RU2000104117A - Электродное средство с функциональным элементом или без него и электродное устройство, сформированное из электродного средства с функциональными элементами, и его применение - Google Patents

Электродное средство с функциональным элементом или без него и электродное устройство, сформированное из электродного средства с функциональными элементами, и его применение

Info

Publication number
RU2000104117A
RU2000104117A RU2000104117/28A RU2000104117A RU2000104117A RU 2000104117 A RU2000104117 A RU 2000104117A RU 2000104117/28 A RU2000104117/28 A RU 2000104117/28A RU 2000104117 A RU2000104117 A RU 2000104117A RU 2000104117 A RU2000104117 A RU 2000104117A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electrode
layer
electrodes
contact
functional element
Prior art date
Application number
RU2000104117/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2216820C2 (ru
Inventor
Олле Вернер ИНГАНЕС
Данило ПЕДЕ
Магнус ГРАНСТРЕМ
Гейрр И. Лейстад
Original Assignee
Тин Филм Электроникс Аса
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from NO973390A external-priority patent/NO304956B1/no
Application filed by Тин Филм Электроникс Аса filed Critical Тин Филм Электроникс Аса
Publication of RU2000104117A publication Critical patent/RU2000104117A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2216820C2 publication Critical patent/RU2216820C2/ru

Links

Claims (38)

