CN104051635A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、阳极层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层及阴极层，电子传输层包括至少一个电子传输单元，每个电子传输单元包括层叠于发光层上的n型阻挡部和层叠于n型阻挡部的n型掺杂传输部；n型阻挡部的材料为有机金属配合物，有机金属配合物由铍、镓、锌、铟及铝中的一种与羟基喹啉、羟基喹啉的衍生物、羟基苯并喹啉及羟基苯并喹啉的衍生物中的一种配合形成；n型掺杂传输部的材料包括电子传输基质材料及掺杂于电子传输基质材料中的n型掺杂剂。上述有机电致发光器件具有较高的发光效率且具有较长的寿命。此外，还要提供一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及电子器件领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光二极管具有一种类似三明治的结构，其上下分别是阴极和阳极，二个电极之间夹着单层或多层不同材料种类和不同结构的有机材料功能层，依次为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层。有机电致发光器件是载流子注入型发光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光，然后光从电极一侧发出。
到目前为止，尽管全世界各国的科研人员通过选择合适的有机材料和合理的器件结构设计，已使器件性能的各项指标得到了很大的提升，例如采用PN掺杂传输层的工艺，可以降低器件的启动电压以提高光效，并且有利于寿命的提高。但是其中也存在一些问题，例如部分P掺杂剂，如F4-TCNQ的热稳定性能一般，在器件的使用过程中，掺杂结构本身就存在不稳定性，特别是对于电子传输层的n掺杂而言，通常采用碱金属化合物进行掺杂，但是往往碱金属离子体积小，扩散能力强，在有机层中的扩散距离长，碱金属离子除了掺杂在传输层中，还有可能扩散至发光层中，直接导致激子的淬灭，影响器件的光效和寿命。
目前也有研究者采用有机材料如Bphen作为阻挡部，阻挡电子的扩散，但是这些有机材料成膜质量不够好，对离子的阻挡作用有限，而且由于有机材料的导电性差，电阻高，在有机电致发光器件的长期使用中，其发热量较高，例如，通常采用的Bphen，其玻璃化转变温度只有75℃，热稳定性能欠佳，在长期使用中，容易被破坏而影响其阻挡性能，直接影响了有机电致发光器件的光效和寿命。
发明内容
鉴于此，有必要提供一种发光效率较高且寿命较长的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、阳极层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层及阴极层，所述电子传输层至少一个电子传输单元，每个电子传输单元包括层叠于所述发光层上的n型阻挡部和层叠于所述n型阻挡部的n型掺杂传输部；所述n型阻挡部的材料为有机金属配合物，所述有机金属配合物由铍、镓、锌、铟及铝中的一种与羟基喹啉、羟基喹啉的衍生物、羟基苯并喹啉及羟基苯并喹啉的衍生物中的一种配合形成；所述n型掺杂传输部的材料包括电子传输基质材料及掺杂于所述电子传输基质材料中的n型掺杂剂，所述n型掺杂剂为碱金属化合物；且所述n型掺杂剂与所述电子传输基质材料的质量比为0.05:1～0.2:1。
在其中一个实施例中，所述n型掺杂剂为碳酸锂、叠氮化锂、叠氮化铯或碳酸铯。
在其中一个实施例中，所述电子传输基质材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或1,2,4-三唑衍生物。
在其中一个实施例中，所述电子传输层的厚度为30纳米～100纳米；所述n型阻挡部的厚度为5纳米～10纳米；所述n型掺杂传输部的厚度为5纳米～20纳米。
在其中一个实施例中，所述有机金属配合物为双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1′-联苯-4-羟基)铝、8-羟基喹啉镓、8-羟基喹啉铟、8-羟基喹啉锌、8-羟基喹啉铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、三(5-羟甲基-8-羟基喹啉)铝）或双(5,7-二氯-8-羟基喹啉)(8-羟基喹啉)铝。
在其中一个实施例中，所述基板的材料为玻璃；
所述阳极层的材料为透明氧化物导电薄膜；所述阳极层的厚度为70纳米～200纳米；
所述空穴传输层的材料包括空穴传输基质材料及掺杂于所述空穴传输基质材料中的p型掺杂剂；所述空穴传输基质材料为酞菁锌、酞菁铜、4,4′,4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N,N′,N′-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯或4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺；所述p型掺杂剂为1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌、2,2′-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈、氧化铼、氧化钨或氧化钼；所述p型掺杂剂与所述空穴传输基质材料的质量比为0.05:1～0.2:1；所述空穴传输层的厚度为30纳米～80纳米；
所述电子阻挡层的材料为1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷；所述电子阻挡层的厚度为5纳米～10纳米；
所述发光层的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二（2-甲基-8-羟基喹啉）-（4-联苯酚）铝、4-（二腈甲烯基）-2-异丙基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、8-羟基喹啉铝、4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱及三（2-苯基吡啶）合铱中的至少一种，或所述4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二（2-甲基-8-羟基喹啉）-（4-联苯酚）铝、4-（二腈甲烯基）-2-异丙基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、8-羟基喹啉铝、4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱及三（2-苯基吡啶）合铱中的至少一种与所述空穴传输基质材料及电子传输基质材料中的至少一种混合掺杂形成的材料；所述电子传输基质材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或1,2,4-三唑衍生物；所述发光层的厚度为2纳米～15纳米；及
所述阴极层的材料为银、铝、镁银合金或镁铝合金；所述阴极层的厚度为70纳米～200纳米。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
提供基板，在所述基板上溅射形成阳极层；
在所述阳极层上依次真空蒸镀形成空穴传输层、电子阻挡层及发光层；
在所述发光层上蒸镀形成电子传输层，所述电子传输层包括至少一个电子传输单元，每个电子传输单元包括层叠于所述发光层上的n型阻挡部和层叠于所述n型阻挡部的n型掺杂传输部；所述n型阻挡部的材料为有机金属配合物，所述有机金属配合物由铍、镓、锌、铟及铝中的一种与羟基喹啉、羟基喹啉的衍生物、羟基苯并喹啉及羟基苯并喹啉的衍生物中的一种配合形成；所述n型掺杂传输部的材料包括电子传输基质材料及掺杂于所述电子传输基质材料中的n型掺杂剂，所述n型掺杂剂为碱金属化合物；且所述n型掺杂剂与所述电子传输基质材料的质量比为0.05:1～0.2:1；及
在所述电子传输层上形成阴极层。
在其中一个实施例中，在所述基板上溅射形成所述阳极层之前，还包括对所述基板的清洗步骤：将所述基板依次置于含有洗涤剂的去离子水中、异丙醇及丙酮中超声清洗，然后干燥。
在其中一个实施例中，在所述阳极层上真空蒸镀形成所述空穴传输层之前还包括对所述阳极层的表面进行等离子处理的步骤。
在其中一个实施例中，所述真空蒸镀时的真空度为10-5Pa～10-3Pa。
上述有机电致发光器件的电子传输层包括至少一个电子传输单元，每个电子传输单元包括层叠于发光层上的n型阻挡部和层叠于n型阻挡部的n型掺杂传输部，且阴极层层叠于n型掺杂传输部上，这种结构的电子传输层降低了有机电致发光器件的驱动电流，n型阻挡部的材料为有机金属配合物，且该有机金属配合物由铍、镓、锌、铟及铝中的一种与羟基喹啉、羟基喹啉的衍生物、羟基苯并喹啉及羟基苯并喹啉的衍生物中的一种配合形成，这些材料得到的n型阻挡部对n型掺杂剂的阻挡作用强，能够阻挡碱金属化合物作为n型掺杂剂的扩散，避免n型掺杂剂向发光层的扩散而引起淬灭现象，且这些有机金属配合物的成膜质量，热稳定性能也较好，避免了有机电致发光器件在使用过程中发热而对材料造成的破坏，提高了有机电致发光器件的使用寿命；且该n型阻挡部使用的有机金属配合物是具有电子传输能力的材料而不会对有机电致发光器件的载流子传输带来太大的影响，从而提高了有机电致发光器件的发光效率；因此，上述有机电致发光器件具有较高的发光效率且具有较长的寿命。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；
