PL173284B1

PL173284B1 - Sposób wytwarzania blach elektrotechnicznych o zorientowanym ziarnie i blacha elektrotechniczna o zorientowanym ziarnie

Info

Publication number: PL173284B1
Application number: PL94302832A
Authority: PL
Inventors: Fritz Bölling; Andreas Böttcher; Manfred Espenhahn; Christof Holzapfel
Original assignee: Thyssen Stahl Ag
Priority date: 1993-04-05
Filing date: 1994-03-29
Publication date: 1998-02-27
Also published as: DE59406591D1; JP2728112B2; US5711825A; RU94009842A; EP0619376A1; BR9401398A; JPH06322443A; HU216760B; CA2120438A1; CN1040998C; CZ282649B6; CA2120438C; ATE169346T1; HUT70224A; EP0619376B1; SK38894A3; HU9400843D0; ES2121590T3; KR100247598B1; AU673720B2

Abstract

1 . Sposób wytwarzania blach elektrotechnicznych o zorientowanym ziarnie o grubosci koncowej pasa w zakresie od 0,1 do 0,5 mm, przy którym otrzymane za pomoca odlewania ciaglego lub tasmowego wlewki plaskie zawierajace ponad 0,005%, korzystnie od 0,02 do 0,10% C, 2,5 do 6,5% Si i 0,03 do 0,15% Mn najpierw przy obnizonej temperaturze wygrzewa sie w jednym lub dwóch stopniach i na zakonczenie walcuje sie na goraco do koncowej grubosci goracej tasmy wstepnie i na gotowo, w koncu walcowana na goraco tasme do grubosci koncowej wyzarza i przyspieszajaco ochladza sie oraz w stopniu walcowania na zimno lub w kilku stopniach walcowania na zimno walcuje sie do grubosci koncowej i walcowane na zimno tasmy poddaje sie wyzarzaniu rekrystalizacyjnemu w atmosferze zawierajacej wilgotny H2 i N2 z jedno- czesnym odweglaniem, nanoszeniu zawierajacego zasadniczo MgO srodka oddzielajacego obustronnie na powierzchnie zimnej tasmy, wyzarzaniu wysokotemperaturowemu i w koncu wyzarzaniu ostatecznemu z powlekaniem izolacja, znamienny tym, ze wlewki plaskie zawieraja dodatkowo wiecej niz 0,010 do 0,050% S, 0,010 do maksymalnie 0,035% Al, 0,0045 do 0,0120% N, 0,020 do 0,300% Cu, reszta Fe wlacznie z zanieczyszczeniami, wytworzone wlewki plaskie przed walcowaniem na goraco wygrzewa sie w te- mperaturze mniejszej niz temperatura rozpuszczalnosci T1 dla siarczków manganu zaleznie od kazdora- zowej zawartosci Si i wiekszej niz temperatura rozpuszczalnosci T2 dla siarczków miedzi zaleznie od kazdorazowej zawartosci Si, wygrzane wlewki plaskie nastepnie walcuje sie na goraco do grubosci posredniej i w koncu albo bezposrednio walcuje sie na goraco na gotowo z temperatura wsadu co najmniej 960°C, i z temperatura walcowania koncowego w zakresie od 880°C do 1000°C, az goraca tasma bedzie miala koncowa grubosc 1,5 do 7 mm, do dla wytracenia azotu w ilosci co najmniej 60% calkowitej zawartosci azotu jako grubych czastek A1N, walcowane na goraco tasmy w koncu wyzarza sie przez 100 do 600 s w temperaturze w zakresie od 880°C do 1150°C, a potem ochladza sie z szybkoscia 15 K/s, dla wytracenia azotu w maksymalnie mozliwej ilosci z calkowitej zawartosci azotu jako grubych lub drobnych czastek A1N i dla wytracenia drobnych czastek siarczku miedzi. (51) IntCl6 . B23P 13/00 C 21D 9/46 B21B 1/26 PL

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania blach elektrotechnicznych o zorientowanym ziarnie o grubości końcowej pasa w zakresie od 0,1 do 0,5 mm, przy którym otrzymane za pomocą odlewania ciągłego lub taśmowego, wlewki płaskie zawierające ponad 0,005%, korzystnie od 0,02 do 0,10% C, 2,5 do 6,5% Si i 0,03 do 0,15% Mn najpierw przy obniżonej temperaturze wygrzewa się w jednym lub dwóch stopniach i na zakończenie walcuje się na gorąco do końcowej grubości gorącej taśmy wstępnie i na gotowo, w końcu walcowaną na gorąco taśmę do grubości końcowej wyżarza i przyspieszająco ochładza się oraz w stopniu walcowania na zimno lub w kilku stopniach walcowania na zimno walcuje się do grubości końcowej i walcowane na zimno taśmy poddaje się wyżarzaniu rekrystalizacyjnemu w atmosferze zawierającej

173 284 wilgotny H2 i N2 z jednoczesnym odwęglaniem, nanoszeniu zawierającego zasadniczo MgO środka oddzielającego, obustronnie na powierzchnie zimnej taśmy, wyżarzaniu wysokotemperaturowemu i w końcu wyżarzaniu ostatecznemu z powlekaniem izolacją.

Przedmiotem wynalazku jest także blacha elektrotechniczna o zorientowanym ziarnie.

Do wytwarzania blach elektrotechnicznych o zorientowanym ziarnie znane jest poddawanie wlewków płaskich, zwłaszcza wlewków z odlewania ciągłego o grubości w zakresie od około 150 do 250 mm, które zwykle zawierają 0,025 do 0,086% C i 2,0 do 4,0% Si oraz mangan, siarkę, w niektórych wypadkach glin i azot, przed walcowaniem na gorąco w jednym lub kilku stopniach nagrzewaniu w temperaturze od 1350°C do maksymalnie 1450°C i przy tej temperaturze utrzymywanie przez wystarczający czas (wygrzewanie), aby zapewnić jednorodne wygrzanie wlewka płaskiego. Postępowanie to służy do tego celu, aby doprowadzić do całkowitego rozpuszczenia działających jako faza sterująca cząstek, jak np. siarczki (MnS) i azotki (A1N).

Aby zwłaszcza przy dwustopniowym nagrzewaniu i wygrzewaniu lub wyżarzaniu rozpuszczającym wlewków płaskich przeciwdziałać nadmiernemu wzrostowi ziarna a tym samym niepełnej wtórnej rekrystalizacji przy wyżarzaniu wysokotemperaturowym, znane jest z opisu niemieckiego nr DE-C3 22 52 784 i DE-B2 23 16 808 zastosowanie pomiędzy pierwszym a drugim stopniem wstępnego walcowania, znanego jako PreRollmg (walcowanie pośrednie). Przy tym nagrzane najpierw wlewki płaskie tylko do temperatury około 1200°C - 1300°C po tym pierwszym stopniu walcuje się ze stopniem redukcji odniesionym do ich grubości lub z zmniejszeniem przekroju od 30% do 70%, aby przykładowo zachować więcej niż 80% ziaren o średnicy maksymalnie 25 mm. Na zakończenie dodaje się w celu rozpuszczenia siarczków manganu i azotków glinu, drugi stopień nagrzewania do temperatury maksymalnie 1450°C i wygrzewanie wlewków w tej temperaturze, a potem już zredukowane do swojej grubości wlewki płaskie walcuje się wstępnie i na gotowo do osiągnięcia gorącej taśmy o grubości końcowej od 1,5 do około 5 mm, maksymalnie do 7 mm.

