest teilweise, beispielsweise mit einem Ätzverfahren, entfernt werden. Ein im optoelektronischen Bauelement verbleibender Rest der Verspannungsschichtstruktur ist in diesem Fall an der Strahlungsaustrittseite des optoelektronischen Bauelements angeordnet.
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den 1 bis 4 näher erläutert.
  • Es zeigen:
    • 1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch die Halbleiterschichtenfolge bei einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur Herstellung des Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements,
    • 2 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch die Halbleiterschichtenfolge bei einem zweiten Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur Herstellung des Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements,
    • 3 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch die Halbleiterschichtenfolge bei einem dritten Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur Herstellung des Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements.
    • 4 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch die Halbleiterschichtenfolge bei einem vierten Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur Herstellung des Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements.
  • Gleiche oder gleich wirkende Bestandteile sind in den Figuren jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen.
  • Bei dem Verfahren wird, wie in 1 dargestellt, eine Halbleiterschichtenfolge des Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements auf einem Aufwachssubstrat 1 hergestellt. Das Aufwachssubstrat 1 weist vorzugsweise eine Silizium-Oberfläche auf. Das Aufwachssubstrat 1 kann beispielsweise ein Silizium-Wafer sein. Alternativ ist es aber auch möglich, dass das Aufwachssubstrat 1 ein SOI-Substrat ist. Die Silizium-Oberfläche des Aufwachssubstrats 1 ist vorzugsweise eine (111)-Kristallebene, die wegen ihrer hexagonalen Symmetrie besonders gut zum Aufwachsen von Nitrid-Verbindungshalbleitern geeignet ist. Das Aufwachssubstrat 1 mit der Silizium-Oberfläche hat im Vergleich zu in der Regel zum Aufwachsen von Nitrid-Verbindungshalbleitermaterialien verwendeten Substraten aus Saphir, GaN oder SiC den Vorteil, dass es vergleichsweise kostengünstig ist.
  • Auf die Oberfläche des Aufwachssubstrats 1 wird bei dem Verfahren zunächst eine Nukleationsschicht 2 aus einem Aluminium enthaltenden Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial aufgewachsen. Vorzugsweise enthält die Nukleationsschicht 2 AlN oder besteht daraus. Die Nukleationsschicht 2 weist vorzugsweise eine Dicke zwischen 100 nm und 300 nm, beispielsweise etwa 200 nm, auf. Die Nukleationsschicht 2 kann in mehreren Teilschichten (nicht dargestellt) aufgewachsen werden, die sich in ihrer Zusammensetzung und/oder ihren Wachstumsparametern wie beispielsweise der Wachstumstemperatur oder der Wachstumsrate unterscheiden.
  • In einem weiteren Schritt des Verfahrens wird eine erste GaN-Halbleiterschicht 4 auf die Nukleationsschicht 2 aufgewachsen. Die erste GaN-Halbleiterschicht 4 kann aufgrund der Gitterfehlanpassung zum Aufwachssubstrat 1 eine Vielzahl von Versetzungen 15 aufweisen.
  • Nachfolgend wird eine Zwischenschicht 5 aus AlN oder AlGaN aufgewachsen. Die Al(Ga)N-Zwischenschicht 5 weist aufgrund ihres Aluminiumgehalts eine kleinere Gitterkonstante als GaN auf. Die Al(Ga)N Zwischenschicht 5 ist daher dazu geeignet, in einer nachfolgend aufgewachsenen zweiten GaN-Halbleiterschicht eine kompressive Verspannung zu erzeugen. Dieser Effekt ist umso größer, je höher der Aluminiumanteil in der Al(Ga)N-Zwischenschicht 5 ist. Bevorzugt ist die Zwischenschicht 5 daher frei von Gallium und besteht vorteilhaft aus AlN.
