CN105591001A - 一种发光二极管及其制作方法 - Google Patents
一种发光二极管及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105591001A CN105591001A CN201510984808.2A CN201510984808A CN105591001A CN 105591001 A CN105591001 A CN 105591001A CN 201510984808 A CN201510984808 A CN 201510984808A CN 105591001 A CN105591001 A CN 105591001A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- emitting diode
- light emitting
- graphene
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 86
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 79
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims abstract description 11
- 241001466460 Alveolata Species 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 210000003850 cellular structure Anatomy 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 158
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001458 anti-acid effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
Abstract
本发明属于半导体领域，涉及一种发光二极管及其制作方法，该发光二极管，至少包括一衬底、依次沉积于所述衬底上的N型层、发光层、P型层、透明导电层、以及N电极和P电极，其特征在于：所述透明导电层包括一石墨烯层以及位于所述石墨烯层之上的金属氧化物层，所述石墨烯层为具有开口的蜂窝状结构，所述金属氧化物层的下表面向所述蜂窝状结构的石墨烯层的开口内延伸至所述P型层形成多个突起，所述突起与所述石墨烯层以及P型层的上表面接触形成共晶结构，用于降低透明导电层与所述P型层的接触电阻，提高透明导电层的电流扩展能力。
Description
技术领域
本发明属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管及其制作方法。
背景技术
目前LED发光效率的主要限制在于其工作电压和出光效率，氧化铟锡（IndiumTinOxid，ITO）作为主要的透明导电材料被广泛用于LED的芯片制造。但ITO中铟的价格比较昂贵，易于扩散进入半导体且抗酸腐蚀能力较差，因此人们希望获得电学和光学性质优异且成本较低的透明导电材料取代ITO。
石墨烯是由碳六元环组成的具有开口的蜂窝状结构，即六个碳原子通过化学键相连接组成六元环碳骨架，骨架内即形成开口。石墨烯具有高透光率、高散热性和高载流子迁移率等优异的物理性质。单层石墨烯的透光率在97%以上，其电子迁移率理论上可以达到1.5×105cm2/Vs。石墨烯已经能够被大面积的制备并能够方便的转移到任意衬底上，这大大的促进了石墨烯作为透明导电层的应用。
然而，目前石墨烯取代ITO作为透明导电层用于LED制造的主要困难在于石墨烯具有较高的方块电阻，使得采用单一石墨烯作为透明导电层制备的LED具有较大的工作电压、较低的电流扩展能力以及较低的出光效率，导致其无法完全取代ITO在LED制备上的优势。
发明内容
针对直接使用石墨烯作为透明导电层的LED工作电压高，电流扩展不均的现象，本发明通过在石墨烯层上溅射ITO等形成由石墨烯和ITO层等组成的透明导电层，并通过退火方式使ITO层等的下表面向蜂窝状结构的石墨烯层的开口内延伸至P型层形成多个突起，突起分别与石墨烯层以及P型层的上表面接触形成共晶结构，用于降低透明导电层与所述P型层的接触电阻，提高透明导电层的电流扩展能力。
具体技术方案如下：一种发光二极管，至少包括一衬底、依次沉积于所述衬底上的N型层、发光层、P型层、透明导电层、以及P电极和N电极，其特征在于：所述透明导电层包括一石墨烯层以及位于所述石墨烯层之上的金属氧化物层，所述石墨烯层为具有开口的蜂窝状结构，所述金属氧化物层的下表面向所述蜂窝状结构的石墨烯层的开口内延伸至所述P型层形成多个突起，所述突起与所述石墨烯层以及P型层的上表面接触形成共晶结构。
优选的，所述蜂窝状结构的石墨烯层的开口内被所述突起完全填充。
优选的，所述石墨烯层使所述P型层上表面产生纳米级粗化，提高所述发光二极管的出光效率。
优选的，所述N型层和P型层的材料为氮化镓、砷化镓、磷化镓中的一种。
优选的，所述透明导电层的厚度为50~600埃。
优选的，所述金属氧化物层的材料为ITO、IZO、GZO中的一种。
为制作上述的发光二极管，本发明还提供了一种制作方法，具体步骤如下：S1、提供一衬底；S2、于所述衬底上依次沉积N型层、发光层和P型层；S3、于所述P型层上表面制备石墨烯层，所述石墨烯层为具有开口的蜂窝状结构；S4、于所述石墨烯层表面沉积金属氧化物层，形成由所述石墨烯层及位于所述石墨烯层之上的金属氧化物层组成的透明导电层；S5、退火处理，使所述金属氧化物层的下表面向所述蜂窝状结构的石墨烯层的开口内延伸至所述P型层形成多个突起，所述突起与所述石墨烯层以及P型层的上表面接触形成共晶结构；S6、刻蚀所述透明导电层至所述N型层形成N型平台；S7、分别于所述透明导电层和N型平台制备P电极和N电极。
优选的，所述退火处理在N2氛围中进行，压强为低压或常压，所述低压的压强范围为0.01~0.1torr，退火温度为500~600℃，时间为4~20min。
