CN113809253A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件包括：阴极层，发光层和阳极层以及电子功能层。发光层，设于阴极层上；阳极层，设于发光层上；电子功能层，设于阴极层与发光层之间，电子功能层的材料包括氧化铟。该有机电致发光器件可以解决现有技术中有机电致发光器件中ETL层受材料影响，因而局限于传统的制作工艺制程制作，导致显示画面亮度不均匀的问题。

Description

有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

喷墨印刷有机发光二极管(Ink-JetPrinting OrganicLight-Emitting Diode，IJP OLED)是一种新型显示技术，其拥有LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)技术无法比拟的物理优势，具有主动发光，色彩真实，无限对比度，零延迟，透明显示、柔性显示、显示形态自由等特性，是可以替代液晶显示技术的下一代显示技术。IJP OLED显示技术由于不需要背光的支持，结构较液晶显示技术更为简单，显示产品体积可以做到更轻薄。而且，它的工作条件具备驱动电压低、能耗低、可与太阳能电池、集成电路等相匹配的一系列优点。由于IJPOLED器件是全固态、非真空器件，具有抗震荡、耐低温(-40℃)等特性，因此应用范围十分广泛。

在大尺寸面板方向，为应对高分辨率8K显示的需求，传统的IJP OLED结构也在发生转变，但目前发展的IJP OLED结构仍存在不少的问题，最关键的问题之一即现有的IJPOLED结构中电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)受材料影响，只能局限于传统的制作工艺进行制作，例如喷墨打印制作ETL层，使得ETL层的膜层形貌难以控制且膜厚均一性不好，因此较大程度影响显示装置的显示均一性，造成显示画面亮度不均匀。

发明内容

本申请实施例提供一种有机电致发光器件及其制备方法，以解决现有技术中有机电致发光器件中ETL层受材料影响，因而局限于传统的制作工艺制程制作，导致显示画面亮度不均匀的问题。

一方面，本申请实施例提供一种有机电致发光器件，包括：阴极层，发光层和阳极层以及电子功能层。发光层，设于所述阴极层上；阳极层，设于所述发光层上；其中，所述有机电致发光器件还包括电子功能层，所述电子功能层设于所述阴极层与所述发光层之间，所述电子功能层的材料包括氧化铟。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述电子功能层的材料还包括n型掺杂剂，且所述n型掺杂剂的质量比为0.1％-20％。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述n型掺杂剂包括过渡金属、稀土金属、及以上金属的金属化合物中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述稀土金属包括镧、铈、镨、钕、钐、铕、铽、钍、镝、钬、铒、钆、镱、镥、钇、锰中的至少一种；所述过渡金属包括锡、硅、锗、铅、钛、锆、钨、钼、钆、铌、锌中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述n型掺杂剂的材料为氧化锌，所述氧化锌的质量比为3％。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述有机电致发光器件还包括：第一基板，所述第一基板设于所述阴极层远离所述发光层的一侧。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述有机电致发光器件还包括：第二基板，所述第二基板设于所述阳极层远离所述发光层的一侧。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述电子功能层包括：

电子注入层，设于所述阴极层上；

电子传输层，设于所述电子注入层和所述发光层之间；其中，所述电子传输层的材料包括氧化铟。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光功能层还包括空穴传输层和空穴注入层，所述空穴传输层设于所述发光层上，所述空穴注入层设于所述空穴传输层与所述阳极层之间。

另一方面，本申请还提供一种有机电致发光器件的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

形成阴极层；

在所述阴极层上形成发光功能层，所述发光功能层包括电子功能层，所述电子功能层的材料包括氧化铟；

在所述发光功能层上形成阳极层。

本申请提供的有机电致发光器件，包括阴极层、发光层和阳极层，以及电子功能层，其中电子功能层使用的材料为氧化铟，由于氧化铟具有多晶结构和缺陷结构，使得电子功能层具有良好的n型半导体特性，能较好的满足有机电致发光器件载流子迁移率要求。具体而言，传统结构中受材料影响，因而局限于使用IJP的方式制作电子功能层，由于打印制作的膜层难以控制膜层形貌因而容易出现膜面不均的问题，因此较大程度影响显示装置的显示均一性，降低产品良率，本申请采用氧化铟作为电子功能层的材料，可以使用蒸镀或溅镀等工艺制程制作，有利于提高膜厚均一性，使膜面形貌较好，从而有利于提高显示装置的显示均一性，解决显示画面亮度不均匀的问题，提升产品生产良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的有机电致发光器件的第一种结构示意图；

