JPS6295883A - 電気的記憶装置 - Google Patents
電気的記憶装置Info
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- JPS6295883A JPS6295883A JP60235482A JP23548285A JPS6295883A JP S6295883 A JPS6295883 A JP S6295883A JP 60235482 A JP60235482 A JP 60235482A JP 23548285 A JP23548285 A JP 23548285A JP S6295883 A JPS6295883 A JP S6295883A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は論理電子回路用の書換え可能な電気的記憶装置
に関する。
に関する。
従来、電気的記憶装置としてはｆ！々のものが実用化さ
れてきでいる。なかでも遮電時にも書き込み情報か保持
され、しかも書換え可能な電気的記憶装置としては、Ｅ
ＰＲＯＭが幅広く利用されている。
れてきでいる。なかでも遮電時にも書き込み情報か保持
され、しかも書換え可能な電気的記憶装置としては、Ｅ
ＰＲＯＭが幅広く利用されている。
このＥＰＲＯＭの代表的な構成例を、第４図に示す。こ
のＥＰＲＯＭにおいて、“１″を書き込むときは、トレ
イン４１に高い負電圧を加えて、ゲート４３との間にア
バランシェを生じさせる。このアバランシェで主する高
エネルギーの電子がフローティングゲート４３に飛込ん
でこれを負に帯電させるか、この電荷は絶縁層（Ｓｉ０
２） ４６に囲まれでいるためトレイン４１の電圧を取
り去ってもゲート４３にたまり、その結果トレイン４１
とソース４２の間は導電性となる。読み出しは、素子に
電流が流れるつるか（１”のとき）否か（“○”のとき
）ヲ検出する。情報を消去するには、紫外線を照射する
。
のＥＰＲＯＭにおいて、“１″を書き込むときは、トレ
イン４１に高い負電圧を加えて、ゲート４３との間にア
バランシェを生じさせる。このアバランシェで主する高
エネルギーの電子がフローティングゲート４３に飛込ん
でこれを負に帯電させるか、この電荷は絶縁層（Ｓｉ０
２） ４６に囲まれでいるためトレイン４１の電圧を取
り去ってもゲート４３にたまり、その結果トレイン４１
とソース４２の間は導電性となる。読み出しは、素子に
電流が流れるつるか（１”のとき）否か（“○”のとき
）ヲ検出する。情報を消去するには、紫外線を照射する
。
しかしなから、このような、従来の電気的記憶装置は、
いわゆる半導体製造技術を、すなわち高価で複雑な装置
と、高度な技術を要し、簡易な装置で容易に製造できる
ものではなく、例えば、当業者以外の一般のエレクトロ
ニクス愛好家等でも気軽に作製できるものではなかった
。
いわゆる半導体製造技術を、すなわち高価で複雑な装置
と、高度な技術を要し、簡易な装置で容易に製造できる
ものではなく、例えば、当業者以外の一般のエレクトロ
ニクス愛好家等でも気軽に作製できるものではなかった
。
本発明は上記のような問題点に鑑みなされたものであり
、簡易な操作で容易に作製することができる構造を有す
る書換え可能な電気的記憶装置を提供することをその目
的とする。
、簡易な操作で容易に作製することができる構造を有す
る書換え可能な電気的記憶装置を提供することをその目
的とする。
上記の目的は以下の本発明によって達成することができ
る。
る。
本発明は、対向する電極音に、有機電荷移動錯体化合物
を含有してなる膜を形成した電気素子と、電気抵抗体と
を直列に接続して構成した直列接合と：該直列接合の両
端に、記録すべき論理信号に従って選択的に電圧を印加
し、前記電気素子の抵抗値に変化を与えるための電気的
手段と：この電気素子の抵抗値の変化を論理信号として
取り出すための電気的手段とを有し、前記有機電荷移動
錯体化合物を含有してなる膜が、該層の形成用材料を前
記電極の一方の所定の面に塗布することによって形成さ
れたものであることを特徴とする電気的記憶装置。