Z drugiej strony z niemieckiego opisu patentowego nr DE-C2 29 09 500 znany jest sposób wytwarzania blach elektrotechnicznych o zorientowanym ziarnie, w którym wlewki płaskie, które zawierają od 2,0 do 4,0% Si, do 0,085% C i do 0,065% Al lub inny znany inhibitor, przed walcowaniem na gorąco w tylko jednym stopniu, nagrzewa się do temperatury co najmniej 1300°C, korzystnie wyższej od 1350°C i w tej temperaturze wygrzewa, tzn. utrzymuje przez wystarczający czas. Dzięki temu inhibitory powinny zostać całkowicie rozpuszczone przed walcowaniem na gorąco, a nie już przedwcześnie wytrącone, aby zapobiec temu, że przy walcowaniu na gorąco wystąpią duże i grube wytrącenia. Aby uniknąć wytrącania się inhibitorów także podczas dołączonego walcowania na gorąco, jest w tym znanym sposobie przewidziane, że walcowanie na gorąco obejmuje co najmniej walcowanie rekrystalizacyjne podczas walcowania na gorąco z wydłużeniem co najmniej większym od 30% w temperaturze od 960°C do 1190°C, a nawet dobitnie podkreśla się, że inhibitory podczas walcowania na gorąco nie wytrącają się. Wytrącania inhibitorów i zwłaszcza pogrubienia wytrącanych w danym przypadku cząstek unika się w tym znanym sposobie wtedy, gdy walcowanie rekrystalizacyjne prowadzi się w temperaturze od 1050°C do 1150°C, dla wlewków płaskich wcześniej wygrzanych w temperaturze co najmniej 1350°C.

Zwłaszcza w przypadku wlewków płaskich zawierających Al ich jednostopniowe wygrzewanie przy obniżonej temperaturze i dodatkowo walcowanie na gorąco w również obniżonej temperaturze powodują wytrącanie i pogrubianie azotków glinu z takim skutkiem, że wtórna rekrystalizacja w dołączonych do tego stopniach lub operacjach sposobu jest niepełna. Prowadzi to do złych własności magnetycznych wykonanych tą metodą blach elektrotechnicznych o zorientowanym ziarnie. Pomimo tych wyjaśnień w niemieckim opisie patentowym nr DE-C2 29 09 500 zaproponowano, wychodząc ze znanego z opisu Europejskiego Urzędu Patentowego 'nr EP-B1 0 219 611 sposobu wytwarzania

173 284 blach elektrotechnicznych o zorientowanym ziarnie, aby wlewki płaskie przed walcowaniem na gorąco, tj. przed walcowaniem wstępnym i końcowym, nagrzewać do temperatury w każdym razie wyższej od 1000°C do maksymalnie 1270°C i wygrzewać w tej temperaturze. Przy tym wlewki płaskie zawierają 1,5 do 4,5% Si oraz zgodnie z przykładem wykonania zwykłą zawartość węgla, manganu, glinu i azotu, jednak korzystnie tylko zawartość siarki jest mniejsza niż 0,007%.

W tym znanym sposobie wlewki walcuje się na gorąco w zwykły sposób, walcowaną na gorąco taśmę poddaje obróbce cieplnej lub wyżarza, a następnie również w znany sposób walcuje jedno lub dwustopniowo na zimno do grubości końcowej. Walcowana na zimno taśma jest na koniec poddawana wyżarzaniu odwęglowującemu, dodatkowo nanosi się obustronnie na zimną powierzchnię zewnętrzną środek oddzielający i na koniec poddaje się wyżarzaniu w wysokiej temperaturze w celu wtórnej rekrystalizacji. Występujące przy zastosowaniu tego sposobu pierwotne wytrącenia cząstek (Si, A1)N są skuteczne jako inhibitory oczywiście jednak tylko wtedy lub tylko wtedy blachy elektrotechniczne o zorientowanym ziarnie mające żądane własności magnetyczne mogą być wytwarzane, gdy walcowaną na zimno taśmę na koniec podda się wyżarzaniu pierwotnie rekrystalizującemu i odwęglającemu i przed wprowadzeniem wtórnej rekrystalizacji azotowaniu, tj. wprowadza się dodatkową operację technologiczną.

Obniżenie wymaganej temperatury dla wygrzewania lub wyżarzania rozpuszczającego wlewków płaskich i ustalanej dla odpowiednich pieców oznacza przede wszystkim, że eliminuje się w korzystny sposób tworzenie się w tych piecach ciekłego żużla. Ponadto takie obniżenie temperatury wygrzewania oznacza znaczącą oszczędność energii, istotnie dłuższy czas żywotności pieca i zwłaszcza poprawioną i korzystną cenowo wydajność wygrzewanych wlewków.

Z tego powodu zaproponowano w nowszych opisach patentowych Europejskiego Urzędu Patentowego nr nr EP-A1 0 321 695, EP-Al 0 339 474, EP-A1 0 390 142 i EP-Al 0 400 549 również sposoby wytwarzania blach elektrotechnicznych o zorientowanym ziarnie, mianowicie z wymaganą temperaturą wygrzewania wlewków płaskich niższą niż około 1200°C.

W wymienionych przypadkach, w których wlewki płaskie zawierają korzystnie 0,010 do 0,060% Al, jednak mniej niż około 0,010% S, azotki glinu mogą być tylko niecałkowicie rozpuszczone w czasie wyżarzania rozpuszczającego. Wymagane inhibitory są dlatego wytwarzane w dodatku przy technologii odwęglania, jak przy znanym z opisu nr EP-B1 0 219 611, poprzez azotowanie taśmy. Następować to może przykładowo poprzez zastosowanie specjalnej atmosfery gazu zawierającego amoniak po wyżarzaniu odwęglającym i przed wyżarzaniem w wysokiej temperaturze i/lub poprzez dodanie związków zawierających azot do środków oddzielających, które zasadniczo zawierają MgO (na przykład według opisu Europejskiego Urzędu Patentowego nr EP-A1 0 339 474 i EP-A1 0 390 142).

Wadą tych wszystkich znanych sposobów jest to, że do wytworzenia niezbędnych inhibitorów, a przy tym do ustawienia fazy regulacji przed końcowym wyżarzaniem w wysokiej temperaturze wymagany jest co najmniej jeden dodatkowy zabieg technologiczny. Zastosowanie dodatkowych zabiegów technologicznych przykładowo utrudnia powtarzalne wytwarzanie blach elektrotechnicznych o zorientowanym ziarnie z zadanymi żądanymi własnościami magnetycznymi. Ponadto realizacja tych zabiegów technologicznych łączy się w produkcji z trudnościami takimi jak na przykład dokładne ustalenie specjalnej atmosfery gazowej przy obróbce azotowania.

Z opisów patentowych Europejskiego Urzędu Patentowego nr EP-B1 0 098 324 i EP-A2 0 392 535 znane są sposoby, w których temperatura wygrzewania leży poniżej 1280°C i nie jest przymusowo konieczny dodatkowy zabieg technologiczny jak na przykład azotowanie. Stabilizacja wtórnej rekrystalizacji osiągana jest według opisu EP-A2 0 392 535 poprzez ustalenie parametrów walcowania na gorąco, jak temperatura końcowego walcowania, stopień odkształcenia (odnośnie do trzech ostatnich przepustów

173 284 walcowania na gorąco) lub temperatura bębna do nawijania. Opis nr EP-B1 0 098 324 podaje, że stabilizacja ta osiągana jest poprzez ustalanie warunków wyżarzania, parametrów walcowania na gorąco i na zimno.

