TW202248319A - 透明導電性壓電積層膜 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種實現高透明性及低電阻之透明導電性壓電積層膜。 本發明關於一種透明導電性壓電積層膜，其具備壓電膜與積層於其至少一面之導電體層，於X射線繞射測定中，於21°±2°之範圍與31°±2°之範圍分別具有繞射峰，且霧度值為2.0%以下。

Description

透明導電性壓電積層膜
本發明係關於一種透明導電性壓電積層膜及具備其之裝置。
作為可藉由直接觸摸圖像顯示部而輸入資訊之裝置，廣泛使用有觸控面板。作為其代表形式，有利用透明電極與手指之間產生之電流容量之變化的靜電電容式觸控面板（專利文獻1）。
觸控面板所利用之位置檢測感測器使用有透明導電膜，例如藉由在PET膜上成膜ITO（氧化銦錫）後利用加熱處理（150℃左右）提高ITO之結晶性而實現低電阻及高透射率。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開平5-324203號公報
[發明欲解決之問題]
最近，同時檢測利用手指等觸摸操作面時之位置與按壓之技術備受注目，提出有藉由組合包含壓電感測器之按壓檢測感測器來實現。
然而，壓電感測器所使用之透明導電壓電膜若如PET膜般進行高溫之加熱處理，則電阻會變差或有損膜之色彩，因此難以用於觸控面板。
本發明係鑑於上述課題而完成，其目的在於提供一種實現高透明性與低電阻之透明導電性壓電積層膜。 [解決問題之技術手段]
本發明者等人發現，若為具備壓電膜與積層於其至少一面之導電體層且具有特定之繞射峰及霧度值的透明導電性壓電積層膜，可解決上述課題，從而完成本發明。具體而言，本發明關於以下者。
本發明關於一種透明導電性壓電積層膜，其具備壓電膜與積層於其至少一面之導電體層，於X射線繞射測定中，於21°±2°之範圍與31°±2°之範圍分別具有繞射峰，且霧度值為2.0%以下。
上述導電體層較佳為含有銦或銦化合物、與銦及錫以外之金屬或該金屬之化合物。
較佳為於21°±2°之範圍與31°±2°之範圍分別具有之上述繞射峰之繞射強度均為100cps以上。
上述透明導電性壓電積層膜較佳為自上述導電體層側測定之表面電阻為200Ω/sq以下。
上述壓電膜較佳為含有氟系樹脂。
較佳為於上述壓電膜之上述導電體層側之面進一步具備透明塗佈層。
另外，本發明關於一種具備上述透明導電性壓電積層膜之裝置。
另外，本發明關於一種上述透明導電性壓電積層膜之製造方法，其包括以下步驟：(A)於含有氟系樹脂之透明壓電膜之至少一面形成導電體層而獲得積層膜之步驟；及(B)於85℃至130℃對上述(A)步驟中所獲得之積層膜進行退火處理之步驟。
較佳為於上述(A)步驟中，在形成上述導電體層前，於上述透明壓電膜之要形成上述導電體層之側之面形成透明塗佈層，於上述透明塗佈層上形成上述導電體層。 [發明效果]
根據本發明，可提供實現高透明性及低電阻之透明導電性壓電積層膜。
以下，一邊參照圖式一邊詳細說明本發明之實施方式（以下稱為「本實施方式」），本發明並不限定於此，可於不脫離其主旨之範圍內進行各種變形。 《透明導電性壓電積層膜》
本發明之透明導電性壓電積層膜具備壓電膜與積層於其至少一面之導電體層，於X射線繞射測定中，於21°±2°之範圍與31°±2°之範圍分別具有繞射峰，且霧度值為2.0%以下。
另外，本說明書中，所謂「積層」只要各層按順序積層即可，可於各層之間積層其他層。 ＜透明導電性壓電積層膜之特性＞