图2是本申请实施例提供的有机电致发光器件的第二种结构示意图；

图3是本申请实施例提供的有机电致发光器件的第三种结构示意图；

图4是本申请实施例提供的有机电致发光器件的第四种结构示意图；

图5是本申请实施例提供的有机电致发光器件的制备方法的流程图。

100/200/300/400、有机电致发光器件，10、第一基板，11、第二基板，20、阴极层，30、电子功能层，31、电子注入层，32、电子传输层，40、发光层，51、空穴传输层，52、空穴注入层，60、阳极层。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请实施例提供一种有机电致发光器件及其制备方法，可以解决现有技术中有机电致发光器件中ETL层受材料影响，因而局限于传统的制作工艺制程制作，导致显示画面亮度不均匀的问题。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。术语“第一”、“第二”、“第三”等仅仅作为标示使用，其用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。

请参阅图1，图1是本申请实施例提供的有机电致发光器件的第一种结构示意图。如图1所示，本申请实施例提供一种有机电致发光器件100，包括：阴极层20，发光层40和阳极层60以及电子功能层30。发光层40设于阴极层20上；阳极层60设于发光层40上；其中，有机电致发光器件100还包括电子功能层30，电子功能层30设于阴极层20与发光层40之间，电子功能层30的材料包括氧化铟(In₂O₃)。

在本申请实施例中，采用氧化铟(In₂O₃)制成的电子功能层30，由于氧化铟(In₂O₃)具有多晶结构和缺陷结构，使得电子功能层30具有良好的n型半导体特性，电子功能层30的电阻率小于1欧姆·厘米；电子功能层30的载流子浓度不低于1.0×10¹⁷个/立方厘米，且电子功能层30的载流子迁移率大于1平方厘米/(伏·秒)，能够较好地满足有机电致发光器件100载流子迁移率的要求。

需要说明的是，氧化铟(In₂O₃)既可以具有良好的电子注入性能，同时具有良好的电子传输性能，因而，采用氧化铟(In₂O₃)形成的电子功能层30可以是一层兼具电子注入及传输作用的电子功能层30，也可以进一步包括电子注入子层31及电子传输子层32，图1中的有机电致发光器件100以电子功能层30是一层兼具电子注入及传输作用的电子功能层30为例。

在本申请实施例中，采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，溅射或蒸镀等成膜工艺形成阴极层20，其中阴极层20的材质为透明导电氧化物(Transparent ConductiveOxide，TCO)中的一种或多种，如氧化铟锡ITO，铟镓锌氧化物IGZO，氧化铟锌IZO，氧化锡SnO等，透明导电氧化物TCO透明并且导电率高，有利于减小光损耗；阴极层20的厚度优选为80～150nm。

在本申请实施例中，电子功能层30设于阴极层20上，电子功能层30兼具电子注入及传输作用。具体而言，电子功能层30可以采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、脉冲激光沉积(PLD)、分子束外延生长(MBE)、磁控溅射(MS)、离子束溅射(IBS)、共蒸发(Co-evaporation)和瞬间蒸发法(Flash evaporation)中的一种或几种方式制备，本发明对此不做限定。

在本申请实施例中，电子功能层30的厚度为5～500埃，成膜速度为0.1～10埃/秒。具体而言，采用氧化铟(In₂O₃)材料可以通过溅射或蒸镀等成膜工艺形成的电子功能层30，其膜厚均一性基本可达成50％以上，膜面形貌较好，有利于提高显示装置的显示均一性，提升产品良率。

在本申请实施例中，发光层40设于电子功能层30上，发光层40的材料中包含荧光材料。发光层40中可以发出红光、绿光和蓝光中的一种。有机电致发光器件100通过发光层40实现自发光。

在本申请实施例中，阳极层60设于发光层40上，采用溅射或蒸镀等成膜工艺形成阳极层60，阳极层60可以是单层结构，也可以是多层结构。阳极层60的材质可以为薄层金属，如银，铝，铂，铜，钼，钛等；阳极层60的材质也可以为透明导电氧化物TCO中的一种或多种，如氧化铟锡ITO、铟镓锌氧化物IGZO、氧化铟锌IZO、氧化锡SnO等。阳极层60的厚度优选为150～250nm。