Żaden z wymienionych wyżej opisów nie ma u podstaw zawartości miedzi i siarki, jak to jest w przypadku niniejszego wynalazku. Blachy elektrotechniczne o takim składzie znane są przykładowo z opisów patentowych RFN nr DE-A1 24 22 073 lub DE-C2 35 38 609. Opis patentowy RFN nr DE-C2 32 29 295 podaje, że poprawienie własności może następować przez dodanie cyny i miedzi. Żaden jednak z tych ostatnich opisów nie dotyczy sposobu, który wspomaga prawie wyłączne działanie siarczków miedzi jako inhibitorów lub zaleca temperaturę wygrzewania niższą od 1350°C.

Celem wynalazku jest zatem takie polepszenie sposobu wymienionego na wstępie rodzaju z obniżoną korzystnie temperaturą wyżarzania rozpuszczającego wlewków płaskich, że osiągnie się korzystne wartości dla blach elektrotechnicznych, zwłaszcza dla strat przemagnesowania P1/7/50, bez konieczności dalszych zabiegów technologicznych.

Zgodnie z wynalazkiem cel ten został osiągnięty dzięki temu, że wlewki płaskie zawierają dodatkowo więcej niż 0,010 do 0,050% S, 0,010 do maksymalnie 0,035% Al, 0,0045 do 0,0120% N, 0,020 do 0,300% Cu, reszta Fe włącznie z zanieczyszczeniami, wytworzone wlewki płaskie przed walcowaniem na gorąco wygrzewa się w temperaturze mniejszej niż temperatura rozpuszczalności T1 dla siarczków manganu zależnie od każdorazowej zawartości Si i większej niż temperatura rozpuszczalności T2 dla siarczków miedzi zależnie od każdorazowej zawartości Si, wygrzane wlewki płaskie następnie walcuje się na gorąco do grubości pośredniej i w końcu albo bezpośrednio walcuje się na gorąco na gotowo z temperaturą wsadu co najmniej 960°C, i z temperaturą walcowania końcowego w zakresie od 880°C do 1000°C, aż gorąca taśma będzie miała końcową grubość 1,5 mm do 7 mm, dla wytrącenia azotu w ilości co najmniej 60% całkowitej zawartości azotu jako grubych cząstek A1N, walcowane na gorąco taśmy w końcu wyżarza się przez 100 do 600 s w temperaturze w zakresie od 880°C do 1150°C, a potem ochładza się z szybkością 15 K/s, dla wytrącenia azotu w maksymalnie możliwej ilości z całkowitej zawartości azotu jako grubych lub drobnych cząstek A1N i dla wytrącenia drobnych cząstek siarczku miedzi.

Istotne dla wynalazku jest, że wlewki płaskie obok zwykłej zawartości azotu w zakresie od 0,0045 do 0,0120% zawierają dodatkowo 0,020 do 0,300% Cu i więcej niż 0,010% S, jednak mniej niż 0,035% Al. Dodatkowo dokonywane zabiegi powodują, że praktycznie siarczki manganu nie ulegają rozpuszczeniu i dlatego po walcowaniu przeważnie podlegają wytrąceniu jako grube cząsteczki. Zwłaszcza w odróżnieniu od konwencjonalnego wytwarzania tak zwanych blach elektrotechnicznych typu (RGO = regularnie zorientowane ziarno) oznacza to, że przy zastosowaniu sposobu według wynalazku siarczki manganu nie będą działały jako inhibitory w następnych stopniach ewentualnie zabiegach technologicznych. Ponadto wygrzewanie wlewków płaskich powoduje, że azotki glinu ulegają rozpuszczeniu tylko w niewielkim stopniu i dlatego po przeprowadzonym walcowaniu na gorąco podlegają również wytrąceniu jako grube cząstki. Także ich ilość nie działa jako inhibitor w następnych zabiegach technologicznych.

W odróżnieniu od konwencjonalnego wytwarzania tak zwanych blach elektrotechnicznych typu HGO (ziarno zorientowane o wysokiej przenikalności) przez zastosowanie zabiegów technologicznych według wynalazku zostało uznane raczej, że rozstrzygającym inhibitorem rozrostu ziaren są bardzo gęsto rozłożone wytrącone cząstki siarczków miedzi o średniej średnicy mniejszej niż około 100 nm, korzystnie 50 nm, które w następnych stopniach lub zabiegach technologicznych stanowią własną, istotną i skuteczną fazę sterującą. Tylko występujące w bardzo małej ilości azotki glinu po zabiegu technologicznym według wynalazku, także wytrącone i gęsto rozłożone działają jako inhibitory. Pokazane jest to zwłaszcza w przykładach porównawczych realizowanych nie według wynalazku, podczas, gdy sposób według wynalazku przy zresztą takich samych

173 284 cechach i zabiegach technologicznych jest zastosowany do wlewków płaskich, które jednak mają zawartość siarki wynoszącą jedynie mniej niż 0,005%. W tych przypadkach nie występują w wystarczającej ilości żadne cząstki działające jako inhibitory.

W odróżnieniu od sposobu według wynalazku w dotychczasowych konwencjonalnych metodach wytwarzania blach elektrotechnicznych typu RGO (na przykład według opisu patentowego RFN nr DE-A1 41 16 240) znamienne jest to, że w tym przypadku wlewki płaskie zawierają tylko maksymalnie 0,005% Al, są one przed walcowaniem na gorąco poddawane wygrzewaniu przy temperaturze rzędu około 1400°C, poprzez walcowanie na gorąco i do tego dołączoną w danym przypadku obróbkę cieplną taśm w temperaturze od około 900°C do 1100°C wstawione są działające jako istotny inhibitor gęsto rozłożone cząstki MnS i blachy elektrotechniczne zasadniczo posiadają indukcję magnetyczną Bs mniejszą od około 1,88 T.

W dotychczasowych konwencjonalnych metodach wytwarzania blach elektrotechnicznych typu HGO (na przykład według opisu patentowego RFN nr DE-C2 29 09 500) znamienne jest to, że wlewki płaskie zawierają około 0,010 do 0,065% Al, wlewki płaskie przed walcowaniem na gorąco także wygrzewa się przy temperaturze rzędu około 1400°C, w czasie walcowania na gorąco i do tego dołączonego wygrzewania gorących taśm działającymi jako istotny inhibitor są gęsto rozłożone cząstki A1N i blachy elektrotechniczne zasadniczo posiadają indukcję magnetyczną Bg większą od około 1,88 T.

Jak to pokazano i wyjaśniono za pomocą następujących poniżej przykładów wykonania, można teraz wytwarzać sposobem według wynalazku blachy elektrotechniczne o zorientowanym ziarnie o tej samej wartości indukcji magnetycznej Be wyrażonej w teslach (T), jaką posiadają blachy elektrotechniczne typu RGO, ale też HGO, jednak z polepszonymi wartościami strat przemagnesowania £1,7/50 w watach na kg (W/kg).

Sposobem według wynalazku wytwarza się wlewki płaskie najpierw znaną metodą odlewania ciągłego, mające grubość wyjściową w zakresie od 150 do 300 mm, korzystnie od 200 do 250 mm. Alternatywnie mogą to być tak zwane cienkie wlewki o grubości wyjściowej w zakresie od 30 do 70 mm. W korzystny sposób w tych przypadkach przy wytwarzaniu gorących taśm zabiegiem technologicznym według punktu (3) według wynalazku można zrezygnować z walcowania wstępnego do grubości pośredniej. Ponadto można wytwarzać blachy elektrotechniczne o zorientowanym ziarnie sposobem według wynalazku z wlewków płaskich lub taśm o jeszcze mniejszej grubości wyjściowej, gdy wlewki płaskie lub taśmy są wykonane najpierw metodą odlewania taśmowego.

