RU2000100933A - Электрически адресуемое устройство, способ электрической адресации и использование этого устройства и этого способа - Google Patents
Электрически адресуемое устройство, способ электрической адресации и использование этого устройства и этого способаInfo
- Publication number
- RU2000100933A RU2000100933A RU2000100933/09A RU2000100933A RU2000100933A RU 2000100933 A RU2000100933 A RU 2000100933A RU 2000100933/09 A RU2000100933/09 A RU 2000100933/09A RU 2000100933 A RU2000100933 A RU 2000100933A RU 2000100933 A RU2000100933 A RU 2000100933A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cell
- organic material
- functional medium
- functional
- addressable device
- Prior art date
Links
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 15
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 5
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 2
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 claims 2
- 230000002427 irreversible Effects 0.000 claims 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N Tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 claims 1
- 230000003595 spectral Effects 0.000 claims 1
Claims (42)
1. Электрически адресуемое устройство для записи, хранения и/или обработки данных, содержащее функциональную среду (1) в виде слоеподобной непрерывной структуры (S) или структуры с узором, причем функциональная среда (1) может подвергаться физическим или химическим изменениям состояния посредством соответствующего энергетического воздействия и содержит множество отдельно адресуемых пассивных ячеек (2), размещенных в двумерном узоре, при этом функциональная среда (1) реализована как однородная или слоистая структура, содержащая по меньшей мере один практически органический материал, в котором данное физическое или химическое состояние в ячейке (2) представляет записанное или обнаруженное значение или заранее заданное логическое значение присваивается ячейке, при этом ячейки (2) размещены между электродами (3, 4) электродного средства (Е), которое прямо или косвенно контактирует с функциональной средой (1) в каждой ячейке для осуществления прямой или косвенной электрической связи между ними, посредством чего каждая ячейка (2) может запитываться электроэнергией для обнаружения физического или химического состояния или изменения ее физического или химического состояния, при этом множество практически параллельных электрических проводников (m, n) размещены на каждой стороне функциональной среды (1), так что верхние и нижние проводники (m, n) пересекают друг друга практически под прямым углом, а электродное средство (Е) для каждой ячейки (2)сформировано в точке пересечения между соответствующими верхним и нижним проводниками (m, n), так что ячейки (2) в функциональной среде (1) и соответствующие им электродные средства (Е) формируют элементы матрицы, ряды и столбцы которой определены соответственно верхними и нижними электрическими проводниками (m, n), которые в точках пересечения формируют электроды (3, 4) электродных средств (Е), отличающееся тем, что функциональная среда (1) в каждой ячейке (2) имеет общую нелинейную характеристику импеданса, и при этом по меньшей мере один практически органический материал функциональной среды (1) является полимерным материалом.
2. Электрически адресуемое устройство по п.1, отличающееся тем, что каждая ячейка (2) содержит выпрямительный диод, сформированный между анодом (3) и катодом (4) упомянутого электродного средства (Е), так что устройство содержит электрическую сеть диодов такого типа.
3. Электрически адресуемое устройство по п.2, отличающееся тем, что выпрямительный диод сформирован самопроизвольно путем прямого контакта с полимерным материалом между электродами (3, 4).
4. Электрически адресуемое устройство по п.1, отличающееся тем, что электрические проводники (m, n), выполнены внутри функциональной среды (1) или на ней, и контактируют с ней напрямую.
5. Электрически адресуемое устройство по п.1, отличающееся тем, что на каждой стороне функциональной среды (1) и между ней и электрическими проводниками (m, n) размещены диэлектрический слой (7, 8), так что электрические проводники (m, n) контактируют с функциональной средой (1) косвенно.
6. Электрически адресуемое устройство по п.3 или 4, отличающееся тем, что электрические проводники (m, n) размещены внутри слоеподобной подложки (5, 6) или на ней рядом с функциональной средой (1) на каждой ее стороне.
7. Электрически адресуемое устройство по п.1, отличающееся тем, что электрические проводники (m, n) по меньшей мере на одной стороне функциональной среды (1) сформированы из прозрачного материала.
8. Электрически адресуемое устройство по п.1, отличающееся тем, что полимерный материал является полидиеном.
9. Электрически адресуемое устройство по п.1, отличающееся тем, что полимерный материал является ферроэлектрическим полимером.
10. Электрически адресуемое устройство по п.1, отличающееся тем, что органический материал функциональной среды (1) является анизотропным электропроводным материалом.
11. Электрически адресуемое устройство по п.10, отличающееся тем, что анизотропный электропроводный материал включает отдельные электропроводные области (10, 10'), окруженные электроизолирующим материалом.
12. Электрически адресуемое устройство по п.11, отличающееся тем, что электропроводные области (10, 10') сформированы путем разделения фаз между по меньшей мере двумя органическими жидкостями, которые распределены в виде слоеподобной структуры до того, как электрические проводники (m, n) и возможные подложки (5, 6) для них выполнены на обеих сторонах упомянутой функциональной среды (1).
13. Электрически адресуемое устройство по п.1, отличающееся тем, что в органический материал функциональной среды (1) добавлено вещество, которое может излучать свет путем подачи электроэнергии, а органический материал под воздействием излучаемого света и, возможно, тепла, выработанного поданной электроэнергией, может подвергаться химической реакции, которая действует на изменение импеданса функциональной среды.
14. Электрически адресуемое устройство по п.1, отличающееся тем, что в органический материал функциональной среды (1) добавлено одно или более веществ, которые при подаче электроэнергии могут излучать свет или обнаруживать свет различных длин волн или в различных диапазонах длин волн.
15. Электрически адресуемое устройство по п.1, отличающееся тем, что функциональная среда (1) содержит ферроэлектрический жидкий кристалл.
16. Электрически адресуемое устройство по п.1, отличающееся тем, что функциональная среда (1) содержит плавкие микрокристаллы.
17. Электрически адресуемое устройство по п.1, отличающееся тем, что органический материал функциональной среды (1) или вещество, добавленное в этот органический материал, могут переходить из кристаллической фазы в аморфную фазу или наоборот.
18. Электрически адресуемое устройство по п.1, отличающееся тем, что органический материал функциональной среды (1) является реактивным органическим материалом многостабильной структуры.
19. Электрически адресуемое устройство по п.1, отличающееся тем, что органический материал функциональной среды (1) является органическим полупроводником.
20. Электрически адресуемое устройство по п.19, отличающееся тем, что органический полупроводник в каждой ячейке (2) формирует диодный переход либо самостоятельно, либо в соединении с каждым электродом (3/4).
21. Электрически адресуемое устройство по п.1, отличающееся тем, что органический материал функциональной среды (1) является органическим соединением с переносом заряда.
22. Электрически адресуемое устройство по п.21, отличающееся тем, что органическое соединение с переносом заряда является TCNQ (7,7,8,8-тетрацианохинодиметан), и формирует комплекс с переносом заряда с электронным донором.
23. Электрически адресуемое устройство по п.1, отличающееся тем, что функциональная среда дополнительно содержит один или более неорганических полупроводниковых материалов, размещенных в соответствующих одном или более отдельных слоях.
24. Электрически адресуемое устройство по п.23, отличающееся тем, что один неорганический полупроводниковый материал является аморфным гидрогенированным кремнием (a-Si:H).
25. Электрически адресуемое устройство по п.23, отличающееся тем, что неорганический полупроводниковый материал формирует диодный переход либо самостоятельно, либо в соединении с каждым электродом (3, 4).