  • Nachfolgend wird eine 3D-AlGaN-Schicht 6 auf die Al(Ga)N-Zwischenschicht 5 aufgewachsen. Die 3D-AlGaN-Schicht 6 zeichnet sich durch ein dreidimensionales Wachstum aus, insbesondere wird die 3D-AlGaN-Schicht 6 derart aufgewachsen, dass sie nicht-planare Strukturen aufweist.
  • Das im Wesentlichen dreidimensionale Wachstum der 3D-AlGaN-Schicht 6 wird insbesondere durch eine geeignete Wahl der Wachstumsbedingungen ermöglicht. Vorzugsweise wird die 3D-AlGaN-Schicht 6 wie die gesamte Verspannungsschichtstruktur 10 mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) hergestellt. Zur Erzielung eines dreidimensionalen Wachstums kann bei der Abscheidung der 3D-AlGaN-Schicht 6 beispielsweise die Wachstumstemperatur vermindert werden. Das Herstellen herkömmlicher planarer Nitrid-Verbindungshalbleiter-Schichten kann beispielsweise bei einer Wachstumstemperatur von mehr als 1050 °C erfolgen. Die Herstellung der 3D-AlGaN-Schicht 6 erfolgt vorzugsweise bei einer geringeren Wachstumstemperatur als 1050 °C, zum Beispiel bei einer Wachstumstemperatur von 1000 °C oder weniger. Eine alternative und/oder zusätzliche Möglichkeit zur Erzielung eines dreidimensionalen Wachstums besteht darin, den Druck in der Reaktionskammer bei der Herstellung der 3D-AlGaN-Schicht 6 im Vergleich zum Druck bei der Herstellung der übrigen Halbleiterschichten zu verändern, insbesondere zu vermindern. Noch eine weitere Möglichkeit besteht darin, bei der metallorganischen Gasphasenepitaxie das Verhältnis der Gruppe III-Komponenten zur Gruppe V-Komponenten zu verändern. Beispielsweise kann der Gasfluss von NH3, der zur Bereitstellung der Stickstoff-Komponente (Gruppe V-Element) dient, vermindert werden.
  • In einem weiteren Schritt wird auf die 3D-AlGaN-Schicht 6 eine zweite GaN-Halbleiterschicht 7 abgeschieden. Bei der Abscheidung der zweiten GaN-Halbleiterschicht 7 werden die Wachstumsbedingungen wieder derart einstellt, dass ein zweidimensionales Schichtwachstum erfolgt. Bei der Koaleszenz des GaN-Halbleitermaterials der zweiten GaN-Halbleiterschicht 7 knickt zumindest ein Teil 15a der Versetzungen in lateraler Richtung ab, so dass sich dieser Teil 15a der Versetzungen nicht weiter in vertikaler Richtung in der Halbleiterschichtenfolge ausbreitet. Insbesondere setzt sich nur noch ein geringer Teil 15b der Versetzungen weiter in vertikaler Richtung fort. Die auf der Al(Ga)N-Zwischenschicht 5 angeordnete 3D-AlGaN-Schicht 6 führt somit vorteilhaft zu einer Verminderung der Versetzungsdichte in der Verspannungsschichtstruktur 10 und insbesondere in der nachfolgend aufgewachsenen funktionellen Halbleiterschichtenfolge 14 eines elektronischen oder optoelektronischen Bauelements.
  • Bei der zweiten GaN-Halbleiterschicht 7 handelt es sich vorzugsweise um eine undotierte Schicht. Nach dem Aufwachsen der zweiten GaN-Halbleiterschicht 7 wird bei dem Ausführungsbeispiel eine dritte GaN-Halbleiterschicht 8 aufgewachsen, bei der sich vorzugsweise um eine dotierte Halbleiterschicht, insbesondere um eine n-dotierte Halbleiterschicht handelt. Die dritte GaN-Halbleiterschicht 8 kann insbesondere eine mit Silizium dotierte Halbleiterschicht sein. Es ist möglich, dass die Verspannungsschichtstruktur 10 noch ein oder mehrere weitere Schichten enthält, beispielsweise eine Zwischenschicht 9, die vor dem Aufwachsen der funktionellen Halbleiterschichtenfolge 14 eines elektronischen oder optoelektronischen Bauelements aufgewachsen wird. Die Zwischenschicht 9 kann beispielsweise eine AlGaN-Halbleiterschicht sein.