图3为实施例1制备的结构为：玻璃/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/BAlq/CsN3:Bphen/BAlq/CsN3:Bphen/Ag的有机电致发光器件与对比例1制备的结构为：玻璃/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/CsN3:Bphen/Ag的有机电致发光器件和对比例2制备的结构为：玻璃/ITO/MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/Bphen/Ag的有机电致发光器件在起始亮度为1000cd/m2下的亮度-寿命衰减曲线图。
具体实施方式
下面主要结合附图及具体实施例对有机电子发光器件及其制备方法作进一步详细的说明。
如图1所示，一实施方式的有机电致发光器件100，包括依次层叠的基板110、阳极层120、空穴传输层130、电子阻挡层140、发光层150、电子传输层160及阴极层170。
基板110的材料可以为本领域常用的基板材料，优选为玻璃，例如普通玻璃。
阳极层120的材料为透明的氧化物导电薄膜，例如，铟锡氧化物导电薄膜（ITO）、掺氟的氧化锡导电薄膜（FTO）、掺铝的氧化锌导电薄膜（AZO）及掺铟的氧化锌导电薄膜（IZO），优选为铟锡氧化物导电薄膜（ITO）。
优选的，阳极层120的厚度为70纳米～200纳米。
空穴传输层130的材料包括空穴传输基质材料及掺杂于空穴传输基质材料中的p型掺杂剂。空穴传输基质材料为酞菁锌（ZnPc）、酞菁铜（CuPc）、4,4′,4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺（2-TNATA）、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、（N,N,N′,N′-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)或4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺(TCTA)。p型掺杂剂为1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）、2,2′-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈(F2-HCNQ)、氧化铼(ReO3)、氧化钨(WO3)或氧化钼(MoO3)。上述p型掺杂剂具有较好的热稳定性，使掺杂结构在长期的使用过程中不容易发生脱掺杂或者掺杂剂分解的情况，有利于提高有机电致发光器件使用寿命。优选的，p型掺杂剂与空穴传输基质材料的质量比为0.05:1～0.2:1。
优选的，空穴传输层130的厚度为30纳米～80纳米。
电子阻挡层140的材料为1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC）。优选的，电子阻挡层140的厚度为5纳米～10纳米。
发光层150的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、二（2-甲基-8-羟基喹啉）-（4-联苯酚）铝（BALQ）、4-（二腈甲烯基）-2-异丙基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTI）、二甲基喹吖啶酮（DMQA）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯（DPVBi）、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(piq)2(acac)）、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱（Ir(ppy)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）及三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)中的至少一种，或4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、二（2-甲基-8-羟基喹啉）-（4-联苯酚）铝（BALQ）、4-（二腈甲烯基）-2-异丙基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTI）、二甲基喹吖啶酮（DMQA）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯（DPVBi）、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(piq)2(acac)）、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱（Ir(ppy)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）及三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)中的至少一种与空穴传输基质材料及电子传输基质材料中的至少一种混合掺杂形成的材料。优选的，发光层150的材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂的4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺(TCTA)，表示为：Ir(ppy)3:TCTA，且三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)与4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺(TCTA)的质量比为0.08:1；二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）掺杂的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)，表示为：Ir(MDQ)2(acac)：NPB，二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）与N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)的质量比为0.08:1；三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi），表示为：Ir(ppy)3:TPBi，三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)与1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）的质量比为0.15:1；4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）掺杂的8-羟基喹啉铝（Alq3），表示为：DCJTB:Alq3，4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）与8-羟基喹啉铝（Alq3）的质量比为0.02:1；4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯（DPVBi）；双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）掺杂的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi），表示为：FIrpic:TPBi，双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）与1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）的质量比为0.08:1。
优选的，发光层150的厚度为2纳米～15纳米。
电子传输层160包括至少一个电子传输单元162，每个电子传输单元162包括层叠于发光层150上的n型阻挡部1622和层叠于n型阻挡部1622的n型掺杂传输部1624。n型阻挡部1622的材料为有机金属配合物，有机金属配合物由铍、镓、锌、铟及铝中的一种与羟基喹啉、羟基喹啉的衍生物、羟基苯并喹啉及羟基苯并喹啉的衍生物中的一种配合形成。n型掺杂传输部1624的材料包括电子传输基质材料及掺杂于电子传输基质材料中的n型掺杂剂，n型掺杂剂为碱金属化合物；且n型掺杂剂与电子传输基质材料的质量比为0.05:1～0.2:1。
由于采用碱金属化合物作为n型掺杂剂具有较强的扩散能力，容易扩散至发光层150中引起发光淬灭，通过采用上述有机金属配合物作为n型阻挡部1622，使得n型阻挡部1622具有较强阻挡能力，将其穿插在n型掺杂传输部1624中，可以阻挡n型掺杂剂的扩散过程，并且通过这种多层阻挡作用，极大的减少了n型掺杂剂的扩散。且上述n型阻挡部1622使用的有机金属配合物为具有电子传输功能的材料，而不会对有机电致发光器件的载流子传输带来太大的影响，且这些材料的成膜质量好，具有较好的热稳定性能。
优选的，有机金属配合物为双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1′-联苯-4-羟基)铝（BAlq）、8-羟基喹啉镓（Gaq3）、8-羟基喹啉铟（Inq3）、8-羟基喹啉锌（Znq2）、8-羟基喹啉铍（Beq2）、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍（Bebq2）、三(5-羟甲基-8-羟基喹啉)铝（AlOq）或双(5,7-二氯-8-羟基喹啉)(8-羟基喹啉)铝(Alq(Clq)2)。上述有机金属配合物具有较好的成膜性能和热稳定性，对n型掺杂剂具有较强的阻挡作用，且具有电子传输的作用。