を含有してなる膜を形成した電気素子と、電気抵抗体と
を直列に接続して構成した直列接合と：該直列接合の両
端に、記録すべき論理信号に従って選択的に電圧を印加
し、前記電気素子の抵抗値に変化を与えるための電気的
手段と：この電気素子の抵抗値の変化を論理信号として
取り出すための電気的手段とを有し、前記有機電荷移動
錯体化合物を含有してなる膜が、該層の形成用材料を前
記電極の一方の所定の面に塗布することによって形成さ
れたものであることを特徴とする電気的記憶装置。
すなわち、本発明は、有機電荷移動錯体化合物を含有す
る薄膜の電圧−電流特性を有効に利用することによって
、簡易に作製可能な構造を有した書換え可能な電気的記
憶装Ｍを提供することを可能としたものである。
る薄膜の電圧−電流特性を有効に利用することによって
、簡易に作製可能な構造を有した書換え可能な電気的記
憶装Ｍを提供することを可能としたものである。
本発明の装置に組み込む電気素子は、第１図に示したよ
うに、２つの対向する電極１１．１２と、これら電極に
挟持された電子供与体と電子受容体とから構成される有
機電荷移動錯体を含有してなる薄膜（以後錯体含有薄膜
と略称する）１３とを基本的に有しで構成されたもので
ある。
うに、２つの対向する電極１１．１２と、これら電極に
挟持された電子供与体と電子受容体とから構成される有
機電荷移動錯体を含有してなる薄膜（以後錯体含有薄膜
と略称する）１３とを基本的に有しで構成されたもので
ある。
この本発明の製画に組み込む電気素子を構成することの
できる錯体含有薄膜１３としては、電子供与体として、
銀及び／または銅を含む無機陽イオンからなる群より選
択された１種以上と：電子受容体として、一般式： （
ＣＮ）２Ｃ（□２□）ｃ（ＣＮ）２（コであり、これら
の構造式中のＡ、Ｂ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ及び工は、そ
れぞれ独立して水素、ハロゲン原子、炭素数１〜３の脂
肪族炭化水素基、炭素数１〜３のエーテル基またはシア
ノ基である〕で表わされる化合物からなる群より選択し
た１種以上とから構成された錯体化合物を含んでなる薄
膜を挙げることができ、例えば、Ｃｕ−ＴＣＮＱ（銅−
テトラシアノキノジメタン錯体） 、Ｃｕ−ＴＮＡＰ（
銅−１ｔ、Ｉ＋、＋２．＋２−テトラシアノ−２，６−
ナフドキノジメタン錯体）、Ｃｕ−ＴＣＮＱＦ４（銅−
２，３，５，６−チトラフルオロー７．７，８．８−テ
トラシアノキノジメタン錯体） 、Ａ９ＴＣＮＱ、 ’
Ａ９ＴＮＡＰ、 Ａ９ＴＣＮＱＦ４等を含んでなる薄膜
を好適なものとして挙げることができる。
できる錯体含有薄膜１３としては、電子供与体として、
銀及び／または銅を含む無機陽イオンからなる群より選
択された１種以上と：電子受容体として、一般式： （
ＣＮ）２Ｃ（□２□）ｃ（ＣＮ）２（コであり、これら
の構造式中のＡ、Ｂ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ及び工は、そ
れぞれ独立して水素、ハロゲン原子、炭素数１〜３の脂
肪族炭化水素基、炭素数１〜３のエーテル基またはシア
ノ基である〕で表わされる化合物からなる群より選択し
た１種以上とから構成された錯体化合物を含んでなる薄
膜を挙げることができ、例えば、Ｃｕ−ＴＣＮＱ（銅−
テトラシアノキノジメタン錯体） 、Ｃｕ−ＴＮＡＰ（
銅−１ｔ、Ｉ＋、＋２．＋２−テトラシアノ−２，６−
ナフドキノジメタン錯体）、Ｃｕ−ＴＣＮＱＦ４（銅−
２，３，５，６−チトラフルオロー７．７，８．８−テ
トラシアノキノジメタン錯体） 、Ａ９ＴＣＮＱ、 ’
Ａ９ＴＮＡＰ、 Ａ９ＴＣＮＱＦ４等を含んでなる薄膜
を好適なものとして挙げることができる。
この錯体含有薄膜１３は、例えば、上記の有機電荷移動
錯体の１種以上を、適当な成膜性を有する例えばバイン
ダーとして働く物質等と混合し、必要に応じてこれらを
溶媒に溶解あるいは分散するなどしで、液体状の錯体含
有薄膜１３形成用の組成物を調整し、これを電極１１（
または電極１２）の所定部分に塗布し、更に必要に応じ