优选的，所述透明导电层的厚度为50~600埃。
优选的，所述金属氧化物层的材料为ITO、IZO、GZO中的一种。
优选的，所述石墨烯层采用湿法转移法制作，所述金属氧化物层采用溅射法沉积。
本发明至少具有以下有益效果：
本发明中的透明导电层由石墨烯层以及位于石墨烯层之上的ITO等材料的金属氧化物层组成，并通过退火处理使ITO层等下表面向蜂窝状结构的石墨烯层的开口内延伸至P型层形成多个突起，突起与石墨烯层以及P型层的上表面接触形成共晶结构，相较于现有技术中的单一石墨烯或ITO材料的透明导电层而言，该共晶结构可降低透明导电层与P型层的接触电阻，同时利用石墨烯层的高电子迁移特性，提高了透明导电层的电流扩展能力，使电流分布更均匀。
附图说明
图1为本发明之发光二极管之结构示意图。
图2为蜂窝状结构的石墨烯层的俯视结构示意图。
图3为本发明之金属氧化物层、石墨烯层和P型层之结构示意图。
图4为本发明之发光二极管之制作方法流程图。
附图标注：10.衬底；20.N型层；30.发光层；40.P型层；50.透明导电层；51.石墨烯层；511.开口；512.碳骨架；52.金属氧化物层；53.突起；60.P电极；70.N电极。
具体实施方式
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
实施例1
参看附图1，本发明提供一种发光二极管，至少包括一衬底10、依次沉积于衬底10上的N型层20、发光层30、P型层40、透明导电层50、以及P电极60和N电极70，其中透明导电层50包括石墨烯层51以及位于其上的金属氧化物层52，金属氧化物层52的材料为ITO、IZO、GZO中的一种，本实施例中优选ITO，即金属氧化物层52为ITO层52。衬底10为蓝宝石平片衬底、图形化蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底等中的任意一种。根据实际生产需要，P型层40的材料可选用P型氮化镓、砷化镓或磷化镓中的一种，相应地N型层20的材料为N型氮化镓、砷化镓或磷化镓中的一种，以生产不同发光波段的发光二极管。
参看附图2，石墨烯层51为具有开口511的蜂窝状结构。蜂窝状结构由碳原子通过化学键连接形成的六元环碳骨架512拼接而成，由于石墨烯的蜂窝结构特点，当石墨烯直接平铺于P型层40上表面时，石墨烯在水平方向上的电流扩展能力较差；同时，石墨烯中的碳原子骨架与P型层40的接触面积较小，根据接触电阻的计算公式R=ρL/S（R，接触电阻；ρ，石墨烯的电阻率；L，石墨烯的厚度；S石墨烯的有效接触面积），当接触面积S较小时，接触电阻R则增大。
参看附图3，为了提高透明导电层50的电流扩展能力，降低透明导电层50与P型层40的接触电阻，本实施例中通过退火处理，使ITO层52的下表面向石墨烯层51的开口511内延伸至P型层40形成多个突起53，使得石墨烯层51的开口511被突起53完全填充，突起53与石墨烯层51以及P型层40的上表面接触形成共晶结构，如此一方面利用石墨烯的高电子迁移率特性，提高了透明导电层50的电流扩展能力，另一方面通过突起53的形成，使仅仅由石墨烯层51的碳骨架512与P型层40接触，改变为突起53和碳骨架512与P型层40接触，从而使透明导电层50与P型层40之间的接触面积增大，进而降低了两者之间的接触电阻，降低发光二极管的电压。另外，位于P型层40表面并与其接触的石墨烯层51的碳骨架512使P型层40上表面产生纳米级粗化，从而减少从发光层30发出的光线在P型层40和石墨烯层51界面处的全反射，提高对光线的折射和散射，提高发光二极管的出光效率。
参看附图4，为制备上述的发光二极管，本发明还提供了一种制作方法，方法步骤如下：S1、提供一衬底10；S2、于衬底10上依次沉积N型层20、发光层30和P型层40；S3、于P型层40上表面制备石墨烯层51，石墨烯层51为具有开口511的蜂窝状结构；S4、于石墨烯层51表面沉积ITO层52，形成由石墨烯层51及位于其上的ITO层组成的透明导电层50；S5、退火处理，使ITO层52的下表面向蜂窝状结构的石墨烯层51的开口511内延伸至P型层40形成多个突起53，突起53与石墨烯层51以及P型层40的上表面接触形成共晶结构，用于降低透明导电层50与P型层40的接触电阻，提高透明导电层50的电流扩展能力；S6、刻蚀透明导电层50至所述N型层20形成N型平台；S7、分别于透明导电层50和N型平台制备P电极60和N电极70。其中，步骤S2中采用金属有机化学气相沉积法沉积N型层20、发光层30和P型层40；步骤S3中采用湿法转移法制备石墨烯层51，当然也可采用其他方法制作石墨烯层51；步骤S4中采用溅射法沉积ITO层52，当然也可采取其他可行的方式制作。退火处理在N2氛围中进行，压强为低压或常压，低压的压强范围为0.01~0.1torr，退火温度为500~600℃，时间为4~20min。
依据上述方法制作的发光二极管，通过制备由石墨烯层及位于其上的ITO层组成的透明导电层，并且并通过退火处理，使ITO层下表面向蜂窝状结构的石墨烯层的开口内延伸至P型层形成多个突起，通过突起与石墨烯层以及P型层的上表面接触形成共晶结构，从而提高透明导电层的电流扩展能力，以及降低其与P型层的接触电阻。