26. Способ электрической адресации устройства для записи, хранения и/или обработки данных, в котором устройство содержит функциональную среду (1) в виде слоеподобной непрерывной структуры (S) или структуры с узором, причем функциональная среда (1) может подвергаться физическим или химическим изменениям состояния посредством соответствующего энергетического воздействия и содержит множество отдельно адресуемых пассивных ячеек (2), размещенных в двумерном узоре, при этом функциональная среда (1) реализована как однородная или слоистая структура, содержащая по меньшей мере один практически органический материал, и в котором данное физическое или химическое состояние в ячейке (2) представляет записанное или обнаруженное значение или заранее заданное логическое значение присваивается ячейке, причем адресация содержит операции по обнаружению записанного или обнаруженного значения в ячейке и дополнительные операции по записи, считыванию, стиранию и переключению логического значения, присвоенного ячейке, при этом способ заключается в том, что осуществляют подачу электроэнергии непосредственно в функциональную среду ячейки для обнаружения или изменения физического и/или химического состояния ячейки и в результате осуществляют операцию адресации, подают электроэнергию в ячейку (2) путем размещения ячейки между анодом (3) и катодом (4) в электродном средстве (Е), которое прямо или косвенно контактирует с функциональной средой в ячейке, подают электрическое напряжение в ячейку и воздействуют на прямую или косвенную электрическую связь между ними, тем самым логическое значение ячейки либо обнаруживают, либо переключают, либо и то и другое, отличающийся тем, что используют функциональную среду(1) ячейки(2)с общей нелинейной характеристикой импеданса, и используют полимерный материал в качестве по меньшей мере одного органического материала функциональной среды (1).
27. Способ по п.26, отличающийся тем, что формируют ячейку (2) в точке пересечения между соответствующими практически параллельными электрическими проводниками (m, n), предусмотренными на каждой стороне функциональной среды (1), так что верхний и нижний проводники (m, n) пересекают друг друга в практически под прямым углом и содержат соответственно электроды (3, 4) электродного средства (Е) каждой ячейки (2), так что ячейки (2) в функциональной среде (1) и предназначенные им электродные средства (Е) формируют элементы в матрице, ряды и столбцы которой определены соответственно верхними и нижними электрическими проводниками (m, n).
28. Способ по п.26, отличающийся тем, что используют ячейки (2) с высоко нелинейной характеристикой напряжения.
29. Способ по п.26, отличающийся тем, что подают электроэнергию путем подачи электрических зарядов в ячейку (2).
30. Способ по п.26, отличающийся тем, что подают энергию путем генерирования электрических полей в ячейке (2).
31. Способ по п.26, отличающийся тем, что в органический материал функциональной среды (1) добавляют вещество, которое может излучать свет при подаче электроэнергии, так что излученный свет и, возможно, тепло, выработанное поданной электроэнергией, запускает химическую реакцию в этом органическом материале, и изменяют общий импеданс функциональной среды (1).
32. Способ по п.26, отличающийся тем, что в органический материал функциональной среды (1) добавляют одно или более веществ, которые при подаче электроэнергии могут излучать свет или обнаруживать свет различных длин волн или в различных диапазонах длин волн, изменяют спектральные характеристики излученного света путем изменения значения напряжения поданной электроэнергии.
33. Способ по п.32, отличающийся тем, что логическое значение, присвоенное ячейке (2), переключают путем подачи высокого напряжения в ячейку и считывают логическое значение путем обнаружения светового излучения во время подачи низкого напряжения, так что ячейка (2) излучает длинноволновой свет, который не влияет на физическое или химическое состояние функциональной среды, при этом интенсивность длинноволнового света зависит от логического значения.
34. Способ по п.26, отличающийся тем, что используют органический материал функциональной среды (1), являющийся ферроэлектрическим жидким кристаллом или ферроэлектрическим полимером, определяют логическое значение, присвоенное ячейке (2) путем измерения импеданса ячейки (2).
35. Способ по п.26, отличающийся тем, что логическое значение, присвоенное ячейке (2), переключают поданной электроэнергией из-за изменения электрической проводимости функциональной среды (1) от резистивного нагревания.
36. Способ по п.26, отличающийся тем, что логическое значение, присвоенное ячейке (2), переключают необратимо, для чего осуществляют необратимое изменение электрической проводимости функциональной среды (1).
37. Способ по п.26, отличающийся тем, что логическое значение, присвоенное ячейке, переключают необратимо, для чего осуществляют необратимое изменение поверхности раздела между функциональной средой (1) и каждым электродом (3, 4).
38. Способ по п.26, отличающийся тем, что в органический материал функциональной среды (1) добавляют плавкие микрокристаллы, и логическое значение, присвоенное логической ячейке(2), переключают необратимо, для чего осуществляют плавление микрокристаллов.
39. Способ по п.26, отличающийся тем, что используют органический материал сам по себе или вещество, добавленное в этот органический материал, которые могут перейти из кристаллической фазы в аморфную фазу или наоборот, и логическое значение, присвоенное ячейке (2), переключают необратимо, причем переключение вызывают переходом между кристаллической фазой и аморфной фазой или наоборот в упомянутом органическом материале или в упомянутом веществе, добавленном в него.
40. Способ по п.26, отличающийся тем, что используют органический материал функциональной среды (1), являющийся реактивным органическим материалом многостабильной структуры, а логическое значение, присвоенное ячейке (2), переключают необратимо путем генерирования в упомянутой ячейке (2) электрического поля.
41. Применение электрически адресуемого устройства по любому из пп.1-25 и способа электрической адресации по любому из пп. 26-40 в устройстве оптического обнаружения.
42. Применение электрически адресуемого устройства по любому из пп.1-25 и способа электрической адресации по любому из пп.26-40 в объемном устройстве хранения данных или устройстве обработки данных.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NO972803A NO972803D0 (no) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | Elektrisk adresserbar logisk innretning, fremgangsmåte til elektrisk adressering av samme og anvendelse av innretning og fremgangsmåte |
NO972803 | 1997-06-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2000100933A true RU2000100933A (ru) | 2001-11-27 |
RU2182732C2 RU2182732C2 (ru) | 2002-05-20 |
Family
ID=19900838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2000100933/09A RU2182732C2 (ru) | 1997-06-17 | 1998-06-17 | Электрически адресуемое устройство, способ электрической адресации и использование этого устройства и этого способа |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6055180A (ru) |
EP (1) | EP0990235B1 (ru) |
JP (1) | JP3415856B2 (ru) |
KR (1) | KR100362053B1 (ru) |
CN (1) | CN100440374C (ru) |
AT (1) | ATE237182T1 (ru) |
AU (1) | AU735299B2 (ru) |
CA (1) | CA2294834C (ru) |
DE (1) | DE69813218T2 (ru) |
DK (1) | DK0990235T3 (ru) |
ES (1) | ES2196585T3 (ru) |
NO (1) | NO972803D0 (ru) |
RU (1) | RU2182732C2 (ru) |
WO (1) | WO1998058383A2 (ru) |
Families Citing this family (301)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7193625B2 (en) | 1999-04-30 | 2007-03-20 | E Ink Corporation | Methods for driving electro-optic displays, and apparatus for use therein |
US7999787B2 (en) | 1995-07-20 | 2011-08-16 | E Ink Corporation | Methods for driving electrophoretic displays using dielectrophoretic forces |