  • Die Verspannungsschichtstruktur 10 weist vorteilhaft eine kompressive Verspannung auf, die beim Abkühlen der Schichtenfolge von der Wachstumstemperatur von über 1000 °C auf Raumtemperatur einer durch das Aufwachssubstrat 1 erzeugten tensilen Verspannung entgegenwirkt.
  • Die kompressive Verspannung in der Verspannungsschichtstruktur 10 wird zum einen dadurch erreicht, dass die erste GaN-Halbleiterschicht 4 auf der darunterliegenden Nukleationsschicht 2, die eine geringere Gitterkonstante als GaN aufweist, aufgewachsen ist. Die auf diese Weise in der ersten GaN-Halbleiterschicht 4 aufgebaute kompressive Verspannung relaxiert während des Wachstums mit zunehmender Schichtdicke zumindest geringfügig aufgrund von Versetzungen 15 in dem Halbleitermaterial. Durch die zwischen der ersten GaN-Halbleiterschicht 4 und der zweiten GaN-Halbleiterschicht 7 eingefügte Al(Ga)N Zwischenschicht 5, die eine geringere Gitterkonstante als GaN aufweist, wird diese kompressive Verspannung wieder aufgebaut.
  • Besonders vorteilhaft an der Verspannungsschichtstruktur 10 ist, dass nicht nur eine kompressive Verspannung aufgebaut wird, sondern mittels der 3D-AlGaN-Schicht 6 auch eine Reduzierung der Versetzungsdichte erzielt wird. Vorzugsweise wird in der Verspannungsschichtstruktur 10 und/oder in der nachfolgenden funktionellen Halbleiterschichtenfolge 14 eines elektronischen oder optoelektronischen Bauelements eine Versetzungsdichte von weniger als 1 × 109 cm-2 erzielt.
  • Besonders bevorzugt beträgt die Versetzungsdichte sogar weniger als 5 × 108 cm-2.
  • In einem nächsten Verfahrensschritt wird die funktionelle Halbleiterschichtenfolge 14 eines elektronischen oder optoelektronischen Bauelements auf die zuvor aufgewachsene Verspannungsschichtstruktur 10 aufgewachsen. Die funktionelle Halbleiterschichtenfolge 14 des elektronischen oder optoelektronischen Bauelements basiert auf einem Nitrid-Verbindungshalbleiter.
  • Die funktionelle Halbleiterschichtenfolge 14 kann insbesondere eine aktive Schicht 12 eines optoelektronischen Bauelements enthalten. Die aktive Schicht 12 kann insbesondere eine strahlungsemittierende oder eine strahlungsempfangende Schicht sein. Die aktive Schicht 12 umfasst beispielsweise InxAlyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y < 1. Die aktive Schicht kann zum Beispiel als pn-Übergang, als Doppelheterostruktur, als Einfach-Quantentopfstruktur oder Mehrfach-Quantentopfstruktur ausgebildet sein. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur umfasst dabei jegliche Struktur, bei der Ladungsträger durch Einschluss (Confinement) eine Quantisierung ihrer Energiezustände erfahren. Insbesondere beinhaltet die Bezeichnung Quantentopfstruktur keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.
  • Weiterhin enthält die funktionelle Halbleiterschichtenfolge 14 beispielsweise einen ersten Halbleiterbereich 11 und einen zweiten Halbleiterbereich 13, wobei der erste Halbleiterbereich 11 beispielsweise n-dotiert und der zweite Halbleiterbereich 13 beispielsweise p-dotiert ist. Der erste Halbleiterbereich 11 und der zweite Halbleiterbereich 13 können jeweils aus mehreren Teilschichten zusammengesetzt sein.