应当理解的是，上述具体实施方案为本发明的优选实施例，本发明的范围不限于该实施例，凡依本发明所做的任何变更，皆属本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光二极管，至少包括一衬底、依次沉积于所述衬底上的N型层、发光层、P型层、透明导电层、以及N电极和P电极，其特征在于：所述透明导电层包括一石墨烯层以及位于所述石墨烯层之上的金属氧化物层，所述石墨烯层为具有开口的蜂窝状结构，所述金属氧化物层的下表面向所述蜂窝状结构的石墨烯层的开口内延伸至所述P型层形成突起，所述突起与所述石墨烯层以及P型层的上表面接触形成共晶结构。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述蜂窝状结构的石墨烯层的开口内被所述突起完全填充。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述石墨烯层使所述P型层上表面产生纳米级粗化，提高所述发光二极管的出光效率。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述透明导电层的厚度为50～600埃。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述N型层和P型层的材料为氮化镓、砷化镓、磷化镓中的一种。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述金属氧化物层的材料为ITO、IZO、GZO中的一种。
7.一种发光二极管的制作方法，用于制作权利要求1所述的发光二极管，包括如下步骤：
S1、提供一衬底；
S2、于所述衬底上依次沉积N型层、发光层和P型层；
S3、于所述P型层上表面制备石墨烯层，所述石墨烯层为具有开口的蜂窝状结构；
S4、于所述石墨烯层表面沉积金属氧化物层，形成由所述石墨烯层及位于所述石墨烯层之上的金属氧化物层组成的透明导电层；
S5、退火处理，使所述金属氧化物层的下表面向所述蜂窝状结构的石墨烯层的开口内延伸至所述P型层形成多个突起，所述突起与所述石墨烯层以及P型层的上表面接触形成共晶结构；
S6、刻蚀所述透明导电层至所述N型层形成N型平台；
S7、分别于所述透明导电层和N型平台制备P电极和N电极。
8.根据权利要求7所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述退火处理在N2氛围中进行，压强为低压或常压，所述低压压强范围为0.01~0.1torr，退火温度为500~600℃，时间为4~20min。
9.根据权利要求7所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述透明导电层的厚度为50~600埃。
10.根据权利要求7所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述金属氧化物层的材料为ITO、IZO、GZO中的一种。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510984808.2A CN105591001B (zh) | 2015-12-25 | 2015-12-25 | 一种发光二极管及其制作方法 |
| PCT/CN2016/097873 WO2017107553A1 (zh) | 2015-12-25 | 2016-09-02 | 一种发光二极管及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510984808.2A CN105591001B (zh) | 2015-12-25 | 2015-12-25 | 一种发光二极管及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105591001A true CN105591001A (zh) | 2016-05-18 |
| CN105591001B CN105591001B (zh) | 2018-09-21 |
Family
ID=55930431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510984808.2A Active CN105591001B (zh) | 2015-12-25 | 2015-12-25 | 一种发光二极管及其制作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105591001B (zh) |
| WO (1) | WO2017107553A1 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017107553A1 (zh) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种发光二极管及其制作方法 |
| CN109390489A (zh) * | 2017-08-04 | 2019-02-26 | Tcl集团股份有限公司 | 发光二极管及其制备方法与应用 |
| CN109994587A (zh) * | 2018-01-02 | 2019-07-09 | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 | 发光二极管芯片 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103378235A (zh) * | 2012-04-25 | 2013-10-30 | 清华大学 | 发光二极管 |
| CN103378238A (zh) * | 2012-04-25 | 2013-10-30 | 清华大学 | 发光二极管 |
| CN103779459A (zh) * | 2012-10-18 | 2014-05-07 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
| CN104319320A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-01-28 | 广东德力光电有限公司 | 一种新型复合透明电极的led芯片及其制作方法 |
| CN105185881A (zh) * | 2015-09-18 | 2015-12-23 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管及其制作方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103078036B (zh) * | 2013-01-17 | 2015-11-18 | 北京工业大学 | 基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法 |
