RU2008102366A - Катализатор отверждения, композиция, электронное устройство и сопутствующий способ - Google Patents

Катализатор отверждения, композиция, электронное устройство и сопутствующий способ Download PDF

Info

Publication number
RU2008102366A
RU2008102366A RU2008102366/04A RU2008102366A RU2008102366A RU 2008102366 A RU2008102366 A RU 2008102366A RU 2008102366/04 A RU2008102366/04 A RU 2008102366/04A RU 2008102366 A RU2008102366 A RU 2008102366A RU 2008102366 A RU2008102366 A RU 2008102366A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
catalyst
composition according
lewis acid
anhydride
borane
Prior art date
Application number
RU2008102366/04A
Other languages
English (en)
Inventor
Славомир РУБИНШТАЙН (US)
Славомир РУБИНШТАЙН
Джон Роберт КЭМПБЕЛЛ (US)
Джон Роберт КЭМПБЕЛЛ
Райан Кристофер МИЛЛЗ (US)
Райан Кристофер МИЛЛЗ
Сандип Шрикант ТОНАПИ (US)
Сандип Шрикант ТОНАПИ
Анантх ПРАБХАКУМАР (US)
Анантх ПРАБХАКУМАР
Original Assignee
МОМЕНТИВ ПЕРФОРМАНС МАТИРИАЛЗ ИНК. (Э Делавэр Корпорейшн) (US)
МОМЕНТИВ ПЕРФОРМАНС МАТИРИАЛЗ ИНК. (Э Делавэр Корпорейшн)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by МОМЕНТИВ ПЕРФОРМАНС МАТИРИАЛЗ ИНК. (Э Делавэр Корпорейшн) (US), МОМЕНТИВ ПЕРФОРМАНС МАТИРИАЛЗ ИНК. (Э Делавэр Корпорейшн) filed Critical МОМЕНТИВ ПЕРФОРМАНС МАТИРИАЛЗ ИНК. (Э Делавэр Корпорейшн) (US)
Publication of RU2008102366A publication Critical patent/RU2008102366A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J31/00—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J31/00—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds
    • B01J31/02—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides
    • B01J31/0234—Nitrogen-, phosphorus-, arsenic- or antimony-containing compounds
    • B01J31/0235—Nitrogen containing compounds
    • B01J31/0237—Amines
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J31/00—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds
    • B01J31/02—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides
    • B01J31/0234—Nitrogen-, phosphorus-, arsenic- or antimony-containing compounds
    • B01J31/0235—Nitrogen containing compounds
    • B01J31/0244—Nitrogen containing compounds with nitrogen contained as ring member in aromatic compounds or moieties, e.g. pyridine
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J31/00—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds
    • B01J31/02—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides
    • B01J31/12—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides containing organo-metallic compounds or metal hydrides
    • B01J31/14—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides containing organo-metallic compounds or metal hydrides of aluminium or boron
    • B01J31/146—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides containing organo-metallic compounds or metal hydrides of aluminium or boron of boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/68—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/68—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
    • C08G59/70—Chelates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8121—Applying energy for connecting using a reflow oven
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H01L2224/81815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0106—Neodymium [Nd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01087—Francium [Fr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Abstract