US5673218A (en) | 1996-03-05 | 1997-09-30 | Shepard; Daniel R. | Dual-addressed rectifier storage device |
NO309500B1 (no) | 1997-08-15 | 2001-02-05 | Thin Film Electronics Asa | Ferroelektrisk databehandlingsinnretning, fremgangsmåter til dens fremstilling og utlesing, samt bruk av samme |
WO1999059101A2 (en) | 1998-05-12 | 1999-11-18 | E-Ink Corporation | Microencapsulated electrophoretic electrostatically-addressed media for drawing device applications |
EP1093600B1 (en) | 1998-07-08 | 2004-09-15 | E Ink Corporation | Methods for achieving improved color in microencapsulated electrophoretic devices |
US7256766B2 (en) * | 1998-08-27 | 2007-08-14 | E Ink Corporation | Electrophoretic display comprising optical biasing element |
US6483736B2 (en) * | 1998-11-16 | 2002-11-19 | Matrix Semiconductor, Inc. | Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication |
US6385074B1 (en) | 1998-11-16 | 2002-05-07 | Matrix Semiconductor, Inc. | Integrated circuit structure including three-dimensional memory array |
US6504524B1 (en) | 2000-03-08 | 2003-01-07 | E Ink Corporation | Addressing methods for displays having zero time-average field |
NO311317B1 (no) | 1999-04-30 | 2001-11-12 | Thin Film Electronics Asa | Apparat omfattende elektroniske og/eller optoelektroniske kretser samt fremgangsmåte til å realisere og/eller integrerekretser av denne art i apparatet |
US6531997B1 (en) | 1999-04-30 | 2003-03-11 | E Ink Corporation | Methods for addressing electrophoretic displays |
US7119772B2 (en) * | 1999-04-30 | 2006-10-10 | E Ink Corporation | Methods for driving bistable electro-optic displays, and apparatus for use therein |
US7012600B2 (en) * | 1999-04-30 | 2006-03-14 | E Ink Corporation | Methods for driving bistable electro-optic displays, and apparatus for use therein |
US8115729B2 (en) | 1999-05-03 | 2012-02-14 | E Ink Corporation | Electrophoretic display element with filler particles |
WO2001007961A1 (en) * | 1999-07-21 | 2001-02-01 | E Ink Corporation | Use of a storage capacitor to enhance the performance of an active matrix driven electronic display |
NO315728B1 (no) | 2000-03-22 | 2003-10-13 | Thin Film Electronics Asa | Multidimensjonal adresseringsarkitektur for elektroniske innretninger |
ATE438927T1 (de) * | 2000-04-18 | 2009-08-15 | E Ink Corp | Prozess zur herstellung von dünnfilmtransistoren |
US7893435B2 (en) | 2000-04-18 | 2011-02-22 | E Ink Corporation | Flexible electronic circuits and displays including a backplane comprising a patterned metal foil having a plurality of apertures extending therethrough |
US6856572B2 (en) * | 2000-04-28 | 2005-02-15 | Matrix Semiconductor, Inc. | Multi-headed decoder structure utilizing memory array line driver with dual purpose driver device |
US6631085B2 (en) | 2000-04-28 | 2003-10-07 | Matrix Semiconductor, Inc. | Three-dimensional memory array incorporating serial chain diode stack |
US6567287B2 (en) | 2001-03-21 | 2003-05-20 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory device with row and column decoder circuits arranged in a checkerboard pattern under a plurality of memory arrays |
US8575719B2 (en) | 2000-04-28 | 2013-11-05 | Sandisk 3D Llc | Silicon nitride antifuse for use in diode-antifuse memory arrays |
US6956757B2 (en) * | 2000-06-22 | 2005-10-18 | Contour Semiconductor, Inc. | Low cost high density rectifier matrix memory |
EP1170799A3 (de) * | 2000-07-04 | 2009-04-01 | Infineon Technologies AG | Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements |
US20020060321A1 (en) | 2000-07-14 | 2002-05-23 | Kazlas Peter T. | Minimally- patterned, thin-film semiconductor devices for display applications |
TW531846B (en) * | 2000-08-09 | 2003-05-11 | Infineon Technologies Ag | Memory element and method for fabricating a memory element |
EP1312120A1 (en) * | 2000-08-14 | 2003-05-21 | Matrix Semiconductor, Inc. | Dense arrays and charge storage devices, and methods for making same |
AU2001265068A1 (en) * | 2000-10-31 | 2002-05-15 | The Regents Of The University Of California | Organic bistable device and organic memory cells |
US6950129B1 (en) | 2000-11-22 | 2005-09-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | One-time-use digital camera |
NO20005980L (no) | 2000-11-27 | 2002-05-28 | Thin Film Electronics Ab | Ferroelektrisk minnekrets og fremgangsmåte ved dens fremstilling |
FR2817604B1 (fr) * | 2000-12-01 | 2004-04-23 | Biomerieux Sa | Vannes activees par des polymeres electro-actifs ou par des materiaux a memoire de forme, dispositif contenant de telles vannes et procede de mise en oeuvre |
US6687149B2 (en) | 2001-02-05 | 2004-02-03 | Optabyte, Inc. | Volumetric electro-optical recording |
NO312928B1 (no) * | 2001-02-26 | 2002-07-15 | Thin Film Electronics Asa | Ikke-destruktiv utlesing |
US6817531B2 (en) * | 2001-03-07 | 2004-11-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Apparatus and methods for marking content of memory storage devices |
US6919633B2 (en) * | 2001-03-07 | 2005-07-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Multi-section foldable memory device |
US6504753B1 (en) | 2001-03-21 | 2003-01-07 | Matrix Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for discharging memory array lines |
US6522594B1 (en) | 2001-03-21 | 2003-02-18 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory array incorporating noise detection line |
US6618295B2 (en) | 2001-03-21 | 2003-09-09 | Matrix Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for biasing selected and unselected array lines when writing a memory array |
US7177181B1 (en) | 2001-03-21 | 2007-02-13 | Sandisk 3D Llc | Current sensing method and apparatus particularly useful for a memory array of cells having diode-like characteristics |
US6545898B1 (en) | 2001-03-21 | 2003-04-08 | Silicon Valley Bank | Method and apparatus for writing memory arrays using external source of high programming voltage |
US7424201B2 (en) * | 2001-03-30 | 2008-09-09 | Sandisk 3D Llc | Method for field-programming a solid-state memory device with a digital media file |
US6895490B1 (en) * | 2001-04-09 | 2005-05-17 | Matrix Semiconductor, Inc. | Method for making a write-once memory device read compatible with a write-many file system |
US7003619B1 (en) | 2001-04-09 | 2006-02-21 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory device and method for storing and reading a file system structure in a write-once memory array |
US6996660B1 (en) | 2001-04-09 | 2006-02-07 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory device and method for storing and reading data in a write-once memory array |
US7062602B1 (en) | 2001-04-09 | 2006-06-13 | Matrix Semiconductor, Inc. | Method for reading data in a write-once memory device using a write-many file system |
JP4731794B2 (ja) * | 2001-05-07 | 2011-07-27 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | メモリ効果を有するスイッチ素子及び該素子をスイッチングさせる方法 |
KR100900080B1 (ko) * | 2001-05-07 | 2009-06-01 | 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 | 자기 조립형 폴리머 막을 구비한 메모리 디바이스 및 그제조 방법 |
US6627944B2 (en) | 2001-05-07 | 2003-09-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Floating gate memory device using composite molecular material |
US6873540B2 (en) * | 2001-05-07 | 2005-03-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Molecular memory cell |
AU2002340795A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reversible field-programmable electric interconnects |
WO2002091495A2 (en) * | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Coatue Corporation | Molecular memory device |
US20100148385A1 (en) * | 2001-05-15 | 2010-06-17 | E Ink Corporation | Electrophoretic media and processes for the production thereof |
US6795778B2 (en) * | 2001-05-24 | 2004-09-21 | Lincoln Global, Inc. | System and method for facilitating welding system diagnostics |
