JPH04115490A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
- Publication number
- JPH04115490A JPH04115490A JP2233312A JP23331290A JPH04115490A JP H04115490 A JPH04115490 A JP H04115490A JP 2233312 A JP2233312 A JP 2233312A JP 23331290 A JP23331290 A JP 23331290A JP H04115490 A JPH04115490 A JP H04115490A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- phosphor
- electric conductor
- light emitting
- conductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 14
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は発光素子、特にＭＩＭと螢光体を利用する発光
素子に関し、フラットパネルデイスプレィ等発光素子の
応用分野にはすべて利用できるものである。
素子に関し、フラットパネルデイスプレィ等発光素子の
応用分野にはすべて利用できるものである。
［従来の技術］
従来ＭＩＭ構造の発光素子が知られている。
この構造を第２図に示す。基板上にＡＩ等の第１の金属
層を形成し、この表面に絶縁体層を形成し、更にこの表
面に形成したＡｕ等の第２の金属層から構成され、第１
の金属層と第２の金属層との間に電圧を印加することに
よって発光が得られる。
層を形成し、この表面に絶縁体層を形成し、更にこの表
面に形成したＡｕ等の第２の金属層から構成され、第１
の金属層と第２の金属層との間に電圧を印加することに
よって発光が得られる。
しかし、この発光素子の発光スペクトルは４００−１０
００ｒ＋ｍの範囲を示す非常にブロードな発光であり、
そのため輝度の大きい３原色の素子が必要とされるデイ
スプレィ装置等にこの発光素子を用いることができなか
った。このような問題点を解決する方法として、特開昭
６３−２３２２９５がある。これによればその公報の第
１図に示すように螢光体層を第２電極と絶縁体層の間に
挿入することで、螢光体により決まる特定の波長が発光
すると同時に、絶縁体層をトンネルした電子によっても
直接励起されて強い発光が生じるとある。
００ｒ＋ｍの範囲を示す非常にブロードな発光であり、
そのため輝度の大きい３原色の素子が必要とされるデイ
スプレィ装置等にこの発光素子を用いることができなか
った。このような問題点を解決する方法として、特開昭
６３−２３２２９５がある。これによればその公報の第
１図に示すように螢光体層を第２電極と絶縁体層の間に
挿入することで、螢光体により決まる特定の波長が発光
すると同時に、絶縁体層をトンネルした電子によっても
直接励起されて強い発光が生じるとある。
しかし、この構成では形成された絶縁体層の膜厚か２Ｏ
−３０ｘと非常に薄いため、螢光体層形成時の損傷か無
視てきず、結果として素子の安定性や再現性に問題かあ
る。又、螢光体層の膜厚も１０−２０人と非常に薄く、
螢光体として十分な特性を得るためには、粒径が数μｍ
必要であることを考えれば、この膜厚では十分な発光強
度は得られない事が予想できる。更にトンネルした電子
による励起を考えたとき、電子のエネルギーは印加した
電圧によって決まり、一方、トンネルした電子は数ｅＶ
程度であることから、用いる螢光体材料の特性によって
は発光しないことか考えられる。
−３０ｘと非常に薄いため、螢光体層形成時の損傷か無
視てきず、結果として素子の安定性や再現性に問題かあ
る。又、螢光体層の膜厚も１０−２０人と非常に薄く、
螢光体として十分な特性を得るためには、粒径が数μｍ
必要であることを考えれば、この膜厚では十分な発光強
度は得られない事が予想できる。更にトンネルした電子
による励起を考えたとき、電子のエネルギーは印加した
電圧によって決まり、一方、トンネルした電子は数ｅＶ
程度であることから、用いる螢光体材料の特性によって
は発光しないことか考えられる。
［発明か解決しようとする課題］
本発明は高輝度でしかも安定で再現性よく作製できる発
光素子を提供しようとするものである。
光素子を提供しようとするものである。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するための本発明の構成は、特許請求の
範囲に記載のとおりの発光素子である。
範囲に記載のとおりの発光素子である。
第１図に本発明による素子の構造を示す。本発明では図
に示すような位置に螢光体層５を形成することて、従来
技術の欠点であった絶縁体層への損傷を回避し、安定で
しかも再現性のある素子が実現できる。
