NO763550L - - Google Patents
Info
- Publication number
- NO763550L NO763550L NO763550A NO763550A NO763550L NO 763550 L NO763550 L NO 763550L NO 763550 A NO763550 A NO 763550A NO 763550 A NO763550 A NO 763550A NO 763550 L NO763550 L NO 763550L
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- halogenosilanes
- trichlorosilane
- temperature
- halogenosilane
- purified
- Prior art date
Links
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 20
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 17
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 5
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 4
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 4
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 silicon halide Chemical class 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000009918 complex formation Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005188 flotation Methods 0.000 description 1
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011551 heat transfer agent Substances 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G17/00—Compounds of germanium
- C01G17/04—Halides of germanium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
Oppfinnelsen angår en fremgangsmåte ved rensing av spesielt halogensilaner som inneholder borholdige forurensninger, ved behandling av det foreliggende utgangsmateriale i flytende fase med hydratiserte oxyder eller silikater og ved påfølgende destillasjon.
Fremstilling av silicium for halvledere og som vanligvis ut-føres ved spaltning av flyktige halogenforbindelser av silicium,
som f.eks. triklorsilan, krever meget rene utgangsmaterialer da forurensninger, spesielt slike forurensninger som bor, arsen eller fosfor, vil føre til en uønsket doping av det utskilte silicium.
Bor byr derved på. den største vanskelighet da det på grunn av sin fordelingskoeffisient på ca. 0,8 så godt som ikke lenger kan fjernes fra silicium ved digelløs aonesmelting.
Forsøkene på å overvinne dette problem har gitt seg utslag
i tallrike patentsøknader og beror nesten alle på den velkjente om-stendighet at hydrolyserbare borforbindelser hydrolyseres hurtigere enn sammenlignbare siliciumforbindelser. Således tilsettes f.eks., ved fremgangsmåten ifølge tysk utlegningsskrift rir. 1028543 en liten mengde vann til siliciumhalogenidet som skal renses, og reaksjonsproduktet underkastes en påfølgende fraksjonert destillasjon. Ifølge tysk utlegningsskrift nr. 1074560 tilsettes denne lille vannmengde finfordelt i et oppløsningsmiddel for siliciumhalogenidet eller i en inert gass, mens denne vanntilsetning ved
• fremgangsmåten ifølge tysk utlegningsskrift nr. 1046582 foretas
ved forhøyet temperatur, og spesielt ved en temperatur tett under kokepunktet for det angjeldende siliciumhalogenid. I motsetning hertil oppvarmes silangassen ifølge østerriksk patentskrift nr. 221477 som angår en fremgangsmåte ved fremstilling av silicium ved spaltning av silan, i det minste til silanets spaltningstem-peratur sammen med den vannmengde som er nødvendig for hydrolysen av de inneholdte borforbindelser.
De ovenfor beskrevne fremgangsmåter fører imidlertid til en
mer eller mindre sterk.n-dbping av det utskilte halvledermateriale, f.eks. på grunn av det fosfor som oppløses, fra stålet i destilla-sjonskolonnen som følge av den syre som dannes ved hydrolysen.
Ved fremgangsmåten ifølge tysk utlegningsskrift nr. 1154796
blir denne ulempe vidtgående overvunnet ved at siliciumforbindelsen som skal renses, behandles i flytende fase med hydratiserte oxyder eller silikater hvori borforurensningene holdes, tilbake i kompleks form. Ulempen ved denne fremgangsmåte beror på at den er uegnet for kontinuerlig utførelse da oxydene og silikatene, som f.eks. aluminiumoxyd eller silikagel, begge må aktiveres i 16 timer ved 270°C før de tilsettes. Det er en ytterligere ulempe ved alle de omtalte fremgangsmåter at de delvis hydrolyserte eller komplekserte, tungtflyktige borforbindelser tildels medrives av utgangsmaterialet og ved utførelse av fremgangsmåten i teknisk målestokk igjen lett spaltes til flyktige bestanddeler på de fordampningsapparatover-flater som ved disse fremgangsmåter vanligvis oppvarmes med overopphetet vanndamp. Disse lett flyktige bestanddeler avdestilleres derefter sammen med det halogensilan som skal renses.
Slike ulemper ved rensingen av spesielt halogensilaner .som inneholder borholdige forurensninger, overvinnes ved den foreliggende fremgangsmåte som er særpreget ved at de halogensilaner som skal renses, behandles med hydratiserte oxyder eller silikater med et fritt vanninnhold på 3 - 8 vekt% og destilleres ved en temperatur for varmeveksleroverflåtene som bare er litt høyere enn kokepunktet for det angjeldende halogensilan.