US6756620B2 (en) * | 2001-06-29 | 2004-06-29 | Intel Corporation | Low-voltage and interface damage-free polymer memory device |
US6624457B2 (en) | 2001-07-20 | 2003-09-23 | Intel Corporation | Stepped structure for a multi-rank, stacked polymer memory device and method of making same |
US6967640B2 (en) * | 2001-07-27 | 2005-11-22 | E Ink Corporation | Microencapsulated electrophoretic display with integrated driver |
DE60130586T2 (de) | 2001-08-13 | 2008-06-19 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Speicherzelle |
US6858481B2 (en) | 2001-08-13 | 2005-02-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Memory device with active and passive layers |
US6768157B2 (en) * | 2001-08-13 | 2004-07-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Memory device |
US6806526B2 (en) * | 2001-08-13 | 2004-10-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Memory device |
US6838720B2 (en) * | 2001-08-13 | 2005-01-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Memory device with active passive layers |
TW559751B (en) * | 2001-08-24 | 2003-11-01 | Delta Optoelectronics Inc | Driving circuit and method of organic light-emitting diode |
US6724665B2 (en) * | 2001-08-31 | 2004-04-20 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory device and method for selectable sub-array activation |
US6735546B2 (en) | 2001-08-31 | 2004-05-11 | Matrix Semiconductor, Inc. | Memory device and method for temperature-based control over write and/or read operations |
US7275135B2 (en) * | 2001-08-31 | 2007-09-25 | Intel Corporation | Hardware updated metadata for non-volatile mass storage cache |
US7152125B2 (en) * | 2001-09-25 | 2006-12-19 | Intel Corporation | Dynamic master/slave configuration for multiple expansion modules |
US20030061436A1 (en) * | 2001-09-25 | 2003-03-27 | Intel Corporation | Transportation of main memory and intermediate memory contents |
US20030058681A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-03-27 | Intel Corporation | Mechanism for efficient wearout counters in destructive readout memory |
EP1302441B1 (en) * | 2001-10-10 | 2007-01-03 | Rohm And Haas Company | An improved method for making lithium borohydride |
US20030074524A1 (en) * | 2001-10-16 | 2003-04-17 | Intel Corporation | Mass storage caching processes for power reduction |
US6833593B2 (en) | 2001-11-09 | 2004-12-21 | Thin Film Electronics Asa | Electrode means, a method for its manufacture, an apparatus comprising the electrode means as well as use of the latter |
NO20015509D0 (no) * | 2001-11-09 | 2001-11-09 | Hans Gude Gudesen | Elektrodeanordning, fremgangsmåte til dets fremstilling, apparat omfattende elektrodeanordningene, samt bruk av sistnevnte |
US6768685B1 (en) | 2001-11-16 | 2004-07-27 | Mtrix Semiconductor, Inc. | Integrated circuit memory array with fast test mode utilizing multiple word line selection and method therefor |
DE10156470B4 (de) * | 2001-11-16 | 2006-06-08 | Infineon Technologies Ag | RF-ID-Etikett mit einer Halbleiteranordnung mit Transistoren auf Basis organischer Halbleiter und nichtflüchtiger Schreib-Lese-Speicherzellen |
US6889307B1 (en) | 2001-11-16 | 2005-05-03 | Matrix Semiconductor, Inc. | Integrated circuit incorporating dual organization memory array |
US7528822B2 (en) * | 2001-11-20 | 2009-05-05 | E Ink Corporation | Methods for driving electro-optic displays |
US9412314B2 (en) | 2001-11-20 | 2016-08-09 | E Ink Corporation | Methods for driving electro-optic displays |
US8558783B2 (en) | 2001-11-20 | 2013-10-15 | E Ink Corporation | Electro-optic displays with reduced remnant voltage |
US9530363B2 (en) | 2001-11-20 | 2016-12-27 | E Ink Corporation | Methods and apparatus for driving electro-optic displays |
US8125501B2 (en) | 2001-11-20 | 2012-02-28 | E Ink Corporation | Voltage modulated driver circuits for electro-optic displays |
US8593396B2 (en) | 2001-11-20 | 2013-11-26 | E Ink Corporation | Methods and apparatus for driving electro-optic displays |
US7952557B2 (en) * | 2001-11-20 | 2011-05-31 | E Ink Corporation | Methods and apparatus for driving electro-optic displays |
US7202847B2 (en) | 2002-06-28 | 2007-04-10 | E Ink Corporation | Voltage modulated driver circuits for electro-optic displays |
US6646903B2 (en) * | 2001-12-03 | 2003-11-11 | Intel Corporation | Ferroelectric memory input/output apparatus |
US6914839B2 (en) * | 2001-12-24 | 2005-07-05 | Intel Corporation | Self-timed sneak current cancellation |
US6952375B2 (en) * | 2001-12-24 | 2005-10-04 | Intel Corporation | Self-timed voltage-subtraction sneak current cancellation method and apparatus |
US6570440B1 (en) | 2001-12-24 | 2003-05-27 | Intel Corporation | Direct-timed sneak current cancellation |
DE10200475A1 (de) * | 2002-01-09 | 2003-07-24 | Samsung Sdi Co | Nichtflüchtiges Speicherelement und Anzeigematrizen daraus |
US6864118B2 (en) * | 2002-01-28 | 2005-03-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electronic devices containing organic semiconductor materials |
KR100433407B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2004-05-31 | 삼성광주전자 주식회사 | 업라이트형 진공청소기 |
NO315399B1 (no) | 2002-03-01 | 2003-08-25 | Thin Film Electronics Asa | Minnecelle |
US6853049B2 (en) * | 2002-03-13 | 2005-02-08 | Matrix Semiconductor, Inc. | Silicide-silicon oxide-semiconductor antifuse device and method of making |
GB2386462A (en) * | 2002-03-14 | 2003-09-17 | Cambridge Display Tech Ltd | Display driver circuits |
US7103724B2 (en) * | 2002-04-01 | 2006-09-05 | Intel Corporation | Method and apparatus to generate cache data |
US6842357B2 (en) * | 2002-04-23 | 2005-01-11 | Intel Corporation | Nondestructive sensing mechanism for polarized materials |
US6738307B2 (en) | 2002-05-13 | 2004-05-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Address structure and methods for multiple arrays of data storage memory |
JP4282951B2 (ja) * | 2002-05-31 | 2009-06-24 | パイオニア株式会社 | 半導体記憶素子及びその寿命動作開始装置、並びに該半導体記憶素子を備えた情報記録媒体 |
US7727777B2 (en) * | 2002-05-31 | 2010-06-01 | Ebrahim Andideh | Forming ferroelectric polymer memories |
US20080024482A1 (en) | 2002-06-13 | 2008-01-31 | E Ink Corporation | Methods for driving electro-optic displays |
US6737675B2 (en) | 2002-06-27 | 2004-05-18 | Matrix Semiconductor, Inc. | High density 3D rail stack arrays |
JP2004047791A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Pioneer Electronic Corp | 有機薄膜スイッチングメモリ素子及びメモリ装置 |
DE10231646B4 (de) * | 2002-07-12 | 2007-01-18 | Infineon Technologies Ag | Nichtflüchtige Speicherzellen |
US7240564B2 (en) * | 2002-07-30 | 2007-07-10 | Alliant Techsystems Inc. | Method and apparatus for detecting and determining event characteristics with reduced data collection |
US6753561B1 (en) * | 2002-08-02 | 2004-06-22 | Unity Semiconductor Corporation | Cross point memory array using multiple thin films |
US7012276B2 (en) * | 2002-09-17 | 2006-03-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Organic thin film Zener diodes |
DE10245554B4 (de) * | 2002-09-30 | 2008-04-10 | Qimonda Ag | Nanopartikel als Ladungsträgersenke in resistiven Speicherelementen |
JP3929867B2 (ja) * | 2002-10-11 | 2007-06-13 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 基板結合型遷移金属触媒、及びその製造方法 |
US20130063333A1 (en) | 2002-10-16 | 2013-03-14 | E Ink Corporation | Electrophoretic displays |
US6847047B2 (en) * | 2002-11-04 | 2005-01-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Methods that facilitate control of memory arrays utilizing zener diode-like devices |
US6870183B2 (en) * | 2002-11-04 | 2005-03-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating |
US6859410B2 (en) | 2002-11-27 | 2005-02-22 | Matrix Semiconductor, Inc. | Tree decoder structure particularly well-suited to interfacing array lines having extremely small layout pitch |