上述有机金属配合物的结构式如下：
优选的，n型掺杂剂为碳酸锂（Li2CO3）、叠氮化锂（LiN3）、叠氮化铯（CsN3）或碳酸铯（Cs2CO3）。
优选的，电子传输基质材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）或1,2,4-三唑衍生物（TAZ），优选为4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）。
优选的，电子传输层160为30纳米～100纳米；n型阻挡部1622的厚度为5纳米～10纳米；n型掺杂传输部1624的厚度为5纳米～20纳米。
在具体的实施例中，电子传输层160包括两个电子传输单元162，且两个电子传输单元162层叠在一起，此时，第一个电子传输单元162的n型阻挡部1622层叠于发光层150上，而阴极层170层叠于第二电子传输单元162的n型掺杂传输部164上，也就是按照发光层150、n型阻挡部1622、n型掺杂传输层1624、n型阻挡部1622、n型掺杂传输层1624及阴极层170的顺序依次层叠。可以理解，电子传输单元162也可以为一个，发光层150、电子传输单元162的n型阻挡部1622和n型掺杂传输层1624、和阴极层170按照发光层150、n型阻挡部1622、n型掺杂传输层1624及阴极层170的顺序依次层叠；电子传输单元162也可以三个、四个或是更多。
阴极层170的材料为银（Ag）、铝（Al）、镁银合金（Ag-Mg）或镁铝合金（Al-Mg），优选为银（Ag）。
优选的，阴极层170的厚度为70纳米～200纳米，更优选为100纳米。
优选的，为了便于有机电致发光器件100的测试，有机电致发光器件100还包括封装阳极层120、空穴传输层130、电子阻挡层140、发光层150、电子传输层160及阴极层170的封装件180，更优选的，封装件180为玻璃盖板。
上述有机电致发光器件100的电子传输层160包括至少一个电子传输单元162，每个电子传输单元162包括层叠于发光层150上的n型阻挡部1622和层叠于n型阻挡部1622的n型掺杂传输部1624，且阴极层170层叠于n型掺杂传输部1624上，这种结构的电子传输层160降低了有机电致发光器件100的驱动电流，n型阻挡部1622的材料为有机金属配合物，且该有机金属配合物由铍、镓、锌、铟及铝中的一种与羟基喹啉、羟基喹啉的衍生物、羟基苯并喹啉及羟基苯并喹啉的衍生物中的一种配合形成，这些材料得到的n型阻挡部1622对n型掺杂剂的阻挡作用强，能够阻挡碱金属化合物作为n型掺杂剂的扩散，避免n型掺杂剂向发光层150的扩散而引起淬灭现象，且这些有机金属配合物的成膜质量，热稳定性能也较好，避免了有机电致发光器件100在使用过程中发热而对材料造成的破坏，提高了有机电致发光器件100的使用寿命；且该n型阻挡部1622使用的有机金属配合物是具有电子传输能力的材料而不会对有机电致发光器件100的载流子传输带来太大的影响，从而提高了有机电致发光器件100的发光效率；因此，上述有机电致发光器件100具有较高的发光效率且具有较长的寿命。
如图2所示，一实施方式的有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
步骤S210：提供基板，在基板上溅射形成阳极层。
优选的，溅射的方式为磁控溅射。
优选的，在基板上溅射形成阳极层之前，还包括对基板的清洗步骤：将基板依次置于含有洗涤剂的去离子水中、异丙醇及丙酮中超声清洗，然后干燥。在具体的实施例中，基板置于异丙醇及丙酮中采用超声波各清洗20分钟；清洗后的基板采用氮气吹干。
步骤S220：在阳极层上依次真空蒸镀形成空穴传输层、电子阻挡层及发光层。
优选的，真空蒸镀时的真空度为10-5Pa～10-3Pa。
优选的，在阳极层上真空蒸镀形成空穴传输层之前还包括对阳极层的表面进行等离子处理的步骤。在具体的实施例中，将形成有阳极层的基板置于等离子处理室中进行等离子处理，通过对阳极层进行等离子处理以提高阳极层的功函，降低空穴的注入势垒。
步骤S230：在发光层上蒸镀形成电子传输层，电子传输层包括至少一个电子传输单元，每个电子传输单元包括层叠于发光层上的n型阻挡部1622和层叠于n型阻挡部的n型掺杂传输部；n型阻挡部的材料为有机金属配合物，有机金属配合物由铍、镓、锌、铟及铝中的一种与羟基喹啉、羟基喹啉的衍生物、羟基苯并喹啉及羟基苯并喹啉的衍生物中的一种配合形成；n型掺杂传输部的材料包括电子传输基质材料及掺杂于电子传输基质材料中的n型掺杂剂，n型掺杂剂为碱金属化合物；且n型掺杂剂与电子传输基质材料的质量比为0.05:1～0.2:1。
在具体的实施例中，在发光层先蒸镀第一个电子传输单元，然后再在第一个电子传输单元上蒸镀第二个电子传输单元，即在发光层上首先蒸镀一层n型阻挡部，然后再依次蒸镀一层n型掺杂传输部和一层n型阻挡部，最后再蒸镀一层n型掺杂传输部。
步骤S240：在电子传输层上形成阴极层。
优选的，在步骤S240之后，将采用上述方法制备的有机电致发光器件采用封装件进行封装，封装件采用的是玻璃盖板封装，采用的封装工艺是业内常用的工艺进行制作的。
上述有机电致发光器件的制备方法简单，容易操作，有利于产业化生产。
以下为具体实施例部分：
实施例1
本实施例的有机电致发光器件的结构为：玻璃/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/BAlq/CsN3:Bphen/BAlq/CsN3:Bphen/Ag。
该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
（1）在玻璃基板上溅射形成ITO阳极层：将玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇、丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干。然后在玻璃表面磁控溅射形成ITO阳极层，且阳极层的厚度为100纳米。将形成有ITO阳极层的玻璃基板置于等离子处理室中进行等离子处理。
（2）在ITO阳极层上依次真空蒸镀形成空穴传输层、电子阻挡层及发光层：真空度为5×10-4Pa，其中，空穴传输层的材料为1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）掺杂的（N,N,N′,N′-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)，表示为F6-TNAP:MeO-TPD，1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）与（N,N,N′,N′-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)的质量比为0.05:1，且空穴传输层的厚度为60纳米；电子阻挡层的材料为1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC），且电子阻挡层的厚度为5纳米；发光层的材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂的4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺(TCTA)，表示为：Ir(ppy)3:TCTA，三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)与4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺（TAPC）的质量比为0.08:1，且发光层的厚度为15纳米。
（3）在发光层上蒸镀形成电子传输层：首先在发光层上蒸镀第一n型阻挡部，材料为4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝（BAlq），厚度为10纳米；接着在第一n型阻挡部上蒸镀第一n型掺杂传输部，材料为叠氮化铯（CsN3）掺杂的4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen），表示为：CsN3:Bphen，叠氮化铯（CsN3）与4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）的质量比为0.15:1，第一n型掺杂传输部的厚度为20纳米；然后在第一n型掺杂传输部上蒸镀第二n型阻挡部，材料为4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝（BAlq），厚度为5纳米；最后在第二n型阻挡部上蒸镀第二n型掺杂传输部，材料为叠氮化铯（CsN3）掺杂的4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen），表示为：CsN3:Bphen，叠氮化铯（CsN3）与4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）的质量比为0.15:1，第二n型掺杂传输部的厚度为20纳米。得到的电子传输层表示为：BAlq/CsN3:Bphen/BAlq/CsN3:Bphen。
（4）在电子传输层上形成阴极层：在第二n型掺杂传输部上形成阴极，阴极的材料为银（Ag），厚度为100纳米。