| CN105591001B (zh) * | 2015-12-25 | 2018-09-21 | 安徽三安光电有限公司 | 一种发光二极管及其制作方法 |
-
2015
- 2015-12-25 CN CN201510984808.2A patent/CN105591001B/zh active Active
-
2016
- 2016-09-02 WO PCT/CN2016/097873 patent/WO2017107553A1/zh active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103378235A (zh) * | 2012-04-25 | 2013-10-30 | 清华大学 | 发光二极管 |
| CN103378238A (zh) * | 2012-04-25 | 2013-10-30 | 清华大学 | 发光二极管 |
| CN103779459A (zh) * | 2012-10-18 | 2014-05-07 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
| CN104319320A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-01-28 | 广东德力光电有限公司 | 一种新型复合透明电极的led芯片及其制作方法 |
| CN105185881A (zh) * | 2015-09-18 | 2015-12-23 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管及其制作方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017107553A1 (zh) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种发光二极管及其制作方法 |
| CN109390489A (zh) * | 2017-08-04 | 2019-02-26 | Tcl集团股份有限公司 | 发光二极管及其制备方法与应用 |
| CN109994587A (zh) * | 2018-01-02 | 2019-07-09 | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 | 发光二极管芯片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2017107553A1 (zh) | 2017-06-29 |
| CN105591001B (zh) | 2018-09-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103022306B (zh) | 发光二极管及其制作方法 | |
| CN107610802B (zh) | 透明导电薄膜、光电器件及其制作方法 | |
| CN102983240A (zh) | 具有氧化锌基透明导电层的紫外发光二极管及其制备方法 | |
| CN103280501A (zh) | Led芯片及其制造方法 | |
| CN105453292A (zh) | 光电子器件基板以及包括该光电子器件基板的光电子器件 | |
| CN103456854A (zh) | 具有图形化界面的发光元件及其制造方法 | |
| CN102723417B (zh) | 便于打线的led芯片及其制备方法 | |
| CN105591001A (zh) | 一种发光二极管及其制作方法 | |
| CN103972423B (zh) | 一种oled发光器件及其制备方法、显示装置 | |
| CN108183153A (zh) | Led芯片的制备方法 | |
| CN102832299B (zh) | 一种层状透明导电层led芯片的制备方法 | |
| CN102800764B (zh) | 半导体发光装置及其制造方法 | |
| CN104332532A (zh) | 一种高光效发光二极管的制作方法 | |
| CN102244204A (zh) | 一种oled 器件及其制备方法 | |
| CN108198923A (zh) | 一种发光二极管芯片及其制作方法 | |
| CN103560189B (zh) | 发光二极管芯片及其制作方法 | |
| CN107863432B (zh) | 一种提升led性能的led制备方法以及led芯片 | |
| CN106848029A (zh) | 一种高亮发光二极管的芯片及其制作方法 | |
| CN204088384U (zh) | 一种基于柔性基板的倒置oled器件结构 | |
| CN106531869A (zh) | 一种凸型led芯片结构及其制造方法 | |
| CN105226075A (zh) | 高压发光二极管透明导电层的制造方法 | |
| TW201242039A (en) | Power-generating module with solar cell and method for fabricating the same | |
| CN105304782B (zh) | 一种蓝绿发光二极管芯片 | |
| CN104134724A (zh) | 高压led芯片及其制备方法 | |
| Min et al. | Very thin ITO/metal mesh hybrid films for a high-performance transparent conductive layer in GaN-based light-emitting diodes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |