PL233211B1 - Folia optoelektroniczna oraz sposób wytwarzania folii optoelektronicznej - Google Patents
Folia optoelektroniczna oraz sposób wytwarzania folii optoelektronicznejInfo
- Publication number
- PL233211B1 PL233211B1 PL420300A PL42030017A PL233211B1 PL 233211 B1 PL233211 B1 PL 233211B1 PL 420300 A PL420300 A PL 420300A PL 42030017 A PL42030017 A PL 42030017A PL 233211 B1 PL233211 B1 PL 233211B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- oxide
- layer
- barrier layer
- optoelectronic
- substrate
- Prior art date
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 243
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 48
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 22
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 22
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- -1 silicon nitrides Chemical class 0.000 claims description 20
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 16
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 13
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910005855 NiOx Inorganic materials 0.000 claims description 10
- AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N chromium dioxide Chemical compound O=[Cr]=O AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- UOUJSJZBMCDAEU-UHFFFAOYSA-N chromium(3+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Cr+3].[Cr+3] UOUJSJZBMCDAEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 6
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910003107 Zn2SnO4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910007694 ZnSnO3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- UVLYPUPIDJLUCM-UHFFFAOYSA-N indium;hydrate Chemical compound O.[In] UVLYPUPIDJLUCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910017105 AlOxNy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ZWPVWTIRZYDPKW-UHFFFAOYSA-N chromium(VI) oxide peroxide Inorganic materials [O-2].[O-][Cr]([O-])(=O)=O ZWPVWTIRZYDPKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 claims description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims 1
- UHPJWJRERDJHOJ-UHFFFAOYSA-N ethene;naphthalene-1-carboxylic acid Chemical compound C=C.C1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1 UHPJWJRERDJHOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000424 chromium(II) oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- XTUSEBKMEQERQV-UHFFFAOYSA-N propan-2-ol;hydrate Chemical compound O.CC(C)O XTUSEBKMEQERQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVARTBFNCCXQKS-UHFFFAOYSA-N propan-2-one;hydrate Chemical compound O.CC(C)=O OVARTBFNCCXQKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
- C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
- C23C14/205—Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Description
Przedmiotem niniejszego wynalazku jest folia optoelektroniczna oraz sposób jej wytwarzania.
Konstrukcja folii optoelektronicznej składa się z elastycznego podłoża typu folia polimerowa i przezroczystej elektrody. Stanowi to podstawę budowy szerokiej gamy urządzeń optoelektronicznych, które wytwarzane są na tychże foliach za pomocą różnorodnych technik. Urządzenia opto elektroniczne, do których budowy stosuje się folie optoelektroniczne stanowią m.in. elastyczne wyświetlacze emisyjne (OLED, QD LCD), elastyczne urządzenia fotowoltaiczne, sensory do ekranów dotykowych, elastyczne pamięci o dostępie swobodnym (z ang. random access memory, RAM), czy czujniki gazów.
Wadą elastycznych folii optoelektronicznych jest niska szczelność elastycznego podłoża, które stanowią folie polimerowe o wysokiej przepuszczalności tlenu i wody, co wpływa na krótką żywotność urządzeń optoelektronicznych. Szczególnie urządzenia zawierające materiały organiczne w warstwach aktywnych, na przykład diody typu OLED (z ang. Organie Light Emitting Diode), są wrażliwe na działanie warunków atmosferycznych. Przedostająca się wilgoć oraz tlen z powietrza, powodują degradację materiału aktywnego, co w konsekwencji uniemożliwia pracę urządzenia optoelektronicznego.
Znane są różne technologie produkcji warstw ochronnych w strukturze folii optoelektronicznych, mające na celu przedłużenie żywotności urządzeń optoelektronicznych, w tym:
- technologia zapory: „Dam-and-fill”. Podczas tego procesu rozprowadzony płyn o wysokiej lepkości tworzy prostokątną zaporę wokół urządzenia (np. OLED-u). Płyn ten jest rozprowadzany podczas operacji nakładania kropelek tak, aby wypełnić przestrzeń między podłożem a filmem uszczelniającym w ramach zapory. Metoda ta cechuje się prostotą oraz wysoką stabilnością;
- technologia uszczelniania cienką wielowarstwową folią, z ang. „Thin-film-encapsulation” (TFE). Najpopularniejszymi technologiami typu TFE są: chemiczne osadzanie pary wodnej za pomocą plazmy (PECVD) oraz osadzanie za pomocą warstw atomowych (ALD);
- technologia chemicznego osadzania z fazy gazowej ze wspomaganiem plazmowym, z ang. „Plasma-enhanced chemical vapor deposition” (PECVD), w której przygotowuje się nieorganiczno-nieorganiczną lub organiczno-organiczną barierę, w procesie typowo wykorzystuje się azotek lub dwutlenek krzemu; zaletą tej techniki jest niska temperatura procesu, nie przekraczająca 600°C, oraz możliwość osadzania nierównowagowych faz, a także stosunkowo wysoka czystość uzyskiwanych powłok;
- technologia nanoszenia warstw atomowych, z ang. „Atomic Layer Deposition” (ALD), w której osadza się film uszczelniający; w technologii tej nanosić można między innymi tlenki i azotki aluminium; zaletą tej metody jest uzyskiwanie powłok charakteryzujących się stosunkowo dobrą szczelnością.
Znane są ponadto techniki mające na celu poprawę barierowości i ogólne uszczelnienie wyświetlacza FOLED (z ang. Flexible Organic Light Emitting Diode), w których stosuje się bardzo cienkie metalowe lub szklane folie. Zaletą tego typu rozwiązań jest uzyskiwanie folii o dobrych właściwościach przepuszczalności dla gazów, natomiast wadą jest matowość oraz nieprzeźroczystość wytwarzanych folii, a także możliwość łatwego ich uszkodzenia.
Także z literatury patentowej znane są konstrukcje materiałów przewodzących wykorzystywanych do budowy urządzeń optoelektronicznych.
Z międzynarodowego zgłoszenia patentowego WO2015/179834A1 znana jest konstrukcja przewodzącego filmu składającego się ze srebra (Ag), w ilości nie mniejszej niż 80% całkowitej zawartości atomów przewodzącego filmu oraz metal przewodzący wybrany z grupy składającej się z: Al, Ti, Ni, Cr, Au, Mg, Ta, Ge w ilości nieprzekraczającej 20% całkowitej zawartości atomów przewodzącego filmu. Proces wytwarzania elektroprzewodzącej warstwy obejmuje współnaniesienie złota oraz miedzi, oraz metalu przewodzącego na podłoże z wytworzeniem ciągłego przewodzącego filmu. W dokumencie WO2015/179834A1 brak jest natomiast informacji o sposobie wytwarzania warstwy barierowej, ograniczającej dostęp wilgoci lub tlenu do filmu przewodzącego.