US6954394B2 (en) * | 2002-11-27 | 2005-10-11 | Matrix Semiconductor, Inc. | Integrated circuit and method for selecting a set of memory-cell-layer-dependent or temperature-dependent operating conditions |
US6746971B1 (en) | 2002-12-05 | 2004-06-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming copper sulfide for memory cell |
US6770905B1 (en) | 2002-12-05 | 2004-08-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Implantation for the formation of CuX layer in an organic memory device |
US6773954B1 (en) | 2002-12-05 | 2004-08-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Methods of forming passive layers in organic memory cells |
US7220985B2 (en) * | 2002-12-09 | 2007-05-22 | Spansion, Llc | Self aligned memory element and wordline |
US7800932B2 (en) * | 2005-09-28 | 2010-09-21 | Sandisk 3D Llc | Memory cell comprising switchable semiconductor memory element with trimmable resistance |
US7051251B2 (en) * | 2002-12-20 | 2006-05-23 | Matrix Semiconductor, Inc. | Method for storing data in a write-once memory array using a write-many file system |
US7505321B2 (en) * | 2002-12-31 | 2009-03-17 | Sandisk 3D Llc | Programmable memory array structure incorporating series-connected transistor strings and methods for fabrication and operation of same |
US7233522B2 (en) * | 2002-12-31 | 2007-06-19 | Sandisk 3D Llc | NAND memory array incorporating capacitance boosting of channel regions in unselected memory cells and method for operation of same |
US7005350B2 (en) * | 2002-12-31 | 2006-02-28 | Matrix Semiconductor, Inc. | Method for fabricating programmable memory array structures incorporating series-connected transistor strings |
US7482621B2 (en) * | 2003-02-03 | 2009-01-27 | The Regents Of The University Of California | Rewritable nano-surface organic electrical bistable devices |
US6656763B1 (en) | 2003-03-10 | 2003-12-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Spin on polymers for organic memory devices |
US6868022B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-03-15 | Matrix Semiconductor, Inc. | Redundant memory structure using bad bit pointers |
US6879505B2 (en) * | 2003-03-31 | 2005-04-12 | Matrix Semiconductor, Inc. | Word line arrangement having multi-layer word line segments for three-dimensional memory array |
US6822903B2 (en) * | 2003-03-31 | 2004-11-23 | Matrix Semiconductor, Inc. | Apparatus and method for disturb-free programming of passive element memory cells |
US10726798B2 (en) | 2003-03-31 | 2020-07-28 | E Ink Corporation | Methods for operating electro-optic displays |
US7233024B2 (en) * | 2003-03-31 | 2007-06-19 | Sandisk 3D Llc | Three-dimensional memory device incorporating segmented bit line memory array |
US6825060B1 (en) | 2003-04-02 | 2004-11-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Photosensitive polymeric memory elements |
US7049153B2 (en) * | 2003-04-23 | 2006-05-23 | Micron Technology, Inc. | Polymer-based ferroelectric memory |
US6960783B2 (en) * | 2003-05-13 | 2005-11-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Erasing and programming an organic memory device and method of fabricating |
US6977389B2 (en) * | 2003-06-02 | 2005-12-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Planar polymer memory device |
US8174490B2 (en) * | 2003-06-30 | 2012-05-08 | E Ink Corporation | Methods for driving electrophoretic displays |
US6787458B1 (en) | 2003-07-07 | 2004-09-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Polymer memory device formed in via opening |
US6803267B1 (en) | 2003-07-07 | 2004-10-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Silicon containing material for patterning polymeric memory element |
US7259039B2 (en) * | 2003-07-09 | 2007-08-21 | Spansion Llc | Memory device and methods of using and making the device |
WO2005020199A2 (en) | 2003-08-19 | 2005-03-03 | E Ink Corporation | Methods for controlling electro-optic displays |
US6987689B2 (en) * | 2003-08-20 | 2006-01-17 | International Business Machines Corporation | Non-volatile multi-stable memory device and methods of making and using the same |
US7274035B2 (en) * | 2003-09-03 | 2007-09-25 | The Regents Of The University Of California | Memory devices based on electric field programmable films |
US7057958B2 (en) * | 2003-09-30 | 2006-06-06 | Sandisk Corporation | Method and system for temperature compensation for memory cells with temperature-dependent behavior |
US7177183B2 (en) | 2003-09-30 | 2007-02-13 | Sandisk 3D Llc | Multiple twin cell non-volatile memory array and logic block structure and method therefor |
US6955939B1 (en) | 2003-11-03 | 2005-10-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Memory element formation with photosensitive polymer dielectric |
US7184289B2 (en) * | 2003-11-12 | 2007-02-27 | Intel Corporation | Parallel electrode memory |
US8928562B2 (en) * | 2003-11-25 | 2015-01-06 | E Ink Corporation | Electro-optic displays, and methods for driving same |
US7544966B2 (en) * | 2003-12-03 | 2009-06-09 | The Regents Of The University Of California | Three-terminal electrical bistable devices |
US20050128807A1 (en) * | 2003-12-05 | 2005-06-16 | En-Hsing Chen | Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same |
US7221588B2 (en) * | 2003-12-05 | 2007-05-22 | Sandisk 3D Llc | Memory array incorporating memory cells arranged in NAND strings |
US7023739B2 (en) * | 2003-12-05 | 2006-04-04 | Matrix Semiconductor, Inc. | NAND memory array incorporating multiple write pulse programming of individual memory cells and method for operation of same |
FR2863767B1 (fr) * | 2003-12-12 | 2006-06-09 | Commissariat Energie Atomique | Support memoire irreversible a deformation plastique et procede de realisation d'un tel support |
US7034332B2 (en) * | 2004-01-27 | 2006-04-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Nanometer-scale memory device utilizing self-aligned rectifying elements and method of making |
DE102004004863B4 (de) * | 2004-01-30 | 2007-01-25 | Infineon Technologies Ag | Resistiv arbeitende Speicherzelle |
US7492339B2 (en) * | 2004-03-26 | 2009-02-17 | E Ink Corporation | Methods for driving bistable electro-optic displays |
NO321555B1 (no) * | 2004-03-26 | 2006-05-29 | Thin Film Electronics Asa | Organisk elektronisk innretning og fremgangsmate til fremstilling av en slik innretning |
US7608855B2 (en) * | 2004-04-02 | 2009-10-27 | Spansion Llc | Polymer dielectrics for memory element array interconnect |
US7750341B2 (en) * | 2004-05-17 | 2010-07-06 | The Regents Of The University Of California | Bistable nanoparticle-polymer composite for use in memory devices |
US7554111B2 (en) * | 2004-05-20 | 2009-06-30 | The Regents Of The University Of California | Nanoparticle-polymer bistable devices |
NO20042771D0 (no) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | Thin Film Electronics Asa | Optimering av driftstemperatur i et ferroelektrisk eller elektret minne |
US8044387B1 (en) | 2004-07-07 | 2011-10-25 | Spansion Llc | Semiconductor device built on plastic substrate |
US11250794B2 (en) | 2004-07-27 | 2022-02-15 | E Ink Corporation | Methods for driving electrophoretic displays using dielectrophoretic forces |
US7453445B2 (en) | 2004-08-13 | 2008-11-18 | E Ink Corproation | Methods for driving electro-optic displays |
US7398348B2 (en) * | 2004-08-24 | 2008-07-08 | Sandisk 3D Llc | Method and apparatus for using a one-time or few-time programmable memory with a host device designed for erasable/rewritable memory |
KR101201698B1 (ko) * | 2004-10-18 | 2012-11-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
AU2005302518A1 (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-11 | The Regents Of The University Of California | Organic-complex thin film for nonvolatile memory applications |
US20070057311A1 (en) * | 2004-10-29 | 2007-03-15 | Agfa-Gevaert | Conventionally printable non-volatile passive memory element and method of making thereof |