1. Катализатор отверждения, включающий ! кислоту Льюиса и ! один или оба компонента из числа азотсодержащей молекулы и нетретичного фосфина, в котором азотсодержащая молекула включает моноамин или гетероциклическое ароматическое органическое соединение. ! 2. Катализатор по п.1, в котором кислота Льюиса представляет собой комплекс или аддукт одного или обоих компонентов из числа азотсодержащей молекулы или нетретичного фосфина. ! 3. Катализатор по п.1, в котором азотсодержащая молекула включает одно или оба вещества из 1,8-диазабицикло[5.4.0]ундец-7-ена и метилимидазола. ! 4. Катализатор по п.1, в котором кислота Льюиса включает тризамещенный боран. ! 5. Катализатор по п.4, в котором кислота Льюиса включает три(арил)боран. ! 6. Катализатор по п.4, в котором три(арил)боран включает один или несколько радикалов из числа следующих: фенил, пентафторфенил; 2,3,5,6-тетрафторфенил; 2,3,4,5-тетрафторфенил; 3,4,5-трифтор-1-фенил или 4-(пентафторфенил)-2,3,5,6-тетрафторфенил. ! 7. Катализатор по п.6, в котором кислота Льюиса включает один или несколько негидролизуемых галогенов. ! 8. Катализатор по п.1, в котором кислота Льюиса имеет структуру, как показано в формуле (I): ! MRbXc (I), ! в которой М представляет собой B, Al, Ga, In или Tl; каждый R представляет собой, независимо друг от друга, одновалентный ароматический углеводородный радикал, имеющий от около 6 до около 14 атомов углерода, необязательно одновалентный ароматический углеводородный радикал имеет электроноакцепторный элемент или группу, или замещен по меньшей мере двумя атомами галогена, и “b” равно 1, 2 или 3; Х представляет собой атом галогена, и “c” равно 0, 1 или 2; при условии, что (b+c)=3. ! 9. Отверждаемая композиц�

Claims (35)

1. Катализатор отверждения, включающий
кислоту Льюиса и
один или оба компонента из числа азотсодержащей молекулы и нетретичного фосфина, в котором азотсодержащая молекула включает моноамин или гетероциклическое ароматическое органическое соединение.
2. Катализатор по п.1, в котором кислота Льюиса представляет собой комплекс или аддукт одного или обоих компонентов из числа азотсодержащей молекулы или нетретичного фосфина.
3. Катализатор по п.1, в котором азотсодержащая молекула включает одно или оба вещества из 1,8-диазабицикло[5.4.0]ундец-7-ена и метилимидазола.
4. Катализатор по п.1, в котором кислота Льюиса включает тризамещенный боран.
5. Катализатор по п.4, в котором кислота Льюиса включает три(арил)боран.
6. Катализатор по п.4, в котором три(арил)боран включает один или несколько радикалов из числа следующих: фенил, пентафторфенил; 2,3,5,6-тетрафторфенил; 2,3,4,5-тетрафторфенил; 3,4,5-трифтор-1-фенил или 4-(пентафторфенил)-2,3,5,6-тетрафторфенил.
7. Катализатор по п.6, в котором кислота Льюиса включает один или несколько негидролизуемых галогенов.
8. Катализатор по п.1, в котором кислота Льюиса имеет структуру, как показано в формуле (I):
MR b X c (I),
в которой М представляет собой B, Al, Ga, In или Tl; каждый R представляет собой, независимо друг от друга, одновалентный ароматический углеводородный радикал, имеющий от около 6 до около 14 атомов углерода, необязательно одновалентный ароматический углеводородный радикал имеет электроноакцепторный элемент или группу, или замещен по меньшей мере двумя атомами галогена, и “b” равно 1, 2 или 3; Х представляет собой атом галогена, и “c” равно 0, 1 или 2; при условии, что (b+c)=3.
9. Отверждаемая композиция, включающая
А) первую смесь, включающую отверждаемую первую смолу и первый катализатор, причем первый катализатор включает кислоту Льюиса и один или оба компонента из числа нетретичного амина или нетретичного фосфина;
В) вторую смесь, включающую отверждаемую органическую вторую смолу и второй катализатор, причем второй катализатор включает кислоту Льюиса и один или оба компонента из числа амина или фосфина; или
как А), так и В).
10. Композиция по п.9, в которой первый катализатор и второй катализатор различаются между собой.
11. Композиция по п.9, в которой первый катализатор и второй катализатор являются одинаковыми.
12. Композиция по п.9, в которой первый катализатор действует для отверждения первой смолы при температуре в интервале выше чем 150°С.