1. Электродное средство особенно для адресации функционального элемента, включающее в себя первый (1) и второй (2) электроды, отличающееся тем, что первый электрод (1) представляет собой по существу полосковую структуру из электропроводного материала, что второй электрод (2) расположен поверх первого электрода (1) и представляет собой аналогичную, по существу, полосковую структуру из электропроводного материала и, по существу, в ортогональном пересекающемся отношении к первому электроду (1), что слой (4) представляет собой электроизоляционный материал, расположенный на пересечении между первым (1) и вторым (2) электродами так, что электроды (1, 2) перекрывают один другой без непосредственного физического и электрического контакта и тем самым образуют структуру в виде мостика, и что контактный слой (3) представляет собой электропроводный или полупроводниковый органический материал, расположенный над первым электродом (1) и вторым электродом (2), с возможностью электрического контакта как с первым (1), так и со вторым (2) электродами.
2. Электродное средство по п.1, отличающееся тем, что первый электрод (1) расположен на подложке (3).
3. Электродное средство по п.1, отличающееся тем, что первый (1) и второй (2) электроды состоят соответственно из металла с различными работами выхода для того, чтобы металл первого электрода имел более низкую работу выхода, чем металл второго электрода или наоборот.
4. Электродное средство по п.3, отличающееся тем, что первый электрод (1) состоит из алюминия или алюминиевого сплава.
5. Электродное средство по п.3, отличающееся тем, что второй электрод (2) состоит из золота.
6. Электродное средство по п.1, отличающееся тем, что второй электрод (2) состоит из оксида индия и олова.
7. Электродное средство по п.1, отличающееся тем, что контактный слой (3) образует выпрямляющий контакт с первым электродом (1) и омический контакт со вторым электродом (2) или наоборот.
8. Электродное средство по п.1, отличающееся тем, что электропроводный или полупроводниковый органический материал в контактном слое (3) является анизотропным органическим проводником или полупроводником.
9. Электродное средство по п.8, отличающееся тем, что анизотропный органический проводник содержит электроизоляционную матрицу (6) в виде непроводящего полимерного материала и внедренного в него, по меньшей мере, одного электропроводного полимерного материала (5), при этом указанный электропроводный полимерный материал разделен на домены с расширением, по меньшей мере, равном толщине контактного слоя (3).
10. Электродное средство по п. 9, отличающееся тем, что непроводящий полимерный материал (6) выбирается из класса гомо- и сополимеров полиакрилатов, полиэфиров, поликарбонатов, полистиролов, полиолефинов или других полимеров с несопряженной основой.
11. Электродное средство по п.10, отличающееся тем, что непроводящим полимерным материалом (6) является полиметилметакрилат (ПММА).
12. Электродное средство по п.9, отличающееся тем, что электропроводный полимерный материал (5) выбирается из класса полигетероциклических полимеров, таких как замещенные политиофены, политиофенвинилены, замещенные полипирролы, полианилин и замещенные полианилины, замещенные полипарафенилвинилены и их сополимеры.
13. Электродное средство по п.12, отличающееся тем, что электропроводным полимерным материалом (5) является поли(3-4-октил-фенил-2,2'-битиофен) (РТОРТ).
14. Электродное средство по п. 9, отличающееся тем, что анизотропный электрический проводник (5) получают из раствора смеси полимерных материалов, который наносят в виде слоя центрифугированием, отливкой растворителя или отливкой раствора.
15. Электродное средство с функцией детектирования, хранения информации и/или индикации информации, содержащее первый (1) и второй (2) электроды и функциональный элемент (7) и с пассивной электрической адресацией функционального элемента (7), отличающееся тем, что первый электрод (1) представляет собой, по существу, полосковую структуру из электропроводного материала, что второй электрод (2) расположен поверх первого электрода (1) и представляет собой аналогичную, по существу, полосковую структуру из электропроводного материала и находится по существу, в ортогональном пересекающемся отношении к первому электроду (1), что слой (4) представляет собой электроизоляционный материал, расположенный на пересечении между первым (1) и вторым (2) электродами так, что электроды (1, 2) перекрывают один другой без непосредственного физического и электрического контакта и тем самым образуют структуру в виде мостика, что контактный слой (3) представляет собой электропроводный или полупроводниковый органический материал, расположенный с возможностью электрического контакта как с первым (1), так и со вторым (2) электродами, и что функциональный элемент (7) расположен интегрально с указанным контактным слоем (3), примыкающим к электродам (1, 2), или расположенном на перекрытии между электродами (1, 2), при этом указанные функциональные элементы (7) имеют конфигурацию или как у воспринимающего элемента, или элемента для хранения информации и/или индикации информации.
16. Электродное средство по п.15, отличающееся тем, что функциональный элемент (7) представляет собой или формируется как часть контактного слоя (3) над перекрытием электродов (1, 2) и расположен на одном уровне с контактным слоем (3), или представляет собой отдельный элемент (7) над контактным слоем (3) и примыкает к нему так, что он совмещается с перекрытием электродов (1, 2).
17. Электродное средство по п.16, отличающееся тем, что электропроводным или полупроводниковым органическим материалом в контактном слое (3) является анизотропный проводник или полупроводник.
18. Электродное средство по п. 17, отличающееся тем, что электропроводный органический материал содержит электроизоляционную матрицу в виде непроводящего полимерного материала и внедренного в него, по меньшей мере, одного проводящего полимерного материала (5), при этом указанный электропроводный материал (5) разделен на домены с расширением, по меньшей мере, равном толщине контактного слоя.
19. Электродное средство по п. 16, отличающееся тем, что функциональный элемент (7) является неорганическим или органическим металлом, управляемым потенциалом, или полупроводником, управляемым потенциалом.
20. Электродное средство по п. 19, отличающееся тем, что функциональный элемент (7) для вольтовой адресации контактирует с расположенным над ним жидкокристаллическим слоем (8), который в свою очередь контактирует с расположенным над ним электронным проводником (9), при этом указанный жидкокристаллический слой (8) управляется прикладыванием напряжения между функциональным элементом (7) и электронным проводником (9).