本申请实施例提供的有机电致发光器件100，包括阴极层20，发光层40和阳极层60，以及电子功能层30。其中，电子功能层30使用的材料为氧化铟(In₂O₃)，由于氧化铟(In₂O₃)具有多晶结构和缺陷结构，使得电子功能层30具有良好的n型半导体特性，能较好的满足有机电致发光器件100载流子迁移率要求。具体而言，传统结构中受材料影响，因而局限于使用IJP的方式制作电子功能层30，由于打印制作的膜层难以控制膜层形貌导致容易出现膜面不均的问题，因此较大程度影响显示装置的显示均一性，降低产品良率。本申请采用氧化铟(In₂O₃)作为电子功能层30的材料，可以使用蒸镀或溅镀等工艺制程制作，有利于提高膜厚均一性，使膜面形貌较好，从而有利于提高显示装置的显示均一性，解决显示画面亮度不均匀的问题，提升产品生产良率。

作为本申请的一个具体实施方式，电子功能层30的材料还可以包括n型掺杂剂，用于提高电子功能层30的导电率和高可见光透过率。其中，n型掺杂剂的质量比为0.1％-20％。具体而言，n型掺杂剂包括过渡金属、稀土金属、及以上金属的金属化合物中的至少一种。

具体而言，n型掺杂剂包括镧、铈、镨、钕、钐、铕、铽、钍、镝、钬、铒、钆、镱、镥、钇、锰、过渡金属锡，硅，锗，铅，钛，锆，钨，钼，钆，铌，锌及以上金属的金属化合物中的至少一种。

作为本申请的一个具体实施方式，如图2所示，图2是本申请实施例提供的有机电致发光器件的第二种结构示意图。本实施例是基于第一实施例的改进。其中，图2所示的有机电致发光器件200与图1所示的有机电致发光器件100的区别在于：图2所示的有机电致发光器件200中电子功能层30包括：电子注入层31和电子传输层32；有机电致发光器件200还包括：空穴传输层51和空穴注入层52。

在本申请实施例中，电子注入层31设于阴极层20上，电子注入层31的材料为氧化铟(In₂O₃)，优选地，n型掺杂剂的材料为氧化锌(ZnO)，且氧化锌(ZnO)的质量比为3％。

在本申请实施例中，电子传输层32设于电子注入层31上。电子传输层32的材料为氧化铟(In₂O₃)，优选地，n型掺杂剂的材料为氧化锌(ZnO)，且氧化锌(ZnO)的质量比为3％。

在本申请实施例中，发光层40的材料中包含荧光材料。发光层40中可以发出红光、绿光和蓝光中的一种。有机电致发光器件100通过发光层40实现自发光。

在本申请实施例中，空穴传输层51设于发光层40上，空穴传输层51为有机空穴传输材料，具有空穴载流子传输功能。

在本申请实施例中，空穴注入层52设于空穴传输层51上，空穴注入层52为有机空穴注入材料，具有空穴载流子传输与注入功能。

在本申请实施例中，在空穴注入层52远离发光层40一侧的表面采用溅射或蒸镀等成膜工艺形成阳极层60，阳极层60可以是单层结构，也可以是多层结构。阳极层60的材质可以为薄层金属，如银，铝，铂，铜，钼，钛等；阳极层60的材质也可以为透明导电氧化物TCO中的一种或多种，如氧化铟锡ITO、铟镓锌氧化物IGZO、氧化铟锌IZO、氧化锡SnO等。阳极层60的厚度优选为150～250nm。

作为本申请的一个具体实施方式，如图3所示，图3是本申请实施例提供的有机电致发光器件的第三种结构示意图。本实施例是基于第二实施例的改进。其中，图3所示的有机电致发光器件300与图2所示的有机电致发光器件200的区别在于：图3所示的有机电致发光器件300中还包括：第一基板10，第一基板10设于阴极层20远离发光层40的一侧。

在本申请实施例中，第一基板10在可见光区域有着良好的透光性能，有一定的防水汽和氧气渗透的能力，有较好的表面平整性，第一基板10可以是但不局限于玻璃基板或柔性聚酰亚胺基板等绝缘基板中的一种。其中，柔性聚酰亚胺基板可以采用聚酯类，聚酞亚胺化合物中的一种材料或者较薄的金属，本发明对此不做限定。

