RU2006105325A - СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКОВ MoO2, ПРОДУКТЫ, ИЗГОТОВЛЕННЫЕ ИЗ ПОРОШКОВ MoO2, ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК MoO2 И СПОСОБЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ТАКИХ МАТЕРИАЛОВ - Google Patents
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКОВ MoO2, ПРОДУКТЫ, ИЗГОТОВЛЕННЫЕ ИЗ ПОРОШКОВ MoO2, ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК MoO2 И СПОСОБЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ТАКИХ МАТЕРИАЛОВ Download PDFInfo
- Publication number
- RU2006105325A RU2006105325A RU2006105325/15A RU2006105325A RU2006105325A RU 2006105325 A RU2006105325 A RU 2006105325A RU 2006105325/15 A RU2006105325/15 A RU 2006105325/15A RU 2006105325 A RU2006105325 A RU 2006105325A RU 2006105325 A RU2006105325 A RU 2006105325A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- moo
- optical device
- film
- group
- thin film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 22
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims 11
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims 2
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 title 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 63
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 7
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 5
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 4
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims 4
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 claims 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims 2
- XUFUCDNVOXXQQC-UHFFFAOYSA-L azane;hydroxy-(hydroxy(dioxo)molybdenio)oxy-dioxomolybdenum Chemical class N.N.O[Mo](=O)(=O)O[Mo](O)(=O)=O XUFUCDNVOXXQQC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 claims 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 claims 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000005609 naphthenate group Chemical group 0.000 claims 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 claims 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 claims 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims 1
- AQAQCQRURWUZHG-UHFFFAOYSA-N ethyl hexanoate;molybdenum Chemical compound [Mo].CCCCCC(=O)OCC AQAQCQRURWUZHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G39/00—Compounds of molybdenum
- C01G39/02—Oxides; Hydroxides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/50—Solid solutions
- C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/20—Particle morphology extending in two dimensions, e.g. plate-like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
- C01P2004/82—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases
- C01P2004/84—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases one phase coated with the other
- C01P2004/86—Thin layer coatings, i.e. the coating thickness being less than 0.1 time the particle radius
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/10—Solid density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Claims (94)
1. Способ получения порошка МоО2 высокой чистоты, включающий
(а) помещение молибденового компонента в печь, причем молибденовый компонент выбран из группы, состоящей из соли димолибдата аммония, триоксида молибдена и их сочетаний, и
(б) нагревание молибденового компонента в печи в восстановительной атмосфере при температуре менее 700°С и таким образом формирование порошка MoO2 высокой чистоты.
2. Способ по п.1, где порошок МоО2 характеризуется тем, что он имеет чистоту более 99,95% и содержит более 99% фазы MoO2.
3. Способ по п.1, где порошок МоО2 представляет собой более чем 99% стехиометрический порошок МоО2.
4. Способ по п.1, где молибденовый компонент нагревают в течение периода в пределах от 15 мин до около 4 ч.
5. Способ по п.1, где печь выбрана из группы, состоящей из стационарных трубчатых печей, вращающихся трубчатых печей и обжиговых печей.
6. Способ по п.1, где восстановительная атмосфера содержит водород.
7. Способ по п.1, где 6,8 кг димолибдата аммония помещают в плоскодонную лодочку и эту лодочку нагревают в стационарной трубчатой печи в течение от 2 до 3 ч при температуре в пределах от 500 до 700°С.
8. Порошок MoO2, содержащий более 99% стехиометрического количества МоО2.
9. Способ изготовления пластины, включающий
(а) изостатическое прессование компонента из более чем 99%-ного стехиометрического порошка МоО2 в заготовку,
(б) спекание в вакууме этой заготовки при условиях поддержания более 99%-ной стехиометрии MoO2 и
(в) формирование пластины, включающей более 99% стехиометрического МоО2.
10. Способ по п.9, где эта заготовка является спеченной в вакууме в течение 6 ч при температуре по меньшей мере 1250°С.
11. Способ по п.9, где порошок МоО2 подвергают изостатическому прессованию при давлении в пределах от 10000 до 40000 фунтов на квадратный дюйм.
12. Способ по п.9, где пластину подвергают горячему изостатическому прессованию.