Wlewki płaskie, cienkie wlewki lub taśmy, dalej zwane krótko wlewkami, mają wymienioną na wstępie opisu zawartość węgla, krzemu, manganu, azotu i miedzi oraz w porównaniu do stanu techniki (według opisu europejskiego nr EP-B1 0 219 611) podwyższoną zawartość siarki w zakresie od powyżej niż 0,010, korzystnie więcej niż 0,015% do 0,050% i celowo obniżoną do dolnego znanego poziomu zawartość glinu w zakresie od 0,010 do 0,030%, maksymalnie do 0,035%, reszta Fe wraz z zanieczyszczeniami.

Korzystnie ustala się, że wlewki płaskie zawierają 3,0 do 3,3% Si, 0,040 do 0,070% C, 0,050 do 0,150% Mn, 0,020 do 0,035% S, 0,015 do 0,025% Al, 0,0070 do 0,0090% N, 0,020 do 0,200% Cu, reszta żelazo włącznie z zanieczyszczeniami. Ustalenie to dotyczy przede wszystkim zawartości glinu i siarki. Zawartość pozostałych składników stopu leży korzystnie dla każdego elementu stopu poszczególnie lub w kombinacji z innymi w zakresie wyżej podanym.

W korzystny sposób po realizacji sposobu według wynalazku tylko w niewielkim stopniu powstają rysy na krawędziach gorących taśm i dlatego osiąga się dobre krawędzie taśm gorących i odpowiednio do tego wysoką wydajność, po przeprowadzonym zabiegu technologicznym według wynalazku osiąga się bardziej gęsty rozkład działających jako istotny inhibitor cząstek siarczków miedzi i po zakończeniu postępowania opisanego na wstępie wytworzone zostają blachy elektrotechniczne o zorientowanym ziarnie mające wysoką wartość indukcji magnetycznej Be wtedy, gdy zawartość manganu, miedzi i siarki

173 284 we wlewku jest tak ustalona, że jest spełniony warunek, że iloczyn zawartości Mn i Cu dzieląc przez zawartość S leży w zakresie od 0,1 do 0,4, to jest:

(Mn x Cu) / S = 0,1 do 0,4, a zwłaszcza dodatkowo zawartość manganu i siarki leży w zakresie 0,070 do 0,100% Mn i 0,020 do 0,025% S.

Korzystnie wlewki płaskie zawierają także do 0,15% cyny lub korzystnie wlewki płaskie zawierają od 0,02% do 0,06% cyny. Własności magnetyczne nie są przez to dalej poprawiane.

W związku z wytwarzaniem wlewków płaskich o wymienionym wyżej składzie stopu są one podgrzewane do takiej temperatury i w niej wygrzewane, według wynalazku. Przy tym temperatura zależna od zawartości manganu, siarki i krzemu musi być w każdym przypadku niższa niż odpowiednia temperatura rozpuszczania T1 dla siarczków manganu i jednocześnie dużo wyższa niż odpowiednia temperatura rozpuszczania T2 dla siarczków miedzi.

Korzystnie blacha elektrotechniczna o zorientowanym ziarnie według wynalazku charakteryzuje się tym, że po wyżarzaniu walcowanej na gorąco taśmy występuje więcej niż 60% cząstek siarczku miedzi jako inhibitora.

Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przykładzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia krzywą rozpuszczalności T1 = f (Mn, S, 3,0% - 3,2% Si) dla siarczku manganu, fig. 2 - krzywą rozpuszczalności T 2 = f (Cu, S, 3,0% - 3,2% Si) dla siarczku miedzi, fig. 3 - wspólny wykres krzywych rozpuszczalności z fig. 1 i fig. 2.

Figury 1, 2 i 3 objaśniają zachowanie się blach elektrotechnicznych o zorientowanym ziarnie mających zwykłą zawartość Si. Brane pod uwagę zawartości odpowiadają podanym w tabelach 1, 2 i 3 przykładom wykonania wynalazku.

Przeprowadzenie zabiegu technologicznego według punktu (2) powoduje, że przy wygrzewaniu wlewków płaskich przed walcowaniem na gorąco siarczki manganu praktycznie nie ulegają rozpuszczeniu. Ponieważ odpowiednie krzywe rozpuszczalności dla azotków glinu są podobne lub porównywalne do krzywych rozpuszczalności siarczków manganu, przy wygrzewaniu wlewków według wynalazku już teraz przeważająca część azotków glinu wytrąca się. Po zakończeniu tego zabiegu w roztworze znajdują się praktycznie tylko siarczki miedzi.

Po następującym potem wyżarzaniu rozpuszczającym wlewki płaskie najpierw w zależności od grubości wyjściowej wlewków walcuje się wstępnie w 3 do 7 przejściach i na koniec walcuje się na gotowo w 5 do 9 przejściach do grubości końcowej gorącej taśmy w zakresie od 1,5 do 5. mm, maks. do 7 mm. Następuje przy tym walcowanie wstępne wlewków o grubości od 150 do 300 mm, korzystnie od 200 do 250 mm, do grubości taśmy wstępnej od 30 do 60 mm. Chodzi tu jednak o wytwarzane metodą odlewania ciągłego cienkich wlewki lub taśmy, tak że korzystnie można zrezygnować z walcowania wstępnego. Przy tym ilość przepustów podczas walcowania wstępnego i na gotowo ustala się według grubości wyjściowej wlewków i według żądanej grubości końcowej gorącej taśmy.

Istotną cechą zabiegu według wynalazku jest jednak to, że taśmy są walcowane na gotowo z możliwie najniższą temperaturą w zakresie od 880°C do 1000°C, korzystnie w zakresie od 900°C do 980°C. Przy tym dolna granica jest określana w ten sposób, że może bez problemu następować jeszcze odkształcenie lub walcowanie taśm bez trudności takich jak na przykład nierówności taśmy i odchylenia w profilu taśmy. Po zakończeniu obróbki według wynalazku okazuje się, że w gorącej taśmie podlegają wytrąceniu grube cząstki MnS i bardzo dużo grubych cząstek A1N o średniej średnicy większej od 100 nm. Po zakończeniu walcowania na gorąco według wynalazku więcej niż 60% całkowitej ilości azotu podlega połączeniu z glinem tworząc A1N. Ilość azotu, która łączy się z glinem jest tak zwaną wartością Beeghley’a dla N. Jej określenie następuje w procesie chemicznym, który jest opisany w czasopiśmie Analytical Chemistry (Analiza Chemiczna) tom 21, nr 12, grudzień 1949. Natomiast z drugiej strony

173 284 przy sposobie wytwarzania blach elektrotechnicznych o zorientowanym ziarnie typu HGO po wyżarzaniu rozpuszczającym wlewków i po zakończeniu walcowania na gorąco występuje tylko bardzo mała ilość' cząstek' MnS i praktycznie wcale nie ma cząstek A1N o- tej wielkości (tj. mniejszych ód 100 nm).

W związku z tym obróbka cieplna taśm walcowanych na gorąco według wynalazku następuje w temperaturze od 880°C do 1150°C, korzystnie w jednym stopniu w zakresie temperatury od 950°C do 1100°C. Można to realizować także w kilku stopniach. Dzięki tej obróbce cieplnej cząstki działające jako inhibitory w następnych zabiegach technologicznych zostają wytrącone jako cząstki o średniej średnicy mniejszej od 100 nm, korzystnie mniejszych od 50 nm. W ten sposób w sposobie według wynalazku po wyżarzaniu gorących taśm występuje duża ilość drobnych cząstek siarczków miedzi o tej wielkości cząstek i w porównaniu do tego tylko bardzo mała ilość drobnych cząstek A1N. W przeciwieństwie do tego, w sposobie wytwarzania blach elektrotechnicznych o zorientowanym ziarnie typu HGO występują praktycznie drobne cząstki A1N o tej wielkości.