透明導電性壓電積層膜於X射線繞射測定中，於21°±2°之範圍與31°±2°之範圍分別具有繞射峰。藉由此種特徵，可提供實現高透明性及低電阻之透明導電性壓電積層膜。
另外，本說明書中，上述X射線繞射測定之方法藉由面內法進行。另外，本說明書中，「於21°±2°之範圍具有繞射峰」係指設定將17°之繞射角(2θ)下之繞射強度(I 17)與25°之繞射角(2θ)下之繞射強度(I 25)連結之直線作為基線時，於21°±2°之範圍觀察到作為基線之繞射強度（定義為I 17與I 25之平均值）之2倍以上（較佳為3倍以上）之繞射強度的山狀部分。同樣地，本說明書中，「於31°±2°之範圍具有繞射峰」係指設定將27°之繞射角(2θ)下之繞射強度(I 27)與35°之繞射角(2θ)下之繞射強度(I 35)連結之直線作為基線時，於31°±2°之範圍觀察到作為基線之繞射強度（定義為I 27與I 35之平均值）之2倍以上（較佳為3倍以上）之繞射強度的山狀部分。
作為用於獲得上述特徵之方法，並無特別限定，例如可舉例為形成含有銦及錫以外之金屬或該金屬之化合物之導電體層，且進行規定之退火處理等。
於21°±2°之範圍具有之繞射峰之繞射強度較佳為100cps以上，更佳為150cps以上，進一步較佳為250cps以上。另外，於31°±2°之範圍具有之繞射峰之繞射強度較佳為100cps以上。此外，較佳為任一繞射強度均為100cps以上。
透明導電性壓電積層膜之霧度值為2.0%以下，較佳為1.5%以下，更佳為1.0%以下。霧度值之下限並無特別限定，例如為0.1%。
另外，本說明書中，上述霧度值係依據JIS K 7136進行測定。
透明導電性壓電積層膜之自導電體層側測定之表面電阻較佳為200Ω/sq以下，更佳為170Ω/sq以下。表面電阻之下限並無特別限定，例如為5Ω/sq。
另外，本說明書中，上述表面電阻係依據JIS K 7194進行測定。
透明導電性壓電積層膜之全光線透射率較佳為80%以上。全光線透射率之上限並無特別限定，例如為95%。
另外，本說明書中，上述全光線透射率係依據JIS K 7361-1進行測定。
透明導電性壓電積層膜之L *較佳為80以上，更佳為90以上。L *之上限並無特別限定。
透明導電性壓電積層膜之a *較佳為-3至3，更佳為-2至2。
透明導電性壓電積層膜之b *較佳為-5至5。
另外，本說明書中，L *a *b *色彩系統中之上述L *、a *及b *係依據JIS Z 8722進行測定。
透明導電性壓電積層膜之厚度較佳為5至200μm，更佳為20至100μm。若為5μm以上，則有機械強度充分之傾向。另外，若為200μm以下，則有透明性充分，因而容易用於光學用途之傾向。
接下來，一邊參照圖式一邊說明透明導電性積層膜之各層。
圖1係示意性表示透明導電性壓電積層膜之一實施方式的剖視圖。透明導電性壓電積層膜1於壓電膜11之其中一面積層有導電體層31。
圖2係示意性表示本發明之透明導電性壓電積層膜之另一實施方式的剖視圖。透明導電性壓電積層膜2就於壓電膜11之導電體層31側之壓電膜11之面具備透明塗佈層（第一透明塗佈層21）的方面與透明導電性壓電積層膜1不同。透明導電性壓電積層膜2之其他構成與透明導電性壓電積層膜1相同。 ＜壓電膜＞
壓電膜11係具有壓電性（將施加之力轉換為電壓之性質或將施加之電壓轉換為力之性質）之透明膜（薄膜）。