13. Способ по п.9, где пластина имеет плотность, которая составляет от 90 до 100% от теоретической плотности MoO2.
14. Пластина, изготовленная в соответствии со способом по п.9.
15. Способ распыления, включающий подвергание пластины, содержащей более чем 99% стехиометрического MoO2, воздействию условий распыления и тем самым распыление пластины.
16. Способ по п.15, где распыление проводят с использованием способа распыления, выбранного из группы, состоящей из магнетронного распыления, импульсного лазерного распыления, ионно-лучевого распыления, триодного распыление и их сочетания.
17. Способ изготовления тонкой пленки, включающий стадии
(а) распыления пластины, содержащей более 99% стехиометрического МоО2,
(б) удаления молекул MoO2 с пластины и
(в) нанесения молекул МоО2 на субстрат и тем самым формирования тонкой пленки.
18. Способ по п.17, где тонкая пленка имеет толщину в пределах от 0,5 нм до 10 мкм.
19. Способ по п.17, где способ распыления выбран из группы, состоящей из магнетронного распыления, импульсного лазерного распыления, ионно-лучевого распыления, триодного распыление и их сочетания.
20. Тонкая пленка, изготовленная в соответствии со способом по п.16.
21. Тонкая пленка по п.20, где эта тонкая пленка имеет работу выхода, которая выше, чем работа выхода пленки из оксида индия и олова, имеющей те же самые размеры.
22. Тонкая пленка по п.20, где эта пленка имеет работу выхода от около 4,5 до около 6 эВ.
23. Тонкая пленка по п.20, где эта тонкая пленка имеет шероховатость поверхности, которая меньше, чем шероховатость поверхности тонкой пленки из оксида индия и олова.
24. Тонкая пленка по п.20, где эта тонкая пленка имеет шероховатость, которая менее около 5 нм.
25. Тонкая пленка по п.20, где эта тонкая пленка имеет среднее пропускание более 85% при длине волны от 350 до 800 нм.
26. Тонкая пленка по п.20, где эта тонкая пленка имеет удельное сопротивление менее 300 мк Ω·см.
27. Тонкая пленка по п.20, где толщина этой тонкой пленки располагается в пределах от около 50 до около 2500 
.
28. Органический светоизлучающий диод, включающий
(а) металлический электрод,
(б) электронный транспортный слой,
(в) эмиттерный слой,
(г) слой электропроводного полимера и
(д) тонкую пленку, включающую более около 99% стехиометрического MoO2, где эта тонкая пленка расположена на субстрате.
29. Органический светоизлучающий диод по п.28, где субстрат выбран из группы, состоящей из пластмассовых субстратов, стеклянных субстратов, керамических субстратов и их сочетаний.
30. Органический светоизлучающий диод по п.28, где пластмассовый субстрат включает одну или несколько пластмасс, выбранных из группы, состоящей из полинор-борнена, полиимида, полиарилата, поликарбоната, полиэтиленнафтената и полиэтилентерефталата.
31. Органический светоизлучающий диод по п.28, где керамический субстрат представляет собой сапфир.
32. Элемент, включающий мишень ионного распыления, где эта мишень ионного распыления включает обработанную пластину из МоО2 высокой чистоты.
33. Элемент по п.32, где эту пластину обрабатывают методами лазерной резки, фрезерования, кантования и обработки на токарном станке.
34. Элемент по п.32, где эта мишень ионного распыления является кольцевой, и мишень ионного распыления имеет диаметр в пределах от 2,54 до 63,5 см.
35. Элемент по п.32, где эта мишень имеет толщину в пределах от около 0,15 до около 20 см.
36. Оптическое дисплейное устройство, включающее пленку, содержащую более около 99% стехиометрического МоО2, расположенную на по меньшей мере части субстрата.
37. Оптическое устройство по п.36, где эту пленку формируют путем
(а) распыления пластины, включающей более 99% стехиометрического MoO2,
(б) удаления молекул MoO2 с пластины и
(в) нанесения молекул MoO2 на субстрат, тем самым формируя тонкую пленку MoO2.