13. Композиция по п.9, в которой второй катализатор действует для отверждения второй смолы при температуре в интервале выше чем 150°С.
14. Композиция по п.9, дополнительно включающая ингредиенты, действующие так, что образуется флюс in situ при воздействии заранее определенных условий.
15. Композиция по п.9, дополнительно включающая ингредиенты, действующие так, что высвобождается флюс при воздействии заранее определенных условий.
16. Композиция по п.9, в которой кислота Льюиса включает три(арил)боран.
17. Композиция по п.16, в которой три(арил)боран включает B(C6F5)3.
18. Композиция по п.16, в которой три(арил)боран включает один или несколько радикалов из числа следующих: фенил, пентафторфенил; 2,3,5,6-тетрафторфенил; 2,3,4,5-тетрафторфенил; 3,4,5-трифтор-1-фенил или 4-(пентафторфенил)-2,3,5,6-тетрафторфенил.
19. Композиция по п.16, в которой три(арил)борановый компонент состоит по существу из пентафторфенила.
20. Композиция по п.9, в которой кислота Льюиса образует комплекс с одним или несколькими соединениями из нетретичного амина, нетретичного фосфина, амина и фосфина.
21. Композиция по п.9, в которой кислота Льюиса имеет структуру, как показано в формуле (II):
MR b X c (II),
в которой М представляет собой B, Al, Ga, In или Tl; каждый R представляет собой, независимо друг от друга, одновалентный ароматический углеводородный радикал, имеющий от около 6 до около 14 атомов углерода, необязательно одновалентный ароматический углеводородный радикал имеет электроноакцепторный элемент или группу, или замещен по меньшей мере двумя атомами галогена, и “b” равно 1, 2 или 3; Х представляет собой атом галогена, и “c” равно 0, 1 или 2; при условии, что (b+c)=3.
22. Композиция по п.21, в которой М представляет собой бор.
23. Композиция по п.21, в которой электроноакцепторный элемент или группа включает одну или несколько групп из числа -CF3, -NO2 и -CN.
24. Композиция по п.9, в которой кислота Льюиса включает один или несколько негидролизуемых галогенов.
25. Композиция по п.9, в которой катализатор находится в композиции в количестве, которое колеблется в диапазоне от около 0,01 вес.% до около 5 вес.%, в расчете на общий вес композиции.
26. Композиция по п.9, в которой отверждаемая смола включает одну или несколько смол из алифатической эпоксидной смолы, циклоалифатической эпоксидной смолы или ароматической эпоксидной смолы.
27. Композиция по п.9, дополнительно включающая один или несколько агентов из пластификатора, органического растворителя, антипирена, пигмента, средства для повышения ударной вязкости или модификатора реологии.
28. Композиция по п.9, дополнительно включающая наполнитель из наночастиц оксида кремния.
29. Композиция по п.9, дополнительно включающая отвердитель.
30. Композиция по п.29, в которой отвердитель включает один или несколько ангидридов.
31. Композиция по п.30, в которой ангидрид включает ангидрид карбоновой кислоты.
32. Композиция по п.30, в которой ангидрид включает одно или несколько соединений из числа фталевого ангидрида, гексагидрофталевого ангидрида; метилгексагидрофталевого ангидрида; 4-нитрофталевого ангидрида; диангидрида нафталинтетракарбоновой кислоты; нафталевого ангидрида; тетрагидрофталевого ангидрида; бензойного ангидрида или силоксандиангидрида.
33. Отверждаемая пленка, включающая
А) первую смесь, включающую отверждаемую первую смолу и первый катализатор, причем первый катализатор включает кислоту Льюиса и один или оба компонента из числа моноамина и гетероциклического ароматического органического соединения;
В) вторую смесь, включающую отверждаемую органическую вторую смолу и второй катализатор, причем второй катализатор включает кислоту Льюиса и один или оба компонента из числа азотсодержащей молекулы или нетретичного фосфина; или
как А), так и В).