在本申请实施例中，采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，溅射或蒸镀等成膜工艺在第一基板10上形成阴极层20。其中，阴极层20的材质为透明导电氧化物TCO中的一种或多种，如氧化铟锡ITO，铟镓锌氧化物IGZO，氧化铟锌IZO，氧化锡SnO等，透明导电氧化物TCO透明并且导电率高，有利于减小光损耗。阴极层20的厚度优选为80～150nm。

需要说明的是，在形成阴极层20之前还可以形成一像素定义层(Bank)于第一基板10上，像素定义层(图中未示出)具有多个间隔设置的像素单元，相邻的两个像素单元形成一凹槽，有机电致发光器件300设于凹槽内。

在本申请实施例中，电子功能层30可以是一层兼具电子注入及传输作用的电子功能层30，也可以进一步包括电子注入子层31及电子传输子层32，图3中的有机电致发光器件300以电子功能层30包括电子注入子层31及电子传输子层32为例。

在本申请实施例中，电子注入层31设于阴极层20上，电子注入层31的材料为氧化铟(In₂O₃)，优选地，n型掺杂剂的材料为氧化锌(ZnO)，且氧化锌(ZnO)的质量比为3％。

在本申请实施例中，电子传输层32设于电子注入层31上。电子传输层32的材料为氧化铟(In₂O₃)，优选地，n型掺杂剂的材料为氧化锌(ZnO)，且氧化锌(ZnO)的质量比为3％。

在本申请实施例中，发光层40设于电子传输层32上，发光层40的材料中包含荧光材料。发光层40中可以发出红光、绿光和蓝光中的一种。有机电致发光器件100通过发光层40实现自发光。

在本申请实施例中，空穴传输层51设于发光层40上，空穴传输层51为有机空穴传输材料，具有空穴载流子传输功能。

在本申请实施例中，空穴注入层52设于空穴传输层51上，空穴注入层52为有机空穴注入材料，具有空穴载流子传输与注入功能。

在本申请实施例中，在空穴注入层52远离发光层40一侧的表面采用溅射或蒸镀等成膜工艺形成阳极层60，阳极层60可以是单层结构，也可以是多层结构。阳极层60的材质可以为薄层金属，如银，铝，铂，铜，钼，钛等；阳极层60的材质也可以为透明导电氧化物TCO中的一种或多种，如氧化铟锡ITO、铟镓锌氧化物IGZO、氧化铟锌IZO、氧化锡SnO等。阳极层60的厚度优选为150～250nm。

需要说明的是，本申请中阴极层20，电子功能层30，发光层40，空穴传输层51，空穴注入层52，阳极层60可以采用真空蒸镀、磁控溅射、离子镀、直流溅射镀膜、射频溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、离子团束沉积、金属有机化学气相沉积法、触媒式化学气相沉积、激光脉冲沉积法、脉冲等离子体方法、脉冲激光方法、电子束蒸发、溶胶-凝胶法、喷墨打印、电镀等方式进行制备，本发明对此不做限定。

这样的结构，一方面，可以解决传统的发光器件开口率低的不足，从器件的顶部半透明电极表面直接获取发光，对开口率几乎没有影响，有利于实现大型、高信息含量、高显示亮度、高分辨率的有机平板显示器。另一方面，可以实现光谱的窄化，对发射波长具有选择，提高器件发光的色纯度。

作为本申请的一个具体实施方式，如图4所示，图4是本申请实施例提供的有机电致发光器件的第三种结构示意图。本实施例是基于第二实施例的改进。其中，图4所示的有机电致发光器件400与图2所示的有机电致发光器件200的区别在于：图4所示的有机电致发光器件400中还包括：第二基板11，第二基板11设于阳极层60远离发光层40的一侧。

其中，第二基板11在可见光区域有着良好的透光性能，有一定的防水汽和氧气渗透的能力，有较好的表面平整性，第二基板11可以是但不局限于玻璃基板或柔性聚酰亚胺基板等绝缘基板中的一种。其中，柔性聚酰亚胺基板可以采用聚酯类，聚酞亚胺化合物中的一种材料或者较薄的金属，本发明对此不做限定。