に示すような位置に螢光体層５を形成することて、従来
技術の欠点であった絶縁体層への損傷を回避し、安定で
しかも再現性のある素子が実現できる。
螢光体の励起についてはＭＩＭ素子からの発光による励
起とトンネル電子による励起の２通りか考えられるか、
各螢光体層をトンネル電子で励起するためには、絶縁体
層、第１の導電体層それぞれの膜厚が非常に薄い必要か
ある。
起とトンネル電子による励起の２通りか考えられるか、
各螢光体層をトンネル電子で励起するためには、絶縁体
層、第１の導電体層それぞれの膜厚が非常に薄い必要か
ある。
無機材料螢光体については特に制限はないが、トンネル
電子で励起する場合、トンネルした電子のエネルギーが
数ｅＶ程度であることを考えると螢光体層の材料として
は、低速電子線用螢光体が望ましい。又、ＭＩＭ素子か
らの発光で各螢光体層を励起する場合、各螢光体の励起
波長が４００ｎｍ以下であることが望ましい。
電子で励起する場合、トンネルした電子のエネルギーが
数ｅＶ程度であることを考えると螢光体層の材料として
は、低速電子線用螢光体が望ましい。又、ＭＩＭ素子か
らの発光で各螢光体層を励起する場合、各螢光体の励起
波長が４００ｎｍ以下であることが望ましい。
有機材料螢光体については特に制限はないが、有機薄膜
エレクトロルミネッセンスの発光層材料に用いることが
できる螢光体か望ましい。
エレクトロルミネッセンスの発光層材料に用いることが
できる螢光体か望ましい。
基板については特に制限はないか、発光の取り出し方向
を基板側とした場合、透光性を有する必要がある。また
、膜形成側から発光を取り出す場合、第１の導電層、絶
縁体層、第２の導電体層それぞれが透光性を有する必要
がある。
を基板側とした場合、透光性を有する必要がある。また
、膜形成側から発光を取り出す場合、第１の導電層、絶
縁体層、第２の導電体層それぞれが透光性を有する必要
がある。
［実施例］
以下、本発明を実施例によって、具体的に説明する。
実施例１
ここでは第１図に示すような素子構造を有する発光素子
を作製した。基板１には、ガラス基板を用いた。基板の
上に螢光体層５として低速電子線用螢光体材料であるＺ
ｎＯ： Ｚｎを塗布法により形成した。次に、第１の導
電体層６としてＡＩ薄膜を約１００人、抵抗線加熱によ
り形成した。次に、絶縁体層７として空気中で約１５０
〜２００℃、４０分間加熱を行い、Ａｌの表面に約３０
〜５０人の表面酸化層を形成した。更に第２の導電体層
８としてＡｕ薄膜を約４０ＯＡ、抵抗線加熱により形成
した。このように作製した素子をＤＣ電圧を用い、Ａｕ
薄膜か負電位になるように印加した。その結果、良好な
ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体の発光が得られた。
を作製した。基板１には、ガラス基板を用いた。基板の
上に螢光体層５として低速電子線用螢光体材料であるＺ
ｎＯ： Ｚｎを塗布法により形成した。次に、第１の導
電体層６としてＡＩ薄膜を約１００人、抵抗線加熱によ
り形成した。次に、絶縁体層７として空気中で約１５０
〜２００℃、４０分間加熱を行い、Ａｌの表面に約３０
〜５０人の表面酸化層を形成した。更に第２の導電体層
８としてＡｕ薄膜を約４０ＯＡ、抵抗線加熱により形成
した。このように作製した素子をＤＣ電圧を用い、Ａｕ
薄膜か負電位になるように印加した。その結果、良好な
ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体の発光が得られた。
なお、本実施例では、螢光体の材料としてＺｎＯ： Ｚ
ｎについて示したが、他の低速電子線用螢光体材料を用
いても同様な結果が得られた。
ｎについて示したが、他の低速電子線用螢光体材料を用
いても同様な結果が得られた。
実施例２
ここでは実施例１て作製した素子と同様な構造を有する
素子を作製した。但し、螢光体層５には、励起波長が４
２０ｎｍ付近以下である２３ｒＯ” ０．８４Ｐ ２
０５ ” Ｏ，１６Ｂ２ ０３ ： Ｅｕ２＋を塗
布法を用いて形成した。
素子を作製した。但し、螢光体層５には、励起波長が４
２０ｎｍ付近以下である２３ｒＯ” ０．８４Ｐ ２
０５ ” Ｏ，１６Ｂ２ ０３ ： Ｅｕ２＋を塗
布法を用いて形成した。
なお、他の層の材料や作製方法については、実施例１と
同様である。
同様である。
このようにして作製した素子により、良好な２ＳｒＯ”
０．８４Ｐ ２０ ｓ ” ０．１６Ｂ ２０３ ：
Ｅｕ”螢光体の発光が得られた。
０．８４Ｐ ２０ ｓ ” ０．１６Ｂ ２０３ ：
Ｅｕ”螢光体の発光が得られた。
なお、本実施例では螢光体の材料として２ＳｒＯ’ ０
．８４Ｐ ２ ０５・０．１６Ｂ ２ ０３ ： Ｅ
ｕ２＋について示したか、他の励起波長か４００ｎｍ以
下である螢光体材料を用いても同様な結果か得られた。
．８４Ｐ ２ ０５・０．１６Ｂ ２ ０３ ： Ｅ
ｕ２＋について示したか、他の励起波長か４００ｎｍ以
下である螢光体材料を用いても同様な結果か得られた。
実施例３