Jak pokazano w tabeli 3 przykłady porównawcze 14 i 15 wskazują, istotnymi cechami sposobu według wynalazku są te, że wlewki zawierać muszą koniecznie więcej niż 0,010% siarki, korzystnie więcej niż 0,015% i że w każdym przypadku doprowadza się do wytrącenia drobnych cząstek siarczków miedzi poprzez wyżarzanie gorących taśm zgodnie z punktem (4) wynalazku. Jeśli wyżarzanie to nie będzie realizowane, nie wystąpią działające jako inhibitory w następnych zabiegach technologicznych, cząstki mniejsze od 100 nm, korzystnie mniejsze od 50 nm w wystarczającej ilości, a nawet ze względu na przedwczesne wytrącenie grubych cząstek MnS i A1N w zabiegach według wynalazku.

Po przeprowadzeniu wyżarzania gorących taśm następuje walcowanie na zimno taśm korzystnie jednostopniowe aż do grubości końcowej od 0,1 do 0,5 mm. W zależności od grubości końcowej gorących taśm można walcowanie na zimno przeprowadzać dwustopniowo, przy czym przed pierwszym walcowaniem na zimno korzystnie przeprowadza się wyżarzanie wstępne. Prowadzi to w korzystny sposób do stabilizacji rekrystalizacji wtórnej w późniejszym wyżarzaniu w wysokiej temperaturze.

W związku z walcowaniem na zimno do żądanej grubości końcowej następuje wyżarzanie rekrystalizacyjne i odwęglające taśm w temperaturze w zakresie od 750°C do 900°C, korzystnie w zakresie od 820°C do 880°C, w atmosferze zawierającej wilgotny H2 i N 2. Do tego dołączając zostaje nanoszony, pierwotnie zawierający MgO separator wyżarzania. Taśmy są na koniec wyżarzane przez długi czas w piecu kołpakowym z wolnym nagrzewaniem od 10 do 100 K/h, korzystnie od 15 do 25 K/h, do temperatury co najmniej 1150°C i w tej temperaturze wyżarzane w atmosferze H2 i N2 i po wytrzymaniu przez 0,5 do 30 h powoli z powrotem ochłodzone. Na koniec następuje pokrywanie izolacyjne z wyżarzaniem końcowym.

Za pomocą ośmiu przyldadów wykonania tabela 1 podaje wyniki przy zastosowaniu sposobu według wynalazku dla wlewków o grubości wyjściowej 215 mm. W tabeli 2 podane są dalsze wyniki, które osiągnięto przy kombinacji sposobu według wynalazku z zabiegami dodatkowymi, polegającymi na tym, że wlewki płaskie zawierają 0,02% do 0,06% Sn i że stosuje się temperaturę wsadu wyższą od 1000°C. Walcowanie na zimno następowało w tych przypadkach w dwóch stopniach bez i z wyżarzaniem wstępnym przed pierwszym stopniem walcowania na zimno.

Jak to wynika z tabeli 1 i 2, mogą być wytwarzane blachy elektrotechniczne o zorientowanym ziarnie, które posiadają indukcję magnetyczną Bs, jaką mają blachy elektrotechniczne o zorientowanym ziarnie zarówno jakości RGO jak i HGO. Ponadto obok zalet obniżenia temperatury dla wyżarzania rozpuszczającego wlewków w odpowiednich piecach, w korzystny sposób osiągnięte zostają korzystne wartości strat przemagnesowania. Pokazuje to wyraźnie fig. 4, na której przedstawione są w postaci krzywej TGO (Thyssen Grain Oriented) wartości indukcji magnetycznej i strat przemag10

173 284 nesowania dla blach elektrotechnicznych o zorientowanym ziarnie o grubości końcowej 0,30 mm z tabeli 1 i 2. Ponadto w porównaniu do tego z fig. 4 można uzyskać -odpowiednie i typowe pary wartości dla blach elektrotechnicznych o zorientowanym ziarnie jakości RGO i HGO, które mogły być do tej pory wytwarzane jedynie w dwóch osobnych różnych sposobach.

173 284 ο

χ>

£

00

1 3,18 I

I 0,057 I

| 0,070 |

0,026 |

I 0,026 1

0,0078 I

1 0,066 I

CN CN

| 1270 1

o co

| 066 |

CO CN

1 920

o ΙΛ to

! 0,0054 I

o CN

o o o «Η

ί 30 1

7 0,0077 |

0,30

CN rH ł“4

1,86 1

>

CN ł-1 CO

0,057 1

Γ* o o

0,023 |

L 0,025 |

0,0082 |

0,073 |

to iT) •a

1260

o if>

1015

CO CN

096 |

l 630

! 0,0065

O •s* CN

O CN O łH

7 28 |

0,0075 |

0,27

r~ O ł“4

r* 00 r^-1

to

c0 r—ł CO

Γ* lD O O

| 0,069 1

| 0,023 1

1 0,021 |

0,0081 |

0,066 |

CN «3¹ CN

I 1260 |

o in

Lf> r-4 O «Η

co CN

in to CTi

| 635 I

! 0,0054 I

I 240 |

! 1080 I

O co

! 0,0072 |

0,30

co t—ł iH

«4' CD rH

L0

3,14 1

1 0,055 I

| 0,069 |

0,022 |

O 00 o o o

0,066 |

O CO

1 1270 1

o m

| 1015 j

CO CN

o to cn

| 647 I

! 0,0057 1

O •a· CN

7 105.7 |

lT> CN

7 0,0077 |

0,27

«a¹ rH t—ł

to CD Vł

«*

1 υ'ε |

| 0,056 1

| 0,069 1

0,022 |

1 0,022 1

o co o o o

1 0,066 1

Ζίί

1 1270 |

o m

łT> «-1 o «Η

CO CN

o «* cn

| 650 1

| 0,0051 |

o •a· <N

I 1080 |

to CN

[ 0,0075 |

0,35

r- cn o

1 £6'ΐ 1

ΓΟ

CN <—< CO

7 0,057 i

Γ* o o

0,023 |

0,025 |

0,0082 |

0,073 1

to in <a«

: 1260 i

o ιΛ

1015 1

CO CN

l 967 I

| 637 I

! 0,0057 j

O «3« CN

Γ 0801 j

O CO

0,0087 j

0,23

lT> O T—(

7 1,88 |

CN

r-4 fH CO

1 0,056 1

•a· r- o o

0,023 |

0,025 I

! 0,0081 I

1 0,072 1

a· to CN

| 1260 I

O m

| 1015 |

CO CN

O tn cn

O CN to

| 0,0049 1

O CN

| 1080 I

«3» CN

| 0,0076 |

0,27

P* cn o

co cn ł—1

ι-Η

CO r™t co

I 0,077 |

| 0,070 1

0,026 |

| 0,026 I

I 0,0078 1

0,066 |

CN CN

Ο Γ* CN γΜ

o co

1 990 I

CO CN

| 927 I

| 650

| 0,0057

| 247

I 10107 I

to

| 0,0077

0,30

1 1,00 1

1 1,92

| Liczba porządkowa!

| Skład chemiczny: 1

4fi 's. Ή W

1 C /8 |

1 Md /d|

1_s/cj

rto 3

oW '•s.