Celowym byłoby zatem opracowanie konstrukcji elastycznej folii optoelektronicznej o zwiększonej barierowości dla cząsteczek gazów oraz pary wodnej, która będzie umożliwiała wytwarzanie urządzeń optoelektronicznych o przedłużonej żywotności bez pogorszenia przeświecalności całego materiału foliowego. Celowym byłoby także, aby opracowana folia optoelektroniczna charakteryzowała się funkcjonalnością umożliwiającą jej zastosowanie zarówno w urządzeniach pasywnych, obejmujących
PL 233 211 B1 rozwiązania barierowe, jak i w aktywnych urządzeniach optoelektronicznych, obejmujących elastyczne, przeświecalne elektrody.
Przedmiotem wynalazku jest folia optoelektroniczna charakteryzująca się tym, że zawiera podłoże oraz warstwę przewodzącą zawierającą co najmniej jedną warstwę tlenkową oraz co najmniej jedną warstwę metalową, przy czym pomiędzy warstwą przewodzącą oraz podłożem folia ma warstwę barierową zawierającą co najmniej jeden materiał wybrany z grupy składającej się z: tlenków krzemu (SiOx), tlenków glinu (AI2O3, AIOxNy), tlenków tytanu (TiOx), tlenoazotków krzemu SiON, azotków krzemu (Si3N4, SiNx), organicznych związków krzemu (SiCxHy), tlenku cyrkonu (ZrO2), tlenku hafnu (HfO2), tlenków chromu (CrO, C2O3, CrO2, CrO3, CrO5) oraz parylenu.
Korzystnie, warstwa barierowa ma strukturę monowarstwową.
Korzystnie, warstwa barierowa ma strukturę poliwarstwową, składającą się z co najmniej dwóch podwarstw, ułożonych jedna na drugiej w obrębie warstwy barierowej i różniących się między sobą materiałem wykonania.
Korzystnie, podłoże wykonane jest z co najmniej jednego tworzywa sztucznego, wybranego z grupy składającej się z: poli(tereftalanu etylenu) (PET), poli(naftalenu etylenu) (PEN), polietylenu (PE), polipropylenu (PP), politetra sulfonu (PES), poliimidu (PI), polistyrenu (PS), etylenu/tetrafluoroetylenu (ETFE) oraz parylenu.
Korzystnie, podłoże jest domieszkowane nanokompozytami nieorganicznymi.
Korzystnie, warstwa tlenkowa wykonana jest z co najmniej jednego tlenku wybranego z grupy składającej się z: ZnO, AZO (tlenek cynku glinu), SnO2, IZO (tlenek indu cynku), FTO (tlenek cyny fluoru), ZTO (tlenek cynku cyny), ITO (tlenek indu cyny), GZO (tlenek cynku galu), GIO (tlenek galu indu) ln2O3,Sb:SnO2, IO:H (tlenek indu wodoru), CdO, Zn2SnO4, ZnSnO3, Zn2ln2O5, NiOx,NiOx:Li,TiOx ZnS, ZnSe, Te2O3, MoOx, V2O5, oraz WO3.
Korzystnie, warstwa tlenkowa ma strukturę monowarstwową.
Korzystnie, warstwa tlenkowa ma strukturę poliwarstwową, składającą się z co najmniej dwóch podwarstw, ułożonych jedna na drugiej w obrębie warstwy tlenkowej i różniących się między sobą materiałem wykonania.
Korzystnie, folia zawiera jedną warstwę tlenkową.
Korzystnie, folia zawiera co najmniej dwie warstwy tlenkowe.
Korzystnie, warstwa metalowa jest wykonana z co najmniej jednego materiału wybranego z grupy składającej się z: Al, Ti, Ni, Cr, Au, Mg, Ta, Ge, Ag, Cu, Zr, Pt oraz W.
Korzystnie, folia ma warstwę metalową 132 pomiędzy sąsiadującymi warstwami tlenkowymi.
Korzystnie, w obrębie warstwy przewodzącej ma n warstw tlenkowych oraz n-1 warstw metalowych ułożonych naprzemiennie pomiędzy sąsiadującymi warstwami tlenkowymi.
Przedmiotem wynalazku jest ponadto sposób wytwarzania folii optoelektronicznej charakteryzujący się tym, że: oczyszcza się i aktywuje się wybraną powierzchnię podłoża, na którą nanosi się warstwę barierową, w taki sposób, że na oczyszczonym i aktywowanym podłożu wytwarza się warstwę barierową, zawierającą co najmniej jeden materiał wybrany z grupy składającej się z: tlenków krzemu (SiOx), tlenków glinu (AI2O3, AIOxNy), tlenków tytanu (TiOx), tlenoazotków krzemu SiON, azotków krzemu (Si3N4, SiNx), organicznych związków krzemu (SiCxHy), tlenku cyrkonu (ZrO2), tlenku hafnu (HfO2), tlenków chromu (CrO, Cr2O3, CrO2, CrO3, CrO5) oraz parylenu, a następnie na warstwę barierową nanosi się warstwę przewodzącą, zawierającą co najmniej jedną warstwę tlenkową oraz co najmniej jedną warstwę metalową.
Korzystnie, warstwę barierową wytwarza się poprzez naniesienie na podłoże jednej warstwy materiału z wytworzeniem warstwy barierowej o strukturze monowarstwowej.
Korzystnie, warstwę barierową wytwarza się poprzez naniesienie na podłoże co najmniej dwóch podwarstw różniących się materiałem wykonania z wytworzeniem warstwy barierowej struktury poliwarstwowej.
Korzystnie, warstwę przewodzącą wytwarza się w taki sposób, że na warstwie barierowej wytwarza się pojedynczo, jedna na drugiej, co najmniej jedną warstwę tlenkową z materiału tlenkowego zawierającego co najmniej jeden tlenek wybrany z grupy składającej się z: ZnO, AZO (tlenek cynku glinu), SnO2, IZO (tlenek indu cynku), FTO (tlenek cyny fluoru), ZTO (tlenek cynku cyny), ITO (tlenek indu cyny), GZO (tlenek cynku galu), GIO (tlenek galu indu) ln2O3,Sb:SnO2, IO:H (tlenek indu wodoru), CdO, Zn2SnO4, ZnSnO3, Zn2ln2O5, NiOx,NiOx:Li,TiOx ZnS, ZnSe, Te2O3, MoOx, V2O5, oraz WO3 i co najmniej jedną warstwę metalową z materiału zawierającego co najmniej jeden metal wybrany z grupy składającej się z: Al, Ti, Ni, Cr, Au, Mg, Ta, Ge, Ag, Cu, Zr, Pt oraz W.
