RU2001126630A - Способ изготовления самомасштабируемого полевого транзистора со структурой суперсамосовмещенного биполярного транзистора - Google Patents

Claims (3)

1. Способ изготовления самомасштабируемого полевого транзистора со структурой суперсамосовмещенного биполярного транзистора, включающий формирование на поверхности кремниевой пластины первого слоя диэлектрика, вытравливание в нем окон с вертикальными стенками под области транзистора, осаждение первою слоя поликристаллического кремния, легирование его примесью требуемого типа проводимости с необходимой концентрацией, осаждение второго слоя диэлектрика с толщиной не менее двух погрешностей совмещения на литографии, формирование маски фоторезиста таким образом, что границы окон в фоторезисте проходят над вертикальными участками второго слоя диэлектрика, образованными на ступенях окон в первом слое диэлектрика, и располагаются не ближе одной погрешности совмещения на литографии от каждой боковой стенки вертикальных участков второго диэлектрика, травление горизонтальных участках второго диэлектрика до первого слоя поликристаллического кремния, травление первого слоя поликристаллического кремния, формирование на боковых стенках первого слоя поликристаллического кремния пристеночного диэлектрика, осаждения второго слоя поликристаллического кремния, легирования его примесью требуемого типа проводимости с необходимой концентрацией, термического отжига для формирования областей транзистора диффузией из поликристаллического кремния, формирования контактов к электродам из поликристаллического кремния и металлизации, отличающегося тем, что первый слой диэлектрика создают методом локального окисления кремния через маску нитрида кремния вокруг области полевого транзистора, производят вытравливание окон в первом диэлектрике вертикальным травлением раздельно для области стока и области истока с перекрытием окнами “клюва” первого диэлектрика в сторону диэлектрика, получаемою локальным окислением, и глубиной травления окон в диэлектрике, обеспечивающей планарность диэлектрика в окнах с поверхностью кремния, и расстоянием между окнами для области стока и области истока, превышающим ширину затвора полевою транзистора, производят травление горизонтальных и наклонных, над областями “клюва”, участков второго диэлектрика до первого слоя поликристаллического кремния, а после вытравливания первого слоя полнкристаллического кремния производят осаждение второго слоя поликристаллического кремния, легируют его типом примеси с концентрацией, необходимыми для создания слабо легированных областей стока и истока полевого транзистора, травят горизонтальные и наклонные, над областями “клюва”, участки второго слоя поликристаллического кремния до кремния и первого диэлектрика, формируют на поверхности кремния и боковых стенках второго поликристаллического кремния слой диэлектрика не менее толщины требуемого подзатворного диэлектрика, осаждают третий слой поликристаллического кремния, легируют его типом примеси с концентрацией, необходимыми для формирования затвора из поликристаллического кремния данного типа полевого транзистора, термическим отжигом формируют сильно легированные области стока и истока диффузией из первого поликристаллического кремния и слаболегированные области стока и истока диффузией из второго поликристаллического кремния.

2. Способ по п.1, в котором окислению поверхности кремния и второго поликристаллического кремния предшествует термический отжиг для формирования слаболегированных областей стока и истока диффузией из второго поликристаллического кремния, а окисление поверхности кремния и второго поликристаллического кремния производится до полного окисления второго слоя поликристаллического кремния, после чего производят удаление окисла выросшего на кремнии с помощью вертикального плазмохимического травления, а затем формируют подзатворный диэлектрик.

3. Способ по п.1, в котором непосредственно после легирования примесями первого и третьего слоев поликристаллического кремния на слой поликристаллического кремния наносятся и вместе с ними травятся слои полицидов металлов.