作為壓電膜11，例如可舉例為：氟系樹脂；二氰亞乙烯系聚合物；尼龍9、尼龍11等奇數尼龍；聚乳酸等螺旋手性高分子；聚羥基丁酸酯等聚羥基羧酸；纖維素系衍生物；聚脲等。
作為氟系樹脂，可舉例為：聚偏二氟乙烯(PVDF)、偏二氟乙烯系共聚物（例如偏二氟乙烯/三氟乙烯共聚物、偏二氟乙烯/三氟乙烯/三氟氯乙烯共聚物、六氟丙烯/偏二氟乙烯共聚物、全氟乙烯基醚/偏二氟乙烯共聚物、四氟乙烯/偏二氟乙烯共聚物、六氟環氧丙烷/偏二氟乙烯共聚物、六氟環氧丙烷/四氟乙烯/偏二氟乙烯共聚物、六氟丙烯/四氟乙烯/偏二氟乙烯共聚物）；四氟乙烯系聚合物；三氟氯乙烯系聚合物等。該等可單獨使用一種，或者組合兩種以上使用。
其中，就所獲得之壓電性高、耐候性、耐熱性等觀點而言，較佳為氟系樹脂，更佳為聚偏二氟乙烯及/或偏二氟乙烯系共聚物。
壓電膜11可進一步含有通常使用之添加劑（填料、界面活性劑等）。
壓電膜11之厚度較佳為5至200μm，更佳為20至100μm。若為5μm以上，則有機械強度充分之傾向。另外，若為200μm以下，則有透明性充分，因而容易用於光學用途之傾向。 ＜導電體層＞
導電體層31係表現出導電性之透明層。
導電體層31較佳為含有銦或銦化合物、與銦及錫以外之金屬或該金屬之化合物。藉此，即便於相對低溫之加熱處理下亦容易提高導電體層之結晶性，因此有易防止壓電膜之性能下降，可實現高透明性及低電阻之傾向。
作為銦化合物，可舉例為氧化銦錫(ITO)、氧化銦、氧化鋅銦等銦氧化物。該等可單獨使用一種，或者組合兩種以上使用。該等可單獨使用一種，或者組合兩種以上使用。其中，較佳為氧化銦。
作為銦及錫以外之金屬，可舉例為：鋯、鈧、釔、鉭、鉿等。作為該等金屬之化合物，可舉例為：氧化鋯、氧化鈧、氧化釔、氧化鉭、氧化鉿等金屬氧化物等。該等可單獨使用一種，或者組合兩種以上使用。其中，較佳為氧化鉭及/或氧化鉿。
導電體層31較佳為不含錫或錫化合物。藉此，即便於相對低溫之加熱處理下亦容易提高導電體層31之結晶性，因此有易防止壓電膜之性能下降，可實現高透明性及低電阻之傾向。
導電體層31可於無損其功能之範圍內含有微量成分、不可避免之成分。
導電體層31之厚度較佳為10nm以上，更佳為15nm以上，進一步較佳為20nm以上。另外，上述厚度較佳為55nm以下，更佳為40nm以下。若為10nm以上，則有獲得具有表面電阻值為1×10 3Ω/sq以下之良好導電性之連續覆膜的傾向。若為55nm以下，則有獲得良好透明性之傾向。
於導電體層31上可設置配線電極等。於導電體層31中導通之電流被引導至設於導電體層31上之配線電極等。 ＜透明塗佈層＞
透明導電性壓電積層膜2於壓電膜11之導電體層31側之壓電膜11之面具備第一透明塗佈層21。即，透明導電性壓電積層膜2具有依序積層有壓電膜11、第一透明塗佈層21、導電體層31之積層結構。
此外，透明導電性壓電積層膜2亦可於壓電膜11之與導電體層31側為相反側之壓電膜11之面具備第二透明塗佈層。此時，透明導電性壓電積層膜具有依序積層有第二透明塗佈層、壓電膜11、第一透明塗佈層21、導電體層31之積層結構。第一透明塗佈層21與第二透明塗佈層之厚度、結構及組成可相同亦可不同。另外，可僅具備第二透明塗佈層。
作為透明塗佈層，例如可舉例為：硬塗層、光學調整層、底塗層。透明塗佈層可為該等之單獨層，亦可為組合之複數層。
藉由設置透明塗佈層，容易抑制產生於透明導電性壓電積層膜2之損傷，容易提高透明導電性壓電積層膜2之透過性。另外，有因退火處理而產生膜之熱收縮，難以獲得低電阻之情況，但藉由設置透明塗佈層，可抑制熱收縮而容易獲得低電阻。