PL 233 211 B1
Korzystnie, warstwę przewodzącą wytwarza się w taki sposób, że na warstwie barierowej wytwarza się pojedynczo, jedna na drugiej, z zachowaniem naprzemiennego układu warstw tlenkowych i warstw metalowych, n warstw tlenkowych oraz n-1 warstw metalowych, gdzie n jest liczbą należącą do zbioru liczb naturalnych.
Korzystnie, warstwę przewodzącą wytwarza się w taki sposób, że na warstwie barierowej wytwarza się pojedynczo, pierwszą warstwę tlenkową, następnie na pierwszej warstwie tlenkowej wytwarza się warstwę metalową, a następnie na warstwie metalowej wytwarza się drugą warstwę tlenkową.
Korzystnie, co najmniej jedną warstwę tlenkową wytwarza się poprzez naniesienie jednej warstwy materiału tlenkowego z wytworzeniem warstwy tlenkowej o strukturze monowarstwowej.
Korzystnie, co najmniej jedną warstwę tlenkową wytwarza się poprzez naniesienie co najmniej dwóch podwarstw tlenkowych, różniących się materiałem wykonania z wytworzeniem warstwy tlenkowej o strukturze poliwarstwowej.
Korzystnie, podłoże oczyszcza się i aktywuje za pomocą co najmniej jednej techniki wybranej z grupy składającej się z: obróbki plazmowej, obróbki za pomocą wyładowań koronowych, obróbki za pomocą dwutlenku węgla, obróbki za pomocą promieniowania ultrafioletowego i ozonu oraz oczyszczania rozpuszczalnikami wybranymi z grupy składającej się z: acetonu, izopropanolu, wod y, mieszaniny acetonu z wodą oraz mieszaniny izopropanolu z wodą.
Korzystnie, warstwę barierową nanosi się na podłoże za pomocą co najmniej jednej techniki wybranej z grupy składającej się z: nanoszenia warstw atomowych (ALD), napylania w polu magnetycznym (z ang. sputtering), techniki napylania z wykorzystaniem wiązki elektronowej (z ang. E-beam) oraz techniki napylania termicznego (z ang. Thermal Evaporation).
Korzystnie, warstwę przewodzącą nanosi się na podłoże za pomocą co najmniej jednej techniki wybranej z grupy składającej się z: nanoszenia warstw atomowych (ALD), napylania w polu magnetycznym, techniki napylania z wykorzystaniem wiązki elektronowej oraz napylania termicznego.
Przedmiot wynalazku przedstawiono w przykładzie wykonania na rysunku, na którym:
Fig. 1 przedstawia schematycznie budowę folii optoelektronicznej w przekroju poprzecznym;
Fig. 2 przedstawia schemat blokowy procesu wytwarzania folii optoelektronicznej.
Folia optoelektroniczna według wynalazku wykazuje przeświecalność nie mniejszą niż 50% oraz charakteryzuje się niską przepuszczalnością pary wodnej: współczynnik WVTR (z ang. Water Vapor Transmission) folii optoelektronicznej 10 mieści się w zakresie od 10-3 do 10-6 g/m2 na dzień. Ze względu na właściwości optoelektroniczne oraz wysoką przeświecalność folia może być stosowana do produkcji różnych urządzeń, w tym między innymi urządzeń optoelektroniki obrazowej oraz optoelektroniki fotowoltaicznej. Przykładowo folia może być wykorzystywana do produkcji elastycznych wyświetlaczy typu OLED lub QD LCD, w systemach fotowoltaicznych, w tym między innymi ultracienkich, przeświecalnych bateriach fotowoltaicznych, które mogą być umieszczane na szybach okiennych, ekranach komputerowych, telefonach bezprzewodowych, elementach odzieży, a także innych elementach codziennego użytku. Folia, ze względu na poprawione właściwości barierowe i poprawioną żywotność, może być stosowana także w przemyśle motoryzacyjnym czy budownictwie.
Na Fig. 1 przedstawiono schematycznie folię optoelektroniczną w przekroju poprzecznym, z uwidocznieniem warstwowej konstrukcji folii.
Folia optoelektroniczna ma podłoże 11 z warstwą barierową 12, na którym osadzona jest warstwa przewodząca 13 zawierająca co najmniej jedną warstwę tlenkową 131 oraz co najmniej jedną warstwę metalową 132.
Podłoże 11 folii optoelektronicznej 10 może być wykonane z różnych prześwieca lnych materiałów podłożowych, wybranych z grupy składającej się z tworzyw sztucznych oraz/lub tworzyw sztucznych z nanokompozytami z materiałów nieorganicznych. Jako tworzywa sztuczne na podłoże 11 można stosować przykładowo co najmniej jeden rodzaj tworzywa wybrany z grupy składającej się z: poli(tereftalanu etylenu) (PET), poli(naftalenu etylenu) (PEN), polietylenu (PE), polipropylenu (PP), politetra sulfonu (PES), poliimidu (PI), polistyrenu (PS), etylenu/tetrafluoroetylenu (ETFE) oraz polimerów naparowywanych na powierzchnię z grupy poli-p-ksylienów zwanych łącznie: parylen.
Warstwa barierowa 12 folii 10 pełni funkcję barierową oraz uniemożliwia przenikanie wilgoci oraz tlenu od podłoża 11 do warstwy przewodzącej 13, zapewniając tym samym znaczące ograniczenie procesów degradacji warstwy przewodzącej, stanowiącej element optoelektroniczny folii 10 oraz warstw aktywnych urządzenia, które może być naniesione na folię optoelektroniczną 10.
Warstwa barierowa 12 składa się z co najmniej jednego materiału wybranego z grupy składającej się z: tlenków krzemu (SiOx), tlenków glinu (AI2O3, AIOxNy), tlenków tytanu (TiOx), tlenoazotków
PL 233 211 B1 krzemu SiON, azotków krzemu (S13N4, SiNx), organicznych związków krzemu (SiCxHy), tlenku cyrkonu (ZrO2), tlenku hafnu (HfO2), tlenków chromu (CrO, Cr2O3, CrO2, CrO3, CrOs) oraz parylenu. Bardziej korzystnie warstwa barierowa może składać się z co najmniej dwóch różnych materiałów wybranych z grupy składającej się z: tlenków krzemu (SiO x), tlenków glinu (AI2O3, AIOxNy), tlenków tytanu (TiOx), tlenoazotków krzemu SiON, azotków krzemu (S i3N4, SiNx), organicznych związków krzemu (SiCxHy), tlenku cyrkonu (ZrO2), tlenku hafnu (HfO2), tlenków chromu (CrO, Cr2O3, CrO2, CrO3, CrOs) oraz parylenu.
