RU2014136705A - Прессованная линза, формирующая led-модуль масштаба интегральной схемы, и способ ее изготовления - Google Patents

Прессованная линза, формирующая led-модуль масштаба интегральной схемы, и способ ее изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2014136705A
RU2014136705A RU2014136705A RU2014136705A RU2014136705A RU 2014136705 A RU2014136705 A RU 2014136705A RU 2014136705 A RU2014136705 A RU 2014136705A RU 2014136705 A RU2014136705 A RU 2014136705A RU 2014136705 A RU2014136705 A RU 2014136705A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
crystal
led
modular
lens
metal electrode
Prior art date
Application number
RU2014136705A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2617880C2 (ru
Inventor
Серж Йоэль Арманд БИРХЭЙЗЕН
Original Assignee
Конинклейке Филипс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Н.В.
Publication of RU2014136705A publication Critical patent/RU2014136705A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2617880C2 publication Critical patent/RU2617880C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/18—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

1. Модульный кристалл светоизлучающего диода (LED), содержащий:LED-кристалл, содержащий множество слоев и, по меньшей мере, один металлический электрод на нижней поверхности LED-кристалла, и множество боковых поверхностей;при этом, по меньшей мере, один металлический электрод имеет верхнюю поверхность и нижнюю поверхность, противоположную верхней поверхности;при этом верхняя поверхность, по меньшей мере, одного металлического электрода расположена на нижней поверхности LED-кристалла; имодуль для LED-кристалла содержит целостный отлитый материал, который инкапсулирует, по меньшей мере, верхнюю поверхность и, по меньшей мере, одну из боковых поверхностей LED-кристалла и формирует линзу поверх верхней поверхности LED-кристалла, при этом отлитый материал не покрывает нижнюю поверхность, по меньшей мере, одного металлического электрода.2. Модульный кристалл по п. 1, в котором отлитый материал является только линзой, сформированной поверх кристалла.3. Модульный кристалл по п. 1, в котором модуль и LED-кристалл имеют размеры в ширину и длину, при этом размеры в ширину и длину модуля меньше, чем тройные соответствующие размеры в ширину и длину LED-кристалла.4. Модульный кристалл по п. 1, дополнительно содержащий отражающий слой на нижней поверхности модуля.5. Модульный кристалл по п. 1, в котором линза формирует первую линзу, модульный кристалл дополнительно содержит, по меньшей мере, одну вторую линзу поверх первой линзы.6. Модульный кристалл по п. 1, при этом линза является, по существу, полусферической.7. Модульный кристалл по п. 1, при этом модульный кристалл не содержит выводную рамку, так что, по меньшей мере, один металлический электрод сконфигурирован, чтобы присоединяться к металлич

Claims (15)