38. Оптическое устройство по п.36, где пленку формируют путем
(а) распыления пластины, включающей более около 99% Мо,
(б) удаления молекул Мо с пластины и
(в) формирования молекул MoO2 при парциальном давлении кислорода в камере для получения тонкой пленки МоО2 на субстрате.
39. Оптическое устройство по п.36, где тонкая пленка имеет толщину в пределах от 0,5 нм до 10 мкм.
40. Оптическое устройство по п.37, где способ распыления выбран из группы, состоящей из магнетронного распыления, импульсного лазерного распыления, ионно-лучевого распыления, триодного распыление и их сочетания.
41. Оптическое устройство по п.36, где пленка имеет работу выхода от 4,5 до 6 эВ.
42. Оптическое устройство по п.36, где пленка имеет шероховатость, которая составляет менее около 5 нм.
43. Оптическое устройство по п.36, где пленка имеет среднее пропускание более 85% при длине волны от около 350 до около 800 нм.
44. Оптическое устройство по п.36, где пленка имеет удельное сопротивление менее около 300 мк Ω·см.
45. Оптическое устройство по п.36, где пленка имеет толщину от около 50 до около 2500 .
46. Оптическое устройство по п.36, где оптическое устройство представляет собой органический светоизлучающий диод, а пленка, содержащая MoO2, является анодом.
47. Оптическое устройство по п.36, где органический светоизлучающий диод включает
(а) металлический катод,
(б) электронный транспортный слой,
(в) эмиттерный слой,
(г) дырочный транспортный слой и
(д) пленку, включающую МоО2, в качестве анодного слоя.
48. Оптическое устройство по п.46, где тонкая пленка расположена на субстрате, выбранном из группы, состоящей из пластмассовых субстратов, стеклянных субстратов, керамических субстратов и их сочетаний.
49. Оптическое устройство по п.48, где пластмассовый субстрат включает одну или несколько пластмасс, выбранных из группы, состоящей из полинорборнена, полиимида, полиарилата, поликарбоната, полиэтиленнафтената и полиэтилентерефталата.
50. Оптическое устройство по п.48, где керамический субстрат представляет собой сапфир.
51. Оптическое устройство по п.36, где оптическое устройство представляет собой светоизлучающий диод, а пленка, содержащая MoO2, является омическим контактом.
52. Оптическое устройство по п.51, где тонкая пленка представляет собой металлический контакт p-типа.
53. Оптическое устройство по п.51, где тонкая пленка представляет собой металлический контакт n-типа.
54. Оптическое устройство по п.51, где светоизлучающий диод включает
(а) субстрат,
(б) буферный слой,
(в) полупроводниковый материал N-типа,
(г) p-n переходный слой,
(д) полупроводниковый материал P-типа,
(е) металлический контакт p-типа и
(ж) металлический контакт n-типа.
55. Оптическое устройство по п.54, где субстрат включает материал, выбранный из группы, состоящей из сапфира, SiC, Si, GaN, GaP, GeSi, AlN и их сочетаний.
56. Оптическое устройство по п.54, где буферный слой включает одно или несколько соединений элементов группы IIIB и элементов группы VB периодической таблицы элементов.
57. Оптическое устройство по п.56, где буферный слой включает AlN, GaN или их сочетание.
58. Оптическое устройство по п.54, где полупроводниковый материал N-типа включает одно или несколько соединений, допированных одним или несколькими элементами, выбранными из Si, Se, Те и S, и эти соединения выбраны из соединений элементов группы IIIB и элементов группы VB периодической таблицы элементов и соединений, выбранных из соединений элементов группы IIB и элементов группы VIB периодической таблицы элементов.
59. Оптическое устройство по п.58, где соединения элементов группы IIIB и элементов группы VB представляют собой допированные Si соединения, выбранные из группы, состоящей из GaN, GaAs, GaAlAs, AlGaN, GaP, GaAsP, GaInN, AlGaInN, AlGaAs, AlGaInP, PbSnTe, PbSnSe и их сочетаний.
60. Оптическое устройство по п.58, где соединения элементов группы IIB и элементов группы VIB представляют собой допированные Si соединения, выбранные из ZnSSe, ZnSe, SiC и их сочетаний.
61. Оптическое устройство по п.54, где металлический контакт n-типа включает материал, выбранный из металлов Ti/Au, проводящего оксида MoO2 и MoO2/металла, где этот металл выбран из Ti, Au и их сочетаний.