W jednym przykładzie wykonania warstwa barierowa może mieć przykładowo postać monowarstwy składającej się wyłącznie z jednego materiału, na przykład AI2O3. W innym przykładzie wykonania warstwa barierowa może mieć postać monowarstwy zawierającej co najmniej dwa różne materiały i może być wykonana przykładowo z AI2O3 domieszkowanego TiO2. W jeszcze innym przykładzie wykonania warstwa barierowa 12 może składać się z co najmniej dwóch różnych materiałów, oraz może mieć postać poliwarstwy zawierającej w obrębie warstwy barierowej 12 co najmniej dwie podwarstwy ułożone warstwowo - jedna na drugiej, z których każda podwarstwa może być wykonana z innego materiału lub materiałów. Przykładowo warstwa barierowa może mieć dwie podwarstwy, w których jedna podwarstwa jest wykonana z AI2O3, a inna podwarstwa jest wykonana z TiO2. Każda podwarstwa w obrębie warstwy barierowej 12 może mieć jednakową lub różną grubość, korzystnie w zakresie od 5 do 500 nm, niezależnie względem grubości innej podwarstwy.
Korzystnie warstwa barierowa (12) może zawierać dwie podwarstwy, każda wykonana z innego materiału, wybranego z wymienionej powyżej grupy materiałów. Warstwa barierowa 12 może mieć łączną grubość korzystnie w zakresie od 5 do 1000 nm.
Warstwa przewodząca 13 stanowi optoelektronicznie aktywną warstwę folii o właściwościach przewodzących. Warstwa przewodząca 13 zawiera co najmniej jedną warstwę tlenkową 131, 133 oraz co najmniej jedną warstwę metalową 132, ułożone jedna na drugiej.
Ponadto, jak przedstawiono na Fig. 1, warstwa przewodząca może zawierać co najmniej dwie warstwy tlenkowe 131 i 133, lub też więcej niż dwie warstwy tlenkowe, oddzielone warstwami metalowymi 132 - tworząc architekturę kanapkową. Wszystkie warstwy 131, 132, 133 są ułożone w warstwie przewodzącej 13 jedna na drugiej, zasadniczo równolegle.
W każdym przykładzie wykonania warstwy przewodzącej 13, przykładowo zawierającej jedną lub też zawierającej więcej niż jedną, na przykład dwie warstwy tlenkowe 131, 133, warstwa tlenkowa 131, 133 jest wykonana z co najmniej jednego tlenku wybranego z grupy składającej się z: ZnO, AZO (tlenek cynku glinu), SnO2, IZO (tlenek indu cynku), FTO (tlenek cyny fluoru), ZTO (tlenek cynku cyny), ITO (tlenek indu cyny), GZO (tlenek cynku galu), GIO (tlenek galu indu) ln2O3,Sb:SnO2, IO:H (tlenek indu wodoru), CdO, Zn2SnO4, ZnSnO3, Zn2ln2Os, NiOx,NiOx:Li,TiOx ZnS, ZnSe, Te2O3, MoOx, V2Os, oraz WO3. W każdym przykładzie wykonania warstwy przewodzącej 13 folii optoelektronicznej 10 warstwa tlenkowa 131, 133 może mieć korzystnie grubość w zakresie od 15 do 150 nm.
W jednym przykładzie wykonania warstwa tlenkowa 131, 133 może mieć postać monowarstwy oraz składać się z jednego rodzaju tlenku, z grupy tlenków wymienionej powyżej, przykładowo ZnO. W innym przykładzie wykonania warstwa tlenkowa może mieć postać monowarstwy oraz składać się z więcej niż jednego materiału, na przykład warstwa tlenkowa 131, 133, w postaci monowarstwy może być wykonana z ZnO domieszkowanego Al. W jeszcze innym przykładzie wykonania warstwa tlenkowa 131, 133 może składać się z co najmniej dwóch różnych tlenków oraz może mieć postać poliwarstwy zawierającej w obrębie jednej warstwy tlenkowej 131, 133 co najmniej dwie podwarstwy, z których każda podwarstwa wykonana jest z innego materiału tlenkowego zawierającego co najmniej jeden tlenek. Przykładowo, warstwa tlenkowa 131, 133 może składać się z dwóch podwarstw ułożonych jedna na drugiej w obrębie jednej warstwy tlenkowej 131, 133, gdzie jedna podwarstwa wykonana jest z ZnO, a druga podwarstwa wykonana jest z AZO lub z IZTO domieszkowanego Al.
Folia optoelektroniczna, w zależności od docelowego zastosowania oraz wymaganych parametrów, może zawierać co najmniej dwie warstwy tlenkowe 131, 133, z których jedna warstwa tlenkowa ma postać monowarstwy, a inna warstwa tlenkowa ma postać poliwarstwy zawierającej co najmniej dwie podwarstwy wykonane z różnych materiałów tlenkowych. Ponadto w każdym przykładzie wykonania warstwy przewodzącej 13 zawierającej jedną lub też więcej niż jedną warstwę tlenkową, warstwa metalowa 132 jest wykonana z co najmniej jednego metalu wybranego z grupy składającej się z: Al, Ti, Ni, Cr, Au, Mg, Ta, Ge, Ag, Cu, Zr, Pt oraz W. Dla każdego przykładu wykonania warstwy przewodzącej 13 folii optoelektronicznej 10 warstwa metalowa 132 może mieć korzystnie grubość w zakresie od 2 do 20 nm.
PL 233 211 B1
W zależności od docelowych parametrów użytkowych folii optoelektronicznej, folia 10 może mieć w obrębie warstwy przewodzącej 13 tylko jedną warstwę tlenkową 131, 133 będącą poliwarstwą lub monowarstwą, oraz tylko jedną warstwę metalową 132. Ponadto, w innym przykładzie wykonania warstwa przewodząca 13 może zawierać - jak przedstawiono schematycznie na Fig. 1, dwie warstwy tlenkowe 131, 133, z których każda może być poli- lub monowarstwą, oraz jedną warstwę metalową 132, rozdzielającą dwie warstwy tlenkowe. W innym przykładzie wykonania warstwa przewodząca 13 może mieć trzy warstwy tlenkowe oraz dwie warstwy metalowe, ułożone w obrębie warstwy przewodzącej jedna na drugiej - naprzemiennie, w taki sposób, że każda z warstw metalowych rozdziela dwie sąsiadujące warstwy tlenkowe. W jeszcze innym przykładzie wykonania warstwa przewodząca może mieć n warstw tlenkowych 131, 133, z których każda może być poli- lub monowarstwą oraz n-1 warstw metalowych, ułożonych jedna na drugiej, naprzemiennie, tak że każda warstwa metalowa 132 oddziela dwie sąsiadujące warstwy tlenkowe 132, 133 - tworząc strukturę kanapkową, przy czym n oznacza dowolną liczbę wybraną z zbioru liczb naturalnych. Przykładowo n może wynosić 2, 3, 4, 5, 6 albo 7. Przykładowo, maksymalnie n może wynosić 33, lub też maksymalnie n może wynosić więcej niż 33.
