PL425218A1 - Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych - Google Patents

Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych

Info

Publication number
PL425218A1
PL425218A1 PL425218A PL42521818A PL425218A1 PL 425218 A1 PL425218 A1 PL 425218A1 PL 425218 A PL425218 A PL 425218A PL 42521818 A PL42521818 A PL 42521818A PL 425218 A1 PL425218 A1 PL 425218A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
silicon photovoltaic
layer
photovoltaic cell
zno
producing
Prior art date
Application number
PL425218A
Other languages
English (en)
Inventor
Grzegorz Putynkowski
Jacek Sobków
Marcin Bartmański
Karolina Leszczyńska
Rafał PIETRUSZKA
Bartłomiej WITKOWSKI
Marek GODLEWSKi
Aleksander Majchrowicz
Original Assignee
Centrum Badań I Rozwoju Technologii Dla Przemysłu Spółka Akcyjna
Hanplast Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Godlewski
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Centrum Badań I Rozwoju Technologii Dla Przemysłu Spółka Akcyjna, Hanplast Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością, Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Godlewski filed Critical Centrum Badań I Rozwoju Technologii Dla Przemysłu Spółka Akcyjna
Priority to PL425218A priority Critical patent/PL425218A1/pl
Publication of PL425218A1 publication Critical patent/PL425218A1/pl

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne, zawierające półprzewodnikowe podłoże typu p, na którego tylnej warstwie znajduje się struktura PERC z warstwą pasywującą AlOx i SiNx oraz tylnymi elektrycznymi kontaktami omowymi, charakteryzuje się tym, że na przedniej części podłoża krzemowego (24) znajduje się warstwa tunelująca (25), na której znajduje się warstwa nanosłupków ZnO o wysokości od 10 nm do 2000 nm pokryta warstwą ZnO:Mg o grubości od 1 nm do 2000 nm (26), która jest pokryta przezroczystą warstwą przewodzącą ZnO:Al (27), na której nałożone są przednie elektryczne kontakty omowe (28).
PL425218A 2018-04-13 2018-04-13 Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych PL425218A1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL425218A PL425218A1 (pl) 2018-04-13 2018-04-13 Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL425218A PL425218A1 (pl) 2018-04-13 2018-04-13 Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL425218A1 true PL425218A1 (pl) 2019-10-21

Family

ID=68238664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL425218A PL425218A1 (pl) 2018-04-13 2018-04-13 Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL425218A1 (pl)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100180950A1 (en) * 2008-11-14 2010-07-22 University Of Connecticut Low-temperature surface doping/alloying/coating of large scale semiconductor nanowire arrays
PL407336A1 (pl) * 2014-02-27 2015-08-31 Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego
PL412250A1 (pl) * 2015-05-08 2016-11-21 Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego
PL419727A1 (pl) * 2016-12-07 2018-06-18 Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury
PL420300A1 (pl) * 2017-01-25 2018-07-30 Saule Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Folia optoelektroniczna oraz sposób wytwarzania folii optoelektronicznej

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100180950A1 (en) * 2008-11-14 2010-07-22 University Of Connecticut Low-temperature surface doping/alloying/coating of large scale semiconductor nanowire arrays
PL407336A1 (pl) * 2014-02-27 2015-08-31 Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego
PL412250A1 (pl) * 2015-05-08 2016-11-21 Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego
PL419727A1 (pl) * 2016-12-07 2018-06-18 Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury
PL420300A1 (pl) * 2017-01-25 2018-07-30 Saule Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Folia optoelektroniczna oraz sposób wytwarzania folii optoelektronicznej

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
RAF AL PIETRUSZKA, PHOTOVOLTAIC PROPERTIES OF ZNO NANORODS/P­TYPE SI HETEROJUNCTION STRUCTURES, 2014 *
RAFAŁ ADAM PIETRUSZKA, OTRZYMYWANIE I CHARAKTERYZACJA OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH ZAWIERAJĄCYCH CIENKIE WARSTWY ORAZ NANOSŁUPKI TLENKU CYNKU, 2015 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20170110616A1 (en) HOLE BLOCKING, ELECTRON TRANSPORTING AND WINDOW LAYER FOR OPTIMIZED Culn (1-x)Ga(x)Se2 SOLAR CELLS
EA201492235A1 (ru) Солнечные элементы
WO2009012345A3 (en) Hybrid multi-junction photovoltaic cells and associated methods
CN105702623B (zh) Tft阵列基板的制作方法
MY152718A (en) Solar cell
TW200717824A (en) Compositionally-graded photovoltaic device and fabrication method, and related articles
MX2015007998A (es) Emisor híbrido de celda solar con contacto posterior.
DE102013207490B4 (de) Kosteneffiziente PECVD-Abscheidung mit hoher Leistung für Solarzellen
CN105514182A (zh) 用于太阳能电池表面钝化和电流收集的方法、材料及应用
PL412250A1 (pl) Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego
CN104167447B (zh) 一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板和显示设备
KR101003808B1 (ko) Ｐｎ접합 및 쇼트키 접합을 갖는 다중 태양 전지 및 이의 제조 방법
Liang et al. Improving the Quality of the Si/Cu2O Interface by Methyl‐Group Passivation and Its Application in Photovoltaic Devices
CN105374886B (zh) 钝化方法
CN105552150B (zh) 单面横向梯度掺杂异质结电池及其制备方法
KR101587129B1 (ko) 양방향성 트랜지스터 및 그 제조방법
PL425218A1 (pl) Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych
CN104272470A (zh) 太阳能电池及其制造方法
KR101264368B1 (ko) 다층 구조의 쇼트키 접합층을 갖는 태양 전지
WO2010096433A3 (en) Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells
PL407336A1 (pl) Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego
CN104425623B (zh) 薄膜晶体管
CN105591001A (zh) 一种发光二极管及其制作方法
CN102668041A (zh) 有机半导体器件的接触结构的制作方法以及有机半导体器件的接触结构
Khoshsirat et al. ZnO doping profile effect on CIGS solar cells efficiency and parasitic resistive losses based on cells equivalent circuit