JP7206559B2 - オプトエレクトロニクス箔およびオプトエレクトロニクス箔の製造方法 - Google Patents
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-
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Description
-プラズマ励起化学気相成長法(PECVD)は、無機および無機のバリアまたは有機および有機のバリアを、通常、窒化ケイ素または二酸化ケイ素を用いるプロセスで処理することを含む。この技術の利点は、低温プロセス(600℃未満)、および非平衡相の堆積の可能性、ならびに得られるコーティングの純度が比較的高いことにある。
-原子層堆積技術(ALD)、これはバリア膜を堆積することを含む。この技術は、堆積用に酸化アルミニウムおよび窒化アルミニウムを使用している。この方法の利点は、比較的良好な気密性を特徴とするコーティングを得ることが可能になることである。
[項目1]
基板(11)と、少なくとも1つの酸化物層(131、133)および少なくとも1つの金属層(132)を含む導電層(13)とを備えることを特徴とするオプトエレクトロニクス箔であって、上記導電層(13)と上記箔(10)の上記基板(11)との間には、酸化ケイ素(SiO x )、酸化アルミニウム(Al 2 O 3 、AlO x N y )、酸化チタン(TiO x )酸窒化ケイ素SiON、窒化ケイ素(Si 3 N 4 、SiN x )、有機ケイ素化合物(SiC x H y )、酸化ジルコニウム(ZrO 2 )、酸化ハフニウム(HfO 2 )、酸化クロム(CrO、Cr 2 O 3 、CrO 2 、CrO 3 、CrO 5 )およびパリレンからなる群から選択される少なくとも1つの材料を含むバリア層(12)がある、オプトエレクトロニクス箔。
[項目2]
上記バリア層(12)は単層構造であることを特徴とする、項目1に記載のオプトエレクトロニクス箔。
[項目3]
上記バリア層(12)は、上記バリア層(12)内で上下に積層された異なる材料を有する少なくとも2つの副層からなる多層構造であることを特徴とする、項目1に記載のオプトエレクトロニクス箔。
[項目4]
上記基板(11)は、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレン(PEN)、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリイミド(PI)、ポリスチレン(PS)、エチレン/テトラフルオロエチレン(ETFE)およびパリレンからなる群から選択される少なくとも1つのプラスチックで作られることを特徴とする、項目1~3のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス箔。
[項目5]
上記基板(11)は無機ナノ複合材料でドープされていることを特徴とする、項目4に記載のオプトエレクトロニクス箔。
[項目6]
上記酸化物層(131、133)は、ZnO、AZO(酸化アルミニウム亜鉛)、SnO 2 、IZO(インジウム酸化亜鉛)、FTO(フッ素ドープ酸化錫)、ZTO(酸化亜鉛錫)、ITO(酸化インジウム錫)、GZO(ガリウムドープ酸化亜鉛)、GIO(酸化ガリウムインジウム)、In 2 O 3 、Sb:SnO 2 、IO:H(酸化インジウム水素)、CdO、Zn 2 SnO 4 、ZnSnO 3 、Zn 2 In 2 O 5 、NiO x 、NiO x :Li、TiO x 、ZnS、ZnSe、Te 2 O 3 、MoO x 、V 2 O 5 およびWO 3 からなる群から選択される少なくとも1つの酸化物で作られることを特徴とする、項目1~5のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス箔。
[項目7]
上記酸化物層(131、133)は単層構造であることを特徴とする、項目6に記載のオプトエレクトロニクス箔。
[項目8]
上記酸化物層(131、133)は、上記酸化物層(131、133)内で上下に積層された異なる材料を有する少なくとも2つの副層からなる多層構造であることを特徴とする、項目6に記載のオプトエレクトロニクス箔。
[項目9]
1つの酸化物層(131または133)を備えることを特徴とする、項目7または8に記載のオプトエレクトロニクス箔。