Na Fig. 2 przedstawiono schematycznie sposób wytwarzania folii optoelektronicznej.
W celu wytworzenia folii optoelektronicznej w kroku 21 przygotowuje się materiał podłożowy 11. Proces przygotowania obejmuje dokładne oczyszczenie i aktywację wybranej powierzchni podłoża. Proces oczyszczania i aktywacji w kroku 21 jest realizowany za pomocą co najmniej jednej techniki wybranej z grupy składającej się z: obróbki plazmowej, obróbki za pomocą wyładowań koronowych, obróbki za pomocą dwutlenku węgla, oczyszczania rozpuszczalnikami takimi jak: aceton, izopropanol, woda, lub też mieszaniny acetonu z wodą lub mieszaniny izopropanolu z wodą, a także obróbkę powierzchniową promieniowaniem ultrafioletowym (UV) i ozonem.
Następnie, w kroku 22 na oczyszczoną i aktywowaną powierzchnię podłoża 11 nanosi się warstwę barierową 12.
W zależności od struktury warstwy barierowej 12 krok 22 może obejmować jeden lub więcej etapów. Przykładowo, w celu wytworzenia warstwy barierowej o strukturze monowarstwy oraz wykonanej z co najmniej jednego rodzaju materiału, przykładowo AI2O3, lub AI2O3 domieszkowanego TiO2, warstwę barierową w kroku 22 można nanosić w jednym etapie. Natomiast w celu wytworzenia warstwy barierowej o strukturze poliwarstwy obejmującej co najmniej dwie podwarstwy wykonane z różnych materiałów krok nanoszenia 22 może obejmować kilka etapów - każdy obejmujący naniesienie jednej podwarstwy na warstwę barierową 12. Przykładowo w celu wykonania warstwy barierowej zawierającej dwie podwarstwy, nanoszenie w kroku 22 prowadzi się w taki sposób, że w pierwszym etapie nanosi się podwarstwę jednego materiału, a następnie nanosi się podwarstwę innego materiału, wybranego z grupy materiałów na warstwę barierową 12 wymienionych powyżej. Procesy nanoszenia warstwy barierowej 12 zarówno o strukturze poliwarstwy jak i monowarstwy mogą być realizowane z wykorzystaniem co najmniej jednej znanej techniki depozycji wybranej z grupy składającej się z: techniki nanoszenia warstw atomowych (ALD), techniki napylania w polu magnetycznym, techniki napylania z wykorzystaniem wiązki elektronowej oraz techniki napylania termicznego.
Następnie w kroku 23 na utworzoną warstwę barierową o strukturze poli- lub monowarstwy nanosi się warstwę przewodzącą 13, przy czym każdą z podwarstw warstwy przewodzącej 13 to jest co najmniej jedną warstwę tlenkową 131, 132 oraz co najmniej jedną warstwę metalową 132 nanosi się na warstwę barierową 12 pojedynczo, w kolejności umożliwiającej uzyskanie odpowiedniej funkcjonalności i architektury warstwy przewodzącej 13, na przykład architektury kanapkowej. Każdą z podwarstw 131, 132, 133 warstwy przewodzącej można nanosić za pomocą, różnych także znanych w stanie techniki metod depozycji wybranych z grupy składającej się z: techniki nanoszenia warstw atomowych (ALD), techniki napylania w polu magnetycznym, techniki napylania z wykorzystaniem wiązki elektronowej oraz techniki napylania termicznego.
Przykładowo, warstwę przewodzącą 13 o architekturze - jak przedstawiono na Fig. 1 - zawierającej dwie warstwy tlenkowe 131, 133 oraz warstwę metalową 132 pomiędzy warstwami tlenkowymi, nanosi się w kroku 23 w taki sposób, że w pierwszym etapie bezpośrednio na powierzchnię warstwy barierowej 12 nanosi się pierwszą warstwę tlenkową 131, następnie na utworzoną pierwszą warstwę tlenkową nanosi się warstwę metalową 132, a następnie na warstwę metalową 132 nanosi się drugą warstwę tlenkową 133. Każdą z wytwarzanych podwarstw 131, 132, 133 można nanosić za pomocą tej samej lub też za pomocą różnych technik nanoszenia.
Ponadto, w zależności od docelowej struktury warstw tlenkowych 131, 133, z których każda może mieć postać monowarstwy lub poliwarstwy, warstwę tlenkową 131, 133 można nanosić w kro
PL 233 211 B1 ku 23 w jednym lub kilku etapach, z których każdy może być realizowany za pomocą jednej techniki lub też różnych technik nanoszenia. Przykładowo dla warstwy tlenkowej 131, 132 o strukturze monowarstwy wytworzonej z materiału tlenkowego zawierającego jeden rodzaj tlenku, na przykład: AI2O3, lub materiału tlenkowego zawierającego dwa rodzaje tlenków, na przykład AI2O3 domieszkowany T1O2, warstwę tlenkową 131, 133 można nanosić w kroku 23 w jednym etapie. Natomiast w celu wytworzenia warstwy tlenkowej 131, 133 o strukturze poliwarstwy składającej się z co najmniej dwóch podwarstw ułożonych jedna na drugiej, warstwę tlenkową można nanosić w kroku 23 w kilku etapach - każdy obejmujący naniesienie jednej podwarstwy, w obrębie warstwy tlenkowej 131, 133.
Wytworzona folia optoelektroniczna łączy w sobie właściwości barierowe oraz sprawną warstwę przewodzącą 13, która korzystnie może mieć architekturę elektrody, w zależności od zastosowanych materiałów użytych odpowiednio jako materiały na warstwy tlenkowe i metalowe 131, 132, 133. Warstwa przewodząca 13 w każdym przypadku wykonania folii 10 jest zintegrowana z elastycznym podłożem 11, 12 o właściwościach barierowych.