得到本实施例的结构为玻璃/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/BAlq/CsN3:Bphen/BAlq/CsN3:Bphen/Ag的有机电致发光器件，最后，在制作完有机电致发光装置后，需要对有机电致发光器件进行封装，以便于测试，封装工艺采用玻璃盖板封装，采用行业内所常用的工艺进行制作。本实施例制备的玻璃/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/BAlq/CsN3:Bphen/BAlq/CsN3:Bphen/Ag的有机电致发光器件的发光效率数据及在起始亮度为1000cd/m2下亮度衰减到70%时的使用寿命数据见表1。
实施例2
本实施例的有机电致发光器件的结构为：玻璃/ITO/MoO3:2-TNATA/TAPC/Ir(MDQ)2(acac):NPB/Gaq3/LiN3:TPBi/Gaq3/LiN3:TPBi/Ag。
该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
（1）在玻璃基板上溅射形成ITO阳极层：将玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇、丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干。然后在玻璃表面磁控溅射形成ITO阳极层，且阳极层的厚度为100纳米。将形成有ITO阳极层的玻璃基板置于等离子处理室中进行等离子处理。
（2）在ITO阳极层上依次真空蒸镀形成空穴传输层、电子阻挡层及发光层：真空度为1×10-3Pa，其中，空穴传输层的材料为氧化钼(MoO3)掺杂的4,4′,4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺（2-TNATA），表示为MoO3:2-TNATA，氧化钼(MoO3)与4,4′,4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺（2-TNATA）的质量比为0.2:1，且空穴传输层的厚度为50纳米；电子阻挡层的材料为1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC），且电子阻挡层的厚度为8纳米；发光层的材料为二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）掺杂的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)，表示为：Ir(MDQ)2(acac):NPB，二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）与N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)的质量比为0.08:1，且发光层的厚度为15纳米。
（3）在发光层上蒸镀形成电子传输层：首先在发光层上蒸镀第一n型阻挡部，材料为8-羟基喹啉镓（Gaq3），厚度为5纳米；接着在第一n型阻挡部上蒸镀第一n型掺杂传输部，材料为叠氮化锂（LiN3）掺杂的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi），表示为：LiN3:TPBi，叠氮化锂（LiN3）与1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）的质量比为0.05:1，第一n型掺杂传输部的厚度为10纳米；然后在第一n型掺杂传输部上蒸镀第二n型阻挡部，材料为8-羟基喹啉镓（Gaq3），厚度为5纳米；最后在第二n型阻挡部上蒸镀第二n型掺杂传输部，材料为叠氮化锂（LiN3）掺杂的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi），表示为：LiN3:TPBi，叠氮化锂（LiN3）与1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）的质量比为0.05:1，第二n型掺杂传输部的厚度为20纳米。得到的电子传输层表示为：Gaq3/LiN3:TPBi/Gaq3/LiN3:TPBi。
（4）在电子传输层上形成阴极层：在第二n型掺杂传输部上形成阴极，阴极的材料为银（Ag），厚度为100纳米。
得到本实施例的结构为：玻璃/ITO/MoO3:2-TNATA/TAPC/Ir(MDQ)2(acac):NPB/Gaq3/LiN3:TPBi/Gaq3/LiN3:TPBi/Ag的有机电致发光器件，最后，在制作完有机电致发光装置后，需要对有机电致发光器件进行封装，以便于测试，封装工艺采用玻璃盖板封装，采用行业内所常用的工艺进行制作。本实施例制备的结构为：玻璃/ITO/MoO3:2-TNATA/TAPC/Ir(MDQ)2(acac):NPB/Gaq3/LiN3:TPBi/Gaq3/LiN3:TPBi/Ag的有机电致发光器件的发光效率数据及在起始亮度为1000cd/m2下亮度衰减到70%时的使用寿命数据见表1。
实施例3
本实施例的有机电致发光器件的结构为：玻璃/ITO/WO3:NPB/TAPC/Ir(ppy)3:TPBi/Inq3/Li2CO3:BCP/Inq3/Li2CO3:BCP/Al-Mg。
该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
（1）在玻璃基板上溅射形成ITO阳极层：将玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇、丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干。然后在玻璃表面磁控溅射形成ITO阳极层，且阳极层的厚度为100纳米。将形成有ITO阳极层的玻璃基板置于等离子处理室中进行等离子处理。
（2）在ITO阳极层上依次真空蒸镀形成空穴传输层、电子阻挡层及发光层：真空度为1×10-5Pa，其中，空穴传输层的材料为氧化钨(WO3)掺杂的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)，表示为WO3:NPB，氧化钨(WO3)与N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)的质量比为0.15:1，且空穴传输层的厚度为30纳米；电子阻挡层的材料为1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC），且电子阻挡层的厚度为10纳米；发光层的材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi），表示为：Ir(ppy)3:TPBi，三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)与1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）的质量比为0.15:1，且发光层的厚度为10纳米。
（3）在发光层上蒸镀形成电子传输层：首先在发光层上蒸镀第一n型阻挡部，材料为8-羟基喹啉铟（Inq3），厚度为10纳米；接着在第一n型阻挡部上蒸镀第一n型掺杂传输部，材料为碳酸锂（Li2CO3）掺杂的2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP），表示为：Li2CO3:BCP，碳酸锂（Li2CO3）与2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）的质量比为0.1:1，第一n型掺杂传输部的厚度为10纳米；然后在第一n型掺杂传输部上蒸镀第二n型阻挡部，材料为8-羟基喹啉铟（Inq3），厚度为5纳米；最后在第二n型阻挡部上蒸镀第二n型掺杂传输部，材料为碳酸锂（Li2CO3）掺杂的2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP），表示为：Li2CO3:BCP，碳酸锂（Li2CO3）与2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）质量比为0.1:1，第二n型掺杂传输部的厚度为5纳米。得到的电子传输层表示为：Inq3/Li2CO3:BCP/Inq3/Li2CO3:BCP。
（4）在电子传输层上形成阴极层：在第二n型掺杂传输部上形成阴极，阴极的材料为镁铝合金（Al-Mg），厚度为200纳米。
得到本实施例的结构为：玻璃/ITO/WO3:NPB/TAPC/Ir(ppy)3:TPBi/Inq3/Li2CO3:BCP/Inq3/Li2CO3:BCP/Al-Mg的有机电致发光器件，最后，在制作完有机电致发光装置后，需要对有机电致发光器件进行封装，以便于测试，封装工艺采用玻璃盖板封装，采用行业内所常用的工艺进行制作。本实施例制备的结构为：玻璃/ITO/WO3:NPB/TAPC/Ir(ppy)3:TPBi/Inq3/Li2CO3:BCP/Inq3/Li2CO3:BCP/Al-Mg的有机电致发光器件的发光效率数据及在起始亮度为1000cd/m2下亮度衰减到70%时的使用寿命数据见表1。
实施例4
本实施例的有机电致发光器件的结构为：玻璃/ITO/F2-HCNQ:CuPc/TAPC/DCJTB:Alq3/Znq2/Cs2CO3:TAZ/Znq2/Cs2CO3:TAZ/Ag-Mg。
该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
（1）在玻璃基板上溅射形成ITO阳极层：将玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇、丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干。然后在玻璃表面磁控溅射形成ITO阳极层，且阳极层的厚度为100纳米。将形成有ITO阳极层的玻璃基板置于等离子处理室中进行等离子处理。
