PL419727A1 - Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury - Google Patents
Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostrukturyInfo
- Publication number
- PL419727A1 PL419727A1 PL419727A PL41972716A PL419727A1 PL 419727 A1 PL419727 A1 PL 419727A1 PL 419727 A PL419727 A PL 419727A PL 41972716 A PL41972716 A PL 41972716A PL 419727 A1 PL419727 A1 PL 419727A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- nanostructures
- znmgo
- nanowires
- zno
- compounds
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Przedmiotem zgłoszenia jest sposób wytwarzania struktur kwantowych ZnO/ZnMgO oraz trójskładnikowych związków ZnMgO wytwarzanych w technologii MBE (z ang. Molecular Beam Epitaxy) na nanosłupkach, nanodrutach, ZnO wytwarzanych metodą hydrotermalną wspomaganą mikrofalowo. W sposobie tym wzrost prowadzony jest w 2 etapach. Pierwszy etap to wytworzenie nanosłupków, nanodrutów, ZnO na podłożu GaN o orientacji c za pomocą metody hydrotermalnej wspomaganej mikrofalowo. Etap drugi to wzrost struktury kwantowej ZnO/ZnMgO w technologii MBE prowadzony w temperaturach z zakresu: 200°C - 900°C oraz ciśnieniach strumieni wiązek w granicach: 2,6*10-6 Pa do 1,4*10-6 Pa dla Mg oraz 8*10-5 Pa do 2,7*10-4 Pa dla Zn. Warunki tlenowe w granicach: przepływ 1 sccm do 4 sccm i mocy pobudzenia 200 W - 600 W.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL419727A PL237260B1 (pl) | 2016-12-07 | 2016-12-07 | Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL419727A PL237260B1 (pl) | 2016-12-07 | 2016-12-07 | Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL419727A1 true PL419727A1 (pl) | 2018-06-18 |
| PL237260B1 PL237260B1 (pl) | 2021-03-22 |
Family
ID=62554065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL419727A PL237260B1 (pl) | 2016-12-07 | 2016-12-07 | Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL237260B1 (pl) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL425218A1 (pl) * | 2018-04-13 | 2019-10-21 | Centrum Badań I Rozwoju Technologii Dla Przemysłu Spółka Akcyjna | Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych |
-
2016
- 2016-12-07 PL PL419727A patent/PL237260B1/pl unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL425218A1 (pl) * | 2018-04-13 | 2019-10-21 | Centrum Badań I Rozwoju Technologii Dla Przemysłu Spółka Akcyjna | Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL237260B1 (pl) | 2021-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EA201890238A1 (ru) | Способ выращивания нанопроволок или нанопирамидок на графитовых подложках | |
| WO2012067687A3 (en) | Nanoscale emitters with polarization grading | |
| BR112014031949A2 (pt) | células solares | |
| Prabaswara et al. | Review of GaN thin film and nanorod growth using magnetron sputter epitaxy | |
| EA201390802A1 (ru) | Эпитаксиальное выращивание нанопроволоки на графитовой подложке | |
| EA201491232A1 (ru) | Нанопроволочное устройство с графеновыми верхним и нижним электродами и способ получения такого устройства | |
| WO2011090728A3 (en) | Low cost solar cells formed using a chalcogenization rate modifier | |
| JP2012142629A5 (pl) | ||
| EA201592260A1 (ru) | Полупроводниковые пленки из соединения iii-v или ii-vi на графитовых подложках | |
| GR1008013B (el) | Μεθοδος ετεροεπιταξιακης αναπτυξης ιιι-νιτριδιων, πολικοτητας μετωπου-μεταλλου ιιι, πανω σε υποστρωματα αδαμαντα | |
| MY183934A (en) | Light emitting diode and fabrication method thereof | |
| Yang et al. | Hexagonal boron nitride on III–V compounds: a review of the synthesis and applications | |
| WO2015189701A3 (en) | Self-assembled monolayers of phosphonic acids as dielectric surfaces for high-performance organic thin film transistors | |
| CN103715071B (zh) | 一种铝铟镓氮四元合金薄膜材料的mocvd外延加工方法 | |
| Wang et al. | Interfacial modulated lattice-polarity-controlled epitaxy of III-nitride heterostructures on Si (111) | |
| Liu et al. | Atomic mechanism of strain alleviation and dislocation reduction in highly mismatched remote heteroepitaxy using a graphene interlayer | |
| WO2009134687A3 (en) | Method of fabricating a planar semiconductor nanowire | |
| PL419727A1 (pl) | Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury | |
| CN103268911A (zh) | p-NiO/n-ZnO异质结发光器件及其制备方法 | |
| Chen et al. | Van der Waals epitaxy of III-nitrides and its applications | |
| CN103022257B (zh) | p-i-n结InGaN太阳电池制造方法 | |
| Wu et al. | Van der waals self-assembled silica-nanosphere/graphene buffer layer for high-quality gallium nitride growth | |
| CN102140695A (zh) | 一种生长高铟组分铟镓砷的方法 | |
| MD4280C1 (ro) | Procedeu de creştere a structurii pInP-nCdS | |
| WO2013057456A3 (fr) | Procede de realisation d'un reseau organise de nanofils semi - conducteurs en zno |