てこれを加熱、乾燥あるいは冷却するなど処理して形成
されたものである。
錯体の１種以上を、適当な成膜性を有する例えばバイン
ダーとして働く物質等と混合し、必要に応じてこれらを
溶媒に溶解あるいは分散するなどしで、液体状の錯体含
有薄膜１３形成用の組成物を調整し、これを電極１１（
または電極１２）の所定部分に塗布し、更に必要に応じ
てこれを加熱、乾燥あるいは冷却するなど処理して形成
されたものである。
この錯体含有薄膜１３は、本発明のＭ換え可能な電気的
記憶装置に組み込む第１図に示したような電気素子を構
成するのに好適な電圧−電流特性を有しでいる。
記憶装置に組み込む第１図に示したような電気素子を構
成するのに好適な電圧−電流特性を有しでいる。
すなわち、第１図に示すような構成の素子１こおいで、
正電極としての電極１１ヲ銅で、負電極としての電柵１
２をアルミニウムで形成し、更に、１３として前記した
錯体含有薄膜を用いた場合についで説明すると、アルミ
ニウム電極１２に対して銅電極１１の電位を上昇させて
いくと、第２図に示したように、錯体含有薄膜１３は、
臨界電界強度Ｅｃまでは、高抵抗状態を維持し、該層の
膜厚によっても異なるか、１０’ Ｖ／ｍｍ〜１０６Ｖ
／ｍｍ程度の臨界電圧強度Ｅｃで、抵抗値か約１０３Ω
／ｍｍ２〜約１０９Ω／ｍｍ２（オフ抵抗値：Ｒｏｕ）
の高抵抗状態から、約１０Ω／ｍｍ２〜約１０３Ω／ｍ
ｍ２（オン抵抗値二ＲＩｌｌＮ）の低抵抗状態へとスイ
ッチングする。
正電極としての電極１１ヲ銅で、負電極としての電柵１
２をアルミニウムで形成し、更に、１３として前記した
錯体含有薄膜を用いた場合についで説明すると、アルミ
ニウム電極１２に対して銅電極１１の電位を上昇させて
いくと、第２図に示したように、錯体含有薄膜１３は、
臨界電界強度Ｅｃまでは、高抵抗状態を維持し、該層の
膜厚によっても異なるか、１０’ Ｖ／ｍｍ〜１０６Ｖ
／ｍｍ程度の臨界電圧強度Ｅｃで、抵抗値か約１０３Ω
／ｍｍ２〜約１０９Ω／ｍｍ２（オフ抵抗値：Ｒｏｕ）
の高抵抗状態から、約１０Ω／ｍｍ２〜約１０３Ω／ｍ
ｍ２（オン抵抗値二ＲＩｌｌＮ）の低抵抗状態へとスイ
ッチングする。
しかも、この低抵抗状態にはメモリー件があり、例えば
数時間以上、常温で放盲した場合でも約１０％の抵抗値
の増加が認められる程度である。
数時間以上、常温で放盲した場合でも約１０％の抵抗値
の増加が認められる程度である。
また、この低抵抗状態から高抵抗状態に錯体含有薄膜１
３を戻すには、錯体含有薄膜１３を例えば、２００°Ｃ
程度に２時間加熱し、２時間はどで徐冷するか、あるい
は、錯体含有薄膜１３に電流パルスを印加すれば良い。
３を戻すには、錯体含有薄膜１３を例えば、２００°Ｃ
程度に２時間加熱し、２時間はどで徐冷するか、あるい
は、錯体含有薄膜１３に電流パルスを印加すれば良い。
なお、電極１１．１２は、銅、銀、アルミニウム等の一
般に電極形成用材料として使用されでいるものから適宜
選択した材料を用いて、使用する材料に応した種々の公
知の方法によって形成することができる。
般に電極形成用材料として使用されでいるものから適宜
選択した材料を用いて、使用する材料に応した種々の公
知の方法によって形成することができる。
（実施例）
以下、図面を用いて本発明の一実施例を説明する。
第３図は本発明の書換え可能な電気的記憶装置の一構成
例である。
例である。
この装置は、対向する電極間３１．３２に、先に説明し
たような電流−電圧特性を有する有機電荷移動錯体化合
物としてＣｕ−ＴＣＮＱを含有してなる膜３３（膜厚、
５ｕ＋）を形成した電気素子ＣＩと、電気抵抗体Ｒ１と
を直列に接続した直列接合部３４と、該直列接合３４の
両端に、記録すべき論理信号に従って選択的に高電圧を
印加し、前記電気素子ＣＩの抵抗値を変化させるための
手段を構成する部分３５（一点鎖線で囲んだ部分）と、
この電気素子ＣＩの抵抗値の変化を論理信号として取り
出すための電気的手段を構成する部分３６（寅線で囲ん
だ部分）とを有して構成されている。なお、抵抗Ｒ１に
は、その抵抗値とＣｕ−ＴＣＮＱ膜３３膜層３値８開、