1. Модульный кристалл светоизлучающего диода (LED), содержащий:
LED-кристалл, содержащий множество слоев и, по меньшей мере, один металлический электрод на нижней поверхности LED-кристалла, и множество боковых поверхностей;
при этом, по меньшей мере, один металлический электрод имеет верхнюю поверхность и нижнюю поверхность, противоположную верхней поверхности;
при этом верхняя поверхность, по меньшей мере, одного металлического электрода расположена на нижней поверхности LED-кристалла; и
модуль для LED-кристалла содержит целостный отлитый материал, который инкапсулирует, по меньшей мере, верхнюю поверхность и, по меньшей мере, одну из боковых поверхностей LED-кристалла и формирует линзу поверх верхней поверхности LED-кристалла, при этом отлитый материал не покрывает нижнюю поверхность, по меньшей мере, одного металлического электрода.
2. Модульный кристалл по п. 1, в котором отлитый материал является только линзой, сформированной поверх кристалла.
3. Модульный кристалл по п. 1, в котором модуль и LED-кристалл имеют размеры в ширину и длину, при этом размеры в ширину и длину модуля меньше, чем тройные соответствующие размеры в ширину и длину LED-кристалла.
4. Модульный кристалл по п. 1, дополнительно содержащий отражающий слой на нижней поверхности модуля.
5. Модульный кристалл по п. 1, в котором линза формирует первую линзу, модульный кристалл дополнительно содержит, по меньшей мере, одну вторую линзу поверх первой линзы.
6. Модульный кристалл по п. 1, при этом линза является, по существу, полусферической.
7. Модульный кристалл по п. 1, при этом модульный кристалл не содержит выводную рамку, так что, по меньшей мере, один металлический электрод сконфигурирован, чтобы присоединяться к металлическим монтажным площадкам поддерживающей структуры.
8. Модульный кристалл по п. 1, при этом отлитый материал содержит рассекающую структуру, формирующую фрагмент уменьшенной толщины для отделения модульного кристалла.
9. Способ изготовления модульного кристалла светоизлучающего диода (LED), содержащий этапы, на которых:
формируют множество LED-кристаллов, каждый LED-кристалл содержит множество слоев и, по меньшей мере, один металлический электрод на нижней поверхности каждого из LED-кристаллов, каждый из LED-кристаллов имеет верхнюю поверхность и боковые поверхности;
при этом, по меньшей мере, один металлический электрод имеет верхнюю поверхность и нижнюю поверхность, противоположную верхней поверхности;
при этом верхняя поверхность, по меньшей мере, одного металлического электрода сформирована на нижней поверхности LED-кристалла; и
устанавливают множество LED-кристаллов на временную поддерживающую структуру;
отливают цельный материал поверх LED-кристаллов, который инкапсулирует, по меньшей мере, верхнюю поверхность и боковые поверхности LED-кристаллов и формирует линзу поверх верхней поверхности каждого из LED-кристаллов, цельный материал не покрывает нижнюю поверхность, по меньшей мере, одного металлического электрода;
выполняют отверждение цельного материала, чтобы механически соединять LED-кристаллы вместе;
удаляют LED-кристаллы и цельный материал с поддерживающей подложки; и
разделяют цельный материал, чтобы разделять LED-кристаллы, чтобы создавать отдельные модульные LED-кристаллы.
10. Способ по п. 9, в котором фосфор внедряется в цельный материал.
11. Способ по п. 9, дополнительно содержащий этап, на котором формируют отражающий слой на временной поддерживающей подложке после этапа установки множества LED-кристаллов на временную поддерживающую структуру, при этом цельный материал приклеивается к отражающему слою во время этапа удаления LED-кристаллов и цельного материала с поддерживающей подложки, получая в результате модульные LED-кристаллы, имеющие отражающий слой.
12. Способ по п. 9, при этом модульные кристаллы не содержат выводную рамку, так что, по меньшей мере, один металлический электрод сконфигурирован, чтобы присоединяться к металлическим монтажным площадкам поддерживающей структуры.
13. Способ по п. 9, при этом цельный материал формирует
только линзу поверх кристалла.
14. Способ по п. 9, при этом линза является первой линзой, способ дополнительно содержит этап, на котором отливают, по меньшей мере, одну вторую линзу поверх первой линзы.
15. Способ по п. 9, при этом каждый модульный LED-кристалл имеет размеры в ширину и длину, при этом размеры в ширину и длину модульного LED-кристалла меньше тройных соответствующих размеров в ширину и длину LED-кристалла.
RU2014136705A 2012-02-10 2013-01-15 Прессованная линза, формирующая led-модуль масштаба интегральной схемы, и способ ее изготовления RU2617880C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261597366P 2012-02-10 2012-02-10
US61/597,366 2012-02-10
PCT/IB2013/050363 WO2013118002A1 (en) 2012-02-10 2013-01-15 Molded lens forming a chip scale led package and method of manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014136705A true RU2014136705A (ru) 2016-04-10
RU2617880C2 RU2617880C2 (ru) 2017-04-28

Family

ID=47891794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014136705A RU2617880C2 (ru) 2012-02-10 2013-01-15 Прессованная линза, формирующая led-модуль масштаба интегральной схемы, и способ ее изготовления