21. Электродное средство по п. 16, отличающееся тем, что функциональным элементом (7) является неорганический или органический металл с токовой инжекцией или полупроводник с токовой инжекцией.
22. Электродное средство по п. 21, отличающееся тем, что функциональный элемент (7) для токовой адресации контактирует с расположенным над ним электролюминесцентным слоем (10), который в свою очередь контактирует с расположенным над ним электронным проводником (9), при этом в электролюминесцентный слой (10) инжектируется ток при подаче напряжения между функциональным элементом (7) и электронным проводником (9).
23. Электродное средство по п.16, отличающееся тем, что функциональным элементом (7) является неорганический или органический металл с накоплением зарядов или полупроводник с накоплением зарядов, при этом указанные материалы содержат электроактивные и/или электрохромные материалы, оптические свойства которых изменяются в зависимости от накопленного заряда.
24. Электродное средство по п.23, отличающееся тем, что функциональный элемент (7) для токовой и зарядовой адресации контактирует с расположенным над ним слоем твердого электролита (11), который в свою очередь контактирует с расположенным над ним электроактивным материалом (12), при этом состояние легирования в функциональном элементе (7) изменяют прикладыванием напряжения между функциональным элементом (7) и электроактивным материалом.
25. Электродное средство по п.22, отличающееся тем, что твердым электролитом (11) является полимерный электролит.
26. Электродное средство по п.23, отличающееся тем, что электроактивный материал (12) контактирует с расположенным над ним электронным проводником (9).
27. Электродное устройство (13) с функцией детектирования, хранения информации и/или индикации информации, содержащее два или больше электродных средств (26) по любому из пп.15-26 и с пассивной электрической адресацией функциональных элементов (7) в электродном устройстве (13), отличающееся тем, что электродные средства (26) интегрированы в виде квази двухмерной матрицы, что первые электроды (1) образуют рельефный слой из электродных рядов в матрице, что вторые электроды (2), не находящиеся в непосредственном физическом или электрическом контакте с рядами электродов (1), образуют рельефный слой из колонок электродов в матрице, что контактный слой (3) или интегрированный, или рельефный образует сплошной контактный слой в матрице, определенный к каждому отдельному электродному средству (21), что электропроводный или полупроводниковый органический материал в контактном слое (3) расположен поверх обоих электродных слоев и электрически контактирует с ними, и что функциональные элементы (7), расположенные в контактном слое (3) или поверх последнего, образуют один или больше рельефных или нерельефных слоев функциональных элементов, расположенных в соответствующих двухмерных матрицах, при этом отдельный функциональный элемент (7) совмещен с соответствующим перекрытием между электродом (1) и электродом (2) колонки в электродных слоях.
28. Электродное устройство по п. 27, в котором обеспечивается больше одного слоя функциональных элементов, отличающееся тем, что отдельные слои функциональных элементов (7) разделены слоем с электронной или ионной электропроводностью.
29. Электродное устройство по п. 27, отличающееся тем, что отдельным функциональным элементом (7) является неорганический или органический металл или полупроводник, который генерирует ответный сигнал в качестве реакции на специфический физический сигнал возбуждения.
30. Электродное устройство по п. 27, отличающееся тем, что отдельным функциональным элементом (7) является неорганический или органический металл, или полупроводник, который выдает ответный сигнал в качестве реакции на воздействие специального химического реактива.
31. Электродное устройство по п.27, в котором электропроводным материалом в контактном слое (10) является анизотропный проводник, отличающееся тем, что анизотропный проводник контактирует как со слоем рядов электродов (1), так и с колонками электродов (2), при этом получают самоподстраивающееся электрическое соединение между двумя электродными слоями.
32. Электродное устройство по п.27, отличающееся тем, что оно реализуется посредством тонкопленочной технологии.
33. Электродное устройство по п.27, отличающееся тем, что слой функциональных элементов формируется осаждением полимерного слоя из раствора одного проводящего полимера или смеси полимеров, содержащей, по меньшей мере, один проводящий полимер, при этом указанный проводящий полимер находится в легированном или нелегированном состоянии.
34. Электродное устройство по п. 33, отличающееся тем, что осаждение слоя функциональных элементов производится центрифугированием раствора полимера или раствора смеси полимеров, отливкой растворителя или отливкой раствора.
35. Электродное устройство по п.27, отличающееся тем, что функциональные элементы (17) электродного устройства, при его установке в оптической или электронной камере, образуют пиксели в воспринимающем средстве (13) в камере.
36. Электродное устройство по п. 27, отличающееся тем, что функциональные элементы (7) электродного устройства, при его установке в химической камере, образуют пиксели в воспринимающем средстве (13) в камере.
37. Электродное устройство по п.27, отличающееся тем, что функциональные элементы (7) электродного устройства, при его установке в запоминающем устройстве с электрической адресацией или в устройстве обработки данных с электрической адресацией, образуют запоминающие элементы или логические элементы.
38. Электродное устройство по п.27, отличающееся тем, что функциональные элементы (7) электродного устройства, при его установке в устройстве отображения в электрической адресации, образуют пиксели в устройстве отображения.
RU2000104117/28A 1997-07-22 1998-07-13 Электродное средство с функциональным элементом или без него и электродное устройство, сформированное из электродного средства с функциональными элементами RU2216820C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NO973390A NO304956B1 (no) 1997-07-22 1997-07-22 Elektrodeanordning uten og med et funksjonselement, samt en elektrodeinnretning dannet av elektrodeanordninger med funksjonselement og anvendelser derav
NO973390 1997-07-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2000104117A true RU2000104117A (ru) 2001-11-27
RU2216820C2 RU2216820C2 (ru) 2003-11-20