Ｒｏｎとの関係が、ＲＯＭ ＜： Ｒ１ＣＲｏｐ＋とな
るようなものが用いられ、この装置においては、電気素
子ＣＩのＣｕ−ＴＣＮＱ膜３３膜層３か５間であり、電
極面積１ｍｍ２において、ＲＱ７か３８０Ω、Ｒｏｎか
８６０にΩであったので、Ｒ＋とじでは、５．ＩＫΩの
ものを用いた。
たような電流−電圧特性を有する有機電荷移動錯体化合
物としてＣｕ−ＴＣＮＱを含有してなる膜３３（膜厚、
５ｕ＋）を形成した電気素子ＣＩと、電気抵抗体Ｒ１と
を直列に接続した直列接合部３４と、該直列接合３４の
両端に、記録すべき論理信号に従って選択的に高電圧を
印加し、前記電気素子ＣＩの抵抗値を変化させるための
手段を構成する部分３５（一点鎖線で囲んだ部分）と、
この電気素子ＣＩの抵抗値の変化を論理信号として取り
出すための電気的手段を構成する部分３６（寅線で囲ん
だ部分）とを有して構成されている。なお、抵抗Ｒ１に
は、その抵抗値とＣｕ−ＴＣＮＱ膜３３膜層３値８開、
Ｒｏｎとの関係が、ＲＯＭ ＜： Ｒ１ＣＲｏｐ＋とな
るようなものが用いられ、この装置においては、電気素
子ＣＩのＣｕ−ＴＣＮＱ膜３３膜層３か５間であり、電
極面積１ｍｍ２において、ＲＱ７か３８０Ω、Ｒｏｎか
８６０にΩであったので、Ｒ＋とじでは、５．ＩＫΩの
ものを用いた。
この装置において、論理値のＬ”状態を記録するには、
ます、書き込み信号を“Ｈ”状態にしてスイッチング素
子Ｓ’ｌ’ｌ’＋ 、ＳＷ２をオン状態とする。この状
態で読み出し信号を“Ｈ”状態とすると、ＳＷ３かオン
となり、Ｃｕ−ＴＣＮＱ膜３３膜層３に高電圧Ｖ８かか
かる。ここで前記したように、Ｒ１の抵抗値が、５，１
にΩであつ、Ｃｕ−ＴＣＮＱ膜３３膜層３は高抵抗状態
にあるので、高電圧Ｖ８の電位のほとんどがＣｕ−ＴＣ
ＮＱ膜３３膜層３る。このとき、高電圧ＶＢとして第２
図に示した臨界電界強度ＥｅをＣｕ−ＴＣＮＱ膜３３膜
層３することができる程度のものを使用すれば、Ｃｕ−
ＴＣＮＱ膜３３膜層３抗状態から低抵抗状態へとスイッ
チングして、この状態がメモリーされて記録操作か完了
する。なお、この例においては、高電圧Ｖ８として２０
Ｖの定電圧を用いた。
ます、書き込み信号を“Ｈ”状態にしてスイッチング素
子Ｓ’ｌ’ｌ’＋ 、ＳＷ２をオン状態とする。この状
態で読み出し信号を“Ｈ”状態とすると、ＳＷ３かオン
となり、Ｃｕ−ＴＣＮＱ膜３３膜層３に高電圧Ｖ８かか
かる。ここで前記したように、Ｒ１の抵抗値が、５，１
にΩであつ、Ｃｕ−ＴＣＮＱ膜３３膜層３は高抵抗状態
にあるので、高電圧Ｖ８の電位のほとんどがＣｕ−ＴＣ
ＮＱ膜３３膜層３る。このとき、高電圧ＶＢとして第２
図に示した臨界電界強度ＥｅをＣｕ−ＴＣＮＱ膜３３膜
層３することができる程度のものを使用すれば、Ｃｕ−
ＴＣＮＱ膜３３膜層３抗状態から低抵抗状態へとスイッ
チングして、この状態がメモリーされて記録操作か完了
する。なお、この例においては、高電圧Ｖ８として２０
Ｖの定電圧を用いた。
一方、記録した論理状態を読み出すには、書込み信号を
“Ｌ ”状態に維持し、読み出し信号を“Ｈ”にすると
、ＳＷ３がオンとなり、定電圧ｖｅがダイオードＤｒを
通しで直列接合部３４に印加され、その際のＣｕ−ＴＣ
ＮＱ膜３３の抵抗状態、すなわち上記のように論理値の
“Ｌ″状態記録されで、Ｃｕ−１：ＮＯ膜３３が低抵抗
状態となっているがどうかに応じて、Ａ点の電位が°゛
Ｈ″また“Ｌ”となる。この電位情報をＳＷ４及びＲ２
、Ｒ３、Ｒ４からなるインバーター回路によって読み出
す。
“Ｌ ”状態に維持し、読み出し信号を“Ｈ”にすると
、ＳＷ３がオンとなり、定電圧ｖｅがダイオードＤｒを
通しで直列接合部３４に印加され、その際のＣｕ−ＴＣ
ＮＱ膜３３の抵抗状態、すなわち上記のように論理値の
“Ｌ″状態記録されで、Ｃｕ−１：ＮＯ膜３３が低抵抗
状態となっているがどうかに応じて、Ａ点の電位が°゛
Ｈ″また“Ｌ”となる。この電位情報をＳＷ４及びＲ２
、Ｒ３、Ｒ４からなるインバーター回路によって読み出
す。
なお、この例においては、ＳＷＩ 、 ＳＷ２からなる
書き込み部３７（点線で囲んだ部分）と、素子ＣＩを含
む読み出し部３６とが一体となった構成となっているが