Warstwa barierowa folii optoelektronicznej ma współczynniki przepuszczalności pary wodnej WVTR w zakresie od 10-3 do 10-6 g/m2 na dzień i wykazuje stabilne właściwości barierowe, w tym wysoką hydrofobowość oraz odporność na promieniowanie UV, co zapewnia przedłużoną żywotność warstwy przewodzącej folii według wynalazku.
Ponadto wytworzona folia optoelektroniczna jest elastyczna i charakteryzuje się stosukowo wysoką przeświecalnością, natomiast warstwa przewodząca folii wykazuje dobrą przewodność oraz stanowi alternatywę dla znanej w stanie techniki pojedynczej, grubszej warstwy przewodzącej ITO (ang. Indium Tin Oxide), która jest stosunkowo krucha, ma ograniczoną przewodność oraz wysoką cenę.
Claims (24)
- Zastrzeżenia patentowe1. Folia optoelektroniczna zawierająca podłoże oraz warstwę przewodzącą zawierającą co najmniej jedną warstwę tlenkową oraz co najmniej jedną warstwę metalową, przy czym pomiędzy warstwą przewodzącą oraz podłożem folia optoelektroniczna ma warstwę barierową, znamienna tym, że warstwa barierowa (12) zawiera co najmniej jeden materiał wybrany z grupy składającej się z: tlenków krzemu (SiOx), tlenków glinu (AI2O3, AlOxNy), tlenków tytanu (TiOx), tlenoazotków krzemu SiON, azotków krzemu (Si3N4, SiNx), organicznych związków krzemu (SiCxHy), tlenku cyrkonu (ZrO2), tlenku hafnu (HfO2), tlenków chromu (CrO, C2O3, CrO2, CrO3, CrO5) oraz parylenu.
- 2. Folia optoelektroniczna według zastrz. 1, znamienna tym, że warstwa barierowa (12) ma strukturę monowarstwową.
- 3. Folia optoelektroniczna według zastrz. 1, znamienna tym, że warstwa barierowa (12) ma strukturę poliwarstwową składającą się z co najmniej dwóch podwarstw, ułożonych jedna na drugiej w obrębie warstwy barierowej (12) i różniących się między sobą materiałem wykonania.
- 4. Folia optoelektroniczna według dowolnego z zastrz. od 1 do 3, znamienna tym, że podłoże (11) wykonane jest z co najmniej jednego tworzywa sztucznego wybranego z grupy składającej się z: poli(tereftalanu etylenu) (PET), poli(naftalenu etylenu) (PEN), polietylenu (PE), polipropylenu (PP), politetra sulfonu (PES), poliimidu (PI), polistyrenu (PS), etylenu/tetrafluoroetylenu (ETFE) oraz parylenu.
- 5. Folia optoelektroniczna według zastrz. 4, znamienna tym, że podłoże (11) jest domieszkowane nanokompozytami nieorganicznymi.
- 6. Folia optoelektroniczna według dowolnego z zastrz. od 1 do 5, znamienna tym, że warstwa tlenkowa (131, 133) wykonana jest z co najmniej jednego tlenku wybranego z grupy składającej się z: ZnO, AZO (tlenek cynku glinu), SnO2, IZO (tlenek indu cynku), FTO (tlenek cyny fluoru), ZTO (tlenek cynku cyny), ITO (tlenek indu cyny), GZO (tlenek cynku galu), GIO (tlenek galu indu) ln2O3,Sb:SnO2, IO:H (tlenek indu wodoru), CdO, Zn2SnO4, ZnSnO3, Zn2ln2O5, NiOx,NiOx:Li,TiOx ZnS, ZnSe, Te2O3, MoOx, V2O5, oraz WO3.
- 7. Folia optoelektroniczna według zastrz. 6, znamienna tym, że warstwa tlenkowa (131, 133) ma strukturę monowarstwową.
- 8. Folia optoelektroniczna według zastrz. 6, znamienna tym, że warstwa tlenkowa (131, 133) ma strukturę poliwarstwową składającą się z co najmniej dwóch podwarstw, ułożonych jednaPL 233 211 B1 na drugiej w obrębie warstwy tlenkowej (131, 132) i różniących się między sobą materiałem wykonania.
- 9. Folia optoelektroniczna według zastrz. 7 albo 8, znamienna tym, że zawiera jedną warstwę tlenkową (131 lub 133).
- 10. Folia optoelektroniczna według zastrz. 7 albo 8, znamienna tym, że zawiera co najmniej dwie warstwy tlenkowe (131, 133).
- 11. Folia optoelektroniczna według dowolnego z zastrz. od 1 do 10, znamienna tym, że warstwa metalowa (132) jest wykonana z co najmniej jednego materiału wybranego z grupy składającej się z: Al, Ti, Ni, Cr, Au, Mg, Ta, Ge, Ag, Cu, Zr, Pt oraz W.
- 12. Folia optoelektroniczna według zastrz. 10 albo 11, znamienna tym, że ma warstwę metalową 132 pomiędzy sąsiadującymi warstwami tlenkowymi (131, 133).
- 13. Folia optoelektroniczna według dowolnego z zastrz. od 1 do 12, znamienna tym, że w obrębie warstwy przewodzącej (13) ma n warstw tlenkowych (131, 133) oraz n-1 warstw metalowych (132) ułożonych naprzemiennie pomiędzy sąsiadującymi warstwami tlenkowymi (131, 133).
- 14. Sposób wytwarzania folii optoelektronicznej w którym:- oczyszcza się i aktywuje się wybraną powierzchnię podłoża, na którą nanosi się warstwę barierową, a następnie na warstwę barierową nanosi się warstwę przewodzącą zawierającą co najmniej jedną warstwę tlenkową oraz co najmniej jedną warstwę metalową, znamienny tym, że- warstwę barierową nanosi się w taki sposób, że na oczyszczonym i aktywowanym podłożu (11) wytwarza się warstwę barierową (12) zawierającą co najmniej jeden materiał wybrany z grupy składającej się z: tlenków krzemu (SiOx), tlenków glinu (AI2O3, AlOxNy), tlenków tytanu (TiOx), tlenoazotków krzemu SiON, azotków krzemu (Si3N4, SiNx), organicznych związków krzemu (SiCxHy), tlenku cyrkonu (ZrO2), tlenku hafnu (HO2), tlenków chromu (CrO, C2O3, CO2, CrO3, CrO5) oraz parylenu.
- 15. Sposób według zastrz. 14, znamienny tym, że warstwę barierową (12) wytwarza się poprzez naniesienie na podłoże (11) jednej warstwy materiału z wytworzeniem warstwy barierowej (12) o strukturze monowarstwowej.