62. Оптическое устройство по п.54, где полупроводниковый материал P-типа включает одно или несколько соединений, допированных одним или несколькими элементами, выбранными из Mg, Zn и С, и эти соединения выбраны из соединений элементов группы IIIB и элементов группы VB периодической таблицы элементов и соединений, выбранных из соединений элементов группы IIB и элементов группы VIB периодической таблицы элементов.
63. Оптическое устройство по п.62, где соединения элементов группы IIIB и элементов группы VB представляют собой допированные Mg соединения, выбранные из группы, состоящей из GaN, GaAs, GaAlAs, AlGaN, GaP, GaAsP, GaInN, AlGaInN, AlGaAs, AlGaInP, PbSnTe, PbSnSe и их сочетаний.
64. Оптическое устройство по п.58, где соединения элементов группы IIB и элементов группы VIB представляют собой допированные Mg соединения, выбранные из ZnSSe, ZnSe, SiC и их сочетаний.
65. Оптическое устройство по п.54, где металлический контакт p-типа включает материал, выбранный из прозрачного проводящего оксида, содержащего MoO2, и пленок, содержащих MoO2,/металл, где этот металл выбран из Ag, Au и их сочетаний.
66. Оптическое устройство по п.36, где оптическое устройство представляет собой жидкокристаллический дисплей, а пленка, содержащая MoO2, является одним или несколькими из следующего: общего электрода, пиксельного электрода, электрода затвора, электрода истока, электрода стока, электрода накопительной емкости и их сочетаний.
67. Оптическое устройство по п.66, где жидкокристаллический дисплей включает тонкопленочный диод или элемент тонкопленочного транзисторного переключателя.
68. Оптическое устройство по п.66, где жидкокристаллический дисплей включает
A) стеклянный субстрат,
Б) электрод истока,
B) электрод стока,
Г) подзатворный диэлектрик,
Д) электрод затвора,
Е) слой аморфного кремния, поликристаллического кремния или монокристалла кремния,
Ж) слой n-допированного кремния,
З) пассивирующий слой,
И) прозрачный пиксельный электрод,
К) общий электрод,
Л) полиимидный ориентирующий слой и
М) электрод накопительной емкости.
69. Оптическое устройство по п.68, где прозрачный пиксельный электрод и общий электрод включают пленку, содержащую MoO2.
70. Оптическое устройство по п.36, где оптическое устройство представляет собой плазменную дисплейную панель, а пленка, содержащая МоО2, является положительным или отрицательным электродом.
71. Оптическое устройство по п.70, где плазменная дисплейная панель включает
A) переднюю стеклянную пластину,
Б) диэлектрическую пленку,
B) слой MgO,
Г) ионизированный газ,
Д) сепаратор,
Е) один или несколько люминофоров,
Ж) заднюю стеклянную пластину.
72. Оптическое устройство по п.71, где заднее стекло покрыто пленкой MoO2.
73. Оптическое устройство по п.36, где оптическое устройство представляет собой дисплей с автоэлектронной эмиссией, а пленка, содержащая MoO2, является электродным материалом анода или катода.
74. Оптическое устройство по п.73, где дисплей с автоэлектронной эмиссией включает
A) стеклянную лицевую пластину анода,
Б) люминофор,
B) спейсер,
Г) микронаконечник,
Д) горизонтальный и вертикальный катоды и
Е) стеклянную несущую пластину.
75. Оптическое устройство по п.74, где стеклянная лицевая пластина А) покрыта пленкой, содержащей МоО2.
76. Оптическое устройство по п.74, где по меньшей мере один из горизонтальных и вертикальных катодов Д) включает пленку, содержащую МоО2.
77. Оптическое устройство по п.36, где оптическое устройство представляет собой солнечный элемент, а пленка, содержащая MoO2, представляет собой одно или несколько из следующего: электрических контактов, прозрачного контакта и верхнего p-n переходного слоя.
78. Оптическое устройство по п.77, где солнечный элемент включает
A) покровное стекло,
Б) верхний электрический контактный слой,
B) прозрачный контакт,
Г) верхний p-n переходный слой,
Д) поглощающий слой
Е) задний электрический контакт и
Ж) субстрат.