在本申请实施例中，采用溅射或蒸镀等成膜工艺在第二基板11上形成阳极层60，阳极层60可以是单层结构，也可以是多层结构。阳极层60的材质可以为薄层金属，如银，铝，铂，铜，钼，钛等；阳极层60的材质也可以为透明导电氧化物TCO中的一种或多种，如氧化铟锡ITO、铟镓锌氧化物IGZO、氧化铟锌IZO、氧化锡SnO等。阳极层60的厚度优选为150～250nm。

需要说明的是，在形成阳极层60之前还可以形成一像素定义层(Bank)于第二基板11上，像素定义层(图中未示出)具有多个间隔设置的像素单元，相邻的两个像素单元形成一凹槽，有机电致发光器件400设于凹槽内。

在本申请实施例中，空穴注入层52设于阳极层60上，空穴注入层52为有机空穴注入材料，具有空穴载流子传输与注入功能。

在本申请实施例中，空穴传输层51设于空穴注入层52上，空穴传输层51为有机空穴传输材料，具有空穴载流子传输功能。

在本申请实施例中，发光层40设于空穴传输层51上，发光层40包括红色像素点，绿色像素点，蓝色像素点，用以发出红，绿，蓝颜色。

在本申请实施例中，电子传输层32设于发光层40上。电子传输层32的材料为氧化铟(In₂O₃)，优选地，n型掺杂剂的材料为氧化锌(ZnO)，且氧化锌(ZnO)的质量比为3％。

在本申请实施例中，电子注入层31设于电子传输层32上，电子注入层31的材料均为氧化铟(In₂O₃)，优选地，n型掺杂剂的材料为氧化锌(ZnO)，且氧化锌(ZnO)的质量比为3％。。

具体而言，电子注入层31和电子传输层32均可以采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，金属有机物化学气相沉积(MOCVD)，脉冲激光沉积(PLD)，分子束外延生长(MBE)，磁控溅射(MS)，离子束溅射(IBS)，共蒸发(Co-evaporation)和瞬间蒸发法(Flashevaporation)中的一种或几种方式制备，本发明对此不做限定。

在本申请实施例中，电子功能层30可以包括电子注入子层31及电子传输子层32，也可以是一层兼具电子注入及传输作用的电子功能层30，图4中的有机电致发光器件400以电子功能层30包括电子注入子层31及电子传输子层32为例。

在本申请实施例中，采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，溅射或蒸镀等成膜工艺在电子注入层31上形成阴极层20，其中阴极层20的材质为透明导电氧化物TCO中的一种或多种，如氧化铟锡ITO，铟镓锌氧化物IGZO，氧化铟锌IZO，氧化锡SnO等，透明导电氧化物TCO透明并且导电率高，有利于减小光损耗。其中，阴极层20的厚度优选为80～150nm。

需要说明的是，本申请中阳极层60，空穴注入层52，空穴传输层51，发光层40，电子传输层32，电子注入层31，阴极层20，可以采用真空蒸镀、磁控溅射、离子镀、直流溅射镀膜、射频溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、离子团束沉积、金属有机化学气相沉积法、触媒式化学气相沉积、激光脉冲沉积法、脉冲等离子体方法、脉冲激光方法、电子束蒸发、溶胶-凝胶法、喷墨打印、电镀等方式进行制备，本发明对此不做限定。

这样的结构，一方面，可以解决传统的发光器件开口率低的不足，从器件的顶部半透明电极表面直接获取发光，对开口率几乎没有影响，有利于实现大型、高信息含量、高显示亮度、高分辨率的有机平板显示器。另一方面，可以实现光谱的窄化，对发射波长具有选择，提高器件发光的色纯度。

另一方面，本发明实施例还提供一种有机电致发光器件的制备方法，如图5所示，图5是本申请实施例提供的有机电致发光器件的制备方法的流程图，包括以下步骤：

步骤S1，形成阴极层20。

在本申请实施例中，采用溅射或蒸镀等成膜工艺形成阴极层20。

在本申请实施例中，阴极层20的材质为透明导电氧化物TCO中的一种或多种，如氧化铟锡ITO、铟镓锌氧化物IGZO、氧化铟锌IZO、氧化锡SnO等制成，优选地，阴极层20的厚度为80～150nm。