（2）在ITO阳极层上依次真空蒸镀形成空穴传输层、电子阻挡层及发光层：真空度为5×10-4Pa，其中，空穴传输层的材料为2,2′-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈(F2-HCNQ)掺杂的酞菁铜（CuPc），表示为F2-HCNQ:CuPc，2,2′-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈(F2-HCNQ)与酞菁铜（CuPc）的质量比为0.1:1，且空穴传输层的厚度为80纳米；电子阻挡层的材料为1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC），且电子阻挡层的厚度为10纳米；发光层的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）掺杂的8-羟基喹啉铝（Alq3），表示为：DCJTB:Alq3，4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）与8-羟基喹啉铝（Alq3）的质量比为0.02:1，且发光层的厚度为2纳米。
（3）在发光层上蒸镀形成电子传输层：首先在发光层上蒸镀第一n型阻挡部，材料为8-羟基喹啉锌（Znq2），厚度为5纳米；接着在第一n型阻挡部上蒸镀第一n型掺杂传输部，材料为碳酸铯（Cs2CO3）掺杂的1,2,4-三唑衍生物（TAZ），表示为：Cs2CO3:TAZ，碳酸铯（Cs2CO3）与1,2,4-三唑衍生物（TAZ）的质量比为0.1:1，第一n型掺杂传输部的厚度为20纳米；然后在第一n型掺杂传输部上蒸镀第二n型阻挡部，材料为8-羟基喹啉锌（Znq2），厚度为5纳米；最后在第二n型阻挡部上蒸镀第二n型掺杂传输部，材料为碳酸铯（Cs2CO3）掺杂的1,2,4-三唑衍生物（TAZ），表示为：Cs2CO3:TAZ，碳酸铯（Cs2CO3）与1,2,4-三唑衍生物（TAZ）的质量比为0.1:1，第二n型掺杂传输部的厚度为30纳米。得到的电子传输层表示为：Znq2/Cs2CO3:TAZ/Znq2/Cs2CO3:TAZ。
（4）在电子传输层上形成阴极层：在第二n型掺杂传输部上形成阴极，阴极的材料为镁银合金（Ag-Mg），厚度为70纳米。
得到本实施例的结构为：玻璃/ITO/F2-HCNQ:CuPc/TAPC/DCJTB:Alq3/Znq2/Cs2CO3:TAZ/Znq2/Cs2CO3:TAZ/Ag-Mg的有机电致发光器件，最后，在制作完有机电致发光装置后，需要对有机电致发光器件进行封装，以便于测试，封装工艺采用玻璃盖板封装，采用行业内所常用的工艺进行制作。本实施例制备的结构为：玻璃/ITO/F2-HCNQ:CuPc/TAPC/DCJTB:Alq3/Znq2/Cs2CO3:TAZ/Znq2/Cs2CO3:TAZ/Ag-Mg的有机电致发光器件的发光效率数据及在起始亮度为1000cd/m2下亮度衰减到70%时的使用寿命数据见表1。
实施例5
本实施例的有机电致发光器件的结构为：玻璃/ITO/ReO3:NPB/TAPC/DPVBi/Beq2/Cs2CO3:PBD/Beq2/Cs2CO3:PBD/Ag。
该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
（1）在玻璃基板上溅射形成ITO阳极层：将玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇、丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干。然后在玻璃表面磁控溅射形成ITO阳极层，且阳极层的厚度为100纳米。将形成有ITO阳极层的玻璃基板置于等离子处理室中进行等离子处理。
（2）在ITO阳极层上依次真空蒸镀形成空穴传输层、电子阻挡层及发光层：真空度为5×10-4Pa，其中，空穴传输层的材料为氧化铼(ReO3)掺杂的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)，表示为ReO3:NPB，氧化铼(ReO3)与N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)的质量比为0.1:1，且空穴传输层的厚度为60纳米；电子阻挡层的材料为1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC），且电子阻挡层的厚度为10纳米；发光层的材料为4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯（DPVBi），且发光层的厚度为15纳米。
（3）在发光层上蒸镀形成电子传输层：首先在发光层上蒸镀第一n型阻挡部，材料为8-羟基喹啉铍（Beq2），厚度为10纳米；接着在第一n型阻挡部上蒸镀第一n型掺杂传输部，材料为碳酸铯（Cs2CO3）掺杂的2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD），表示为：Cs2CO3:PBD，碳酸铯（Cs2CO3）与的2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）的质量比为0.15:1，第一n型掺杂传输部的厚度为20纳米；然后在第一n型掺杂传输部上蒸镀第二n型阻挡部，材料为8-羟基喹啉铍（Beq2），厚度为5纳米；最后在第二n型阻挡部上蒸镀第二n型掺杂传输部，材料为碳酸铯（Cs2CO3）掺杂的2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD），表示为：Cs2CO3:PBD，碳酸铯（Cs2CO3）与的2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）的质量比为0.1:1，第二n型掺杂传输部的厚度为20纳米。得到的电子传输层表示为：Inq3/Cs2CO3:BCP/Inq3/Cs2CO3:BCP。
（4）在电子传输层上形成阴极层：在第二n型掺杂传输部上形成阴极，阴极的材料为银（Ag），厚度为70纳米。
得到本实施例的结构为：玻璃/ITO/ReO3:NPB/TAPC/DPVBi/Beq2/Cs2CO3:PBD/Beq2/Cs2CO3:PBD/Ag的有机电致发光器件，最后，在制作完有机电致发光装置后，需要对有机电致发光器件进行封装，以便于测试，封装工艺采用玻璃盖板封装，采用行业内所常用的工艺进行制作。本实施例制备的结构为：玻璃/ITO/ReO3:NPB/TAPC/DPVBi/Beq2/Cs2CO3:PBD/Beq2/Cs2CO3:PBD/Ag的有机电致发光器件的发光效率数据及在起始亮度为1000cd/m2下亮度衰减到70%时的使用寿命数据见表1。
实施例6
本实施例的有机电致发光器件的结构为：玻璃/ITO/F6-TNAP:ZnPc/TAPC/FIrpic:TPBi/Bebq2/Cs2CO3:Bphen/Bebq2/Cs2CO3:Bphen/Al。
该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
（1）在玻璃基板上溅射形成ITO阳极层：将玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇、丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干。然后在玻璃表面磁控溅射形成ITO阳极层，且阳极层的厚度为100纳米。将形成有ITO阳极层的玻璃基板置于等离子处理室中进行等离子处理。
（2）在ITO阳极层上依次真空蒸镀形成空穴传输层、电子阻挡层及发光层：真空度为5×10-4Pa，其中，空穴传输层的材料为1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）掺杂的酞菁锌（ZnPc），表示为F6-TNAP:ZnPc，1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）与酞菁锌（ZnPc）的质量比为0.05:1，且空穴传输层的厚度为60纳米；电子阻挡层的材料为1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC），且电子阻挡层的厚度为10纳米；发光层的材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）掺杂的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi），表示为：FIrpic:TPBi，双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）与1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）的质量比为0.08:1，且发光层的厚度为10纳米。
（3）在发光层上蒸镀形成电子传输层：首先在发光层上蒸镀第一n型阻挡部，材料为双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍（Bebq2），厚度为10纳米；接着在第一n型阻挡部上蒸镀第一n型掺杂传输部，材料为碳酸铯（Cs2CO3）掺杂的4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen），表示为：Cs2CO3:Bphen，碳酸铯（Cs2CO3）与4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）的质量比为0.1:1，第一n型掺杂传输部的厚度为20纳米；然后在第一n型掺杂传输部上蒸镀第二n型阻挡部，材料为双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍（Bebq2），厚度为5纳米；最后在第二n型阻挡部上蒸镀第二n型掺杂传输部碳酸铯（Cs2CO3）掺杂的4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen），表示为：Cs2CO3:Bphen，碳酸铯（Cs2CO3）与4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）的质量比为0.1:1，第二n型掺杂传输部的厚度为20纳米。得到的电子传输层表示为：Bebq2/Cs2CO3:Bphen/Bebq2/Cs2CO3:Bphen。