透明塗佈層例如含有使樹脂組成物硬化而獲得之樹脂硬化物。樹脂組成物較佳為含有選自熱固性樹脂組成物、紫外線硬化性樹脂組成物、及電子束硬化性樹脂組成物中之至少一種。樹脂組成物可含有選自(甲基)丙烯酸酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、環氧系樹脂、苯氧基系樹脂、及三聚氰胺系樹脂中之至少一種。
樹脂組成物例如為含有具有(甲基)丙烯醯基、乙烯基等能量線反應性基之硬化性化合物的組成物。另外，作為(甲基)丙烯醯基之記載係指含有丙烯醯基及甲基丙烯醯基之至少一者。硬化性化合物較佳為含有於1個分子內含有2個以上、較佳為3個以上之能量線反應性基之多官能單體或低聚物。
若使用利用能量線進行硬化之樹脂組成物，則可藉由照射紫外線等能量線而使樹脂組成物硬化。因此，就製造步驟上之觀點而言亦較佳為使用此種樹脂組成物。
硬化性化合物較佳為含有丙烯酸系單體。作為丙烯酸系單體，可舉例為：胺基甲酸酯改性丙烯酸酯及環氧改性丙烯酸酯等。
就提高塗膜之強度，調整折射率，提高透明導電性壓電積層膜之透過性等觀點而言，樹脂組成物較佳為含有有機微粒子及/或無機微粒子。尤其就透明塗佈層與導電體層之黏附性之觀點而言，更佳為含有無機微粒子。作為有機微粒子，例如可舉例為：有機矽微粒子、交聯丙烯酸微粒子、及交聯聚苯乙烯微粒子等。作為無機微粒子，例如可舉例為：合成二氧化矽粒子、滑石粒子、矽藻土粒子、碳酸鈣粒子、長石粒子、石英粒子、氧化鋁微粒子、氧化鋯微粒子、氧化鈦微粒子、及氧化鉄微粒子等。
就小於透明塗佈層之厚度，確保充分之透明性之觀點而言，微粒子之平均粒徑可為100nm以下。另一方面，就膠體溶液之製造上之觀點而言，可為5nm以上，亦可為10nm以上。於使用有機微粒子及/或無機微粒子時，有機微粒子及無機微粒子之合計量相對於硬化性化合物100質量份，例如可為5至500質量份，可為20至200質量份。
另外，本說明書中，平均粒徑係指利用電子顯微鏡法（SEM法）測定之體積基準之累積平均粒徑(D50)。
若透明塗佈層過薄，則存在透明塗佈層無法充分覆蓋壓電膜之表面之微細凹凸形狀之情況，且存在無法充分獲得降低壓電膜之霧度之情況。另外，若透明塗佈層過厚，則有透明導電性壓電積層膜之壓電性不足之情況。因此，就降低壓電膜之霧度之觀點而言，第一透明塗佈層21及第二透明塗佈層之厚度分別較佳為0.20μm以上，更佳為0.35μm以上，進一步較佳為0.50μm以上。而且，就獲得可充分顯現壓電膜之壓電特性之透明導電性壓電積層膜之觀點而言，透明塗佈層之厚度較佳為3.5μm以下，更佳為2.5μm以下，進一步較佳為1.5μm以下。藉由使透明塗佈層之厚度為上述範圍，可使透明導電性壓電積層膜同時實現與用途相應之充分之壓電性與透明性。
以上，對本發明之較佳實施方式進行了説明，但本發明並不限定於上述實施方式。例如，上述透明導電性壓電積層膜2僅具有第一透明塗佈層21，但可具備第一透明塗佈層21及第二透明塗佈層之兩者，亦可僅具備第二透明塗佈層。 ＜透明導電性壓電積層膜之用途＞
本發明之透明導電性壓電積層膜可較佳地用於靜電電容方式、電阻膜方式等之觸控面板等裝置。
上述裝置於上述透明導電性壓電積層膜下進一步具備LCD（Liquid Crystal Display，液晶顯示器）等一般之顯示面板單元。