、これらをそれぞれ独立した別々の装置とし、書き込み
時にのみコネクター等の手段を用いてこれらを接続する
ような構成としても良い。このような場合、ダイオード
ＤＩは不要となる。更に、別の態様として、Ｂ点に直接
定電圧電源を接続して、第３図に示した読み出し信号の
入力部から書き込み信号を選択的に印加することにより
、素子ＣＩの抵抗状態に変化を与えて、記録する構成と
することもできる。このような構成とすることによって
、装置の簡素化を計ることもできる。
書き込み部３７（点線で囲んだ部分）と、素子ＣＩを含
む読み出し部３６とが一体となった構成となっているが
、これらをそれぞれ独立した別々の装置とし、書き込み
時にのみコネクター等の手段を用いてこれらを接続する
ような構成としても良い。このような場合、ダイオード
ＤＩは不要となる。更に、別の態様として、Ｂ点に直接
定電圧電源を接続して、第３図に示した読み出し信号の
入力部から書き込み信号を選択的に印加することにより
、素子ＣＩの抵抗状態に変化を与えて、記録する構成と
することもできる。このような構成とすることによって
、装置の簡素化を計ることもできる。
第１図に示した本発明の構成例に使用した素子は、以下
のようにして作製されたものである。
のようにして作製されたものである。
まず、ガラスからなる基板（２６ｘ ７６ｘ １ｍｍ
）の一方の面に銅を５〜２０−の膜厚に蒸着しで、第１
の電極を形成した。なお、この銅電極の形成には、例え
ばガラスエポキシエツチング基板（サンハヤト■社製）
等を用いても良い。
）の一方の面に銅を５〜２０−の膜厚に蒸着しで、第１
の電極を形成した。なお、この銅電極の形成には、例え
ばガラスエポキシエツチング基板（サンハヤト■社製）
等を用いても良い。
次に、ＴＣＮＱ粉末（大阪有機化学社製）を昇華精製し
たものを、蒸留精製したアセトニトリルにアセトニトリ
ル６０ｍ１にＴＣＮＱ粉宋１９の割合で溶解させた。こ
のようにして調製したＴｆｌ：ＮＱのアセトニトリル溶
液に窒素ガスを１時間バブリングして処理した後、この
溶液に銅粉末を、ＴＣＮＱＩ９に対して０．２８９の割
合で添加した。次に、この溶液を２４時間攪拌すると、
溶液中にＣｕ−ＴＣＮＱ錯体を含む生成物が形成されて
析出した。この生成物を溶液内から濾別し、更に熱アセ
トニトリルを用いたソックスレー抽出によって処理して
、この生成物から未反応のＴＣＮＱを抽出除去した後、
これを乾燥させた。
たものを、蒸留精製したアセトニトリルにアセトニトリ
ル６０ｍ１にＴＣＮＱ粉宋１９の割合で溶解させた。こ
のようにして調製したＴｆｌ：ＮＱのアセトニトリル溶
液に窒素ガスを１時間バブリングして処理した後、この
溶液に銅粉末を、ＴＣＮＱＩ９に対して０．２８９の割
合で添加した。次に、この溶液を２４時間攪拌すると、
溶液中にＣｕ−ＴＣＮＱ錯体を含む生成物が形成されて
析出した。この生成物を溶液内から濾別し、更に熱アセ
トニトリルを用いたソックスレー抽出によって処理して
、この生成物から未反応のＴＣＮＱを抽出除去した後、
これを乾燥させた。
このようにして得られたＣｕ−ＴＣＮＱＣＮ化合物をベ
ンゼン溶液中で粉砕し、これにポリマーバインダー（商
品名、Ｕ−Ｐｏｌｙｍｅｒ ８００ 、ユニチカ製）を
加え、更に分散材としてポリエチレングリコール（ＰＥ
Ｇ） （Ｅ洋化成工業社製）を加え塗布用溶液を調製
した。このとき、各成分の濃度は、（：ｕ−ＴＣＮＱＣ
Ｎ化合物１０ｗｔ、χ、ポリマーバイシダー１０ｗｔ、
χ、ＰＥＧ Ｉｗｔ、χ程度とすると良い。
ンゼン溶液中で粉砕し、これにポリマーバインダー（商
品名、Ｕ−Ｐｏｌｙｍｅｒ ８００ 、ユニチカ製）を
加え、更に分散材としてポリエチレングリコール（ＰＥ
Ｇ） （Ｅ洋化成工業社製）を加え塗布用溶液を調製
した。このとき、各成分の濃度は、（：ｕ−ＴＣＮＱＣ
Ｎ化合物１０ｗｔ、χ、ポリマーバイシダー１０ｗｔ、
χ、ＰＥＧ Ｉｗｔ、χ程度とすると良い。
このようにして調製した溶液を、基板上に設けられてい
る銅電極上に例えばワイヤーバーコーターまたはスクリ
ーン印刷機を用いて乾燥後の膜厚が５鱗となるように塗