Utførelsen av den foreliggende fremgangsmåte er nærmere beskrevet nedenfor under henvisning til tegningen.
Det urensede halogensilan, f.eks. triklorsilan erholdt ved omsetning av hydrogenklorid med silicium,. som inneholder bl.a. bortriklorid og hydrolyserte borkomplekser på grunn av en alltid tilstedeværende.restfuktighet i systemet, tilføres til avdrivnings-kolonnen 1. I motsetning til den vanlige fremgangsmåte oppvarmes imidlertid kolonnen ikke med opphetet vanndamp, men med varmt vann med en temperatur som fortrinnsvis ikke er høyere enn 50°C og fortrinnsvis 3-15°C høyere enn kokepunktet for de.t angjeldende halogensilan og som f.eks. for triklorsilan fortrinnsvis er 35-50°C.
Triklorsilanet som har et kokepunkt på 32°C, oppvarmes
riktignok til koking, mén de inneholdte, høytkokende borkomplekser som dannes på grunn av fremstillingen, spaltes ikke fordi .varmeut-veksleroverflåtene 2 har en vesentlig lavere overflatetemperatur. Mens det lettkokende bortriklorid fjernes via kolonnetoppen 3, fjernes flytende triklorsilan med de høytkokende borforbindelser og eventuelt med ikke fullstendig fraskilt bortriklorid fra viften
4 og tilføres til en adsorpsjonsanordning 5.
Adsorpsjonsanordningen 5 er fylt med hydratiserte oxyder
hhv. silikater hvortil så meget vann periodevis tilføres at de alltid vil inneholde 3-8 vekt%, fortrinnsvis 4-6 vekt%, fritt vann som her ikke.er ment å omfatte komplekst bundet vann. Som hydratiserte oxyder hhv. silikater kan f.eks. aluminiumoxydgél, titandioxyd-gel, jernoxydgel, magriesiumhydroxyd, kiselgur eller fortrinnsvis silikagel anvendes. De høytkokende borkomplekser adsorberes på dette materiale, mens bortriklorid hydrolyseres og inngår kompleks-dannelse. De høytkokende borkomplekser som tildels sammen med flytende triklorsilan går over i oppdriftskolonnen 6, kan lett fjernes rjennom viften 7 da borkompleksene.ikke kan spaltes på varmeveksleroverf låtene 8 som likeledes . istedenfor med. som vanlig opphetet vanndamp bare oppvarmes med vamt vann ved en temperatur som ikke er høyere enn 50°C, fortrinnsvis 3-15°C, over kokepunktet for det angjeldende halogensilan. Det fra toppen 9 fjernede halogensilan, f.eks. triklorsilan, er derfor, meget rent og inneholder, ikke lenger bor.
For å tilføre det rensede, gassformige triklorsilan til siliciumsepareringsreaktoren blir dette først igjen kondensert i kondensatoren 11 og innført i metningstanken 13 fortrinnsvis via en lagringstank 12. Triklorsilanet som strømmer inn i metningstanken 13, oppvarmes av en varmespiral som er gjennomstrømmet av varmt vann med en temperatur som fortrinnsvis likeledes ikke er høyere enn 50°C, helst 3-15°C, enn triklorsilanets hhv. det generelt tilsvarende halogensilans kokepunkt. Dessuten tilføres ytterligere hydrogen til metningstanken 13 som bobler gjennom det flytende triklors.ilan og derved tar opp triklorsilan. Blandingen av triklorsilan og hydrogen fra metningstanken 13 tilføres derefter til separeringsreaktoren 10, mens eventuelle gjenværende rester tømmes ut gjennom avløpet 15. De varmeveksleroverflater som anvendes for utførelse av den foreliggende fremgangsmåte og som oppvarmes med varmt vann, må da utføres med en tilsvarende stor overflate sammenlignet med de vanlige varmespiraler som gjennom-strømmes av overopphetet vanndamp, for å kunne tilføre den nødvendige energi til halogensilanet for at dette skal fordampe. Fordampnings-apparatets overflatestørrelse er derved avhengig av varmtvannets temperatur. Jo lavere temperaturen ligger over kokepunktet for halogensilanet som skal renses, desto større er vanligvis den for-ventede rensevirkning.