上述裝置可較佳地用於行動電話、智慧型手機、移動資訊終端、平板PC（Personal Computer，個人電腦）、筆記型電腦、自動販賣機、ATM（Automated Teller Machine，自動櫃員機）、FA（Factory Automation，工廠自動化）設備、OA（Office Automation，辦公室自動化）設備、醫療設備、汽車導航系統等之顯示裝置。 《透明導電性壓電積層膜之製造方法》
本發明之透明導電性壓電積層膜例如可藉由如下方法等而製造：於壓電膜之至少一面，視需要形成透明塗佈層後，形成導電體層並進行退火處理。 ＜透明塗佈層之形成方法＞
第一透明塗佈層可將上述樹脂組成物之溶液或分散液塗佈於壓電膜之一面上並乾燥，且使上述樹脂組成物硬化而製作。此時之塗佈可利用公知之方法進行。作為塗佈方法，例如可舉例為：擠出噴嘴法、刮刀法、刀式法、棒塗法、接觸塗佈法、接觸反轉法、凹版輥式法、浸漬法、反轉輥式法、直接輥式法、簾幕法、及壓擠法等。第二透明塗佈層亦能以與第一透明塗佈層同樣之方式製作於壓電膜之另一面上。 ＜導電體層之形成方法＞
導電體層可利用真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法、或CVD（Chemical Vapor Deposition、化學氣相沉積）法等真空成膜法而形成。該等中，就可使成膜室小型化之方面及成膜速度快之方面而言，較佳為濺鍍法。作為靶，可使用金屬靶、金屬化合物靶等。
濺鍍法中，作為濺鍍氣體，例如可舉例為Ar等惰性氣體。另外，可視需要並用氧氣等反應性氣體。於並用反應性氣體時，反應性氣體之流量比並無特別限定，相對於濺鍍氣體及反應性氣體之合計流量比，例如為0.1流量%以上5流量%以下。
關於濺鍍時之氣壓，就抑制濺射速率之下降，放電穩定性等觀點而言，例如為1Pa以下，較佳為0.7Pa以下。
濺鍍法所使用之電源例如可為DC（Direct Current，直流電）電源、AC（Alternating Current，交流電）電源、MF（Medium Frequency，中頻）電源及RF（Radio Frequency，射頻）電源之任一者，另外亦可為該等之組合。
濺鍍時之溫度並無特別限定，就基材之耐熱性之觀點而言，較佳為120℃以下，進一步較佳為100℃以下。 ＜退火處理（加熱處理）方法＞
形成導電體層後，進行退火處理。退火處理之溫度較佳為85℃至130℃，更佳為95℃至125℃。若為上述數值範圍內，則有易於防止壓電膜之性能下降，可實現高透明性及低電阻之傾向。
尤其是本發明之透明導電性壓電積層膜可藉由包括以下步驟之製造方法而製造：(A)於含有氟系樹脂之透明壓電膜之至少一面，形成導電體層而獲得積層膜之步驟；(B)於85℃至130℃對上述(A)步驟中所獲得之積層膜進行退火處理之步驟。
較佳為於上述(A)步驟中，在形成上述導電體層前，於上述透明壓電膜之要形成上述導電體層之側之面形成透明塗佈層，於上述透明塗佈層上形成上述導電體層。 實施例
以下，例示性實施例及比較例進一步說明本發明，但本發明並不限於本實施例。本發明之透明導電性壓電積層膜之特性係利用以下之方法進行測定，將結果示於表1。 〔表面電阻〕
使用Loresta GP（Mitsubishi Chemical Analytech股份有限公司製造），依據JIS K 7194自導電體層側測定各透明導電性壓電積層膜之表面電阻。 〔全光線透射率〕
依據JIS K 7361-1，使用霧度計（「NDH7000SP II」，日本電色工業股份有限公司製造）測定各透明導電性壓電積層膜之全光線透射率。 〔霧度值〕