[項目10]
少なくとも2つの酸化物層(131、133)を備えることを特徴とする、項目7または8に記載のオプトエレクトロニクス箔。
[項目11]
上記金属層(132)は、Al、Ti、Ni、Cr、Au、Mg、Ta、Ge、Ag、Cu、Zr、PtおよびWからなる群から選択される少なくとも1つの材料で作られることを特徴とする、項目1~10のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス箔。
[項目12]
隣接する酸化物層(131、133)の間に金属層(132)を有することを特徴とする、項目10または11に記載のオプトエレクトロニクス箔。
[項目13]
上記導電層(13)内に、隣接する酸化物層(131、133)の間に交互に配置されたn個の酸化物層(131、133)とn-1個の金属層(132)とを有することを特徴とする、項目1~12のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス箔。
[項目14]
オプトエレクトロニクス箔の製造方法であって、基板の選択された表面が洗浄、活性化され、酸化ケイ素(SiO x )、酸化アルミニウム(Al 2 O 3 、AlO x N y )、酸化チタン(TiO x )、酸窒化ケイ素SiON、窒化ケイ素(Si 3 N 4 、SiN x )、有機ケイ素化合物(SiC x H y )、酸化ジルコニウム(ZrO 2 )、酸化ハフニウム(HfO 2 )、酸化クロム(CrO、Cr 2 O 3 、CrO 2 、CrO 3 、CrO 5 )およびパリレンからなる群から選択される少なくとも1つの材料を含むバリア層(12)を上記洗浄、活性化された基板(11)上に形成するように、上記バリア層が上記基板の選択された上記表面上に堆積され、上記バリア層の堆積後、少なくとも1つの酸化物層(131、133)および少なくとも1つの金属層(132)を含む導電層(13)が上記バリア層(12)上に堆積されることを特徴とする、方法。
[項目15]
上記バリア層(12)は、単層構造を有するバリア層(12)を形成するために、上記基板(11)上に1層の材料を堆積することによって形成されることを特徴とする、項目14に記載の方法。
[項目16]
上記バリア層(12)は、多層構造を有するバリア層(12)を形成するために、上記基板(11)上に異なる材料の少なくとも2つの副層を堆積することによって形成されることを特徴とする、項目14または15に記載の方法。
[項目17]
ZnO、AZO(酸化アルミニウム亜鉛)、SnO 2 、IZO(インジウム酸化亜鉛)、FTO(フッ素ドープ酸化錫)、ZTO(酸化亜鉛錫)、ITO(酸化インジウム錫)、GZO(ガリウムドープ酸化亜鉛)、GIO(酸化ガリウムインジウム)、In 2 O 3 、Sb:SnO 2 、IO:H(酸化水素インジウム)、CdO、Zn 2 SnO 4 、ZnSnO 3 、Zn 2 In 2 O 5 、NiO x 、NiO x :Li、TiO x 、ZnS、ZnSe、Te 2 O 3 、MoO x 、V 2 O 5 およびWO 3 からなる群から選択される少なくとも1つの酸化物を含む酸化物材料で作られる少なくとも1つの酸化物層(131、133)と、Al、Ti、Ni、Cr、Au、Mg、Ta、Ge、Ag、Cu、Zr、PtおよびWからなる群から選択される少なくとも1つの金属を含む材料の少なくとも1つの金属層(132)とが、上記バリア層(12)上に上下に個別に形成されるように、上記導電層(13)が形成されることを特徴とする、項目14~16のいずれか一項に記載の方法。
[項目18]
上記バリア層(12)上に、酸化物層(131、133)と金属層(132)、n層の酸化物層(131、133)とn-1層の金属層(132)(nは自然数)が交互に配置されて上下に個別に形成されるように、上記導電層(13)が形成されることを特徴とする、項目14~16のいずれか一項に記載の方法。
[項目19]
上記バリア層(12)上に第1の酸化物層(131)を個別に形成し、次いで上記第1の酸化物層(131)上に金属層(132)を形成し、次いで上記金属層(132)上に第2の酸化物層(133)を形成するように、上記導電層(13)が形成されることを特徴とする、項目17または18に記載の方法。
[項目20]