Den foreliggende fremgangsmåte som fortrinnsvis anvendes for rensing av borholdig triklorsilan på den ovenfor beskrevne kon-tinuerlige måte, kan selvfølgelig også utføres diskontinuerlig og egner seg også like godt for rensing av andre halogensilaner eller også halogengermaner, som f.eks. SiCl., SiH„Cl„, Si„Clr eller GeCl.. 4 z 22. b 4 Anvendelsen av ikke-aktiverte, hydrolyserte oxyder og silikater som inneholder fritt vann som adsorpsjonsmaterialer, bidrar til en sterk forkortning av reaksjonstiden sammenlignet med fremgangsmåten ifølge tysk utlegningsskrift nr* 1154796. Avdestilleringen av halogensilanet med varmeoverføringsmidler med en temperatur som ifølge oppfinnelsen bare er litt høyere enn halogensilanets kokepunkt, fører til at høytkokende borkomplekser ikke spaltes og dermed til et meget rent halogensilan. Med halogensilanet renset ved hjelp av den foreliggende fremgangsmåte er det mulig å utskille silicium med en borverdi på over 35000 cm,p.
Eksempel 1
Et handelstilgjengelig, urenset triklorsilan ble fordampet ved atmosfæretrykk i et fordampningsapparat som ble oppvarmet med opphetet damp med en temperatur på 120°C, idet ytterligere hydrogen ble innført i fordampningsapparatet. Gassblandingeri av triklorsilan og vanndamp som ble fjernet fra fordampningsapparatet, ble derefter tilført til en siliciumsepareringsreaktor. Derefter ble det silicium som var blitt utskilt fra denne blanding, trukket i flere soner under vakuum ved anvendelse av den digelløse sone-trekkeprosess, hvorved alle dopemidler, med unntagelse av bor, vidtgående ble fjernet fra siliciumet. Stangens spesifikke elektriske motstand var 230 Jl cm,p.
Eksempel 2
Triklorsilanet ifølge eksempel 1 ble destillert ved atmosfæretrykk i en oppdriftskolonne som ble oppvarmet med varmt vann med en temperatur på 35°C, og derefter tilført til et fordampningsapparat som ble oppvarmet med vanndamp med en temperatur på 120°C/idet likeledes ytterligere hydrogen ble innført i fordampningsapparatet. Det silicium som ble separert fra gassblandingen og som ble sonetrukket som beskrevet i eksempel 1, hadde en spesifikk elektrisk motstand på 4800 cm,p.
Eksempel 3
Det samme triklorsilan som ble anvendt i eksempel 1, ble presset gjennom en adsorpsjonskolonne som var fylt med silikagel som inneholdt 6 vekt% fritt vann. Derefter ble triklorsilanet destillert ved atmosfæretrykk i en oppdriftskolonne som ble oppvarmet med varmt vann med en temperatur på.3 5°C, og tilført til en metningstank som likeledes ble oppvarmet med varmt vann med en temperatur på 35°C, idet ytterligere hydrogen ble innført i metningstanken. Det silicium som ble separert fra gassblandingen og som ble sonetrukket på samme måte som beskrevet i eksempel 1, hadde en spesifikk elektrisk motstand på 35000 cm.p.
Claims (5)
1. Fremgangsmåte ved rensing av halogensilaner, spesielt halogensilaner som inneholder borholdige forurensninger, ved behandling av utgangsmaterialet i flytende fase med hydratiserte oxyder og silikater og ved påfølgende destillasjon, karakterisert
ved at halogensilanene som skal renses, behandles med hydratiserte oxyder eller silikater som inneholder 3-8 vekt% fritt vann,
og destilleres ved en temperatur på varmeveksleroverflåtene som bare er litt høyere enn kokepunktet for det angjeldende halogensilan.
2. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at halogensilanene som skal renses, behandles med silikagel inneholdende 4-6 vekt% fritt vann.
Fremgangsmåte ifølge krav 1 eller 2, karakterisert ved at halogensilanene destilleres ved atmosfæretrykk og en temperatur på varmeveksleroverflåtene som er 3-15°C høyere enn kokepunktet for det angjeldende halogensilan.