34. Электронное устройство, включающее
подкристальный заполнительный материал, включающий отвержденную пленку по п.33; и
электрическое соединение, включающее бессвинцовый припой, имеющий по меньшей мере часть, расположенную внутри пленки.
35. Электронное устройство, включающее
средства для заполнения области, ограниченной обращенной внутрь внешней поверхностью кристалла и обращенной внутрь внешней поверхностью подложки; и
электрическое соединение, включающее бессвинцовый припой, который пригоден для крепления кристалла к подложке.
RU2008102366/04A 2005-06-23 2006-06-09 Катализатор отверждения, композиция, электронное устройство и сопутствующий способ RU2008102366A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/167,847 2005-06-23
US11/167,847 US8048819B2 (en) 2005-06-23 2005-06-23 Cure catalyst, composition, electronic device and associated method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2008102366A true RU2008102366A (ru) 2009-07-27

Family

ID=37074187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008102366/04A RU2008102366A (ru) 2005-06-23 2006-06-09 Катализатор отверждения, композиция, электронное устройство и сопутствующий способ

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8048819B2 (ru)
EP (2) EP1926554A2 (ru)
JP (1) JP2008544067A (ru)
KR (1) KR101391784B1 (ru)
CN (2) CN102786665A (ru)
BR (1) BRPI0612009A2 (ru)
RU (1) RU2008102366A (ru)
WO (1) WO2007001803A2 (ru)

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103059267A (zh) * 2007-05-09 2013-04-24 陶氏环球技术公司 含有过量环氧树脂的环氧热固性组合物及其制备方法
NO20075120L (no) * 2007-05-23 2008-11-24 Mi Llc Anvendelse av direkte epoksyemulsjoner for borehullstabilisering
CA2606537C (en) 2007-05-23 2010-12-21 M-I Llc Use of invert epoxy emulsions for wellbore stabilization
JP2010529229A (ja) * 2007-05-29 2010-08-26 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド 硬化制御改善のためのイソシアネート−エポキシ配合物
US8404310B2 (en) 2007-08-02 2013-03-26 Dow Global Technologies Llc Thermoset dampener material
WO2009018193A1 (en) * 2007-08-02 2009-02-05 Dow Global Technologies Inc. Amphiphilic block copolymers and inorganic nanofillers to enhance performance of thermosetting polymers
KR20100084561A (ko) 2007-10-26 2010-07-26 다우 글로벌 테크놀로지스 인크. 전기적 적층물에 사용하기 위한 이소시아누레이트 함유 에폭시 수지 조성물
EP2244871A1 (en) * 2007-11-29 2010-11-03 Dow Global Technologies Inc. Microwave heatable monovinyl aromatic polymers
EP2217637B1 (en) * 2007-11-29 2011-05-11 Dow Global Technologies LLC Dimethylformamide-free formulations using dicyanadiamide as curing agent for thermosetting epoxy resins
WO2009089145A1 (en) * 2008-01-08 2009-07-16 Dow Global Technologies Inc. High tg epoxy systems for composite application
US7629203B2 (en) * 2008-03-31 2009-12-08 Intel Corporation Thermal interface material for combined reflow
US20110028602A1 (en) 2008-04-14 2011-02-03 Joseph Gan Epoxy-imidazole catalysts useful for powder coating applications
US20110136993A1 (en) * 2008-08-28 2011-06-09 Dow Global Technologies Llc Phosphorus-containing compounds and polymeric compositions comprising same