少なくとも1層の酸化物層(131、133)は、単層構造を有する酸化物層(131、133)を形成するために、1層の酸化物材料を堆積することによって形成されることを特徴とする、項目14~19のいずれか一項に記載の方法。
[項目21]
少なくとも1つの酸化物層(131、133)は、多層構造を有する酸化物層(12)を形成するために、異なる材料の少なくとも2つの酸化物副層を堆積することによって形成されることを特徴とする、項目14~19のいずれか一項に記載の方法。
[項目22]
プラズマ処理、コロナ放電処理、二酸化炭素処理、紫外線照射および紫外線照射オゾン処理、およびアセトン、イソプロパノール、水、アセトンと水の混合物、およびイソプロパノールと水の混合物からなる群から選択される溶媒による洗浄からなる群から選択される少なくとも1つの技術を用いて、上記基板(11)が洗浄および活性化されることを特徴とする、項目14~21のいずれかに記載の方法。
[項目23]
上記バリア層(12)は、原子層堆積(ALD)、マグネトロンスパッタリング、電子ビームスパッタリング法および熱蒸着法からなる群から選択される少なくとも1つの技術を用いて、上記基板(11)上に堆積されることを特徴とする、項目14~22のいずれか一項に記載の方法。
[項目24]
上記導電層(13)は、原子層堆積(ALD)、マグネトロンスパッタリング、電子ビームスパッタリング法および熱蒸着法からなる群から選択される少なくとも1つの技術を用いて、上記基板上に堆積されることを特徴とする、項目14~23のいずれか一項に記載の方法。
Claims (15)
- 基板と、少なくとも1つの金属層を有する導電層とを備えるオプトエレクトロニクス箔であって、
前記導電層と前記基板との間に、前記オプトエレクトロニクス箔は、酸化アルミニウム(AlOx)および酸化チタン(TiOx)から成るバリア層を有し、
前記導電層はさらに、少なくとも2つの隣接する酸化物層を有し、前記少なくとも1つの金属層は、2つの隣接する酸化物層の間に配置された単層の金属であり、各単層の金属層は2つの隣接する酸化物層を分離してサンドイッチ構造を形成するように前記導電層は配置され、
各酸化物層は、ZnO、AZO(酸化アルミニウム亜鉛)、SnO2、IZO(酸化亜鉛インジウム)、FTO(フッ素ドープ酸化錫)、ZTO(酸化亜鉛錫)、ITO(酸化インジウム錫)、GZO(酸化ガリウム亜鉛)、GIO(酸化ガリウムインジウム)、In2O3、Sb:SnO2、IO:H(水素ドープ酸化インジウム)、CdO、Zn2SnO4、ZnSnO3、Zn2In2O5、NiOx、NiOx:Li、TiOx、ZnS、ZnSe、Te2O3、MoOx、V2O5、およびWO3からなる群から選択される少なくとも1つの酸化物で作られ、
前記2つの隣接する酸化物層のうちの少なくとも1つは、
・単層構造、または、
・前記酸化物層内で互いに重ねて積層された少なくとも2つの副層からなる多層構造
のいずれかであり、前記少なくとも2つの副層のうちの1つは、別の副層とは異なる材料で作られる、オプトエレクトロニクス箔。 - 前記バリア層は単層構造である、請求項1に記載のオプトエレクトロニクス箔。
- 前記バリア層は、前記バリア層内に互いに重ねて積層された少なくとも2つの副層からなる多層構造であり、前記少なくとも2つの副層のうちの1つは別の副層とは異なる材料で作られる、請求項1に記載のオプトエレクトロニクス箔。
- 前記基板は、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレン(PEN)、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリイミド(PI)、ポリスチレン(PS)、エチレン/テトラフルオロエチレン(ETFE)およびパリレンからなる群から選択される少なくとも1つのプラスチックで作られる、請求項1から3のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス箔。
- 前記基板は無機ナノ複合材料でドープされている、請求項4に記載のオプトエレクトロニクス箔。
- 前記金属層は、Al、Ti、Ni、Cr、Au、Mg、Ta、Ge、Ag、Cu、Zr、Pt、およびWからなる群から選択される1つの材料で作られる、請求項1から5のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス箔。