実施例１における螢光体層５のＺｎＯ： Ｚｎの替わり
に、下記に示すような構造をもつ有機螢光体材料を蒸着
法により形成し、絶縁体層７の形成法として、第１の導
電体層６を空気中に１０日間放置して、厚さ約５０Å以
下の表面自然酸化層を形成させた以外は、すべて実施例
１と同じ条件で発光素子を作製した。
に、下記に示すような構造をもつ有機螢光体材料を蒸着
法により形成し、絶縁体層７の形成法として、第１の導
電体層６を空気中に１０日間放置して、厚さ約５０Å以
下の表面自然酸化層を形成させた以外は、すべて実施例
１と同じ条件で発光素子を作製した。
Ｈ３
このようにして作製した素子を、ＤＣ電圧を用い、Ａｕ
薄膜が負電位になるように印加した。
薄膜が負電位になるように印加した。
その結果、有機螢光体材料独特の発光か得られた。
なお、本発明による効果は、本実施例に用いた有機螢光
体材料に限らず、他の有機螢光体材料ても同様な効果が
得られた。
体材料に限らず、他の有機螢光体材料ても同様な効果が
得られた。
［発明の効果コ
以上、説明したように、本発明の発光素子は安定で再現
性か良く、輝度の高い発光をすることかできる。
性か良く、輝度の高い発光をすることかできる。
第１図は本発明の発光素子の構成を示す断面の模式図、
第２図は、従来のＭＩＭ構造の発光素子の構成を示す断
面の模式図である。 １・・基板、２・・・第１の金属層、３・・・絶縁体層
、４・・・第２の金属層、 ５・・・螢光体層、６・
・・第１の導電体層、７・・絶縁体層、訃・・第２の導
電体層 特許比願人 株式会社リコ 代理人 弁理士 小 松 秀 岳
面の模式図である。 １・・基板、２・・・第１の金属層、３・・・絶縁体層
、４・・・第２の金属層、 ５・・・螢光体層、６・
・・第１の導電体層、７・・絶縁体層、訃・・第２の導
電体層 特許比願人 株式会社リコ 代理人 弁理士 小 松 秀 岳
Claims (2)
- （１）基板上に無機材料螢光体層を有し、その表面に第
１の導電体層とその表面に形成した絶縁体層を有し、こ
の絶縁体層の表面に第２の導電体層を有し、上記第１の
導電体層と第２の導電体層の間に電圧を印加するように
したことを特徴とする発光素子。 - （２）無機材料螢光体層に替わり、有機材料螢光体層を
有することを特徴とする請求項（１）記載の発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233312A JPH04115490A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233312A JPH04115490A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04115490A true JPH04115490A (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=16953158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2233312A Pending JPH04115490A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04115490A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960005734A (ko) * | 1994-07-26 | 1996-02-23 | 윤종용 | 평판 표시소자 |
| US6326936B1 (en) | 1997-07-22 | 2001-12-04 | Thin Film Electronics Asa | Electrode means, comprising polymer materials, with or without functional elements and an electrode device formed of said means |
-
1990
- 1990-09-05 JP JP2233312A patent/JPH04115490A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960005734A (ko) * | 1994-07-26 | 1996-02-23 | 윤종용 | 평판 표시소자 |
| US6326936B1 (en) | 1997-07-22 | 2001-12-04 | Thin Film Electronics Asa | Electrode means, comprising polymer materials, with or without functional elements and an electrode device formed of said means |
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