US20060098485A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-11 | Agfa-Gevaert | Printable non-volatile passive memory element and method of making thereof |
US7675123B2 (en) * | 2004-10-29 | 2010-03-09 | Agfa-Gevaert Nv | Printable non-volatile passive memory element and method of making thereof |
WO2006049261A1 (ja) | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Waseda University | メモリー素子及びその製造方法 |
US7443711B1 (en) * | 2004-12-16 | 2008-10-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Non-volatile programmable impedance nanoscale devices |
US7218570B2 (en) * | 2004-12-17 | 2007-05-15 | Sandisk 3D Llc | Apparatus and method for memory operations using address-dependent conditions |
KR101114770B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2012-03-05 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 유기 메모리 소자의 제조 방법 및 그에 의해수득된 비휘발성 유기 메모리 소자 |
KR100913903B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2009-08-26 | 삼성전자주식회사 | 양자점을 이용하는 메모리 소자 |
US7277336B2 (en) * | 2004-12-28 | 2007-10-02 | Sandisk 3D Llc | Method and apparatus for improving yield in semiconductor devices by guaranteeing health of redundancy information |
KR100990291B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2010-10-26 | 삼성전자주식회사 | 덴드리머를 이용하는 메모리소자 |
US7298665B2 (en) * | 2004-12-30 | 2007-11-20 | Sandisk 3D Llc | Dual-mode decoder circuit, integrated circuit memory array incorporating same, and related methods of operation |
US7286439B2 (en) * | 2004-12-30 | 2007-10-23 | Sandisk 3D Llc | Apparatus and method for hierarchical decoding of dense memory arrays using multiple levels of multiple-headed decoders |
KR101078125B1 (ko) * | 2005-02-07 | 2011-10-28 | 삼성전자주식회사 | 다공성 물질을 이용한 비휘발성 나노 채널 메모리 소자 |
KR101078150B1 (ko) * | 2005-03-17 | 2011-10-28 | 삼성전자주식회사 | 유기-무기 복합체 다공성 물질을 이용한 비휘발성 나노 채널 메모리 소자 |
CN100546035C (zh) | 2005-03-25 | 2009-09-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 存储元件和半导体装置 |
US7359279B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-04-15 | Sandisk 3D Llc | Integrated circuit memory array configuration including decoding compatibility with partial implementation of multiple memory layers |
US7142471B2 (en) * | 2005-03-31 | 2006-11-28 | Sandisk 3D Llc | Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array |
US7054219B1 (en) | 2005-03-31 | 2006-05-30 | Matrix Semiconductor, Inc. | Transistor layout configuration for tight-pitched memory array lines |
US7272052B2 (en) * | 2005-03-31 | 2007-09-18 | Sandisk 3D Llc | Decoding circuit for non-binary groups of memory line drivers |
US7344913B1 (en) | 2005-04-06 | 2008-03-18 | Spansion Llc | Spin on memory cell active layer doped with metal ions |
KR100719346B1 (ko) * | 2005-04-19 | 2007-05-17 | 삼성전자주식회사 | 저항 메모리 셀, 그 형성 방법 및 이를 이용한 저항 메모리배열 |
CN101167189B (zh) | 2005-04-27 | 2013-09-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件的制造方法 |
US7868320B2 (en) * | 2005-05-31 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
NO20052904L (no) * | 2005-06-14 | 2006-12-15 | Thin Film Electronics Asa | Et ikke-flyktig elektrisk minnesystem |
US7212454B2 (en) * | 2005-06-22 | 2007-05-01 | Sandisk 3D Llc | Method and apparatus for programming a memory array |
US20070009821A1 (en) * | 2005-07-08 | 2007-01-11 | Charlotte Cutler | Devices containing multi-bit data |
WO2007016419A2 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | The General Hospital Corporation | Methods and compositions for reducing skin damage |
US7935957B2 (en) * | 2005-08-12 | 2011-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and a semiconductor device |
EP1798732A1 (en) * | 2005-12-15 | 2007-06-20 | Agfa-Gevaert | Ferroelectric passive memory cell, device and method of manufacture thereof. |
AT502657B1 (de) * | 2006-01-20 | 2007-05-15 | Univ Linz | Speicherelement für eine optische signalausgabe |
CN102222765B (zh) * | 2006-03-10 | 2012-12-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 存储元件以及半导体器件 |
FR2898910B1 (fr) * | 2006-03-23 | 2008-06-20 | Centre Nat Rech Scient | Nouveau procede d'application en couche mince de materiaux moleculaires a transition de spin |
US7593256B2 (en) * | 2006-03-28 | 2009-09-22 | Contour Semiconductor, Inc. | Memory array with readout isolation |
US20070260615A1 (en) * | 2006-05-08 | 2007-11-08 | Eran Shen | Media with Pluggable Codec |
US9680686B2 (en) * | 2006-05-08 | 2017-06-13 | Sandisk Technologies Llc | Media with pluggable codec methods |
US7283414B1 (en) | 2006-05-24 | 2007-10-16 | Sandisk 3D Llc | Method for improving the precision of a temperature-sensor circuit |
US7719001B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device with metal oxides and an organic compound |
US7450414B2 (en) * | 2006-07-31 | 2008-11-11 | Sandisk 3D Llc | Method for using a mixed-use memory array |
US20080023790A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-01-31 | Scheuerlein Roy E | Mixed-use memory array |
US7486537B2 (en) * | 2006-07-31 | 2009-02-03 | Sandisk 3D Llc | Method for using a mixed-use memory array with different data states |
US20080037324A1 (en) * | 2006-08-14 | 2008-02-14 | Geoffrey Wen-Tai Shuy | Electrical thin film memory |
US20110019459A1 (en) * | 2007-01-11 | 2011-01-27 | Guobiao Zhang | Three-Dimensional Mask-Programmable Read-Only Memory with Reserved Space |
US8885384B2 (en) | 2007-01-11 | 2014-11-11 | Chengdu Haicun Ip Technology Llc | Mask-programmed read-only memory with reserved space |
KR20080089949A (ko) * | 2007-04-03 | 2008-10-08 | 삼성전자주식회사 | 트리페닐아민 코어를 가지는 덴드리머, 이를 이용한 유기메모리 소자 및 그의 제조방법 |
US7813158B2 (en) * | 2007-05-14 | 2010-10-12 | Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. | Recordable electrical memory |
US7966518B2 (en) * | 2007-05-15 | 2011-06-21 | Sandisk Corporation | Method for repairing a neighborhood of rows in a memory array using a patch table |
US7958390B2 (en) * | 2007-05-15 | 2011-06-07 | Sandisk Corporation | Memory device for repairing a neighborhood of rows in a memory array using a patch table |
UA81208C2 (en) * | 2007-06-01 | 2007-12-10 | Yurii Bogdanovych Zarvanytskyi | Three-dimensional device for processing information and a method for processing information |
US7773446B2 (en) * | 2007-06-29 | 2010-08-10 | Sandisk 3D Llc | Methods and apparatus for extending the effective thermal operating range of a memory |
US7813157B2 (en) * | 2007-10-29 | 2010-10-12 | Contour Semiconductor, Inc. | Non-linear conductor memory |
US20090113116A1 (en) * | 2007-10-30 | 2009-04-30 | Thompson E Earle | Digital content kiosk and methods for use therewith |
US7759201B2 (en) | 2007-12-17 | 2010-07-20 | Sandisk 3D Llc | Method for fabricating pitch-doubling pillar structures |
US7887999B2 (en) * | 2007-12-27 | 2011-02-15 | Sandisk 3D Llc | Method of making a pillar pattern using triple or quadruple exposure |
US7746680B2 (en) | 2007-12-27 | 2010-06-29 | Sandisk 3D, Llc | Three dimensional hexagonal matrix memory array |
US7706169B2 (en) * | 2007-12-27 | 2010-04-27 | Sandisk 3D Llc | Large capacity one-time programmable memory cell using metal oxides |
US7764534B2 (en) * | 2007-12-28 | 2010-07-27 | Sandisk 3D Llc | Two terminal nonvolatile memory using gate controlled diode elements |
US20090225621A1 (en) * | 2008-03-05 | 2009-09-10 | Shepard Daniel R | Split decoder storage array and methods of forming the same |
US7723180B2 (en) * | 2008-04-11 | 2010-05-25 | Sandisk 3D Llc | Multilevel nonvolatile memory device containing a carbon storage material and methods of making and using same |
US8048474B2 (en) * | 2008-04-11 | 2011-11-01 | Sandisk 3D Llc | Method of making nonvolatile memory cell containing carbon resistivity switching as a storage element by low temperature processing |
US7981592B2 (en) | 2008-04-11 | 2011-07-19 | Sandisk 3D Llc | Double patterning method |