a/> 3 O

|Wytwarzane: gorącyhd taśm |

β •H ε φ •H β (0 φ Ν Μ σι r 1 φ •Η Λ! η «ΰ ίΜ α ->~ι Λί Φ ϊ

| Temperatuaa pieca i wygrzewana /*C|

ΓΊ Φ C 0. a> P S Ό1 <0 P Ό 'CO 0 Λ 3 M O

1 Temperatura wsada walccw/anaa gotowega /^eC|

| Taśma gorąca a grubośa końcowa /mm|

( Temperatuaa walc^anaa końcow^a /*C|

O • <0 c Λ O Λ <0 β P <0 M Φ CU ε φ H

tte \ 0 σ φ rH 43 Ol Φ Φ ffl O NO O P M <J £ 1 ΪΖ

[Wytwarzanea taśa zinuiycha 1

01 \ 43 ϋ > υ d M 0 cn ε NT) <0 P (0 •H C ej N M <J -N ta N U

1 Temperatuaa wyźarzanaa gorącyha taśa /*C|

1 Szybkośa chłoKizenaa /K/s|

1 N a ^{^j^^ośa Beeghly'eoa /%|

Walc<waanea na zimna grubośa końcowa (jednostopnicwco: / mm

Odweglaniea wyżarzana przegrzewające, izolacja końcowa

| Wlasnośca magnetyczne a Pi 7 /W/ka|

cc CQ

ο

-Ό ε

ε

ΙΖ) ε & ε §

Μ σΞ.« ‘Γ?

ο ο υ £-3 α

ο *<2, ’ΣΤ*

Ο > <υ* pa

Χ5 Ο ΐΛ Λ *Μ

Οη £ ο Ο Ο Ί -2 !Q 3 2 »5' βΌ τ^-* Ν <0 Λ

5» ’3 '3 η S .2 £ Ν Ο 8 ^'§'1 ^ε «CU &.ΞΓ —. 2

4k

Ν _Λ

C

Ć? ο 2 Έ s ϋ 2 ο ” 2 ω ’□ .2 « c 5 8·5Γ

-ł-· w Ο QZ t3*a &>

<υ cr Έ> <Λ

Ο

Λ

173 284

Tabela 2

Wykonana metodą według korzystnych przykładów wykonania blacha elektrotechniczna z wlewków płaskich o grubości 215 mm i grubości gotowej taśmy od 0,23 mm do 0,35 mm i osiągniętej wartości strat przemagnesowania P1/7/50 i osiągniętej indukcji magnetycznej Bs

co T“I

3,12

0,057 I

«s· Γ o o

co CM O O

1 0,025 I

I 0,0082 I

CO r· o o

456 I

O Ό CM rH

o iD

1015

iu?

o to en

1 630 I

I 0,0065 I

O CD T—ł

O Oh Oh

I OT

ιΓ) Lf) r-ł

I 1080 I

OD CM

0,30

CM CM r-1

o co r—1

CM «—1

3,18 1

0,057 I

0,070 1

0,026 !

I 0,026 I

t 0,0078 I

0,066 I

«3» CM CM

o r- CM <—4

O n

| 066

CO CM

t 920

I 650

I 0,0054

08T |

066 ]

T“t rd

lf> un i—1

O CM

| 1080

t£> CM

0,23

1 0,92

1 1,91

1 Tt

CO

0,063 I

0,095 I

! 0,024 1

0,023 1

0,0088 I

| 0Ζ.0Ό

to r-

1280 I

o Lf)

1020

m CM

O co Oh

uo co to

0,0053

O CD «—1

1 086 |

CD

Lf) Lf) t-1

| 240

I 1080

CM

0,30

cn o

1 1,93

o

3,11 I

0,055 I

0,074 I

0,023 I

I 0,025 1

CO O o o

I 0,072 I

I 223 I

1270 I

50 I

1030 I

L L'z

I 930 j

1 620 j

I 0,0056 I

ΟθΤ

| 066 |

O T“I

1 1,80 I

!osz

I 1080

Oh CM

0/27 1

1 0,99 |

CM Oh t-H

Oh

3,11 1

0,063 I

0,095 I

«31 CM O O

0,023 I

0,0088 I

O r- o o

t£> r*

O CD CM X

O Lf)

O CM O t—1

co CM

O CO σ»

I 635 1

I 0,0053 ]

I odpada

l odpada

1 odpada 1

Lf) tfi X

O «J· CM

080t i

CO CM

0,30

1 1,02

1 1,91

al

00

c

U

p

U

p

O

U

00

co

u

w

p

(0

O

to

OJ

aJ

tn

\

X

0

ρ

0

p

0

\

0

E

0

E

,5

44

o

E

\

•-Χ

•χ

0

44

X

O

c

w

X

Z

3

\

O

0

fi

:s

Tł

ω

g

O

(0

•m

0

rtl

0

OJ

fi

O'

0

+

X

•s.

of

Φ

o

fi

Φ

Cr

OJ

X

fi

aJ

fi

X

fi

N

fi

fl)

ίο

Φ

X

fi

Φ

X

Φ

fi

•H

44

Φ

44

r

X

G

aj

o

,{

a>

(1

fi

X

fi

•rl

O

al

a>

δ

X

0

X

r—1

o

u.

Φ

cu

OJ

Φ

X

fi

OJ

7—

fi

·<

Φ

44

0

u

X

o

fi

o

X

N

X

fi

•r*

CU

Φ

tM

tn

O

44

X

aj

fi

tn

X

TJ

X

po

0

X

fi

al

N

X

O

fi

X

Φ

Ii

67

0

n

X

W

aj

X

O

44

fi

Φ

5

c-d

υ

U

Hd

fi

X

fi

O

>1

aj

x

X

OJ

X

>1

X

0

U

£

2

e

o

01

OJ

X

OJ

υ

i-d

fi

tn cm

fi

X

fi

X

'fi

fi

X

·*-*

af

-H

h-1

t

OJ

01

fi

Φ

x

<0

fi

Ό

X

«3*

Φ

X

5

14

OJ

fi

υ

fi

(0

X

OJ

U

0

X

*.

··

OJ

O

o

•ę

fi

X

14

fi

X

tn

σ

fi

0

Φ

44

0

Ό

o

δ

<V

14

Oj

X

44

fi

4*

c

l>

c

tn

Φ

X

1

o

aJ

•fi

OJ

X

TJ

«0

to

X

E

>1

OJ¹

fi

aj

O

OJ

X

$

fi

>

Φ

X

•Hi

>

•H

C3”l

•ł“

u

Eh

X

a

X

OJ

rtl

£

>

N

14

fi

N

OJ

>,

a

3

fi

?

I

5

ω

X

aj

OJ

ej

fi

£

X

aJ

14

3

af

10

fi

N

OJ

•H

Φ

CC

X

O

Ό

14

(0

z

aj

fi.