79. Оптическое устройство по п.78, где прозрачный контакт В) включает пленку, содержащую MoO2.
80. Оптическое устройство по п.78, где верхний p-n переходный слой Г) включает пленку, содержащую MoO2.
81. Оптическое устройство по п.78, где покровное стекло А) включает просветляющее покрытие.
82. Оптическое устройство по п.81, где просветляющее покрытие включает пленку, содержащую МоО2, пленку Si3N4, титано-кремнеземную пленку и их сочетания.
83. Оптическое устройство по п.36, в которое включены одна или несколько пленок, содержащих МоО2, выбранные из группы, состоящей из пленки из единственной фазы MoO2, пленки из допированной примесями МоО2, пленки из оксида олова, допированного MoO2, оксида индия и олова, допированного MoO2, ZnO/In2O3, допированного МоО2, ZnO/SnO2/In2O3, допированного MoO2, пленки из ZnO, допированного МоО2, пленок из SnO2, допированного МоО2, пленки из ZnO/Al2О3, допированного МоО2, Ga/ZnO, допированного MoO2, GaO/ZnO, допированного MoO2, пленки из станната цинка (Zn2SnO4), допированного MoO2, и композитной пленки MoO2-МоО3.
84. Оптическое устройство по п.37, где пластина распыления является квадратной или прямоугольной по форме.
85. Оптическое устройство по п.84, где эта пластина имеет размеры в пределах 2,5 см×2,5 см для квадрата и 2,5 см×3 см для прямоугольника.
86. Оптическое устройство по п.37, где мишень ионного распыления из MoO2 или содержащая MoO2 прикреплена к опорной пластине для формирования мишени ионного распыления большой площади.
87. Оптическое устройство по п.86, где используют способ распыления, формирующий сегменты.
88. Оптическое устройство по п.87, где размер мишени ионного распыления большой площади может быть до 6 м×5,5 м.
89. Оптическое устройство по п.37, где мишень ионного распыления из МоО2 или содержащая МоО2 имеет толщину в пределах от 0,15 до 20 см.
90. Оптическое устройство по п.36, где пленку формируют с использованием одного или нескольких способов, выбранных из группы, состоящей из металлоорганического химического осаждения из паровой фазы (МОХОП), металлоорганического осаждения (МОО) и золь-гелевого метода.
91. Оптическое устройство по п.90, где золь-гелевый метод использует металлоорганические реактивы, включая ацетилацетонат молибдена.
92. Оптическое устройство по п.90, где методики МОХОП или МОО используют металлоорганические реактивы, включая этилгексаноат молибдена.
93. Способ изготовления пластины, включающий подвергание компонента из порошка более 99% стехиометрического МоО2 условиям горячего прессования, и тем самым формирование пластины, которая включает более 99% стехиометрического MoO2.
94. Способ по п.93, где горячее прессование проводят с переходной жидкой фазой, способствующей горячему прессованию.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US48921703P | 2003-07-22 | 2003-07-22 | |
| US60/489,217 | 2003-07-22 | ||
| US54091104P | 2004-01-30 | 2004-01-30 | |
| US60/540,911 | 2004-01-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2006105325A true RU2006105325A (ru) | 2006-07-27 |
| RU2396210C2 RU2396210C2 (ru) | 2010-08-10 |
Family
ID=34526240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006105325/15A RU2396210C2 (ru) | 2003-07-22 | 2004-06-29 | ПОРОШОК MoO2, СПОСОБЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИНЫ ИЗ ПОРОШКА MoO2 (ИХ ВАРИАНТЫ), ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ ИЗ НЕЕ, СПОСОБ РАСПЫЛЕНИЯ С ПРИМЕНЕНИЕМ УКАЗАННОЙ ПЛАСТИНЫ |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (2) | EP1648828A2 (ru) |