  • In 2 ist ein zweites Ausführungsbeispiel der Halbleiterschichtenfolge bei einem Verfahren zur Herstellung des Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements dargestellt. Das zweite Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem ersten Ausführungsbeispiel dadurch, dass auf der Nukleationsschicht 2 eine zweite 3D-AlGaN-Schicht 3 angeordnet ist. Die zweite 3D-AlGaN-Schicht 3 wird vor dem Aufwachsen der ersten GaN-Halbleiterschicht 4 derart aufgewachsen, dass sie nicht planare Strukturen aufweist. Dies erfolgt wie bei der 3D-AlGaN-Schicht 6 auf der Al(Ga)N-Zwischenschicht 5 durch eine geeignete Einstellung der Wachstumsbedingungen. Die zweite 3D-AlGaN-Schicht wird insbesondere derart aufgewachsen, dass sie ein im dreidimensionales Wachstum aufweist. Hierfür geeignete Wachstumsbedingungen entsprechen denen, bevor im Zusammenhang mit der 3D-AlGaN-Schicht beschrieben wurden. Insbesondere kann bei der Herstellung der zweiten 3D-AlGaN-Schicht 3 eine geringere Wachstumstemperatur und/oder ein veränderter, beispielsweise geringerer Druck eingestellt werden als bei der Herstellung der nachfolgenden ersten GaN-Halbleiterschicht 4.
  • Die zwischen der Nukleationsschicht 2 und der ersten GaN-Halbleiterschicht 4 angeordnete zweite 3D-AlGaN-Schicht 3 hat insbesondere den Vorteil, dass ein Teil der Versetzungen 15c bereits beim Aufwachsen der ersten GaN-Halbleiterschicht 4 auf den nicht-planare Strukturen abknicken und sich nicht weiter in vertikaler Richtung in der Verspannungsschichtstruktur 10 ausbreiten. Auf diese Weise wird vorteilhaft eine weitere Verminderung der Versetzungsdichte erzielt.
  • In 3 ist noch ein weiteres Ausführungsbeispiel der Halbleiterschichtenfolge bei dem Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements dargestellt. Das Ausführungsbeispiel der 3 unterscheidet sich von dem Ausführungsbeispiel der 2 dadurch, dass die Nukleationsschicht 2 durch Sputtern hergestellt ist. Die Nukleationsschicht 2 ist vorzugsweise eine durch Sputtern hergestellte AlN-Schicht. Bei der Herstellung durch Sputtern kann die Nukleationsschicht insbesondere relaxiert auf dem Aufwachssubstrat 1 abgeschieden werden. Dabei kann zum Beispiel nach der Abscheidung mithilfe von Rasterkraftmikroskopie oder TransmissionsElektronenmikroskopie ein säulenförmiges Wachstum nachgewiesen werden. Hierbei entstehen Korngrenzen, die insbesondere nach dem Hochheizen auf die Wachstumstemperatur des nachfolgenden MOVPE-Prozesses und Überwachsen mit dem Halbleitermaterial der nachfolgenden Schicht zu einer weiteren Defektreduktion führen. Auf diese Weise kann vorteilhaft eine noch geringere Defektdichte erzielt werden.