X

fi

CF

fi

G

CQ

44

3

aj

0

X

N

14

aj

0

X

tn

X

tn

O

fi

O

fi

X

fi

«4

Φ

X

oj

Φ

OJ

X

44

X

?>

-r4

0

Φ

β

X

al

fO

OJ

o

fi

h—

fi

Φ

aj

E

14

X

OJ

X

··

Q,

X

x

Φ

fl)

fi

«0

OJ

I

fi

CL

υ

β

E

3

<d

fil

··

0,

X

OJ

X

0

Φ

X

Φ

44

X

fi

fil

fi

X

Φ

0

a)

Eh

OJ

Φ

υ

fl)

U

X

G

X

>7

H

i

OJ

β

G

to

Φ

fi

X

£

Φ

OJ

(0

X

d

B

0

fl)

X

fi

X

U

p

•H

Ol

σ

X

s

>1

Φ

N

gi

φ

aJ

u

f-ł

Φ

χ

«Ν

0} X

β x

N

X tO

i

c

0

OJ

μ

N

Oi

X

q

υ

w

Φ

♦H

Φ

φ

β

Ή

X

φ

G

Φ

G

fi

c

X

(0

X

<0

G

υ

N

TJ

tn

M

X

6

0

<1>

Ό

01

OJ

o

σ

cO

ii

s

N

T5

X

+3

X

<t)

O

44

>·

-

ω

173 284

Tabela 3

Przykłady porównawcze 14 i 15 i wytworzona według wynalazku blacha elektrotechniczna z wlewków zawierających Sn i mających grubość 215 mm o końcowej grubości taśm od 0,30 mm (16 i 17) i osiągniętej wartości strat przemagnesowania Pi,7/50 i osiągniętej indukcji magnetycznej Bs

r* i—1

r-l 1—( co

t 0,063 I

| 0,095 1

[ 0,024 I

| 0,023 1

l 0,0088 I

I 0,070 I

co t-4 i—t ©

1 9Z.6

I 1280 1

I 1020 I

co CN

I 930 I

I 635 I

| 0,0065 1

O <3« CN

00 CN

I 0,0082 1

0,30

I © ι-4

»-4 Ch ι-4

3,08 I

1-4 <0 o O

O co o o

I 0,023 I

0,020 j

σ» r» © o ©

0,068 I

0,026 |

co CN ·&

i 1260 1

[ 1020 I

1 ε'2 j

Uf) uf)

I 0,0053 1

I 1120 j

I 0,0075 1

0,30

1 1,02 !

i—l Cd i-4

m i—1

CTi © co

0,050 I

co ©

0,003 I

0,029 |

0,0072 I

co r* © ©

T~t CN *3«

O uf)

co CN

1 096 ©

1 630 I

I 0,0061 I

I 1080 I

Γ* CN

I 0,0070 I

0,30

CO r-ł

«3* r4

L 3,12 I

1 0,057 I

«3· Γ O O

fO Cs! © O

0,025 |

0,0082 |

L 0,073 I

V0 uf) «3»

1260 I

50 |

1 1015 I

CO CN

I 0,0065 I

odpada |

1 odpada I

03 Ό 03 cx 8

| odpada |

0,30

O «-4

Φ

OP

at>

ao

c*>

OP

c*>

OP

c

υ

ps

U

pj

U

ĆP

n

o

to

0P

® £

X Φ

Cn

£

χ.

\

•*x

•'χ.

X

•H

«

£

•

g

•

\

o

*X.

3 fi

® I

0

£

-X»

X

χ^

*

o

υ ο

••χ.

Λί

•H

U

A

CO

H

s

C

-X.

O

43

-χ.

o

U

<tf ο

3

Tl

CO

2

U

CO

(0

’Γ“

o

O

03

tr

f)

fi

CT

S3

•ΓΊ <

\

Φ

-rł

Φ

O

*

tr

3

Φ

>i

SO

Φ

0 —

Φ ο

E4

N

C

β

Φ

o

Φ

44

O

Φ

X

34 o

S 4*

r

-Χ

Ul

C

«3

Ci

£

υ

s

Φ

>1

<xf

44

c

>

s

Φ

O

ii

3

d>

0

S3

o

44

f—t

Ul

Φ

f—t

sj 0

Ν Φ

r-

a

Cł,

3

Φ

+J

4-)

o

u

Λ

0

43

N

4C

so -H

Μ Ί—

04

CQ

Φ

N

01

o

Λί

03

σ

O

Ό

σ

0 β

tn U

«3

N

Ui

tr

o

ui

φ

>1

0

φ

43 Ci

Φ Φ

44

Ui

CT

SJ

4wf

3

φ

fi

o

r*ł

φ

3 O

Ν rd

N

σ

r

<0

SO

4->

CU

S0

ttf

43

CU

Ul 44

Ul 0

U

fi

O

Φ

Ui

o

σ> ff)

CU Ν

•rS,

SO

β

•H

Ul

SJ

44

0

SJ

O

-Η

h4

1

<0

ffl

3

c

Φ

so

σ

SJ

so

O β

Φ

+4

3

Ul

φ

Ci

0

<0

so

0

β Ό

•Η

··

•rł

<ΰ

6

σ

3

fi

4J

•rł

φ

0

44

E Φ

β

Φ

4*

o

SJ

υ

5

Φ

Ul

β

•H

34

Ui

•Η Ί—»

Φ

β

·»

V)

Φ

so

r—1

t

u

H

Ol

<0

β

44

ai

Ν

£

<0

-rł

0

«3

£

··

N

03

X

Μ

υ

SO

r*d

Ci

44

£

«3

cl

43

Ul

N

03

Φ

α

2

O

X

1

o

«3

Ui

CO

1

β

-Ν

44

4J

<0

Ul

β

N

<0

>7

Φ

Ul

O

Tl

Ul

Φ

2

β

$

-N

2

Φ

β

X

44

(0

O

Ui

E

CP

υ

X

44

tn

CJ

3

•H

C

χ

Φ

(0

£

44

N

to

Φ

£

u

U|

®

Φ

03

®

•Η

··

Φ

£

Φ

®

fi

Ul

£

N

Ui

δ

C

-Η

»*l

Ul

Ω.

U|

SO

Φ

Si)

O

3

υ

Φ

U

C

0

£

3

Λ

Ci

Φ

44

ι-Η

«-1

S0

N

ŁJ

Φ

44

H

£

44

«3

®

tn

Ο

O

<0

Φ

Ul

2

α>

β

-H

Φ

Ul

Φ

(0

e

•H

<1>

•H

Cl

Ό

φ

β

Cl.

β

fi

Ο

43

(0

Fi

03

fl)

li

u

N

Φ

N

fc->

U

£-.

Ui

Ό

<0

01

«3

s

rH

44

·>,

>1

co

2

5

173 284

Tabela 4

Ilość wytrąceń każdego typu w odniesieniu do ilości całkowitej

Typ cząstek Wielkość cząstek

Taśma walcowana na gorąco

Po wyżarzaniu WB (sposób według wynalazku)

Siarczki	Inhibitory i	5%	55%	70% \|	—
Cu	cząstki grube [			1	10%

MnS

Inhibitory cząstki grube

5%

35%

20%

5%

55%

10%

A1N	Inhibitory i	—	1 ^5% 1	10%	65%
	cząstki grube j	55%	— I	10%	—

(Stan techniki dotyczący

HGO) zgodnie stan zgodnie stan z tech- z techwynalaz niki wynalaz- niki kiem kiem

Typ cząstek Wielkość cząstek

Taśma walcowana na gorąco

Po wyżarzaniu WB (sposób według wynalazku)

Siarczki	Inhibitory B	5%	30%	70%	30%
Cu	cząstki grube j	—	10%	—	10%

MnS	Inhibitory j	—	50%	—	50%
	cząstki grube J	55%	10%	10%	10%

A1N	Inhibitory	—	—	_lo% ·· '.	—
	cząstki grube	40%	j---	10%	—

(Stan techniki dotyczący

173 284

/□ο/ υιυΌΜθζιΰήΜ mTipuacfuiąt

C\1 ο

Ll_

173 284

Równowaga rozpuszczalności MnS/Mn+S ί Cu.2S/2Cu+S

FIG. 3

Mn

Cu =

Cu

0,150%

0,130%

0,113%

0,090%

0,070%

0,050%

0,200%

0,130%

0,160%

0,140%

0,120%

0,100%

0,080%

0,060%

0,040%

0,020%

173 284

C4

05/

CO

O co

o

ŁO /6ήλλ/ z‘id XHUDM0S9u6Duiand fijoiis

173 284

S+UW-/-SUW P?