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9368702B2 (ru)
EP (1) EP2812929B1 (ru)
JP (2) JP6203759B2 (ru)
KR (1) KR102032392B1 (ru)
CN (1) CN104094424B (ru)
RU (1) RU2617880C2 (ru)
WO (1) WO2013118002A1 (ru)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9666762B2 (en) * 2007-10-31 2017-05-30 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
CN104282819B (zh) * 2013-07-08 2018-08-28 光宝电子(广州)有限公司 倒装式发光二极管封装模块及其制造方法
EP3022779B1 (en) * 2013-07-19 2020-03-18 Lumileds Holding B.V. Pc led with optical element and without substrate carrier
US9541241B2 (en) * 2013-10-03 2017-01-10 Cree, Inc. LED lamp
DE102014100772B4 (de) * 2014-01-23 2022-11-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP6252302B2 (ja) * 2014-03-28 2017-12-27 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
TWI689396B (zh) * 2014-07-22 2020-04-01 日商山田尖端科技股份有限公司 成形模具、成形裝置及成形品的製造方法
DE102014111106A1 (de) 2014-08-05 2016-02-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement, Bauelementeanordnung und Verfahren zur Herstellung eines elektronisches Bauelements
DE102014112540A1 (de) * 2014-09-01 2016-03-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
JP6757716B2 (ja) * 2014-09-02 2020-09-23 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 光源、その製造方法、及びライト
CN105591006A (zh) * 2014-10-20 2016-05-18 展晶科技(深圳)有限公司 覆晶式led封装体
JP6432343B2 (ja) 2014-12-26 2018-12-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR20160083279A (ko) 2014-12-30 2016-07-12 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법
KR101636516B1 (ko) * 2015-03-10 2016-07-06 한국광기술원 렌즈 일체형 발광다이오드 모듈의 제조방법
DE102015106367B4 (de) * 2015-04-24 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lumineszenzdiodenanordnung
KR102335106B1 (ko) 2015-06-19 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102432859B1 (ko) * 2015-07-10 2022-08-16 삼성전자주식회사 발광 장치 및 이를 포함하는 발광 모듈
DE102015116970A1 (de) * 2015-10-06 2017-04-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers
EP3205584B1 (en) 2016-02-12 2020-06-03 Goodrich Lighting Systems GmbH Exterior aircraft light and aircraft comprising the same
WO2017175148A1 (en) 2016-04-08 2017-10-12 Novagan Highly directional light source with high extraction efficiency and method to manufacturing the same
KR102534245B1 (ko) * 2016-05-04 2023-05-18 삼성전자주식회사 칩 스케일 렌즈를 포함한 발광장치
JP6665731B2 (ja) 2016-08-22 2020-03-13 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6579141B2 (ja) 2017-03-24 2019-09-25 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
CN107256911B (zh) * 2017-05-31 2019-07-23 中国科学院半导体研究所 芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法
TWI661585B (zh) * 2017-12-21 2019-06-01 財團法人工業技術研究院 發光二極體封裝
KR102175337B1 (ko) * 2018-08-24 2020-11-06 한국광기술원 Led 패키지
TWI693455B (zh) * 2019-04-10 2020-05-11 瑞軒科技股份有限公司 發光二極體背光模組
CN110335925A (zh) * 2019-07-22 2019-10-15 广东省半导体产业技术研究院 一种芯片结构及其制作方法
US11056529B2 (en) * 2019-10-11 2021-07-06 Omnivision Technologies, Inc. Image-sensor chip-scale package and method for manufacture
WO2021137762A1 (en) * 2019-12-30 2021-07-08 Ams Sensors Asia Pte. Ltd. A method of manufacturing a plurality of optoelectronic modules
KR20220045832A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 삼성전자주식회사 LED(Light Emitting Diode) 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20220073301A (ko) 2020-11-26 2022-06-03 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치
CN114284420A (zh) * 2021-12-27 2022-04-05 深圳市聚飞光电股份有限公司 发光单元及其制作方法、发光组件