4. Fremgangsmåte ifølge krav 1-3, karakterisert ved at rensingen utføres kontinuerlig.
5. Fremgangsmåte ifølge krav 1-4, karakterisert ved at triklorsilan tilføres som det halogensilan som skal renses.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2546957A DE2546957C3 (de) | 1975-10-20 | 1975-10-20 | Verfahren zur Reinigung von Halogensilanen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO763550L true NO763550L (no) | 1977-04-21 |
Family
ID=5959600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO763550A NO763550L (no) | 1975-10-20 | 1976-10-19 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4112057A (no) |
JP (1) | JPS5250996A (no) |
BE (1) | BE847392A (no) |
CA (1) | CA1079679A (no) |
DE (1) | DE2546957C3 (no) |
DK (1) | DK426476A (no) |
FR (1) | FR2328659A1 (no) |
GB (1) | GB1556830A (no) |
IT (1) | IT1069277B (no) |
NL (1) | NL7610374A (no) |
NO (1) | NO763550L (no) |
SE (1) | SE7611604L (no) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0054650B1 (de) * | 1980-12-24 | 1986-01-29 | Hüls Troisdorf Aktiengesellschaft | Verfahren zum Reinigen von Chlorsilanen |
US4755370A (en) * | 1982-03-18 | 1988-07-05 | General Electric Company | Purification of silicon halides |
WO1983003244A1 (en) * | 1982-03-18 | 1983-09-29 | Gen Electric | Purification of silicon halides |
US4713230A (en) * | 1982-09-29 | 1987-12-15 | Dow Corning Corporation | Purification of chlorosilanes |
CA1207127A (en) | 1982-09-29 | 1986-07-08 | Dow Corning Corporation | Purification of chlorosilanes |
JP2532313B2 (ja) * | 1991-06-07 | 1996-09-11 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 高圧容器 |
JP2564731B2 (ja) * | 1992-05-12 | 1996-12-18 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 反応性気体が充填された高圧容器の作製方法 |
DE102007014107A1 (de) * | 2007-03-21 | 2008-09-25 | Evonik Degussa Gmbh | Aufarbeitung borhaltiger Chlorsilanströme |
DE112008002299T5 (de) | 2007-08-29 | 2010-07-22 | Dynamic Engineering, Inc., Sturgis | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
US20090060819A1 (en) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Bill Jr Jon M | Process for producing trichlorosilane |
JP4714196B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2011-06-29 | 信越化学工業株式会社 | トリクロロシランの製造方法および多結晶シリコンの製造方法 |
JP4714198B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2011-06-29 | 信越化学工業株式会社 | クロロシラン類の精製方法 |
JP4714197B2 (ja) | 2007-09-05 | 2011-06-29 | 信越化学工業株式会社 | トリクロロシランの製造方法および多結晶シリコンの製造方法 |
JP4659798B2 (ja) | 2007-09-05 | 2011-03-30 | 信越化学工業株式会社 | トリクロロシランの製造方法 |
DE102007050199A1 (de) * | 2007-10-20 | 2009-04-23 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen |
DE102008002537A1 (de) | 2008-06-19 | 2009-12-24 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Entfernung von Bor enthaltenden Verunreinigungen aus Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens |
DE102008041334A1 (de) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | Evonik Degussa Gmbh | Herstellung von Silizium durch Umsetzung von Siliziumoxid und Siliziumcarbid gegebenenfalls in Gegenwart einer zweiten Kohlenstoffquelle |
CN102171141A (zh) | 2008-09-30 | 2011-08-31 | 赢创德固赛有限公司 | 由二氧化硅制备太阳能级硅 |
US20100124525A1 (en) * | 2008-11-19 | 2010-05-20 | Kuyen Li | ZERO-HEAT-BURDEN FLUIDIZED BED REACTOR FOR HYDRO-CHLORINATION OF SiCl4 and M.G.-Si |
KR20100073304A (ko) * | 2008-12-23 | 2010-07-01 | 삼성전자주식회사 | 대기정화장치 및 그의 대기정화방법 |
JP5542026B2 (ja) | 2010-10-27 | 2014-07-09 | 信越化学工業株式会社 | クロロシラン類の精製方法 |
EP2792640B1 (en) * | 2011-12-16 | 2016-11-16 | Toagosei Co., Ltd. | Method for producing high-purity chloropolysilane |
CN106163628B (zh) * | 2014-03-18 | 2019-03-22 | 曼瑟森三汽油公司 | 在三氯化硼中减少四氯化硅的方法及装置 |