Family

ID=19900958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2000104117/28A RU2216820C2 (ru) 1997-07-22 1998-07-13 Электродное средство с функциональным элементом или без него и электродное устройство, сформированное из электродного средства с функциональными элементами

Country Status (11)

Country Link
US (1) US6326936B1 (ru)
EP (1) EP1016143A2 (ru)
JP (1) JP3467475B2 (ru)
KR (1) KR100492161B1 (ru)
CN (1) CN1146055C (ru)
AU (1) AU742572B2 (ru)
CA (1) CA2297058C (ru)
HK (1) HK1030834A1 (ru)
NO (1) NO304956B1 (ru)
RU (1) RU2216820C2 (ru)
WO (1) WO1999008325A2 (ru)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NO309500B1 (no) 1997-08-15 2001-02-05 Thin Film Electronics Asa Ferroelektrisk databehandlingsinnretning, fremgangsmåter til dens fremstilling og utlesing, samt bruk av samme
IL135932A0 (en) * 1999-05-04 2001-05-20 Varintelligent Bvi Ltd A driving scheme for liquid crystal display
NO315728B1 (no) 2000-03-22 2003-10-13 Thin Film Electronics Asa Multidimensjonal adresseringsarkitektur for elektroniske innretninger
US6950129B1 (en) 2000-11-22 2005-09-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. One-time-use digital camera
FR2820869B1 (fr) * 2001-02-13 2003-11-07 Thomson Csf Dispositif d'affichage matriciel a detection de proximite
EP1390984B1 (en) 2001-05-07 2009-08-26 Advanced Micro Devices, Inc. Floating gate memory device using composite molecular material
WO2002091495A2 (en) * 2001-05-07 2002-11-14 Coatue Corporation Molecular memory device
KR100895901B1 (ko) 2001-05-07 2009-05-04 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 메모리 효과를 갖는 스위치 요소
AU2002340795A1 (en) 2001-05-07 2002-11-18 Advanced Micro Devices, Inc. Reversible field-programmable electric interconnects
US6855977B2 (en) 2001-05-07 2005-02-15 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with a self-assembled polymer film and method of making the same
WO2002091385A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-14 Advanced Micro Devices, Inc. Molecular memory cell
US6552409B2 (en) * 2001-06-05 2003-04-22 Hewlett-Packard Development Company, Lp Techniques for addressing cross-point diode memory arrays
US6756620B2 (en) * 2001-06-29 2004-06-29 Intel Corporation Low-voltage and interface damage-free polymer memory device
US6624457B2 (en) 2001-07-20 2003-09-23 Intel Corporation Stepped structure for a multi-rank, stacked polymer memory device and method of making same
US6806526B2 (en) 2001-08-13 2004-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US6768157B2 (en) 2001-08-13 2004-07-27 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US6838720B2 (en) * 2001-08-13 2005-01-04 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with active passive layers
US6858481B2 (en) 2001-08-13 2005-02-22 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with active and passive layers
JP2005500682A (ja) 2001-08-13 2005-01-06 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド メモリセル
CN100448049C (zh) * 2001-09-25 2008-12-31 独立行政法人科学技术振兴机构 使用固体电解质的电气元件和存储装置及其制造方法
US6625052B2 (en) * 2001-09-27 2003-09-23 Intel Corporation Write-once polymer memory with e-beam writing and reading
KR100433407B1 (ko) * 2002-02-06 2004-05-31 삼성광주전자 주식회사 업라이트형 진공청소기
SE0201468D0 (sv) * 2002-05-13 2002-05-13 Peter Aasberg Metod att använda luminescenta polymerer för detektion av biospecifik växelverkan
FR2843828A1 (fr) * 2002-08-26 2004-02-27 Commissariat Energie Atomique Support de garniture et procede de garniture selective de plages conductrices d'un tel support
FR2843830A1 (fr) * 2002-08-26 2004-02-27 Commissariat Energie Atomique Support de garniture et procede de test du support
US7012276B2 (en) 2002-09-17 2006-03-14 Advanced Micro Devices, Inc. Organic thin film Zener diodes
US6870183B2 (en) * 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating
JP4266648B2 (ja) * 2003-01-21 2009-05-20 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置
EP2581248B1 (en) 2003-03-31 2016-11-02 Apple Inc. Reconfigurable vehicle instrument panels