（4）在电子传输层上形成阴极层：在第二n型掺杂传输部上形成阴极，阴极的材料为铝（Al），厚度为100纳米。
得到本实施例的结构为:玻璃/ITO/F6-TNAP:ZnPc/TAPC/FIrpic:TPBi/Bebq2/Cs2CO3:Bphen/Bebq2/Cs2CO3:Bphen/Al的有机电致发光器件，最后，在制作完有机电致发光装置后，需要对有机电致发光器件进行封装，以便于测试，封装工艺采用玻璃盖板封装，采用行业内所常用的工艺进行制作。本实施例制备的结构为：玻璃/ITO/F6-TNAP:ZnPc/TAPC/FIrpic:TPBi/Bebq2/Cs2CO3:Bphen/Bebq2/Cs2CO3:Bphen/Al的有机电致发光器件的发光效率数据及在起始亮度为1000cd/m2下亮度衰减到70%时的使用寿命数据见表1。
实施例7
本实施例的有机电致发光器件的结构为：玻璃/ITO/F6-TNAP:m-MTDATA/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/AlOq/CsN3:Bphen/AlOq/CsN3:Bphen/Al。
该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
（1）在玻璃基板上溅射形成ITO阳极层：将玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇、丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干。然后在玻璃表面磁控溅射形成ITO阳极层，且阳极层的厚度为100纳米。将形成有ITO阳极层的玻璃基板置于等离子处理室中进行等离子处理。
（2）在ITO阳极层上依次真空蒸镀形成空穴传输层、电子阻挡层及发光层：真空度为1×10-4Pa，其中，空穴传输层的材料为1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）掺杂的4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，表示为F6-TNAP:m-MTDATA，1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）与4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)的质量比为0.08:1，且空穴传输层的厚度为60纳米；电子阻挡层的材料为1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC），且电子阻挡层的厚度为10纳米；发光层的材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂的4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺(TCTA)，表示为：Ir(ppy)3:TCTA，三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)与4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺的质量比为0.08:1，且发光层的厚度为15纳米。
（3）在发光层上蒸镀形成电子传输层：首先在发光层上蒸镀第一n型阻挡部，材料为三(5-羟甲基-8-羟基喹啉)铝（AlOq），厚度为10纳米；接着在第一n型阻挡部上蒸镀第一n型掺杂传输部，材料为叠氮化铯（CsN3）掺杂的4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen），表示为：CsN3:Bphen，叠氮化铯（CsN3）与4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）的质量比为0.1:1，第一n型掺杂传输部的厚度为20纳米；然后在第一n型掺杂传输部上蒸镀第二n型阻挡部，材料为三(5-羟甲基-8-羟基喹啉)铝（AlOq），厚度为5纳米；最后在第二n型阻挡部上蒸镀第二n型掺杂传输部，材料为叠氮化铯（CsN3）掺杂的4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen），表示为：CsN3:Bphen，叠氮化铯（CsN3）与4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）的质量比为0.1:1，第二n型掺杂传输部的厚度为15纳米。得到的电子传输层表示为：AlOq/CsN3:Bphen/AlOq/CsN3:Bphen。
（4）在电子传输层上形成阴极层：在第二n型掺杂传输部上形成阴极，阴极的材料为铝（Al），厚度为100纳米。
得到本实施例的结构为：玻璃/ITO/F6-TNAP:m-MTDATA/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/AlOq/CsN3:Bphen/AlOq/CsN3:Bphen/Al的有机电致发光器件，最后，在制作完有机电致发光装置后，需要对有机电致发光器件进行封装，以便于测试，封装工艺采用玻璃盖板封装，采用行业内所常用的工艺进行制作。本实施例制备的结构为：玻璃/ITO/F6-TNAP:m-MTDATA/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/AlOq/CsN3:Bphen/AlOq/CsN3:Bphen/Al的有机电致发光器件的发光效率数据及在起始亮度为1000cd/m2下亮度衰减到70%时的使用寿命数据见表1。
实施例8
本实施例的有机电致发光器件的结构为：玻璃/ITO/F6-TNAP:m-MTDATA/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/Alq(Clq)2/CsN3:BCP/Alq(Clq)2/CsN3:BCP/Al。
该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
（1）在玻璃基板上溅射形成ITO阳极层：将玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇、丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干。然后在玻璃表面磁控溅射形成ITO阳极层，且阳极层的厚度为100纳米。将形成有ITO阳极层的玻璃基板置于等离子处理室中进行等离子处理。
（2）在ITO阳极层上依次真空蒸镀形成空穴传输层、电子阻挡层及发光层：真空度为5×10-4Pa，其中，空穴传输层的材料为1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）掺杂的4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，表示为F6-TNAP:m-MTDATA，1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）与4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)的质量比为0.08:1，且空穴传输层的厚度为60纳米；电子阻挡层的材料为1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC），且电子阻挡层的厚度为10纳米；发光层的材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂的4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺(TCTA)，表示为：Ir(ppy)3:TCTA，三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)与4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺的质量比为0.08:1，且发光层的厚度为15纳米。
（3）在发光层上蒸镀形成电子传输层：首先在发光层上蒸镀第一n型阻挡部，材料为双(5,7-二氯-8-羟基喹啉)(8-羟基喹啉)铝(Alq(Clq)2)，厚度为10纳米；接着在第一n型阻挡部上蒸镀第一n型掺杂传输部，材料为叠氮化铯（CsN3）掺杂的2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP），表示为：CsN3:BCP，叠氮化铯（CsN3）与2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）的质量比为0.15:1，第一n型掺杂传输部的厚度为10纳米；然后在第一n型掺杂传输部上蒸镀第二n型阻挡部，材料为双(5,7-二氯-8-羟基喹啉)(8-羟基喹啉)铝(Alq(Clq)2)，厚度为5纳米；最后在第二n型阻挡部上蒸镀第二n型掺杂传输部，材料为材料为叠氮化铯（CsN3）掺杂的2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP），表示为：CsN3:BCP，叠氮化铯（CsN3）与2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）的质量比为0.15:1，第二n型掺杂传输部的厚度为20纳米。得到的电子传输层表示为：Alq(Clq)2/CsN3:BCP/Alq(Clq)2/CsN3:BCP。