KR101318456B1 (ko) 2008-12-16 2013-10-16 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 전기 라미네이트의 제조에 유용한 균질한 비스말레이미드-트리아진-에폭시 조성물
KR20160031560A (ko) * 2009-01-06 2016-03-22 블루 큐브 아이피 엘엘씨 에폭시 수지용 금속 안정화제 및 분산 방법
CA2750703A1 (en) 2009-02-24 2010-09-02 Gary A. Hunter Curable epoxy resin compositions and cured products therefrom
KR20120036887A (ko) 2009-05-27 2012-04-18 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 중합체성 글리시딜 에테르 반응성 희석제
CN106832224A (zh) 2009-06-22 2017-06-13 蓝立方知识产权有限责任公司 环氧树脂的硬化剂组合物
JP5689886B2 (ja) 2009-09-22 2015-03-25 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー エピスルフィド樹脂の調製方法
EP2480587A1 (en) 2009-09-25 2012-08-01 Dow Global Technologies LLC Curable epoxy resin compositions and composites made therefrom
EP2483353B1 (en) 2009-09-30 2013-10-30 Dow Global Technologies LLC Epoxy resin compositions
JP5527600B2 (ja) * 2009-10-07 2014-06-18 日立化成株式会社 エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた電子部品装置
CN105713179A (zh) 2009-11-12 2016-06-29 陶氏环球技术有限责任公司 聚噁唑烷酮树脂
SG181486A1 (en) 2009-12-02 2012-07-30 Dow Global Technologies Llc Coating compositions
WO2011068643A2 (en) 2009-12-02 2011-06-09 Dow Global Technologies Inc. Composite compositions
SG181461A1 (en) 2009-12-02 2012-07-30 Dow Global Technologies Llc Epoxy resin compositions
CN102648229A (zh) 2009-12-03 2012-08-22 陶氏环球技术有限责任公司 基于二乙烯基芳烃氧化物的加合物
JP5902625B2 (ja) 2009-12-08 2016-04-13 ブルー キューブ アイピー エルエルシー ヒドロキシル官能性ポリエステル樹脂
BR112012013527A2 (pt) 2009-12-09 2016-08-02 Dow Global Technologies Llc composição de resina epóxi, composição de resina epóxi curável e processo para preparar uma composição de resina epóxi
TW201136976A (en) 2009-12-09 2011-11-01 Dow Global Technologies Llc Divinylarene dioxide resins
WO2011097009A2 (en) 2010-02-02 2011-08-11 Dow Global Technologies Llc Curable epoxy resin compositions
EP2550310B1 (en) 2010-03-24 2018-05-02 Blue Cube IP LLC Epoxy resin compositions comprising poly(propylene oxide) polyol as toughening agent
WO2011146106A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Dow Global Technologies Llc Hardeners for thermosettable resin compositions
MX2013000247A (es) 2010-06-25 2013-10-01 Dow Global Technologies Llc Composiciones de resina epoxica curable y compuestos preparados a partir de las mismas.
CN102958972A (zh) 2010-06-25 2013-03-06 陶氏环球技术有限责任公司 聚合物混凝土组合物
WO2012009118A2 (en) * 2010-06-28 2012-01-19 Dow Global Technologies Llc Curable resin compositions
US20110315916A1 (en) * 2010-06-29 2011-12-29 Dow Global Technologies Inc. Curable composition
EP2617752B1 (en) * 2010-09-15 2018-07-25 Nippon Shokubai Co., Ltd. Composition usable as thermal-latent polymerization initiator
TWI480308B (zh) * 2010-11-05 2015-04-11 Nippon Catalytic Chem Ind Cationic hardening resin composition
WO2012148815A1 (en) 2011-04-26 2012-11-01 Dow Global Technologies Llc Curable compositions
JP6162698B2 (ja) 2011-08-18 2017-07-12 ブルー キューブ アイピー エルエルシー 硬化型樹脂組成物
CN103764706B (zh) 2011-08-18 2016-12-14 蓝立方知识产权公司 可固化树脂组合物
EP2776503A1 (en) 2011-11-08 2014-09-17 Dow Global Technologies LLC Bimodal toughening agents for thermosettable epoxy resin compositions
CN103974993B (zh) 2011-12-01 2017-03-08 蓝立方知识产权有限责任公司 用于硬化剂的液体促进剂组合物
US9006357B2 (en) * 2011-12-29 2015-04-14 3M Innovative Properties Company Curable polysiloxane composition
CA2861797A1 (en) 2011-12-30 2013-07-04 Dow Global Technologies Llc Low temperature curable epoxy system
EP2836675A4 (en) 2012-04-09 2015-10-07 Mi Llc HEATING TRIGGERED FROM DRILLING WELL FLUIDS BY CARBON-BASED NANOMATHERS
JP5815463B2 (ja) * 2012-04-27 2015-11-17 株式会社日本触媒 カチオン硬化触媒の製造方法
JP2013234231A (ja) * 2012-05-07 2013-11-21 Nippon Shokubai Co Ltd カチオン硬化性樹脂組成物
JP2016501943A (ja) 2012-12-14 2016-01-21 ブルー キューブ アイピー エルエルシー 硬化性組成物
WO2014093117A1 (en) 2012-12-14 2014-06-19 Dow Global Technologies Llc Modified epoxy resins
WO2014197834A1 (en) 2013-06-06 2014-12-11 Halliburton Energy Services, Inc. Fluid loss well treatment
EP2829570A1 (en) 2013-07-22 2015-01-28 Rhodia Operations Curable composition and process for the manufacture of an epoxy thermoset
WO2015001061A1 (en) 2013-07-03 2015-01-08 Rhodia Operations Curable composition and process for the manufacture of an epoxy thermoset
EP3110870B2 (en) * 2014-02-24 2023-08-09 Sika Technology AG Furan-based amines as curing agents for epoxy resins in low voc applications
WO2016053641A1 (en) 2014-09-29 2016-04-07 Blue Cube Ip Llc Adduct composition
KR102391148B1 (ko) 2014-10-10 2022-04-26 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 계면활성제 조성물
TW201641531A (zh) 2015-04-30 2016-12-01 藍色立方體有限責任公司 硬化劑組成物
JP2019510090A (ja) 2016-01-04 2019-04-11 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 低減された表面粗さを有する繊維複合材及びそれらを作製する方法
CN110325355A (zh) 2017-02-26 2019-10-11 陶氏环球技术有限责任公司 具有降低的表面粗糙度的纤维复合材料及其制造方法
US20200190390A1 (en) 2017-08-15 2020-06-18 Covestro Llc Additive to flexibilize epoxy-based resins for use in oil field applications
TWI654218B (zh) 2018-01-08 2019-03-21 財團法人工業技術研究院 樹脂組合物與導熱材料的形成方法
US20190390065A1 (en) 2018-06-22 2019-12-26 Covestro Llc Waterborne compositions containing organic ion-exchangers to improve corrosion resistance
US20190390064A1 (en) 2018-06-22 2019-12-26 Covestro Llc Solventborne compositions containing inorganic ion-exchangers to improve corrosion resistance
US20190390066A1 (en) 2018-06-22 2019-12-26 Covestro Llc Waterborne compositions containing inorganic ion-exchangers to improve corrosion resistance
US20190390063A1 (en) 2018-06-22 2019-12-26 Covestro Llc Solventborne compositions containing organic ion-exchangers to improve corrosion resistance
WO2020005393A1 (en) 2018-06-26 2020-01-02 Dow Global Technologies Llc Fibre-reinforced composite and process of making this composite
US11685817B2 (en) 2019-06-04 2023-06-27 Dow Silicones Corporation Bridged frustrated Lewis pairs as thermal trigger for reactions between Si-H and epoxide
JP7306903B2 (ja) * 2019-07-17 2023-07-11 株式会社ダイセル 硬化性組成物、及び繊維強化複合材料

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2970130A (en) 1958-01-07 1961-01-31 Westinghouse Electric Corp Catalysts for glycidyl polyethers, products produced thereby and method of producing said catalysts
US3255153A (en) * 1960-11-14 1966-06-07 United States Borax Chem Curing epoxy resins with aminoborane curing agents
US3347827A (en) 1964-10-21 1967-10-17 Callery Chemical Co Epoxide resin composition containing an amine borane accelerator
DE3716372A1 (de) 1987-05-15 1988-11-24 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur herstellung von organopolysiloxanen und ein neues organopolysiloxan
WO1990003990A2 (en) * 1988-10-05 1990-04-19 E.I. Du Pont De Nemours And Company Curing agents for epoxy/anhydride resins
US5106928A (en) 1991-04-29 1992-04-21 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Acrylic adhesive composition and organoboron initiator system
US5280119A (en) * 1991-11-01 1994-01-18 Boron Biologicals, Inc. Heterocyclic amine-boranes, and method of inhibiting DNA topoisomerase activity and/or combatting inflammation, hyperlipidemia, and/or neoplasia using amine-borane compounds
JPH0687948A (ja) * 1992-09-07 1994-03-29 Three Bond Co Ltd エポキシ樹脂組成物
EP0621295B1 (en) * 1993-03-23 1999-03-03 Reilly Industries, Inc. Triethylenediamine and bicyclic amidine based catalysts and use in thermosettable compositions
US5721183A (en) * 1995-03-10 1998-02-24 The Dow Chemical Company Catalyst system comprising amine or phosphine adducts of tris(organyl)borane compounds
US6180696B1 (en) * 1997-02-19 2001-01-30 Georgia Tech Research Corporation No-flow underfill of epoxy resin, anhydride, fluxing agent and surfactant
JP3883149B2 (ja) * 1997-12-19 2007-02-21 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物、並びにそれを用いた半導体封止材料および積層板
ATE243700T1 (de) * 1998-02-20 2003-07-15 Dow Global Technologies Inc Expandierte anionen enthaltende katalysatoraktivatoren
US20020010291A1 (en) * 1998-12-04 2002-01-24 Vince Murphy Ionic liquids and processes for production of high molecular weight polyisoolefins
FR2800380B1 (fr) 1999-10-29 2002-01-18 Rhodia Chimie Sa Amorceur de polymerisation et/ou reticulation de polyorganosiloxanes a groupements fonctionnels reticulables, compositions correspondantes et leurs utlisations
US6806330B1 (en) * 1999-12-17 2004-10-19 Dow Global Technologies Inc. Amine organoborane complex polymerization initiators and polymerizable compositions
FR2806930B1 (fr) 2000-04-04 2002-06-28 Rhodia Chimie Sa Utilisation d'un derive de bore a titre de catalyseur thermoactivable pour la polymerisation et/ou reticulation de silicone par deshydrogenocondensation
GB0009289D0 (en) 2000-04-15 2000-05-31 Dow Corning Process for the condensation of compounds having silicon bonded hydroxy or alkoxy groups
US7176269B2 (en) * 2000-07-25 2007-02-13 Mitsui Chemicals, Inc. Curable composition and its use
US6667194B1 (en) 2000-10-04 2003-12-23 Henkel Loctite Corporation Method of bonding die chip with underfill fluxing composition
US6458472B1 (en) * 2001-01-08 2002-10-01 Henkel Loctite Corporation Fluxing underfill compositions
FR2824835A1 (fr) 2001-05-15 2002-11-22 Rhodia Chimie Sa Composition silicone polymerisable reticulable par voie cationique, sous activation thermique et au moyen d'un amorceur de type adduit acide/base de lewis
US6617401B2 (en) 2001-08-23 2003-09-09 General Electric Company Composition comprising cycloaliphatic epoxy resin, 4-methylhexahydrophthalic anhydride curing agent and boron catalyst