&

ł-M

O t-M

O fCJ σ>

σ $

o c

•o

OC

tr>

o

O o

o

CM

O

O / Oo/ muoMazABfiM BxnjDxadiuai

o sσ

3:

σ

Μ ω

Lu

Departament Wydawnictw UP RP Nakład 90 egz. Cena 4,00 zł

Claims

Zastrzeżenia patentowe

1. Sposób wytwarzania blach elektrotechnicznych o zorientowanym ziarnie o grubości końcowej pasa w zakresie od 0,1 do 0,5 mm, przy którym otrzymane za pomocą odlewania ciągłego lub taśmowego wlewki płaskie zawierające ponad 0,005%, korzystnie od 0,02 do 0,10% C, 2,5 do 6,5% Si i 0,03 do ,0,15% Mn najpierw przy obniżonej temperaturze wygrzewa się w jednym lub dwóch stopniach i na zakończenie walcuje się na gorąco do końcowej grubości gorącej taśmy wstępnie i na gotowo, w końcu walcowaną na gorąco taśmę do grubości końcowej wyżarza i przyspieszająco ochładza się oraz w stopniu walcowania na zimno lub w kilku stopniach walcowania na zimno walcuje się do grubości końcowej i walcowane na zimno taśmy poddaje się wyżarzaniu rekrystalizacyjnemu w atmosferze zawierającej wilgotny H2 i N2 z jednoczesnym odwęglaniem, nanoszeniu zawierającego zasadniczo MgO środka oddzielającego obustronnie na powierzchnie zimnej taśmy, wyżarzaniu wysokotemperaturowemu i w końcu wyżarzaniu ostatecznemu z powlekaniem izolacją, znamienny tym, że wlewki płaskie zawierają dodatkowo więcej niż 0,010 do 0,050% S, 0,010 do maksymalnie 0,035% Al, 0,0045 do 0,0120% N, 0,020 do 0,300% Cu, reszta Fe włącznie z zanieczyszczeniami, wytworzone wlewki płaskie przed walcowaniem na gorąco wygrzewa się w temperaturze mniejszej niż temperatura rozpuszczalności T1 dla siarczków manganu zależnie od każdorazowej zawartości Si i większej niż temperatura rozpuszczalności T 2 dla siarczków miedzi zależnie od każdorazowej zawartości Si, wygrzane wlewki płaskie następnie walcuje się na gorąco do grubości pośredniej i w końcu albo bezpośrednio walcuje się na gorąco na gotowo z temperaturą wsadu co najmniej 960°C, i z temperaturą walcowania końcowego w zakresie od 880°C do 1000°C, aż gorąca taśma będzie miała końcową grubość 1,5 do 7 mm, do dla wytrącenia azotu w ilości co najmniej 60% całkowitej zawartości azotu jako grubych cząstek A1N, walcowane na gorąco taśmy w końcu wyżarza się przez 100 do 600 s w temperaturze w zakresie od 880°C do 1150°C, a potem ochładza się z szybkością 15 K/s, dla wytrącenia azotu w maksymalnie możliwej ilości z całkowitej zawartości azotu jako grubych lub drobnych cząstek A1N i dla wytrącenia drobnych cząstek siarczku miedzi.
2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że wlewki płaskie zawierają 3,0 do 3,3% Si, 0,040 do 0,070% C, 0,050 do 0,150% Mn, 0,020 do 0,035% S, 0,015 do 0,025% Al, 0,0070 do 0,0090% N, 0,020 do 0,200% Cu, reszta żelazo włącznie z zanieczyszczeniami.
3. Sposób według zastrz. 1 albo 2, znamienny tym, że zawartość Mn, Cu i S we wlewkach płaskich ustala się tak, że iloczyn zawartości Mn i Cu dzieląc przez zawartość, S leży w zakresie od 0,1 do 0,4, to jest:

(Mn x Cu) / S = 0,1 do 0,4
4. Sposób według zastrz. 3, znamienny tym, że wlewki płaskie zawierają 0,070 do 0,100% Mn i 0,020 do 0,025% S.
5. Sposób według zastrz. 4, znamienny tym, że wlewki płaskie zawierają dodatkowo do 0,15% Sn.
6. Sposób według zastrz. 5, znamienny tym, że wlewki płaskie zawierają 0,02% do 0,06% Sn.
7. Sposób według zastrz. 6, znamienny tym, że stosuje się temperaturę wsadu wyższą od 1000°C.

173 284
8. Sposób według zastrz. 7, znamienny tym, że stosuje się temperaturę walcowania końcowego w zakresie od 900°C do 980°C.
9. Sposób według zastrz. 8, znamienny tym, że wyżarzanie walcowanej na gorąco taśmy prowadzi się w temperaturze od 950°C do 1100°C.
10. Sposób według zastrz. 9, znamienny tym, że ochładzanie po wyżarzaniu walcowanej na gorąco taśmy prowadzi się z prędkością 25 K/s.
11. Sposób według zastrz. 10, znamienny tym, że taśmy walcowane do grubości końcowej gorącej taśmy chłodzi się przyspieszając do temperatury bębna mniejszej od 700°C.
12. Sposób według zastrz. 11, znamienny tym, że walcowane na gorąco taśmy przed wyżarzaniem przez 100 do 600 s w temperaturze w zakresie od 880°C do 1150°C, a potem ochładzaniem z szybkością 15 K/s, dla wytrącenia azotu w maksymalnie możliwej ilości z całkowitej zawartości azotu jako grubych lub drobnych cząstek A1N i dla wytrącenia drobnych cząstek siarczku miedzi, najpierw wstępnie walcuje się w pierwszym stopniu walcowania na zimno do grubości pośredniej i potem po wyżarzaniu przez 100 do 600 s w temperaturze w zakresie od 880°C do 1150°C, a potem ochładzaniu z szybkością 15 K/s, dla wytrącenia azotu w maksymalnie możliwej ilości z całkowitej zawartości azotu jako grubych lub drobnych cząstek A1N i dla wytrącenia drobnych cząstek siarczku miedzi wyżarzone taśmy walcuje się w drugim stopniu walcowania na zimno ze stopniem redukcji co najmniej 65% do grubości gotowej taśmy.
13. Sposób według zastrz. 12, znamienny tym, że wyżarzone taśmy walcuje się w drugim stopniu walcowania na zimno ze stopniem redukcji co najmniej 75%.
14. Sposób według zastrz. 12 albo 13, znamienny tym, że walcowane taśmy do końcowej grubości gorącej taśmy przed pierwszym przesuniętym stopniem walcowania na zimno wyżarza się w temperaturze od 800°C do 1000°C.
15. Sposób według zastrz. 14, znamienny tym, że taśmy w ostatnim stopniu walcowania na zimno podczas co najmniej jednego przepustu utrzymuje się w temperaturze od 100°C do 300°C.
16. Blacha elektrotechniczna o zorientowanym ziarnie, znamienna tym, że po wyżarzaniu walcowanej na gorąco taśmy występuje więcej niż 60% cząstek siarczku miedzi jako inhibitora.
17. Blacha według zastrz. 16, znamienna tym, że występuje więcej niż 80% cząstek siarczku miedzi jako inhibitora.
18. Blacha według zastrz. 16 albo 17, znamienna tym, że występuje część cząstek siarczku miedzi jako cząstki siarczku miedzi i żelaza cząstek siarczku miedzi i manganu.
19. Blacha według zastrz. 18, znamienna tym, że występujące cząstki siarczku miedzi mają średnio średnicę mniejszą niż 100 nm.
20. Blacha według zastrz. 19, znamienna tym, że występujące cząstki siarczku miedzi mają średnio średnicę mniejszą niż 50 nm.

* * *