（4）在电子传输层上形成阴极层：在第二n型掺杂传输部上形成阴极，阴极的材料为铝（Al），厚度为100纳米。
得到本实施例的结构为：玻璃/ITO/F6-TNAP:m-MTDATA/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/Alq(Clq)2/CsN3:BCP/Alq(Clq)2/CsN3:BCP/Al的有机电致发光器件，最后，在制作完有机电致发光装置后，需要对有机电致发光器件进行封装，以便于测试，封装工艺采用玻璃盖板封装，采用行业内所常用的工艺进行制作。本实施例制备的结构为：玻璃/ITO/F6-TNAP:m-MTDATA/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/Alq(Clq)2/CsN3:BCP/Alq(Clq)2/CsN3:BCP/Al的有机电致发光器件的发光效率数据及在起始亮度为1000cd/m2下亮度衰减到70%时的使用寿命数据见表1。
对比例1
对比例1的有机电致发光器件的结构为：玻璃/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/CsN3:Bphen/Ag。
该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
（1）在玻璃基板上溅射形成ITO阳极层：将玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇、丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干。然后在玻璃表面磁控溅射形成ITO阳极层，且阳极层的厚度为100纳米。将形成有ITO阳极层的玻璃基板置于等离子处理室中进行等离子处理。
（2）在ITO阳极层上依次真空蒸镀形成空穴传输层、电子阻挡层及发光层：真空度为5×10-4Pa，其中，空穴传输层的材料为1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）掺杂的（N,N,N′,N′-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)，表示为F6-TNAP:MeO-TPD，1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）与（N,N,N′,N′-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)的质量比为0.05:1，且空穴传输层的厚度为60纳米；电子阻挡层的材料为1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC），且电子阻挡层的厚度为10纳米；发光层的材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂的4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺(TCTA)，表示为：Ir(ppy)3:TCTA，三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)与4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺的质量比为0.08:1，且发光层的厚度为15纳米。
（3）在发光层上蒸镀形成电子传输层：电子传输层的材料为叠氮化铯（CsN3）掺杂的4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen），表示为：CsN3:Bphen，叠氮化铯（CsN3）与4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）的质量比为0.15:1，电子传输层的厚度为50纳米。
（4）在电子传输层上形成阴极层：阴极的材料为银（Ag），厚度为100纳米。
得到对比例1的结构为:玻璃/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/CsN3:Bphen/Ag的有机电致发光器件，最后，在制作完有机电致发光装置后，需要对有机电致发光器件进行封装，以便于测试，封装工艺采用玻璃盖板封装，采用行业内所常用的工艺进行制作。对比例1制备的结构为:玻璃/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/CsN3:Bphen/Ag的有机电致发光器件的发光效率数据及在起始亮度为1000cd/m2下亮度衰减到70%时的使用寿命数据见表1。
对比例2
对比例2的有机电致发光器件的结构为：玻璃/ITO/MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/Bphen/Ag。
该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
（1）在玻璃基板上溅射形成ITO阳极层：将玻璃基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇、丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干。然后在玻璃表面磁控溅射形成ITO阳极层，且阳极层的厚度为100纳米。将形成有ITO阳极层的玻璃基板置于等离子处理室中进行等离子处理。
（2）在ITO阳极层上依次真空蒸镀形成空穴传输层、电子阻挡层及发光层：真空度为5×10-4Pa，其中，空穴传输层的材料为1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）掺杂的（N,N,N',N'-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)，表示为F6-TNAP:MeO-TPD，1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）与（N,N,N′,N′-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)的质量比为0.05:1，且空穴传输层的厚度为60纳米；电子阻挡层的材料为1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC），且电子阻挡层的厚度为10纳米；发光层的材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂的4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺(TCTA)，表示为：Ir(ppy)3:TCTA，三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)与4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺的质量比为0.08:1，且发光层的厚度为15纳米。
（3）在发光层上蒸镀形成电子传输层：材料为4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen），厚度为50纳米。
（4）在电子传输层上形成阴极层：在第二n型掺杂传输部上形成阴极，阴极的材料为银（Ag），厚度为100纳米。
得到对比例2的结构：为玻璃/ITO/MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/Bphen/Ag的有机电致发光器件，最后，在制作完有机电致发光装置后，需要对有机电致发光器件进行封装，以便于测试，封装工艺采用玻璃盖板封装，采用行业内所常用的工艺进行制作。对比例2制备的结构为：玻璃/ITO/MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/Bphen/Ag的有机电致发光器件的发光效率数据及在起始亮度为1000cd/m2下亮度衰减到70%时的使用寿命数据见表1。
图3表示的是实施例1制备的结构为：玻璃/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/BAlq/CsN3:Bphen/BAlq/CsN3:Bphen/Ag的有机电致发光器件与对比例1制备的结构为:玻璃/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/CsN3:Bphen/Ag的有机电致发光器件及对比例2的制备的结构为:玻璃/ITO/MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/Bphen/Ag的有机电致发光器件在起始亮度为1000cd/m2下的亮度-寿命衰减曲线图。从图3中可知，在相同的发光亮度下，实施例1制备的结构为:玻璃/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/BAlq/CsN3:Bphen/BAlq/CsN3:Bphen/Ag的有机电致发光器件的使用寿命较对比例1的结构为:玻璃/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/CsN3:Bphen/Ag的有机电致发光器件及对比例2的制备的结构为:玻璃/ITO/MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/Bphen/Ag的有机电致发光器件的使用寿命明显要长。