依據JIS K 7136，使用霧度計（「NDH7000SP II」，日本電色工業股份有限公司製造）測定各透明導電性壓電積層膜之霧度值。 〔測色〕
使用分光測色計（「SE7700」，日本電色工業股份有限公司製造），藉由依據JIS Z 8722之方法對各透明導電性壓電積層膜進行測定。 〔黏附性〕
使用交叉切割法，對各透明導電性壓電積層膜之黏附性進行評估。對於各透明導電性壓電積層膜之導電體層，利用切割機劃縱橫各11條1mm間隔之線，製作100個網格後，貼附膠帶（NICHIBAN股份有限公司製造之Cellotape（註冊商標），黏著力4.01N/10mm）進行剝離，藉此基於ASTM D3359，按以下之評估基準評估自壓電膜剝離之導電體層之比率。
0B：65%以上之剝離 1B：35%以上且小於65%之剝離 2B：15%以上且小於35%之剝離 3B：5%以上且小於15%之剝離 4B：小於5%之剝離 5B：無剝離 〔X射線繞射測定(XRD)〕
使用X射線繞射裝置，以掃描速度1°/min掃描繞射角(2θ)=15.0°至70.0°之範圍，並利用面內法進行測定。測定條件之詳情示於以下。將實施例1、2及比較例1之測定結果分別示於圖3至圖5。於21°±2°之範圍與31°±2°之範圍分別具有繞射峰時以〇表示，不具有繞射峰時以×表示。另外，於具有繞射峰時，亦示出繞射峰之繞射強度(cps)。 ＜測定條件＞
裝置：Rigaku股份有限公司製造之SmartLab X射線源：Cu-Kα (λ=1.5418 Å) 40 kV 30 mA 檢測器：SC-70 步寬：0.04° 掃描範圍：15.0°至70.0° 狹縫：入射狹縫=0.2mm 長度限制狹縫=10mm 受光狹縫=20mm 〔實施例1至4及比較例1至3〕
將固有黏度為1.10dl/g之由聚偏二氟乙烯（KUREHA股份有限公司製造）成形之樹脂膜（寬度為350mm，厚度為120μm）以延伸倍率成為4.2倍之方式進行單軸延伸。延伸後，使膜通過極化輥而進行極化處理，獲得壓電膜。此時，藉由施加直流電壓並自0kV增加至12.0kV而進行極化處理。將極化處理後之膜進一步於130℃熱處理1分鐘，藉此獲得厚度為40μm之透明壓電膜。
利用棒塗機，於透明壓電膜之單面（第一主面）塗佈含有非晶質二氧化矽（平均粒徑80nm）之紫外線硬化性樹脂組成物，於80℃乾燥2分鐘。使用UV照射裝置CSOT-40（GS Yuasa股份有限公司製造），以400mJ/cm 2之累計光量對乾燥之塗膜照射UV。此外，於另一面亦進行同樣之操作，而獲得兩面具有厚度為1.0μm之第一透明塗佈層及第二透明塗佈層之膜。
於第一透明塗佈層上，藉由使用含有氧化銦、氧化鉿、氧化鉭之燒結體材料作為靶之反應性濺鍍法而形成厚度40nm之導電體層（比較例1）。將其於規定溫度加熱處理180分鐘，藉此獲得透明導電性壓電積層膜（實施例1至4、比較例2及3）。另外，比較例3由於膜本身變形而難以評估，因此無法進行X射線繞射測定。 〔實施例5〕
以與實施例1至4及比較例1至3同樣之方式獲得厚度為40μm之透明壓電膜。
於透明壓電膜之單面（第一主面），藉由使用含有氧化銦、氧化鉿、氧化鉭之燒結體材料作為靶之反應性濺鍍法而形成厚度40nm之導電體層。將其於100℃加熱處理180分鐘，藉此獲得透明導電性壓電積層膜（實施例5）。
表1
   退火 表面電阻 全光線透射率 霧度值 L * a * b * 黏附性 XRD