- 前記導電層は、交互に配置された前記酸化物層と前記金属層とを有し、最も外側の2つの層はいずれも前記酸化物層である、請求項1から6のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス箔。
- オプトエレクトロニクス箔の製造方法であって、
バリア層が堆積される基板の選択表面を洗浄して活性化する段階と、
洗浄され活性化された前記基板上に、酸化アルミニウム(AlO x )および酸化チタン(TiO x )を堆積することによって、酸化アルミニウム(AlO x )および酸化チタン(TiO x から成る前記バリア層を形成する段階と、
前記バリア層を形成した後に、ZnO、AZO(酸化アルミニウム亜鉛)、SnO2、IZO(酸化亜鉛インジウム)、FTO(フッ素ドープ酸化錫)、ZTO(酸化亜鉛錫)、ITO(酸化インジウム錫)、GZO(酸化ガリウム亜鉛)、GIO(酸化ガリウムインジウム)、In2O3、Sb:SnO2、IO:H(水素ドープ酸化インジウム)、CdO、Zn2SnO4、ZnSnO3、Zn2In2O5、NiOx、NiOx:Li、TiOx、ZnS、ZnSe、Te2O3、MoOx、V2O5、およびWO3からなる群から選択される少なくとも1つの酸化物を各々含む、少なくとも2つの隣接する金属酸化物層を堆積し、Al、Ti、Ni、Cr、Au、Mg、Ta、Ge、Ag、Cu、Zr、Pt、およびWからなる群から選択される金属の単層の形態である前記少なくとも1つの金属層を堆積することによって、導電層を形成する段階と、を備え、
前記導電層を形成する段階は、第1の酸化物層、単一の金属層、および第2の酸化物層を連続的に前記バリア層上に形成する段階を有する、方法。 - 前記バリア層は、単層構造を有するバリア層を形成するために、前記基板上に1つの層の材料を堆積することによって形成される、請求項8に記載の方法。
- 前記バリア層は、多層構造を有する前記バリア層を形成するために、前記基板上に異なる材料の少なくとも2つの副層を堆積することによって形成される、請求項8または9に記載の方法。
- 前記バリア層上に、酸化物層と金属層との交互配置で、n個の酸化物層と(n-1)個の金属層とが互いに重ねて個別に形成されるように前記導電層が形成され、nは自然数である、請求項8から10のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも1つの酸化物層が、単層構造を有する酸化物層を形成するために、1つの層の酸化物材料を堆積することによって形成される、請求項8から11のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも1つの酸化物層が、多層構造を有する酸化物層を形成するために、異なる材料の少なくとも2つの酸化物副層を堆積することによって形成される、請求項8から11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板は、プラズマ処理、コロナ放電処理、二酸化炭素処理、紫外線照射およびオゾン処理、ならびにアセトン、イソプロパノール、水、アセトンと水の混合液、およびイソプロパノールと水の混合液からなる群から選択される溶媒を用いた洗浄、からなる群から選択される少なくとも1つの技術を用いて洗浄され活性化される、請求項8から13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記バリア層および前記導電層は、原子層堆積(ALD)、マグネトロンスパッタリング、電子ビームスパッタリング法、および熱蒸着法からなる群から選択される少なくとも1つの技術を用いて、前記基板上に別個に堆積される、請求項8から14のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
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PLP.420300 | 2017-01-25 | ||
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Publications (3)
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