布した後、これを８０℃で１５分間程度乾燥して、Ｃｕ
−ＴＣＮＱを含有した膜３３を形成した。
る銅電極上に例えばワイヤーバーコーターまたはスクリ
ーン印刷機を用いて乾燥後の膜厚が５鱗となるように塗
布した後、これを８０℃で１５分間程度乾燥して、Ｃｕ
−ＴＣＮＱを含有した膜３３を形成した。
最後に、銅電極の表面に形成されたＣｕ−ＴＣＮＱ錯体
膜上に、更に負電極としてのアルミニウムを２〜５ｕＩ
の膜厚で蒸着して、銅電極とアルミニウム電極とによっ
で挟持されたＣｕ−ＴＣＮＱ錯体膜からなる電気素子の
形成を完了した。
膜上に、更に負電極としてのアルミニウムを２〜５ｕＩ
の膜厚で蒸着して、銅電極とアルミニウム電極とによっ
で挟持されたＣｕ−ＴＣＮＱ錯体膜からなる電気素子の
形成を完了した。
以上説明したような本発明によれば、本発明の装置の有
する有機電荷移動錯体化合物を含んだ薄膜を有してなる
電気素子か、従来用いられでいた半導体を用いたものと
は異なり、簡易な操作で容易に作製することかできる構
造を有しでいるので、本発明によって、作製の容易なＮ
換え可能な電気的記憶装置を提供することか可能となっ
た。
する有機電荷移動錯体化合物を含んだ薄膜を有してなる
電気素子か、従来用いられでいた半導体を用いたものと
は異なり、簡易な操作で容易に作製することかできる構
造を有しでいるので、本発明によって、作製の容易なＮ
換え可能な電気的記憶装置を提供することか可能となっ
た。
第１図は、本発明の装置に組み込む電気素子の模式的断
面図、第２図は本発明の装置に用いる何機電荷移動錯体
化合物を含んだ薄膜の電圧−電流特性を示したグラフ、
第３図は本発明の装置の一構成例を示した概略図、第４
図は、従来の害換え可能な電気的記憶装置の模式的概略
である。 １１．１２．３１．３２：電極 １３．３３：錯体含有薄膜 ３４、直列接合部 ３５：電気素子ＣＩの抵抗値を変化させるための手段を
構成する部分 ３６：電気素子ＣＩの抵抗値の変化を論理信号として取
り出すための電気的手段を構成する部分３７：Ｍき込み
部 ４１ニドレイン４２、ソース
４３：ゲート４４二Ａ１層 ４５：
。一基板４６：絶縁層 ４７：ｐ＋層ＣＩ
：電気素子 ＤＩ ダイオード 巳＋ Ｒ２Ｒ３Ｒ４：抵抗 ＳＬ 、ＳＷ７ 、ＳＷ３ 、ＳＷ４：スイッチＶＢ、
Ｖｃ ：電源
面図、第２図は本発明の装置に用いる何機電荷移動錯体
化合物を含んだ薄膜の電圧−電流特性を示したグラフ、
第３図は本発明の装置の一構成例を示した概略図、第４
図は、従来の害換え可能な電気的記憶装置の模式的概略
である。 １１．１２．３１．３２：電極 １３．３３：錯体含有薄膜 ３４、直列接合部 ３５：電気素子ＣＩの抵抗値を変化させるための手段を
構成する部分 ３６：電気素子ＣＩの抵抗値の変化を論理信号として取
り出すための電気的手段を構成する部分３７：Ｍき込み
部 ４１ニドレイン４２、ソース
４３：ゲート４４二Ａ１層 ４５：
。一基板４６：絶縁層 ４７：ｐ＋層ＣＩ
：電気素子 ＤＩ ダイオード 巳＋ Ｒ２Ｒ３Ｒ４：抵抗 ＳＬ 、ＳＷ７ 、ＳＷ３ 、ＳＷ４：スイッチＶＢ、
Ｖｃ ：電源
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）対向する電極間に有機電荷移動錯体化合物を含有し
てなる膜を形成した電気素子と、電気抵抗体とを直列に
接続して構成した直列接合と：該直列接合の両端に、記
録すべき論理信号に従って選択的に電圧を印加し、前記
電気素子の抵抗値に変化を与えるための電気的手段と：
該電気素子の抵抗値の変化を論理信号として取り出すた
めの電気的手段とを有し、前記有機電荷移動錯体化合物
を含有してなる膜が、該膜の形成用材料を前記電極の一
方の所定の面に塗布することによって形成されたもので
あることを特徴とする電気的記憶装置。 ２）前記電気素子の抵抗値を変化させるための手段と、
前記電気素子の抵抗値の変化を論理信号として取り出す
ための電気的手段とが分離できるものである特許請求の
範囲第１項記載の電気的記憶装置。 ３）前記有機電荷移動錯体化合物を含有してなる膜が、