US7830698B2 (en) * | 2008-04-11 | 2010-11-09 | Sandisk 3D Llc | Multilevel nonvolatile memory device containing a carbon storage material and methods of making and using same |
US7859887B2 (en) * | 2008-04-11 | 2010-12-28 | Sandisk 3D Llc | Multilevel nonvolatile memory device containing a carbon storage material and methods of making and using same |
US7812335B2 (en) * | 2008-04-11 | 2010-10-12 | Sandisk 3D Llc | Sidewall structured switchable resistor cell |
US7786015B2 (en) * | 2008-04-28 | 2010-08-31 | Sandisk 3D Llc | Method for fabricating self-aligned complementary pillar structures and wiring |
US20090296445A1 (en) * | 2008-06-02 | 2009-12-03 | Shepard Daniel R | Diode decoder array with non-sequential layout and methods of forming the same |
US7944728B2 (en) * | 2008-12-19 | 2011-05-17 | Sandisk 3D Llc | Programming a memory cell with a diode in series by applying reverse bias |
US7732235B2 (en) | 2008-06-30 | 2010-06-08 | Sandisk 3D Llc | Method for fabricating high density pillar structures by double patterning using positive photoresist |
US7781269B2 (en) * | 2008-06-30 | 2010-08-24 | Sandisk 3D Llc | Triangle two dimensional complementary patterning of pillars |
US7733685B2 (en) * | 2008-07-09 | 2010-06-08 | Sandisk 3D Llc | Cross point memory cell with distributed diodes and method of making same |
US8014185B2 (en) * | 2008-07-09 | 2011-09-06 | Sandisk 3D Llc | Multiple series passive element matrix cell for three-dimensional arrays |
US7943515B2 (en) * | 2008-09-09 | 2011-05-17 | Sandisk 3D Llc | Shared masks for x-lines and shared masks for y-lines for fabrication of 3D memory arrays |
US8076056B2 (en) * | 2008-10-06 | 2011-12-13 | Sandisk 3D Llc | Method of making sub-resolution pillar structures using undercutting technique |
US8325556B2 (en) * | 2008-10-07 | 2012-12-04 | Contour Semiconductor, Inc. | Sequencing decoder circuit |
US8440923B2 (en) * | 2008-10-23 | 2013-05-14 | The Invention Science Fund I Llc | Electrical closing switch made from reactive composite materials |
US20100104823A1 (en) * | 2008-10-23 | 2010-04-29 | Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware | Reactive composite material structures with multiple reaction-propagation circuits |
US8871121B2 (en) * | 2008-10-23 | 2014-10-28 | The Invention Science Fund I Llc | Optical and metamaterial devices based on reactive composite materials |
US20100104493A1 (en) * | 2008-10-23 | 2010-04-29 | Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware | Reactive composite material structures with endothermic reactants |
US8475868B2 (en) * | 2008-10-23 | 2013-07-02 | The Invention Science Fund I Llc | Foam-like structures based on reactive composite materials |
US20100104834A1 (en) * | 2008-10-23 | 2010-04-29 | Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware | Foam-like structures based on reactive composite materials |
US8080443B2 (en) * | 2008-10-27 | 2011-12-20 | Sandisk 3D Llc | Method of making pillars using photoresist spacer mask |
US7978496B2 (en) | 2008-12-18 | 2011-07-12 | Sandisk 3D Llc | Method of programming a nonvolatile memory device containing a carbon storage material |
US7923812B2 (en) * | 2008-12-19 | 2011-04-12 | Sandisk 3D Llc | Quad memory cell and method of making same |
WO2010080437A2 (en) | 2008-12-19 | 2010-07-15 | Sandisk 3D Llc | Quad memory cell and method of making same |
US7910407B2 (en) * | 2008-12-19 | 2011-03-22 | Sandisk 3D Llc | Quad memory cell and method of making same |
US7846756B2 (en) * | 2008-12-31 | 2010-12-07 | Sandisk 3D Llc | Nanoimprint enhanced resist spacer patterning method |
US8084347B2 (en) | 2008-12-31 | 2011-12-27 | Sandisk 3D Llc | Resist feature and removable spacer pitch doubling patterning method for pillar structures |
US8114765B2 (en) | 2008-12-31 | 2012-02-14 | Sandisk 3D Llc | Methods for increased array feature density |
US8023310B2 (en) * | 2009-01-14 | 2011-09-20 | Sandisk 3D Llc | Nonvolatile memory cell including carbon storage element formed on a silicide layer |
US7940554B2 (en) * | 2009-04-24 | 2011-05-10 | Sandisk 3D Llc | Reduced complexity array line drivers for 3D matrix arrays |
US8026178B2 (en) | 2010-01-12 | 2011-09-27 | Sandisk 3D Llc | Patterning method for high density pillar structures |
US7923305B1 (en) | 2010-01-12 | 2011-04-12 | Sandisk 3D Llc | Patterning method for high density pillar structures |
TWI575487B (zh) | 2010-04-09 | 2017-03-21 | 電子墨水股份有限公司 | 用於驅動電光顯示器的方法 |
US8284589B2 (en) | 2010-08-20 | 2012-10-09 | Sandisk 3D Llc | Single device driver circuit to control three-dimensional memory element array |
EP2458526A1 (en) * | 2010-11-29 | 2012-05-30 | Printechnologics GmbH | System and method for retrieving information from a data carrier |
US8934292B2 (en) | 2011-03-18 | 2015-01-13 | Sandisk 3D Llc | Balanced method for programming multi-layer cell memories |
US8890300B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-11-18 | Chengdu Haicun Ip Technology Llc | Discrete three-dimensional memory comprising off-die read/write-voltage generator |
US9508395B2 (en) | 2011-09-01 | 2016-11-29 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Three-dimensional one-time-programmable memory comprising off-die read/write-voltage generator |
US9117493B2 (en) | 2011-09-01 | 2015-08-25 | Chengdu Haicun Ip Technology Llc | Discrete three-dimensional memory comprising off-die address/data translator |
US9305604B2 (en) | 2011-09-01 | 2016-04-05 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Discrete three-dimensional vertical memory comprising off-die address/data-translator |
US9666300B2 (en) | 2011-09-01 | 2017-05-30 | XiaMen HaiCun IP Technology LLC | Three-dimensional one-time-programmable memory comprising off-die address/data-translator |
US9123393B2 (en) | 2011-09-01 | 2015-09-01 | HangZhou KiCun nformation Technology Co. Ltd. | Discrete three-dimensional vertical memory |
US8699257B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-04-15 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Three-dimensional writable printed memory |
US9396764B2 (en) | 2011-09-01 | 2016-07-19 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Discrete three-dimensional memory |
US9559082B2 (en) | 2011-09-01 | 2017-01-31 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Three-dimensional vertical memory comprising dice with different interconnect levels |
US9024425B2 (en) | 2011-09-01 | 2015-05-05 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Three-dimensional memory comprising an integrated intermediate-circuit die |
US9190412B2 (en) | 2011-09-01 | 2015-11-17 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Three-dimensional offset-printed memory |
US9299390B2 (en) | 2011-09-01 | 2016-03-29 | HangZhou HaiCun Informationa Technology Co., Ltd. | Discrete three-dimensional vertical memory comprising off-die voltage generator |
US9558842B2 (en) | 2011-09-01 | 2017-01-31 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Discrete three-dimensional one-time-programmable memory |
US9305605B2 (en) | 2011-09-01 | 2016-04-05 | Chengdu Haicun Ip Technology Llc | Discrete three-dimensional vertical memory |
US9093129B2 (en) | 2011-09-01 | 2015-07-28 | Chengdu Haicun Ip Technology Llc | Discrete three-dimensional memory comprising dice with different BEOL structures |
US8921991B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-12-30 | Chengdu Haicun Ip Technology Llc | Discrete three-dimensional memory |
US9001555B2 (en) | 2012-03-30 | 2015-04-07 | Chengdu Haicun Ip Technology Llc | Small-grain three-dimensional memory |
KR102181537B1 (ko) * | 2013-01-08 | 2020-11-23 | 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지 | 광학 위상 어레이들 |
US9476981B2 (en) | 2013-01-08 | 2016-10-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical phased arrays |
