RU2001111332A

RU2001111332A - Камера плазменной обработки и способ обработки полупроводниковой подложки в такой камере

Info

Publication number: RU2001111332A
Application number: RU2001111332/09A
Authority: RU
Inventors: Томас Е. УИКЕР; Роберт А. МАРАШИН; Уильям С. КЕННЕДИ
Original assignee: Лэм Рисерч Корпорейшн
Priority date: 1998-09-25
Filing date: 1999-09-24
Publication date: 2003-03-27

Claims

1. Камера плазменной обработки, содержащая вкладыш камеры и держатель вкладыша, причем держатель вкладыша включает гибкую стенку, которая окружает внешнюю поверхность вкладыша камеры, и расположена на расстоянии от стенки вкладыша камеры.

2. Камера плазменной обработки по п. 1, отличающаяся тем, что дополнительно содержит нагреватель, соединенный с держателем вкладыша с образованием теплового контакта с возможностью передачи тепла через держатель вкладыша на вкладыш камеры.

3. Камера плазменной обработки по п. 1, отличающаяся тем, что держатель вкладыша выполнен из гибкого алюминиевого материала, а вкладыш камеры выполнен из керамического материала.

4. Камера плазменной обработки по п. 3, отличающаяся тем, что гибкая стенка содержит прорези, разделяющие держатель вкладыша на множество секторов, которые позволяют гибкой стенке поглощать тепловые напряжения.

5. Камера плазменной обработки по п. 4, отличающаяся тем, что нижний выступ держателя вкладыша прикреплен к нижней секции крепления вкладыша камеры.

6. Камера плазменной обработки по п. 1, отличающаяся тем, что дополнительно содержит отражательное кольцо, находящееся в тепловом контакте с вкладышем камеры и держателем вкладыша, и формирующее экран для плазмы вокруг электростатического держателя, установленного в центральной части камеры.

7. Камера плазменной обработки по п. 6, отличающаяся тем, что отражательное кольцо изготовлено из одного или большего количества материалов таких, как карбид кремния (SiC), нитрид кремния (Si₃N₄), карбид бора (В₄С) и нитрид бора (BN).

8. Камера плазменной обработки по п. 1, отличающаяся тем, что вкладыш камеры изготовлен из одного или большего количества материалов таких, как карбид кремния (SiC), нитрид кремния (Si₃N₄), карбид бора (В₄С) и нитрид бора (BN).

9. Камера плазменной обработки по п. 1, отличающаяся тем, что вкладыш камеры имеет низкое удельное электрическое сопротивление и его конфигурация выбрана с возможностью обеспечения пути заземления для высокочастотной энергии.

10. Камера плазменной обработки по п. 1, отличающаяся тем, что дополнительно содержит газораспределительную пластину, установленную над электростатическим держателем, причем газораспределительная пластина имеет высокое удельное электрическое сопротивление.

11. Камера плазменной обработки по п. 10, отличающаяся тем, что газораспределительная пластина изготовлена из одного или большего количества материалов таких, как карбид кремния (SiC), нитрид кремния (Si₃N₄), карбид бора (В₄С) и нитрид бора (BN).

12. Камера плазменной обработки по п. 1, отличающаяся тем, что дополнительно содержит фокусирующее кольцо и подставку, на которой установлено фокусирующее кольцо и электростатический держатель.

13. Камера плазменной обработки по п. 12, отличающаяся тем, что фокусирующее кольцо и подставка изготовлены из одного или большего количества материалов таких, как карбид кремния (SiC), нитрид кремния (Si₃N₄), карбид бора (В₄С) и нитрид бора (BN).

14. Камера плазменной обработки по п. 1, отличающаяся тем, что дополнительно содержит фокусирующее кольцо, подставку и/или газораспределительную пластину, изготовленную из одного или большего количества материалов таких, как карбид кремния (SiC), нитрид кремния (Si₃N₄), карбид бора (В₄С) и нитрид бора (BN).

15. Камера плазменной обработки по п. 11, отличающаяся тем, что дополнительно содержит источник высокочастотной энергии, выполненный с возможностью индуктивной передачи высокочастотной энергии через газораспределительную пластину и генерирования плазмы высокой плотности внутри камеры.

16. Камера плазменной обработки по п. 1, отличающаяся тем, что источник высокочастотной энергии содержит плоскую антенну.

17. Камера плазменной обработки по п. 1, отличающаяся тем, что держатель вкладыша дополнительно содержит внешнюю опору, соединенную с образованием теплового контакта с нижним выступом держателя вкладыша, при этом внешняя опора находится в тепловом контакте с верхней водоохлаждаемой пластиной, установленной на камере.

18. Камера плазменной обработки по п. 1, отличающаяся тем, что камера представляет собой камеру плазменного травления.

19. Камера плазменной обработки по п. 1, отличающаяся тем, что держатель вкладыша содержит верхний выступ, гибкую стенку, и нижний выступ, при этом гибкая стенка и нижний выступ имеют множество прорезей, которые формируют в держателе вкладыша множество секторов.

20. Камера плазменной обработки по п. 1, отличающаяся тем, что кольцо литого нагревателя находится в тепловом контакте с держателем вкладыша, причем кольцо нагревателя содержит резистивный нагревательный элемент, выполненный с возможностью нагрева держателя вкладыша с обеспечением теплового регулирования температуры вкладыша камеры.

21. Камера плазменной обработки по п. 1, отличающаяся тем, что вкладыш камеры содержит отверстие для подачи пластины внутрь камеры.

22. Способ обработки полупроводниковой подложки в камере плазменной обработки отличающийся тем, что полупроводниковую пластину устанавливают внутри камеры плазменной обработки по п. 1, и открытую поверхность этой пластины обрабатывают с помощью плазмы высокой плотности.

23. Способ по п. 22, отличающийся тем, что используют камеру, содержащую вкладыш, выполненный из керамического материала с держателем вкладыша включающим внешнюю опору, проходящую между держателем вкладыша и терморегулируемой частью камеры, причем размеры внешней опоры выбирают с обеспечением минимальных отклонений температуры вкладыша камеры в процессе последовательной обработки партии полупроводниковых пластин.

24. Способ обработки полупроводниковой подложки по п. 22, отличающийся тем, что используют камеру, вкладыш которой представляет собой керамический вкладыш, который удаляют из камеры и заменяют другим керамическим вкладышем после обработки заранее определенного количества полупроводниковых пластин.