  • Bei einer Ausgestaltung des Verfahrens wird ein Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelement 20 hergestellt, das als so genanntes Dünnfilm-Bauelement ausgebildet ist. Bei dieser Ausgestaltung wird, wie in 4 dargestellt, auf einer von der Verspannungsschichtstruktur abgewandte Seite der funktionellen Halbleiterschichtenfolge 14 zunächst eine Spiegelschicht 16 aufgebracht wird. Die Spiegelschicht 16 kann beispielsweise eine Silberschicht sein. Nachfolgend wird der Schichtenstapel an der vom Aufwachssubstrat abgewandten Seite beispielsweise mit einer Verbindungsschicht 17 mit einem Trägersubstrat 18 verbunden. Die Verbindungsschicht 17 kann beispielsweise eine Lotschicht sein. Zwischen der Spiegelschicht 16 und der Lotschicht 17 können weitere Zwischenschichten enthalten sein, die zur Vereinfachung der Darstellung hier nicht gezeigt sind. Bei derartigen Zwischenschichten kann es sich beispielsweise um Haftvermittler-, Benetzungs- oder Diffusionsbarriereschichten handeln.
  • Das Trägersubstrat 18 muss vorteilhaft nicht zum epitaktischen Aufwachsen eines Nitrid-Verbindungshalbleitermaterials geeignet sein und kann daher vorteilhaft anhand anderer Kriterien, wie beispielsweise einer hohen elektrischen und/oder thermischen Leitfähigkeit, ausgewählt werden. In einem weiteren Verfahrensschritt wird das Aufwachssubstrat 1 von der vom Trägersubstrat 18 abgewandten Seite des Schichtenstapels abgelöst. Die dem ursprünglichen Aufwachssubstrat zugewandte Seite der Halbleiterschichtenfolge kann somit im fertigen optoelektronischen Bauelement vorzugsweise als Strahlungsaustrittsfläche dienen. Nach dem Ablösen des Aufwachssubstrats können auch weitere Schichten des ursprünglich aufgebrachten Schichtenstapels, wie insbesondere die Nukleationsschicht 2 und/oder zumindest Teile der Verspannungsschichtstruktur 10 entfernt werden. Dies kann beispielsweise mit einem Ätzprozess erfolgen. Beispielsweise sind bei dem in 4 dargestellten optoelektronischen Bauelement 20 das Aufwachssubstrat 1, die Nukleationsschicht 2, die zweite 3D-AlGaN-Schichten 3, die erste GaN-Halbleiterschicht 4, die Al(Ga)N-Zwischenschicht 5 und die 3D-AlGaN-Schicht 6 entfernt worden und somit im fertigen optoelektronischen Bauelement nicht mehr enthalten. Die zweite AlGaN-Schicht 7 ist an der nun als Strahlungsaustrittsfläche dienenden Grenzfläche vorteilhaft mit einer Auskoppelstruktur 19 versehen worden.
  • Das mit dem hierin beschriebenen Verfahren hergestellte Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelement 20 zeichnet sich insbesondere durch eine besonders geringe Versetzungsdichte aus, wodurch sich der Wirkungsgrad des Bauelements vorteilhaft erhöht.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Aufwachssubstrat
    2
    Nukleationsschicht
    3
    zweite 3D-AlGaN Schicht
    4
    erste GaN-Halbleiterschicht
    5
    Al(Ga)N Zwischenschicht
    6
    erste 3D-AlGaN Schicht
    7
    zweite GaN-Halbleiterschicht
    8
    dritte GaN-Halbleiterschicht
    9
    Zwischenschicht
    10
    Verspannungsschichtstruktur
    11
    n-Typ Halbleiterbereich
    12
    aktive Schicht
    13
    p-Typ Halbleiterbereich
    14
    funktionelle Halbleiterschichtenfolge
    15
    Versetzungen
    15a
    Versetzungen
    15b
    Versetzungen
    15c
    Versetzungen
    16
    Spiegelschicht
    17
    Verbindungsschicht
    18
    Trägersubstrat
    19
    Auskoppelstruktur
    20
    Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelement
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102006008929 A1 [0005]
    • WO 2011/039181 A1 [0005]
    • DE 102011114665 A1 [0006, 0023]

Claims (16)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements, mit den Schritten: - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), - Aufwachsen einer Nukleationsschicht (2) aus einem Aluminium enthaltenden Nitrid-Verbindungshalbleiter auf das Aufwachssubstrat (1), - Aufwachsen einer Verspannungsschichtstruktur (10) zur Erzeugung einer kompressiven Spannung, wobei die Verspannungsschichtstruktur (10) mindestens eine erste GaN-Halbleiterschicht (4) und eine zweite GaN-Halbleiterschicht (7) umfasst, und wobei zwischen der ersten GaN-Halbleiterschicht (4) und der zweiten GaN-Halbleiterschicht (7) eine Al(Ga)N-Zwischenschicht (5) zur Erzeugung der kompressiven Spannung angeordnet ist, und - Aufwachsen einer funktionellen Halbleiterschichtenfolge (14) des Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements auf die Verspannungsschichtstruktur (10), wobei - vor dem Aufwachsen der zweiten GaN-Halbleiterschicht (7) eine 3D-AlGaN-Schicht (6) auf der Al(Ga)N Zwischenschicht (5) derart aufgewachsen wird, dass sie nicht-planare Strukturen aufweist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die 3D-AlGaN-Schicht (6) mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie hergestellt wird, und wobei die Wachstumstemperatur beim Aufwachsen der 3D-AlGaN-Schicht (6) weniger als 1000 °C beträgt.