US9293509B2 (en) | 2013-03-20 | 2016-03-22 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Small-grain three-dimensional memory |
CN104979352A (zh) | 2014-04-14 | 2015-10-14 | 成都海存艾匹科技有限公司 | 混合型三维印录存储器 |
US10211258B2 (en) | 2014-04-14 | 2019-02-19 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Manufacturing methods of JFET-type compact three-dimensional memory |
US10446193B2 (en) | 2014-04-14 | 2019-10-15 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Mixed three-dimensional memory |
US10304495B2 (en) | 2014-04-14 | 2019-05-28 | Chengdu Haicun Ip Technology Llc | Compact three-dimensional memory with semi-conductive address line portion |
US10304553B2 (en) | 2014-04-14 | 2019-05-28 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Compact three-dimensional memory with an above-substrate decoding stage |
US10079239B2 (en) | 2014-04-14 | 2018-09-18 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Compact three-dimensional mask-programmed read-only memory |
US10199432B2 (en) | 2014-04-14 | 2019-02-05 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Manufacturing methods of MOSFET-type compact three-dimensional memory |
CN104978990B (zh) | 2014-04-14 | 2017-11-10 | 成都海存艾匹科技有限公司 | 紧凑型三维存储器 |
US9886571B2 (en) | 2016-02-16 | 2018-02-06 | Xerox Corporation | Security enhancement of customer replaceable unit monitor (CRUM) |
US11170863B2 (en) | 2016-04-14 | 2021-11-09 | Southern University Of Science And Technology | Multi-bit-per-cell three-dimensional resistive random-access memory (3D-RRAM) |
US10102917B2 (en) | 2016-04-14 | 2018-10-16 | Chengdu Haicun Ip Technology Llc | Multi-bit-per-cell three-dimensional one-time-programmable memory |
US10490562B2 (en) | 2016-04-16 | 2019-11-26 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Three-dimensional vertical one-time-programmable memory comprising multiple antifuse sub-layers |
US10559574B2 (en) | 2016-04-16 | 2020-02-11 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Three-dimensional vertical one-time-programmable memory comprising Schottky diodes |
US10002872B2 (en) | 2016-04-16 | 2018-06-19 | Chengdu Haicun Ip Technology Llc | Three-dimensional vertical one-time-programmable memory |
JP2018057342A (ja) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | 株式会社東芝 | 細胞分取装置および細胞分取システム |
US9806256B1 (en) | 2016-10-21 | 2017-10-31 | Sandisk Technologies Llc | Resistive memory device having sidewall spacer electrode and method of making thereof |
US10991764B2 (en) * | 2017-01-15 | 2021-04-27 | Signtle Inc. | Photodetector array |
US10978169B2 (en) | 2017-03-17 | 2021-04-13 | Xerox Corporation | Pad detection through pattern analysis |
US10566388B2 (en) | 2018-05-27 | 2020-02-18 | HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd. | Three-dimensional vertical memory |
US10497521B1 (en) | 2018-10-29 | 2019-12-03 | Xerox Corporation | Roller electric contact |
KR102342308B1 (ko) * | 2018-10-31 | 2021-12-22 | 재단법인대구경북과학기술원 | 메모리 셀 유닛, 스위칭 저항 메모리 소자 및 이를 포함하는 뇌신경모사 소자 |
US11311958B1 (en) * | 2019-05-13 | 2022-04-26 | Airgas, Inc. | Digital welding and cutting efficiency analysis, process evaluation and response feedback system for process optimization |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3681754A (en) * | 1969-07-28 | 1972-08-01 | Thomas L Baasch | Self luminous shift register information display |
US3612758A (en) * | 1969-10-03 | 1971-10-12 | Xerox Corp | Color display device |
JPS6295882A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-02 | Canon Inc | 電気的記憶装置 |
JPS6295883A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-02 | Canon Inc | 電気的記憶装置 |
EP0395886A2 (en) * | 1989-04-03 | 1990-11-07 | Olympus Optical Co., Ltd. | Memory cell and multidimensinal memory device constituted by arranging the memory cells |
JPH03137896A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-12 | Matsushita Giken Kk | 記憶素子および記憶装置 |
JPH03137894A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-12 | Matsushita Giken Kk | スイッチング・メモリ複合機能素子アレイ |
JPH04145664A (ja) * | 1990-10-08 | 1992-05-19 | Canon Inc | 有機電子素子の駆動法 |
JP3570692B2 (ja) * | 1994-01-18 | 2004-09-29 | ローム株式会社 | 不揮発性メモリ |
JP3127751B2 (ja) * | 1995-01-04 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | 強誘電体メモリ装置およびその動作制御方法 |
US5889694A (en) * | 1996-03-05 | 1999-03-30 | Shepard; Daniel R. | Dual-addressed rectifier storage device |
CN1182435C (zh) * | 1996-06-12 | 2004-12-29 | 奥普蒂科姆公司 | 光逻辑元件和光逻辑器件 |
NO304859B1 (no) * | 1997-06-06 | 1999-02-22 | Opticom As | Optisk logisk element og fremgangsmÕter til henholdsvis dets preparering og optiske adressering, samt anvendelse derav i en optisk logisk innretning |
-
1997
- 1997-06-17 NO NO972803A patent/NO972803D0/no unknown
-
1998
- 1998-06-17 WO PCT/NO1998/000185 patent/WO1998058383A2/en active IP Right Grant
- 1998-06-17 ES ES98933982T patent/ES2196585T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-17 DK DK98933982T patent/DK0990235T3/da active
- 1998-06-17 RU RU2000100933/09A patent/RU2182732C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1998-06-17 EP EP98933982A patent/EP0990235B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-17 KR KR1019997011948A patent/KR100362053B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-06-17 CA CA002294834A patent/CA2294834C/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-17 AU AU83596/98A patent/AU735299B2/en not_active Ceased
- 1998-06-17 JP JP50422599A patent/JP3415856B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-17 DE DE69813218T patent/DE69813218T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-17 AT AT98933982T patent/ATE237182T1/de not_active IP Right Cessation
- 1998-06-17 CN CNB988082179A patent/CN100440374C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-17 US US09/147,680 patent/US6055180A/en not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2000100933A (ru) | Электрически адресуемое устройство, способ электрической адресации и использование этого устройства и этого способа | |
RU2182732C2 (ru) | Электрически адресуемое устройство, способ электрической адресации и использование этого устройства и этого способа | |
EP1434232B1 (en) | Memory cell | |
KR100492161B1 (ko) | 기능성 엘리먼트를 가지거나 가지지 않은 전극수단, 및 기능성 엘리먼트를 가진 전극수단으로 구성된 전극장치 | |
US5327373A (en) | Optoelectronic memories with photoconductive thin films | |
Ma et al. | Organic bistable light-emitting devices | |
EP1643508B1 (en) | Non-volatile memory element with programmable resistance | |
US6781868B2 (en) | Molecular memory device | |
RU2000104117A (ru) | Электродное средство с функциональным элементом или без него и электродное устройство, сформированное из электродного средства с функциональными элементами, и его применение | |
JP2004513513A (ja) | 有機物双安定デバイス及び有機物メモリセル | |
KR100483593B1 (ko) | 비휘발성 메모리 소자와 그 행렬 디스플레이 패널 | |
KR20020084133A (ko) | 전자 장치를 위한 다차원 어드레싱 구조 | |
Potember et al. | Molecular electronics | |
CA2353496C (en) | Scalable data processing apparatus | |
Zheng et al. | Introducing pinMOS memory: A novel, nonvolatile organic memory device | |
EP1528573B1 (en) | Photochromic nonvolatile memory and partial erasing method | |
NO311119B1 (no) | Elektrisk adresserbar, passiv innretning, fremgangsmåte til elektrisk adressering av samme og anvendelse av innretning ogfremgangsmåte | |
Sparvoli et al. | Resistive switching phenomenon in graphene oxide doped with copper devices | |
RU2256957C2 (ru) | Ячейка памяти | |
US5469426A (en) | High write speed erasable optical recording disk using active semiconductor devices at each pixel | |
Bard et al. | Optoelectronic memories with photoconductive thin films | |
Bogner et al. | Voltage-tunable optical data storage using persistent spectral hole burning | |
RU99100330A (ru) | Оптический логический элемент и оптическое логическое устройство |