- 16. Sposób według zastrz. 14 albo 15, znamienny tym, że warstwę barierową (12) wytwarza się poprzez naniesienie na podłoże (11) co najmniej dwóch podwarstw różniących się mat eriałem wykonania z wytworzeniem warstwy barierowej (12) struktury poliwarstwowej.
- 17. Sposób według dowolnego z zastrz. od 14 do 16, znamienny tym, że warstwę przewodzącą (13) wytwarza się w taki sposób, że na warstwie barierowej (12) wytwarza się pojedynczo, jedna na drugiej, co najmniej jedną warstwę tlenkową (131, 133) z materiału tlenkowego zawierającego co najmniej jeden tlenek wybrany z grupy składającej się z: ZnO, AZO (tlenek cynku glinu), SnO2, IZO (tlenek indu cynku), FTO (tlenek cyny fluoru), ZTO (tlenek cynku cyny), ITO (tlenek indu cyny), GZO (tlenek cynku galu), GIO (tlenek galu indu) ln2O3,Sb:SnO2, IO:H (tlenek indu wodoru), CdO, Zn2SnO4, ZnSnO3, Zn2ln2O5, NiOx,NiOx:Li,TiOx ZnS, ZnSe, Te2O3, MoOx, V2O5, oraz WO3 i co najmniej jedną warstwę metalową (132) z materiału zawierającego co najmniej jeden metal wybrany z grupy składającej się z: Al, Ti, Ni, Cr, Au, Mg, Ta, Ge, Ag, Cu, Zr, Pt oraz W.
- 18. Sposób według dowolnego z zastrz. od 14 do 16, znamienny tym, że warstwę przewodzą- cą (13) wytwarza się w taki sposób, że na warstwie barierowej (12) wytwarza się pojedynczo, jedna na drugiej, z zachowaniem naprzemiennego układu warstw tlenkowych (131, 133) i warstw metalowych (132), n warstw tlenkowych (131, 133) oraz n-1 warstw metalowych (132), gdzie n jest liczbą należącą do zbioru liczb naturalnych.
- 19. Sposób według zastrz. 17 albo 18, znamienny tym, że warstwę przewodzącą (13) wytwarza się w taki sposób, że na warstwie barierowej (12) wytwarza się pojedynczo, pierwszą warstwę tlenkową (131), następnie na pierwszej warstwie tlenkowej (131) wytwarza się warstwę metalową (132), a następnie na warstwie metalowej (132) wytwarza się drugą warstwę tlenkową (133).
- 20. Sposób według dowolnego z zastrz. od 14 do 19, znamienny tym, że co najmniej jedną warstwę tlenkową (131, 133) wytwarza się poprzez naniesienie jednej warstwy materiału tlenkowego z wytworzeniem warstwy tlenkowej (131, 133) o strukturze monowarstwowej.
- 21. Sposób według dowolnego z zastrz. od 14 do 19, znamienny tym, że co najmniej jedną warstwę tlenkową (131, 133) wytwarza się poprzez naniesienie co najmniej dwóch podPL 233 211 Β1 warstw tlenkowych różniących się materiałem wykonania z wytworzeniem warstwy tlenkowej (12) o strukturze poliwarstwowej.
- 22. Sposób według dowolnego z zastrz. od 14 do 20, znamienny tym, że podłoże (11) oczyszcza się i aktywuje za pomocą co najmniej jednej techniki wybranej z grupy składającej się z: obróbki plazmowej, obróbki za pomocą wyładowań koronowych, obróbki za pomocą dwutlenku węgla, obróbki za pomocą promieniowania ultrafioletowego i ozonu oraz oczyszczania rozpuszczalnikami wybranymi z grupy składającej się z: acetonu, izopropanolu, wody, mieszaniny acetonu z wodą oraz mieszaniny izopropanolu z wodą.
- 23. Sposób według dowolnego z zastrz. od 14 do 20, znamienny tym, że warstwę barierową (12) nanosi się na podłoże (11) za pomocą co najmniej jednej techniki wybranej z grupy składającej się z: nanoszenia warstw atomowych (ALD), napylania w polu magnetycznym, techniki napylania z wykorzystaniem wiązki elektronowej oraz techniki napylania termicznego.
- 24. Sposób według dowolnego z zastrz. od 14 do 22, znamienny tym, że warstwę przewodzącą (13) nanosi się na podłoże za pomocą co najmniej jednej techniki wybranej z grupy składającej się z: nanoszenia warstw atomowych (ALD), napylania w polu magnetycznym, techniki napylania z wykorzystaniem wiązki elektronowej oraz napylania termicznego.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL420300A PL233211B1 (pl) | 2017-01-25 | 2017-01-25 | Folia optoelektroniczna oraz sposób wytwarzania folii optoelektronicznej |
| EP18711714.8A EP3574528B1 (en) | 2017-01-25 | 2018-01-24 | Optoelectronic foil and manufacturing method of optoelectronic foil |
| CN201880008575.4A CN110291647B (zh) | 2017-01-25 | 2018-01-24 | 光电箔和光电箔的制造方法 |
| FIEP18711714.8T FI3574528T3 (fi) | 2017-01-25 | 2018-01-24 | Optoelektroninen kalvo ja optoelektronisen kalvon valmistusmenetelmä |
| PCT/PL2018/000008 WO2018139945A1 (en) | 2017-01-25 | 2018-01-24 | Optoelectronic foil and manufacturing method of optoelectronic foil |
| JP2019539927A JP7206559B2 (ja) | 2017-01-25 | 2018-01-24 | オプトエレクトロニクス箔およびオプトエレクトロニクス箔の製造方法 |
| US16/521,645 US20190348621A1 (en) | 2017-01-25 | 2019-07-25 | Optoelectronic foil and manufacturing method of optoelectronic foil |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL420300A PL233211B1 (pl) | 2017-01-25 | 2017-01-25 | Folia optoelektroniczna oraz sposób wytwarzania folii optoelektronicznej |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL420300A1 PL420300A1 (pl) | 2018-07-30 |
| PL233211B1 true PL233211B1 (pl) | 2019-09-30 |
Family