US7049153B2 (en) * 2003-04-23 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Polymer-based ferroelectric memory
JP2005005227A (ja) * 2003-06-16 2005-01-06 Hitachi Displays Ltd 有機el発光表示装置
JP4342870B2 (ja) * 2003-08-11 2009-10-14 株式会社 日立ディスプレイズ 有機el表示装置
US7538488B2 (en) * 2004-02-14 2009-05-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display
KR100579194B1 (ko) * 2004-05-28 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자의 제조방법
US7351606B2 (en) * 2004-06-24 2008-04-01 Palo Alto Research Center Incorporated Method for forming a bottom gate thin film transistor using a blend solution to form a semiconducting layer and an insulating layer
US7300861B2 (en) * 2004-06-24 2007-11-27 Palo Alto Research Center Incorporated Method for interconnecting electronic components using a blend solution to form a conducting layer and an insulating layer
SE0401649D0 (sv) * 2004-06-28 2004-06-28 Olle Werner Inganaes Metoder för att konstruera elektroniska komponenter baserade på biomolekyler och konjugerande polymerer
NO321280B1 (no) 2004-07-22 2006-04-18 Thin Film Electronics Asa Organisk, elektronisk krets og fremgangsmate til dens fremstilling
US20060087324A1 (en) * 2004-10-01 2006-04-27 Acreo Ab E-field mapping
US7876596B2 (en) 2004-11-08 2011-01-25 Waseda University Memory element and method for manufacturing same
KR100683711B1 (ko) * 2004-11-22 2007-02-20 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치
KR101085449B1 (ko) * 2005-04-12 2011-11-21 삼성전자주식회사 표시장치
US7369424B2 (en) * 2005-11-09 2008-05-06 Industrial Technology Research Institute Programmable memory cell and operation method
KR100696389B1 (ko) * 2006-06-05 2007-03-21 정병재 이어폰 볼륨 조절장치용 엘리먼트 및 그 제조방법
US8697254B2 (en) * 2006-11-14 2014-04-15 Sri International Cavity electroluminescent devices and methods for producing the same
EP2179460A1 (en) 2007-08-23 2010-04-28 Sri International Electroluminescent devices employing organic cathodes
AT505688A1 (de) * 2007-09-13 2009-03-15 Nanoident Technologies Ag Sensormatrix aus halbleiterbauteilen
JP5552433B2 (ja) * 2008-01-24 2014-07-16 エスアールアイ インターナショナル 高効率エレクトロルミネセント素子およびそれを生産するための方法
WO2010092725A1 (ja) * 2009-02-10 2010-08-19 シャープ株式会社 接続端子及び該接続端子を備えた表示装置
US8659835B2 (en) 2009-03-13 2014-02-25 Optotune Ag Lens systems and method
US8699141B2 (en) 2009-03-13 2014-04-15 Knowles Electronics, Llc Lens assembly apparatus and method
EP2251920A1 (en) * 2009-05-12 2010-11-17 Università Degli Studi Di Milano - Bicocca Method of manufacturing electrical contacts on organic semiconductors
EP2461306B1 (en) * 2010-01-22 2015-04-08 Vision Tactil Portable, S.L Method and apparatus for controlling a matrix of dielectric elastomers preventing interference
EP2378354B1 (en) * 2010-04-16 2012-10-31 Westfälische Wilhelms-Universität Münster Electrochemical processor, uses thereof and method of composing the electrochemical processor
US8781565B2 (en) 2011-10-04 2014-07-15 Qualcomm Incorporated Dynamically configurable biopotential electrode array to collect physiological data
US9134860B2 (en) * 2012-08-16 2015-09-15 Eastman Kodak Company Method of making a display device
RU2528841C2 (ru) * 2012-09-19 2014-09-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) Полимерное электрохромное устройство
US9378655B2 (en) 2012-12-03 2016-06-28 Qualcomm Incorporated Associating user emotion with electronic media
US20140264340A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Sandia Corporation Reversible hybridization of large surface area array electronics
RU2563198C2 (ru) * 2013-12-12 2015-09-20 Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" Способ изготовления рефлектора
JP2019514195A (ja) * 2016-03-23 2019-05-30 フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング メモリーの作製方法、メモリー、及びメモリーの使用
EP3419064A1 (en) * 2017-06-23 2018-12-26 Koninklijke Philips N.V. Device with multiple electroactive material actuator units and actuating method
CN109734905B (zh) * 2019-02-13 2022-02-08 东北大学 一种增强电催化剂性能的部分结晶共聚物制备方法和应用