CN1622940A (zh) * 2002-01-17 2005-06-01 通用电气公司 弱配位咪唑烷阴离子的鎓盐作为阳离子引发剂
US6762260B2 (en) * 2002-03-05 2004-07-13 Dow Global Technologies Inc. Organoborane amine complex polymerization initiators and polymerizable compositions
US20040102529A1 (en) 2002-11-22 2004-05-27 Campbell John Robert Functionalized colloidal silica, dispersions and methods made thereby
US20050048700A1 (en) 2003-09-02 2005-03-03 Slawomir Rubinsztajn No-flow underfill material having low coefficient of thermal expansion and good solder ball fluxing performance
US7064173B2 (en) 2002-12-30 2006-06-20 General Electric Company Silicone condensation reaction
US7241851B2 (en) 2002-12-30 2007-07-10 Momentive Performance Materials Inc. Silicone condensation reaction
JP3952189B2 (ja) 2003-02-06 2007-08-01 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
CN1989178A (zh) 2004-05-20 2007-06-27 通用电气公司 硅氧烷缩合反应
US20060011295A1 (en) * 2004-07-14 2006-01-19 Karsten Danielmeier Aspartic ester functional compounds
US20060211836A1 (en) 2005-03-15 2006-09-21 General Electric Company Disproportionation of hydridosiloxanes and crosslinked polysiloxane network derived therefrom

Also Published As

Publication number Publication date
CN101257973B (zh) 2014-07-30
EP1926554A2 (en) 2008-06-04
KR20080034438A (ko) 2008-04-21
WO2007001803A3 (en) 2007-03-15
US20060293172A1 (en) 2006-12-28
KR101391784B1 (ko) 2014-05-07
CN101257973A (zh) 2008-09-03
WO2007001803A2 (en) 2007-01-04
US8048819B2 (en) 2011-11-01
EP2283922A2 (en) 2011-02-16
CN102786665A (zh) 2012-11-21
JP2008544067A (ja) 2008-12-04
BRPI0612009A2 (pt) 2010-10-13
EP2283922A3 (en) 2013-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008102366A (ru) Катализатор отверждения, композиция, электронное устройство и сопутствующий способ
JP6170904B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、それを用いた半導体装置及び半導体製造方法
KR101151063B1 (ko) 전자 부품용 액상 수지 조성물 및 전자 부품 장치
US9123689B2 (en) Epoxy resin composition, method for producing same, and semiconductor device using same
KR101625687B1 (ko) 열전도성 접착제
TWI733855B (zh) 熱硬化性組成物、硬化膜、彩色濾光片、液晶顯示元件及觸控面板裝置
JP6075564B2 (ja) ディスプレイ基板用樹脂組成物
US20160186024A1 (en) Liquid underfill material composition for sealing semiconductor and flip-chip semiconductor device
JP2016156002A (ja) 硬化性樹脂組成物及びそれを用いてなる封止材
JP6008638B2 (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP4771414B2 (ja) ポリイミドシリコーン樹脂及びそれを含む熱硬化性組成物
CN109096471A (zh) 一种新型P-N-Si协同阻燃性环氧树脂固化剂及其制备方法
JP3283606B2 (ja) オルガノポリシロキサン及びこれを含有するエポキシ樹脂組成物
TW201723092A (zh) 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置
TW201127864A (en) Semiconductor-sealing epoxy resin composition and semiconductor device
JP6946382B2 (ja) 耐光減衰エポキシ樹脂及びその使用
JPH05194747A (ja) 硬化性樹脂及びその製造方法並びに電子部品用保護膜
WO2016132889A1 (ja) 硬化性樹脂組成物及びそれを用いてなる封止材
KR101914219B1 (ko) 광경화성 접착제
JP2005272483A (ja) 硬化性化合物、その硬化物および電子部品装置
JP3003289B2 (ja) ペースト状被覆組成物及びこれを用いた半導体装置
JPH05287172A (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH02117913A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2009203266A (ja) 一液型エポキシ樹脂組成物
JPH05194746A (ja) 硬化性樹脂、その溶液及びその製造法並びに電子部品用保護膜

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20100111