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS624380A (ja) * 1985-06-29 1987-01-10 Toshiba Corp 発光ダイオ−ド装置
DE10008203B4 (de) * 2000-02-23 2008-02-07 Vishay Semiconductor Gmbh Verfahren zum Herstellen elektronischer Halbleiterbauelemente
JP3589187B2 (ja) * 2000-07-31 2004-11-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の形成方法
JP4214704B2 (ja) * 2002-03-20 2009-01-28 日亜化学工業株式会社 半導体素子
JP3795040B2 (ja) 2003-12-03 2006-07-12 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
KR101332771B1 (ko) 2004-02-20 2013-11-25 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전 소자, 다수의 광전 소자를 구비한 장치 및 광전 소자를 제조하기 위한 방법
JP5128047B2 (ja) * 2004-10-07 2013-01-23 Ｔｏｗａ株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
US7344902B2 (en) * 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
TWI422044B (zh) * 2005-06-30 2014-01-01 Cree Inc 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置
DE102005041064B4 (de) * 2005-08-30 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP5192646B2 (ja) * 2006-01-16 2013-05-08 Ｔｏｗａ株式会社 光素子の樹脂封止方法、その樹脂封止装置、および、その製造方法
JP2007242820A (ja) * 2006-03-08 2007-09-20 Asahi Kasei Corp 発光デバイス及び発光デバイスモジュール
CA2652539A1 (en) * 2006-05-19 2007-11-29 Topigen Pharmaceuticals Inc. Oligonucleotides affecting expression of phosphodiesterases
JP5154039B2 (ja) * 2006-08-21 2013-02-27 浜松ホトニクス株式会社 半導体装置および半導体装置製造方法
US7473940B2 (en) * 2006-11-27 2009-01-06 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Compact LED with a self-formed encapsulating dome
US9061450B2 (en) * 2007-02-12 2015-06-23 Cree, Inc. Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding
JP2008207450A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Towa Corp 発光素子の圧縮成形方法
TWI348229B (en) 2007-07-19 2011-09-01 Advanced Optoelectronic Tech Packaging structure of chemical compound semiconductor device and fabricating method thereof
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
TWI364801B (en) * 2007-12-20 2012-05-21 Chipmos Technologies Inc Dice rearrangement package structure using layout process to form a compliant configuration
DE102008010512A1 (de) 2008-02-22 2009-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
JP2009206123A (ja) 2008-02-26 2009-09-10 Sanken Electric Co Ltd Ｈｆｅｔおよびその製造方法
JP5000566B2 (ja) * 2008-03-27 2012-08-15 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーンゴム組成物、およびそれを封止材料として用いた光半導体装置
EP2294634B1 (en) * 2008-07-01 2020-08-05 Lumileds Holding B.V. Wavelength converted light emitting diode with reduced emission of unconverted light
US20100109025A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Over the mold phosphor lens for an led
JP2011009572A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Citizen Electronics Co Ltd フリップチップ実装型ｌｅｄ及びフリップチップ実装型ｌｅｄの製造方法。
US20110031516A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led with silicone layer and laminated remote phosphor layer
US20110049545A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led package with phosphor plate and reflective substrate
JP4951090B2 (ja) 2010-01-29 2012-06-13 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
CN102754229B (zh) * 2010-02-09 2016-07-06 日亚化学工业株式会社 发光装置、及发光装置的制造方法
US9012938B2 (en) * 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
JP5414627B2 (ja) * 2010-06-07 2014-02-12 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP5462078B2 (ja) * 2010-06-07 2014-04-02 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
CN101958389A (zh) * 2010-07-30 2011-01-26 晶科电子（广州）有限公司 一种硅基板集成有功能电路的led表面贴装结构及其封装方法
US8647900B2 (en) * 2010-09-20 2014-02-11 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Micro-structure phosphor coating
US8236584B1 (en) * 2011-02-11 2012-08-07 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method of forming a light emitting diode emitter substrate with highly reflective metal bonding
KR20130011377A (ko) * 2011-07-21 2013-01-30 삼성전자주식회사 발광소자 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013118002A1 (en) 2013-08-15
KR102032392B1 (ko) 2019-10-16
US20140374786A1 (en) 2014-12-25
JP2015507371A (ja) 2015-03-05
EP2812929A1 (en) 2014-12-17
US9368702B2 (en) 2016-06-14
EP2812929B1 (en) 2020-03-11
RU2617880C2 (ru) 2017-04-28
JP6203759B2 (ja) 2017-09-27
JP2018014509A (ja) 2018-01-25
KR20140133565A (ko) 2014-11-19
CN104094424A (zh) 2014-10-08
CN104094424B (zh) 2016-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014136705A (ru) Прессованная линза, формирующая led-модуль масштаба интегральной схемы, и способ ее изготовления
US9117982B2 (en) Light-emitting device including transparent resin with curved surface arranged at side facing light-emitting diode element
RU2010120566A (ru) Прочная структура сид (светоизлучающего диода) для отделения подложки
RU2012147484A (ru) Светоизлучающий прибор и способ его изготовления
US20180040780A1 (en) Light-emitting device and method for producing the same
RU2012138400A (ru) Светоизлучающее устройство и способ изготовления светоизлучающего устройства
JP2013526052A5 (ru)
CN108269899B (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
US10134957B2 (en) Surface-mountable optoelectronic semiconductor component with conductive connection on housing body
RU2012117259A (ru) Нитридный полупроводниковый светоизлучающий элемент и способ его изготовления
JP2011513946A5 (ru)
WO2013017364A3 (de) Optoelektronische anordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen anordnung
WO2012108627A3 (en) Light emitting diode having photonic crystal structure and method of fabricating the same
EP2466658A3 (en) LED including a phosphor layer, LED package and methods of manufacturing the same
TWI466334B (zh) 發光二極體封裝結構的製造方法
JP2006080312A5 (ru)
WO2014120086A8 (en) Method of fabricating semiconductor devices
US8476089B2 (en) Method for manufacturing light emitting diode package
TW201724584A (zh) 具有可變數目發射表面之覆晶表面黏著技術發光二極體
US20160240747A1 (en) Optoelectronic component and method of production thereof
CN103682066B (zh) 发光二极管模组及其制造方法
RU2013134141A (ru) Осветительная система и способ производства
TW201417357A (zh) 發光二極體及其製造方法
JP2019220405A5 (ru)
TW201130168A (en) Light emitting diode package and method for manufacturing same

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180116