| JP (1) | JP2007500661A (ru) |
| AU (1) | AU2004284043A1 (ru) |
| BR (1) | BRPI0412811A (ru) |
| CA (1) | CA2533110A1 (ru) |
| IL (1) | IL172808A0 (ru) |
| RU (1) | RU2396210C2 (ru) |
| WO (1) | WO2005040044A2 (ru) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005045350B4 (de) * | 2005-09-22 | 2009-07-16 | Siemens Ag | Druckschablone eines SMT-Prozesses |
| US20070071985A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-03-29 | Prabhat Kumar | Sputtering target, low resistivity, transparent conductive film, method for producing such film and composition for use therein |
| US7452488B2 (en) * | 2006-10-31 | 2008-11-18 | H.C. Starck Inc. | Tin oxide-based sputtering target, low resistivity, transparent conductive film, method for producing such film and composition for use therein |
| JP5214194B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2013-06-19 | 住友化学株式会社 | 金属ドープモリブデン酸化物層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子及び製造方法 |
| GB0803702D0 (en) | 2008-02-28 | 2008-04-09 | Isis Innovation | Transparent conducting oxides |
| GB0915376D0 (en) | 2009-09-03 | 2009-10-07 | Isis Innovation | Transparent conducting oxides |
| KR101259599B1 (ko) | 2011-03-08 | 2013-04-30 | 한국생산기술연구원 | Ｃｉｇｓ 태양전지의 배면전극용 몰리브덴 스퍼터링 타겟 제조방법 |
| JP6108858B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2017-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ｐ型半導体材料および半導体装置 |
| US9045897B2 (en) | 2012-03-23 | 2015-06-02 | Korea Institute Of Industrial Technology | Infrared ray blocking multi-layered structure insulating film having thermal anisotropy |
| KR101480966B1 (ko) * | 2013-03-12 | 2015-01-15 | 한국생산기술연구원 | 근적외선영역의 선택적 차단기능을 갖는 이산화몰리브덴 분산졸 조성물의 제조방법 및 단열필름의 제조방법 |
| JP5826094B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2015-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ｐ型半導体材料、および光電変換装置の作製方法 |
| CN103482998B (zh) * | 2012-06-15 | 2015-05-13 | 南京理工大学 | 二氧化锡管式陶瓷膜的制备方法 |
| JP6466744B2 (ja) | 2014-03-11 | 2019-02-06 | パナソニック株式会社 | 乱層構造物質、蓄電デバイス用活物質材料、電極および蓄電デバイス |
| EP3018111A1 (en) | 2014-11-07 | 2016-05-11 | Plansee SE | Metal oxide thin film, method for depositing metal oxide thin film and device comprising metal oxide thin film |
| KR101980270B1 (ko) | 2017-06-13 | 2019-05-21 | 한국과학기술연구원 | P형 반도체의 오믹 컨택 형성을 위한 페이스트 및 이를 이용한 p형 반도체의 오믹 컨택 형성 방법 |
| CN109626434B (zh) * | 2018-12-28 | 2020-12-22 | 江苏峰峰钨钼制品股份有限公司 | 精制颗粒三氧化钼的制备方法 |
| RU2729049C1 (ru) * | 2019-12-26 | 2020-08-04 | Публичное акционерное общество "КАМАЗ" | Способ получения нанодисперсного порошка диоксида молибдена для изготовления анода твердооксидного топливного элемента |
| CN112359333B (zh) * | 2020-10-27 | 2022-11-04 | 金堆城钼业股份有限公司 | 一种制备大尺寸、高纯度、高致密度三氧化钼靶材的方法 |
| CN112359336B (zh) * | 2020-10-27 | 2023-05-26 | 金堆城钼业股份有限公司 | 一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法 |
| CN114916228B (zh) * | 2020-12-10 | 2023-08-15 | Lt金属株式会社 | 以钼氧化物为主成分的金属氧化物烧结体及包含其的溅射靶材 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4595412A (en) * | 1985-07-22 | 1986-06-17 | Gte Products Corporation | Production of molybdenum metal |
| JPS6330321A (ja) * | 1986-07-19 | 1988-02-09 | Tokyo Tungsten Co Ltd | 二酸化モリブデン粉末及びその製造方法 |
| JPS63222015A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-14 | Agency Of Ind Science & Technol | モリブデン酸塩含有水溶液から二酸化モリブデンの製造方法 |