表1表示的是实施例1～实施例8制备的有机电致发光器件与对比例1、对比例2的有机电致发光器件的发光效率数据及在起始亮度为1000cd/m2下亮度衰减到70%（T70）时的使用寿命数据。
表1
T70寿命（h） 发光效率（lm/W）
实施例1 2500 28.1
实施例2 2200 30.5
实施例3 2700 29.1
实施例4 2700 24.5
实施例5 2000 31.6
实施例6 2200 26.3
实施例7 2500 25.6
实施例8 2600 28.9
对比例1 1400 19.5
对比例2 1000 15.2
表1中可以得出，实施例1～实施例8制备得到的有机电致发光器件和对比例1制备的结构为:玻璃/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/CsN3:Bphen/Ag的有机电致发光器件的发光效率高于对比例2制备的结构为:玻璃/ITO/MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/Bphen/Ag的有机电致发光器件的发光效率，这说明在电子传输层采用掺杂的结构能够提高电子和空穴的注入性能。且实施例1制备的结构为:玻璃/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/BAlq/CsN3:Bphen/BAlq/CsN3:Bphen/Ag的有机电致发光器件较对比例2提高了85%。
且从表1中还可以得出，在起始亮度为1000cd/m2下，当亮度衰减到70%（T70）时，实施例1～实施例8制备的有机电致发光器件的使用寿命均超过2000小时，而对比例1制备的结构为:玻璃/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/CsN3:Bphen/Ag的有机电致发光器件和对比例2制备的结构为:玻璃/ITO/MeO-TPD/TAPC/Ir(ppy)3:TCTA/Bphen/Ag的有机电致发光器件的使用寿命分别只有1400小时和1000小时，这是由于本发明制备的有机电致发光器件的具有电子传输层，且该电子传输层具有交替层叠的n型阻挡部和n型掺杂传输部结构，使得本发明制备的有机电致发光器件的驱动电流较小，且n型阻挡部使用的材料为由有机金属配合物由铍、镓、锌、铟及铝中的一种与羟基喹啉、羟基喹啉的衍生物、羟基苯并喹啉及羟基苯并喹啉的衍生物中的一种配合形成的有机金属配合物，能够阻挡n型掺杂剂的扩散过程，因而使得本发明的有机电致发光器件具有较长的使用寿命，且这些有机金属配合物得到的n型阻挡部具有电子传输的功能，而不会对有机电致发光器件的载流子传输带来太大的影响，从而使得有机电致发光器件具有较高的发光效率。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基板、阳极层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层及阴极层，所述电子传输层包括至少一个电子传输单元，每个电子传输单元包括层叠于所述发光层上的n型阻挡部和层叠于所述n型阻挡部上的n型掺杂传输部；所述n型阻挡部的材料为有机金属配合物，所述有机金属配合物由铍、镓、锌、铟及铝中的一种与羟基喹啉、羟基喹啉的衍生物、羟基苯并喹啉及羟基苯并喹啉的衍生物中的一种配合形成；所述n型掺杂传输层的材料包括电子传输基质材料及掺杂于所述电子传输基质材料中的n型掺杂剂，所述n型掺杂剂为碱金属化合物；且所述n型掺杂剂与所述电子传输基质材料的质量比为0.05:1～0.2:1。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述n型掺杂剂为碳酸锂、叠氮化锂、叠氮化铯或碳酸铯。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输基质材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或1,2,4-三唑衍生物。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度为30纳米～100纳米；所述n型阻挡部的厚度为5纳米～10纳米；所述n型掺杂传输部的厚度为5纳米～20纳米。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机金属配合物为双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1′-联苯-4-羟基)铝、8-羟基喹啉镓、8-羟基喹啉铟、8-羟基喹啉锌、8-羟基喹啉铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、三(5-羟甲基-8-羟基喹啉)铝或双(5,7-二氯-8-羟基喹啉)(8-羟基喹啉)铝。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，
所述基板的材料为玻璃；
所述阳极层的材料为透明氧化物导电薄膜；所述阳极层的厚度为70纳米～200纳米；
所述空穴传输层的材料包括空穴传输基质材料及掺杂于所述空穴传输基质材料中的p型掺杂剂；所述空穴传输基质材料为酞菁锌、酞菁铜、4,4′,4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N,N′,N′-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯或4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺；所述p型掺杂剂为1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌、2,2′-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈、氧化铼、氧化钨或氧化钼；所述p型掺杂剂与所述空穴传输基质材料的质量比为0.05:1～0.2:1；所述空穴传输层的厚度为30纳米～80纳米；
所述电子阻挡层的材料为1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷；所述电子阻挡层的厚度为5纳米～10纳米；
所述发光层的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二（2-甲基-8-羟基喹啉）-（4-联苯酚）铝、4-（二腈甲烯基）-2-异丙基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、8-羟基喹啉铝、4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱及三（2-苯基吡啶）合铱中的至少一种，或所述4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二（2-甲基-8-羟基喹啉）-（4-联苯酚）铝、4-（二腈甲烯基）-2-异丙基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、8-羟基喹啉铝、4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱及三（2-苯基吡啶）合铱中的至少一种与所述空穴传输基质材料及电子传输基质材料中的至少一种混合掺杂形成的材料；所述电子传输基质材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或1,2,4-三唑衍生物；所述发光层的厚度为2纳米～15纳米；及
所述阴极层的材料为银、铝、镁银合金或镁铝合金；所述阴极层的厚度为70纳米～200纳米。
7.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板，在所述基板上溅射形成阳极层；
在所述阳极层上依次真空蒸镀形成空穴传输层、电子阻挡层及发光层；
在所述发光层上蒸镀形成电子传输层，所述电子传输层包括至少一个电子传输单元，每个电子传输单元包括层叠于所述发光层上的n型阻挡部和层叠于所述n型阻挡部的n型掺杂传输部；所述n型阻挡部的材料为有机金属配合物，所述有机金属配合物由铍、镓、锌、铟及铝中的一种与羟基喹啉、羟基喹啉的衍生物、羟基苯并喹啉及羟基苯并喹啉的衍生物中的一种配合形成；所述n型掺杂传输部的材料包括电子传输基质材料及掺杂于所述电子传输基质材料中的n型掺杂剂，所述n型掺杂剂为碱金属化合物；且所述n型掺杂剂与所述电子传输基质材料的质量比为0.05:1～0.2:1；及
在所述电子传输层上形成阴极层。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在所述基板上溅射形成所述阳极层之前，还包括对所述基板的清洗步骤：将所述基板依次置于含有洗涤剂的去离子水中、异丙醇及丙酮中超声清洗，然后干燥。
9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在所述阳极层上真空蒸镀形成所述空穴传输层之前还包括对所述阳极层的表面进行等离子处理的步骤。
10.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述真空蒸镀时的真空度为10-5Pa～10-3Pa。
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