US20220411273A1 (en) | 2019-11-27 | 2022-12-29 | Wacker Chemie Ag | Method for removing an impurity from a chlorosilane mixture |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1028543B (de) * | 1954-12-17 | 1958-04-24 | Siemens Ag | Verfahren zum Reinigen von mit Wasser Gel bildenden Halogeniden, insbesondere des Germaniums oder Siliciums, vorzugsweise fuer die Herstellung von Halbleiterstoffen |
US2812235A (en) * | 1955-09-16 | 1957-11-05 | Bell Telephone Labor Inc | Method of purifying volatile compounds of germanium and silicon |
DE1073460B (de) * | 1958-01-11 | 1960-01-21 | LICENTIA Patent-Verwaltungs-G.m.b.H., Frankfurt/M | Verfahren zum Reinigen von Silan oder chlorierten Silanen |
DE1134973B (de) * | 1958-07-15 | 1962-08-23 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochreinen Siliciumhalogeniden |
GB877477A (en) * | 1958-10-28 | 1961-09-13 | Westinghouse Electric Corp | Improvements in or relating to the purification of halosilanes |
US3540861A (en) * | 1968-02-07 | 1970-11-17 | Union Carbide Corp | Purification of silicon compounds |
-
1975
- 1975-10-20 DE DE2546957A patent/DE2546957C3/de not_active Expired
-
1976
- 1976-09-09 GB GB37432/76A patent/GB1556830A/en not_active Expired
- 1976-09-17 NL NL7610374A patent/NL7610374A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-09-22 DK DK426476A patent/DK426476A/da not_active Application Discontinuation
- 1976-09-22 FR FR7628523A patent/FR2328659A1/fr active Granted
- 1976-10-14 US US05/732,269 patent/US4112057A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-10-18 CA CA263,603A patent/CA1079679A/en not_active Expired
- 1976-10-18 IT IT51774/76A patent/IT1069277B/it active
- 1976-10-18 BE BE171593A patent/BE847392A/xx unknown
- 1976-10-19 NO NO763550A patent/NO763550L/no unknown
- 1976-10-19 SE SE7611604A patent/SE7611604L/xx unknown
- 1976-10-20 JP JP51126009A patent/JPS5250996A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2328659B1 (no) | 1978-12-15 |
CA1079679A (en) | 1980-06-17 |
US4112057A (en) | 1978-09-05 |
BE847392A (fr) | 1977-04-18 |
DE2546957B2 (de) | 1980-02-21 |
NL7610374A (nl) | 1977-04-22 |
JPS5250996A (en) | 1977-04-23 |
GB1556830A (en) | 1979-11-28 |
JPS5632247B2 (no) | 1981-07-27 |
SE7611604L (sv) | 1977-04-21 |
FR2328659A1 (fr) | 1977-05-20 |
DE2546957A1 (de) | 1977-04-21 |
DK426476A (da) | 1977-04-21 |
IT1069277B (it) | 1985-03-25 |
DE2546957C3 (de) | 1980-10-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO763550L (no) | ||
JP2863774B2 (ja) | Cvd法による半導体シリコンの蒸着法 | |
CN101815672B (zh) | 制备高纯度六氯乙硅烷的方法 | |
US7879198B2 (en) | Processes for the purification of trichlorosilane and silicon tetrachloride | |
TWI580710B (zh) | 鹵化聚矽烷的製備方法 | |
EP2294006A1 (de) | Verfahren zur entfernung von bor enthaltenden verunreinigungen aus halogensilanen sowie anlage zur durchführung des verfahrens | |
GB855913A (en) | Improvements in or relating to the manufacture of silicon | |
US4755370A (en) | Purification of silicon halides | |
US3540861A (en) | Purification of silicon compounds | |
CN110799458A (zh) | 用于制备锗-硅-层的三苯基甲锗烷基甲硅烷和三氯甲硅烷基-三氯甲锗烷以及由三氯甲硅烷基-三苯基甲锗烷制备其的方法 | |
US3041145A (en) | Production of pure silicon | |
CN101107196A (zh) | 六氯化二硅的精制方法和高纯度六氯化二硅 | |
US4176169A (en) | Method of extracting iodine from liquid mixtures of iodine, water and hydrogen iodide | |
US3212922A (en) | Producing single crystal semiconducting silicon | |
JP5507498B2 (ja) | クロロシラン類の精製方法 | |
JPH026318A (ja) | ケイ素の気相析出で生じた液状またはガス状物質からn型ドーピング不純物を除去する方法 | |
US5545743A (en) | Process for heat-fractionation of organosilanes | |
JP7028604B2 (ja) | ヘキサクロロジシランの製造方法 | |
JP2015113250A (ja) | テトラクロロシランの精製方法 | |
US5175330A (en) | Process for the recovery of hydrogen chloride and monomeric alkoxysilanes from mixtures of chloride-containing silicon compounds | |
TWI472486B (zh) | 用於純化三氯矽烷及四氯化矽之方法和裝置 | |
US3359186A (en) | Distillation of dimethylchlorosilane in presence of added hic | |
CA2477622A1 (en) | Preparation of mixed-halogen halo-silanes | |
CN219898098U (zh) | 一种甲基氯硅烷水解物脱氯系统 | |
US3323867A (en) | Preparation of diborane |