電子供与体として、銀及び／または銅を含む無機陽イオ
ンからなる群より選択された１種以上と：電子受容体と
して、下記一般式：（ＣＮ）＿２Ｃ（＝Ｚ＝）Ｃ（ＣＮ
）＿２ 〔ここで、（＝Ｚ＝）は、 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
式、表等があります▼ であり、これらの構造式中のＡ、Ｂ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、
Ｈ及びＩは、それぞれ独立して水素、ハロゲン原子、炭
素数１〜３の脂肪族炭化水素基、炭素数１〜３のエーテ
ル基またはシアノ基である。〕で表わされる化合物から
なる群より選択した１種以上とから構成された有機電荷
移動錯体化合物を含んでなる膜である特許請求の範囲第
１項または第２項記載の電気的記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235482A JPS6295883A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 電気的記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235482A JPS6295883A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 電気的記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6295883A true JPS6295883A (ja) | 1987-05-02 |
Family
ID=16986714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60235482A Pending JPS6295883A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 電気的記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6295883A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6055180A (en) * | 1997-06-17 | 2000-04-25 | Thin Film Electronics Asa | Electrically addressable passive device, method for electrical addressing of the same and uses of the device and the method |
| US7876596B2 (en) | 2004-11-08 | 2011-01-25 | Waseda University | Memory element and method for manufacturing same |
-
1985
- 1985-10-23 JP JP60235482A patent/JPS6295883A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6055180A (en) * | 1997-06-17 | 2000-04-25 | Thin Film Electronics Asa | Electrically addressable passive device, method for electrical addressing of the same and uses of the device and the method |
| US7876596B2 (en) | 2004-11-08 | 2011-01-25 | Waseda University | Memory element and method for manufacturing same |
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