  3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei - die 3D-AlGaN-Schicht (6), die erste GaN-Halbleiterschicht (4) und die zweite GaN-Halbleiterschicht (7) mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie hergestellt werden, - NH3 als Reaktionsgas verwendet wird, und - ein NH3-Gasfluss bei der Herstellung der 3D-AlGaN-Schicht (6) geringer ist als bei der Herstellung der ersten GaN-Halbleiterschicht (4) und/oder der zweiten GaN-Halbleiterschicht (7).
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die 3D-AlGaN-Schicht (6), die erste GaN-Halbleiterschicht (4) und die zweite GaN-Halbleiterschicht (7) mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie hergestellt in einer Reaktionskammer hergestellt werden, und wobei der Druck in der Reaktionskammer bei der Herstellung der 3D-AlGaN-Schicht (6) geringer ist als bei der Herstellung der ersten GaN-Halbleiterschicht (4) und/oder der zweiten GaN-Halbleiterschicht (7).
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Verspannungsschichtstruktur (10) keine Maskierungsschicht aufweist.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Verspannungsschichtstruktur (10) kein Siliziumnitrid aufweist.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei nach dem Aufwachsen der Nukleationsschicht (2) und vor dem Aufwachsen der ersten GaN-Schicht (4) eine zweite 3D-AlGaN-Schicht (3) derart aufgewachsen wird, dass sie nicht-planare Strukturen aufweist.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Nukleationsschicht (2) durch Sputtern hergestellt wird.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Gesamtdicke der Verspannungsschichtstruktur (10) weniger als 5 µm beträgt.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite GaN-Halbleiterschicht (7) undotiert ist und der zweiten GaN-Halbleiterschicht (7) eine dritte GaN-Halbleiterschicht (8) nachfolgt, die dotiert ist.
  11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Aufwachssubstrat (1) eine Siliziumoberfläche aufweist.
  12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Siliziumoberfläche eine (111)-Ebene ist.
  13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelement ein optoelektronisches Bauelement (20) ist.
  14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die funktionelle Halbleiterschichtenfolge (14) eine Leuchtdiodenschichtenfolge ist, die einen n-Typ Halbleiterbereich (11), einen p-Typ Halbleiterbereich (13) und eine zwischen dem n-Typ Halbleiterbereich (11) und dem p-Typ Halbleiterbereich (13) angeordnete aktive Schicht (12) aufweist.
  15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Aufwachsubstrat (1) nach dem Aufwachsen der funktionellen Halbleiterschichtenfolge (14) abgelöst wird.
  16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die funktionelle Halbleiterschichtenfolge (14) an einer dem Aufwachsubstrat (1) gegenüberliegenden Seite mit einem Trägersubstrat (18) verbunden wird.
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