ID=61683865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL420300A PL233211B1 (pl) | 2017-01-25 | 2017-01-25 | Folia optoelektroniczna oraz sposób wytwarzania folii optoelektronicznej |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20190348621A1 (pl) |
| EP (1) | EP3574528B1 (pl) |
| JP (1) | JP7206559B2 (pl) |
| CN (1) | CN110291647B (pl) |
| FI (1) | FI3574528T3 (pl) |
| PL (1) | PL233211B1 (pl) |
| WO (1) | WO2018139945A1 (pl) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL425218A1 (pl) * | 2018-04-13 | 2019-10-21 | Centrum Badań I Rozwoju Technologii Dla Przemysłu Spółka Akcyjna | Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych |
| CN109979977A (zh) | 2019-03-28 | 2019-07-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
| WO2021157373A1 (ja) * | 2020-02-04 | 2021-08-12 | 三井金属鉱業株式会社 | キャリア付金属箔 |
| CN111638610A (zh) * | 2020-07-20 | 2020-09-08 | 宁波材料所杭州湾研究院 | 一种兼具可见光高透过和隔热的柔性智能调光膜及其制备方法 |
| JP7230131B2 (ja) * | 2020-09-04 | 2023-02-28 | デクセリアルズ株式会社 | 導電性積層体及びこれを用いた光学装置、導電性積層体の製造方法 |
| US20230282387A1 (en) * | 2020-09-04 | 2023-09-07 | Dexerials Corporation | Conductive layered product, optical device using same, and manufacturing method for conductive layered product |
| EP4064378B1 (en) | 2021-03-23 | 2024-03-06 | Saule S.A. | A light-transmissive multilayer structure for optoelectronic devices |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1024520A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 透明導電性積層体 |
| JP3862466B2 (ja) * | 2000-02-29 | 2006-12-27 | 三井化学株式会社 | 透明電極 |
| JP4742584B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2011-08-10 | 株式会社豊田中央研究所 | 電極 |
| US8252624B2 (en) * | 2010-01-18 | 2012-08-28 | Applied Materials, Inc. | Method of manufacturing thin film solar cells having a high conversion efficiency |
| JP5077407B2 (ja) * | 2010-09-03 | 2012-11-21 | 大日本印刷株式会社 | 太陽電池および太陽電池モジュール |
| FR2973946B1 (fr) * | 2011-04-08 | 2013-03-22 | Saint Gobain | Dispositif électronique a couches |
| CN103733350A (zh) * | 2011-06-10 | 2014-04-16 | Posco公司 | 太阳能电池基底、其制备方法以及使用其的太阳能电池 |
| CN105518895B (zh) * | 2013-09-30 | 2017-08-01 | 株式会社Lg化学 | 用于有机电子器件的基板及其制造方法 |
| EP2871681A1 (en) * | 2013-11-07 | 2015-05-13 | Saint-Gobain Glass France | Back contact substrate for a photovoltaic cell or module |
| JP2016103443A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| JP5994884B2 (ja) * | 2015-03-03 | 2016-09-21 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子および照明装置 |
| CN106158901B (zh) * | 2015-03-24 | 2020-06-23 | 上海和辉光电有限公司 | 一种混合型薄膜及其制备方法、以及柔性oled显示器 |
| US10573856B2 (en) * | 2015-05-14 | 2020-02-25 | GM Global Technology Operations LLC | Barrier layer coatings for battery pouch cell seal |
| SG11201709751SA (en) * | 2015-05-26 | 2017-12-28 | Toray Industries | Pyrromethene-boron complex, color-changing composition, color-changing film, light source unit including same, display, and lighting |
-
2017
- 2017-01-25 PL PL420300A patent/PL233211B1/pl unknown
-
2018
- 2018-01-24 CN CN201880008575.4A patent/CN110291647B/zh active Active
- 2018-01-24 JP JP2019539927A patent/JP7206559B2/ja active Active
- 2018-01-24 EP EP18711714.8A patent/EP3574528B1/en active Active
- 2018-01-24 WO PCT/PL2018/000008 patent/WO2018139945A1/en unknown
- 2018-01-24 FI FIEP18711714.8T patent/FI3574528T3/fi active
-
2019
- 2019-07-25 US US16/521,645 patent/US20190348621A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7206559B2 (ja) | 2023-01-18 |
| CN110291647B (zh) | 2024-03-26 |
| FI3574528T3 (fi) | 2024-04-23 |
| CN110291647A (zh) | 2019-09-27 |
| PL420300A1 (pl) | 2018-07-30 |
| US20190348621A1 (en) | 2019-11-14 |
| JP2020505736A (ja) | 2020-02-20 |
| EP3574528B1 (en) | 2024-03-13 |
| WO2018139945A1 (en) | 2018-08-02 |
| EP3574528A1 (en) | 2019-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| PL233211B1 (pl) | Folia optoelektroniczna oraz sposób wytwarzania folii optoelektronicznej | |
| KR101437142B1 (ko) | 그라핀 층을 함유하는 배리어 필름과 이를 포함하는 플렉시블 기판 및 그 제조방법 | |
| EP3001428B1 (en) | Conductive film and electronic device having conductive film | |
| JP2020505736A5 (pl) | ||
| KR101809296B1 (ko) | 투명전극 및 이를 포함하는 전자 소자 | |
| CN106887274A (zh) | 一种柔性透明导电薄膜及其制备方法 | |
| JP4506365B2 (ja) | バリアフィルムの製造方法 | |
| TWI731149B (zh) | 觸控式感測器以及包括該觸控式感測器的觸控式螢幕面板 | |
| KR100989409B1 (ko) | 다층구조 플렉시블 투명전극 및 그 제조방법 | |
| JP2005111729A (ja) | ガスバリアフィルム | |
| KR101719520B1 (ko) | 탄화불소 박막을 포함하는 다층 배리어 필름 및 이의 제조방법 | |
| JP2015208889A (ja) | バリアフィルム | |
| KR102542171B1 (ko) | 플렉서블 투명 전도성 필름 및 이를 포함하는 투명 전극 및 투명 차열 필름 | |
| JP6097117B2 (ja) | 積層体およびフイルム | |
| JP2024512522A (ja) | オプトエレクトロニクスデバイスのための光透過性多層構造 | |
| JP6790445B2 (ja) | ガスバリア性フィルム | |
| KR20170021619A (ko) | AZO/Ag/AZO 다층박막 구조를 갖는 플렉시블 투명 전극 및 그 제조방법 | |
| KR20170024751A (ko) | TiO2/Ag/TiO2 다층박막 구조를 갖는 플렉시블 투명 전극 및 그 제조방법 | |
| KR20230157437A (ko) | 투명 도전성 압전 적층 필름 | |
| TW202248319A (zh) | 透明導電性壓電積層膜 | |
| KR20180131718A (ko) | 전도성 적층필름 및 이의 제조방법 | |
| JP2017103409A (ja) | 有機トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP2006004633A (ja) | 防湿性透明導電性フィルム | |
| KR20140078593A (ko) | 터치 패널 및 이의 제조 방법 | |
| KR20150037263A (ko) | 복합층, 이를 포함하는 복합필름 및 전기소자 |