步骤S2，在阴极层20上形成电子功能层30。

在本申请实施例中，电子功能层30的材料包括氧化铟(In₂O₃)。

在本申请实施例中，通过离子体增强化学气相沉积(PECVD)，溅射或蒸镀等成膜工艺在阴极层20上形成整面氧化铟(In₂O₃)薄膜层；通过控制氧气比例以及功率大小，其中氧气和氩气比值为0.1～3.0，使形成的氧化铟(In₂O₃)薄膜层具有多晶和缺陷特性；再经由曝光、显影、刻蚀、剥离(Stripe)等工艺对氧化铟(In₂O₃)薄膜层进行图案化，形成电子功能层30。

在本申请实施例中，通过在氧化铟(In₂O₃)靶材的制作中添加氧化锌(ZnO)，其中氧化锌(ZnO)的质量比为3％，并且控制腔体中氧气浓度在0.1％～10％，优选地，氧气浓度为5％，形成具有n型掺杂的电子功能层30。

在本申请实施例中，成膜速度为0.1埃-10埃/秒，电子功能层30的厚度为5～500埃，优选地，电子功能层30的厚度为500埃。

步骤S3，在电子功能层30上形成发光层40。

在本申请实施例中，采用喷墨打印或蒸镀等成膜工艺在电子功能层30上形成发光层40，并通过控制真空腔室干燥，使形成的发光层40具有较好地膜层形貌和膜厚均一性。

在本申请实施例中，发光层40包括红色像素点，绿色像素点，蓝色像素点，用以发出红，绿，蓝颜色。

步骤S4，在发光层40上形成阳极层60。

在本申请实施例中，采用溅射或蒸镀等成膜工艺，在发光层40上形成阳极层60。

在本申请实施例中，阳极层60的材质可以为薄层金属，如银，铝，铂，铜，钼，钛等；阳极层60的材质也可以为透明导电氧化物TCO中的一种或多种，如氧化铟锡ITO、铟镓锌氧化物IGZO、氧化铟锌IZO、氧化锡SnO等。

在本申请实施例中，阳极层60可以是单层结构，也可以是多层结构。阳极层60的厚度为150～250nm。

使用该方法制得的有机电致发光器件光透过率高，层与层之间的渗析少，性能稳定而且寿命长。同时，使用氧化铟(In₂O₃)作为电子功能层30可以采用离子体增强化学气相沉积(PECVD)，溅射或蒸镀等成膜工艺，相较传统成膜工艺更为简单，设备和制程的成熟度更高，因此生产良率较高，有利于降低OLED面板成本。

需要说明的是，本发明实施例提供的有机电致发光器件100可以为OLED，无机发光二极管，有机太阳能电池，无机太阳能电池，有机薄膜晶体管，无机薄膜晶体管和光探测器等，本发明对此不做限定。

以上对本申请实施例所提供的一种有机电致发光器件及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：

阴极层；

发光层，设于所述阴极层上；

阳极层，设于所述发光层上；其中，

所述有机电致发光器件还包括电子功能层，所述电子功能层设于所述阴极层与所述发光层之间，所述电子功能层的材料包括氧化铟。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子功能层的材料还包括n型掺杂剂，且所述n型掺杂剂的质量比为0.1％-20％。

3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述n型掺杂剂包括过渡金属、稀土金属、及以上金属的金属化合物中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述稀土金属包括镧、铈、镨、钕、钐、铕、铽、钍、镝、钬、铒、钆、镱、镥、钇、锰中的至少一种；所述过渡金属包括锡、硅、锗、铅、钛、锆、钨、钼、钆、铌、锌中的至少一种。

5.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述n型掺杂剂的材料为氧化锌，所述氧化锌的质量比为3％。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件还包括：第一基板，所述第一基板设于所述阴极层远离所述发光层的一侧。

7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件还包括：第二基板，所述第二基板设于所述阳极层远离所述发光层的一侧。

8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子功能层包括：

电子注入层，设于所述阴极层上；

电子传输层，设于所述电子注入层和所述发光层之间；其中，所述电子传输层的材料包括氧化铟。

9.根据权利要求1至8中任一所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光功能层还包括空穴传输层和空穴注入层，所述空穴传输层设于所述发光层上，所述空穴注入层设于所述空穴传输层与所述阳极层之间。

10.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

形成阴极层；

在所述阴极层上形成发光功能层，所述发光功能层包括电子功能层，所述电子功能层的材料包括氧化铟；

在所述发光功能层上形成阳极层。

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