-
2004
- 2004-06-29 RU RU2006105325/15A patent/RU2396210C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2004-06-29 BR BRPI0412811-7A patent/BRPI0412811A/pt not_active IP Right Cessation
- 2004-06-29 WO PCT/US2004/020932 patent/WO2005040044A2/en active Application Filing
- 2004-06-29 EP EP04816761A patent/EP1648828A2/en not_active Withdrawn
- 2004-06-29 EP EP09151622A patent/EP2072469A2/en not_active Withdrawn
- 2004-06-29 JP JP2006521084A patent/JP2007500661A/ja not_active Withdrawn
- 2004-06-29 CA CA002533110A patent/CA2533110A1/en not_active Abandoned
- 2004-06-29 AU AU2004284043A patent/AU2004284043A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-12-26 IL IL172808A patent/IL172808A0/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2396210C2 (ru) | 2010-08-10 |
| JP2007500661A (ja) | 2007-01-18 |
| AU2004284043A1 (en) | 2005-05-06 |
| WO2005040044A2 (en) | 2005-05-06 |
| EP1648828A2 (en) | 2006-04-26 |
| CA2533110A1 (en) | 2005-05-06 |
| WO2005040044A3 (en) | 2005-12-15 |
| EP2072469A2 (en) | 2009-06-24 |
| BRPI0412811A (pt) | 2006-09-26 |
| IL172808A0 (en) | 2006-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2006105325A (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКОВ MoO2, ПРОДУКТЫ, ИЗГОТОВЛЕННЫЕ ИЗ ПОРОШКОВ MoO2, ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК MoO2 И СПОСОБЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ТАКИХ МАТЕРИАЛОВ | |
| US7754185B2 (en) | Method of making MoO2 powders, products made from MoO2 powders, deposition of MoO2 thin films, and methods of using such materials | |
| US6806503B2 (en) | Light-emitting diode and laser diode having n-type ZnO layer and p-type semiconductor laser | |
| EP1045456B1 (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing compound semiconductor light-emitting device | |
| JP4231967B2 (ja) | 酸化物焼結体、その製造方法、透明導電膜、およびそれを用いて得られる太陽電池 | |
| TWI523960B (zh) | 氧化物蒸鍍材及其製造方法、與透明導電膜及太陽能電池 | |
| US8859104B2 (en) | Transparent conducting oxides | |
| JP2010050165A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、トランジスタ基板、発光装置、および、表示装置 | |
| KR20100048995A (ko) | 질화 갈륨의 에피택셜 성장용 기판 | |
| KR20070048780A (ko) | 투명 전도체, 투명 전극, 태양 전지, 발광 소자 및디스플레이 패널 | |
| TWI438287B (zh) | 氧化物蒸鍍材與蒸鍍薄膜以及太陽能電池 | |
| JP2009199986A (ja) | 酸化亜鉛系透明導電膜積層体と透明導電性基板およびデバイス | |
| CN1826290A (zh) | 制备MoO2 粉末的方法、由MoO2粉末制备的产品、MoO2薄膜的沉积以及使用这种材料的方法 | |
| JP2007258468A (ja) | 可視光透過半導体素子およびその製造方法 | |
| US20240052237A1 (en) | Composite material and preparation method therefor, and quantum dot light-emitting diode and preparation method therefor | |
| WO2018143280A1 (ja) | 非晶質酸化物半導体膜、酸化物焼結体、及び薄膜トランジスタ | |
| JP2011014884A (ja) | 光電変換装置 | |
| Poonthong et al. | Performance Analysis of Ti‐Doped In2O3 Thin Films Prepared by Various Doping Concentrations Using RF Magnetron Sputtering for Light‐Emitting Device | |
| US3413507A (en) | Injection el diode | |
| MXPA06000749A (en) | METHOD OF MAKING MoO2 | |
| CN1210817C (zh) | MgIn2O4/MgO复合衬底材料及其制备方法 | |
| Chen et al. | Improvement of electrical characteristics and wet etching procedures for InGaTiO electrodes in organic light-emitting diodes through hydrogen doping | |
| CN114807856A (zh) | 一种氟掺杂氧化铟锡透明导电薄膜及其制备方法 | |
| Pirposhte et al. | ZnO Thin Films: Fabrication Routes, and Applications | |
| CN113809253A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20100630 |