   溫度 [℃] 時間 [分鐘] [Ω/sq] [%] [%] [-] [-] [-] [-] 21° ±2° 31° ±2°
實施例1 90 180 158 81.9 0.7 92.9 0.4 4.2 5B 〇 200cps 〇 130cps
實施例2 100 180 103 83.2 0.5 93.4 0.5 3.6 5B 〇 340cps 〇 330cps
實施例3 110 180 93 83.6 0.7 93.5 0.4 3.6 5B 〇 460cps 〇 305cps
實施例4 120 180 96 83.1 0.6 93.3 0.5 4.2 5B 〇 465cps 〇 300cps
實施例5 100 180 105 83.3 1.8 93.9 0.4 3.6 5B 〇 345cps 〇 325cps
比較例1 - - 237 81.0 0.5 92.4 0.5 4.5 5B × ×
比較例2 80 180 201 81.7 0.7 92.9 0.2 4.4 5B × ×
比較例3 140 180 1911 78.8 2.4 90.8 1.0 8.3 4B － －
如表1所示，實施例之表面電阻低，全光線透射率高，霧度值低，亮度高。藉此，利用本發明確認到獲得實現高透明性與低電阻之透明導電性壓電積層膜。
1:透明導電性壓電積層膜 2:透明導電性壓電積層膜 11:壓電膜 21:第一透明塗佈層 31:導電體層
［圖1］係示意性表示本發明之透明導電性壓電積層膜之一實施方式的剖視圖。 ［圖2］係示意性表示本發明之透明導電性壓電積層膜之另一實施方式的剖視圖。 ［圖3］係實施例1之X射線繞射測定之結果。 ［圖4］係實施例2之X射線繞射測定之結果。 ［圖5］係實施例1之X射線繞射測定之結果。
1:透明導電性壓電積層膜
11:壓電膜
31:導電體層

Claims (9)

  1. 一種透明導電性壓電積層膜，其具備壓電膜與積層於其至少一面之導電體層， 於X射線繞射測定中，於21°±2°之範圍與31°±2°之範圍分別具有繞射峰，且 霧度值為2.0%以下。
  2. 如請求項1之透明導電性壓電積層膜，其中前述導電體層含有銦或銦化合物、與銦及錫以外之金屬或該金屬之化合物。
  3. 如請求項1或2之透明導電性壓電積層膜，其中於21°±2°之範圍與31°±2°之範圍分別具有之前述繞射峰之繞射強度均為100cps以上。
  4. 如請求項1或2之透明導電性壓電積層膜，其中自前述導電體層側測定之表面電阻為200Ω/sq以下。
  5. 如請求項1或2之透明導電性壓電積層膜，其中前述壓電膜含有氟系樹脂。
  6. 如請求項1或2之透明導電性壓電積層膜，其於前述壓電膜之前述導電體層側之面進一步具備透明塗佈層。
  7. 一種裝置，其具備如請求項1至6中任一項之透明導電性壓電積層膜。
  8. 一種透明導電性壓電積層膜之製造方法，該透明導電性壓電積層膜係如請求項1至6中任一項之透明導電性壓電積層膜，該製造方法包括以下步驟： (A)於含有氟系樹脂之透明壓電膜之至少一面，形成導電體層而獲得積層膜之步驟；及 (B)於85℃至130℃對前述(A)步驟中所獲得之積層膜進行退火處理之步驟。
  9. 如請求項8之透明導電性壓電積層膜之製造方法，其中於前述(A)步驟中，在形成前述導電體層前，於前述透明壓電膜之要形成前述導電體層之側之面形成透明塗佈層，於前述透明塗佈層上形成前述導電體層。
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