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0072221B1 (en) * 1981-08-07 1987-11-11 The British Petroleum Company p.l.c. Non-volatile electrically programmable memory device
US4677742A (en) 1983-01-18 1987-07-07 Energy Conversion Devices, Inc. Electronic matrix arrays and method for making the same
US4876668A (en) * 1985-07-31 1989-10-24 California Institute Of Technology Thin film memory matrix using amorphous and high resistive layers
JPS62121424A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Canon Inc 液晶セル
JPH02215173A (ja) 1989-02-16 1990-08-28 Canon Inc スイッチング素子及びその作成方法
JPH04115490A (ja) 1990-09-05 1992-04-16 Ricoh Co Ltd 発光素子
US5464990A (en) 1992-09-25 1995-11-07 Fuji Xerox Co., Ltd. Voltage non-linear device and liquid crystal display device incorporating same
JP3044435B2 (ja) * 1993-04-05 2000-05-22 キヤノン株式会社 電子源及び画像形成装置
US5897414A (en) * 1995-10-24 1999-04-27 Candescent Technologies Corporation Technique for increasing manufacturing yield of matrix-addressable device
US5739545A (en) * 1997-02-04 1998-04-14 International Business Machines Corporation Organic light emitting diodes having transparent cathode structures
US5976419A (en) * 1998-06-09 1999-11-02 Geotech Chemical Company Method for applying a coating that acts as an electrolytic barrier and a cathodic corrosion prevention system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2000104117A (ru) Электродное средство с функциональным элементом или без него и электродное устройство, сформированное из электродного средства с функциональными элементами, и его применение
RU2216820C2 (ru) Электродное средство с функциональным элементом или без него и электродное устройство, сформированное из электродного средства с функциональными элементами
US7157750B2 (en) Molecular memory device
US6642069B2 (en) Electrochemical pixel device
US9985076B2 (en) Diode/superionic conductor/polymer memory structure
US5272359A (en) Reversible non-volatile switch based on a TCNQ charge transfer complex
US6809955B2 (en) Addressable and electrically reversible memory switch
EP1390984B1 (en) Floating gate memory device using composite molecular material
RU2000100933A (ru) Электрически адресуемое устройство, способ электрической адресации и использование этого устройства и этого способа
CN101198969A (zh) 数据存储装置
KR100483593B1 (ko) 비휘발성 메모리 소자와 그 행렬 디스플레이 패널
GB2410127A (en) Polymer memory element stable to repeated read access operations
KR20190063129A (ko) 터치 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
US20070051940A1 (en) Device and method for determining the physical condition of an animal
US20060118780A1 (en) Organo-resistive memory unit
KR102304219B1 (ko) 전기장을 이용한 전류 경로 제어 방법 및 전자 소자
KR20200099250A (ko) 변동 저저항 라인 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법