NO346493B1 - Kapasitiv akselerasjonssensor - Google Patents

Kapasitiv akselerasjonssensor Download PDF

Info

Publication number
NO346493B1
NO346493B1 NO20054579A NO20054579A NO346493B1 NO 346493 B1 NO346493 B1 NO 346493B1 NO 20054579 A NO20054579 A NO 20054579A NO 20054579 A NO20054579 A NO 20054579A NO 346493 B1 NO346493 B1 NO 346493B1
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
acceleration sensor
electrodes
accordance
top layer
insulator
Prior art date
Application number
NO20054579A
Other languages
English (en)
Other versions
NO20054579L (no
Inventor
Heikki Kuisma
Juha Lahdenperä
Risto Mutikainen
Original Assignee
Murata Manufacturing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co filed Critical Murata Manufacturing Co
Publication of NO20054579L publication Critical patent/NO20054579L/no
Publication of NO346493B1 publication Critical patent/NO346493B1/no

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R15/00Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
    • G01R15/12Circuits for multi-testers, i.e. multimeters, e.g. for measuring voltage, current, or impedance at will
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0002Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
    • B81B3/0013Structures dimensioned for mechanical prevention of stiction, e.g. spring with increased stiffness
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00912Treatments or methods for avoiding stiction of flexible or moving parts of MEMS
    • B81C1/0096For avoiding stiction when the device is in use, i.e. after manufacture has been completed
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802Details
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • B81B2201/0228Inertial sensors
    • B81B2201/0235Accelerometers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/11Treatments for avoiding stiction of elastic or moving parts of MEMS
    • B81C2201/112Depositing an anti-stiction or passivation coating, e.g. on the elastic or moving parts

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

Teknisk område
Den foreliggende oppfinnelsen angår målingsanordninger som anvendes for måling av akselerasjon, og spesifikt til kapasitive akselerasjonssensorer. Oppfinnelsen tilveiebringer en forbedret, mer varig sensorkonstruksjon, som bedre motstår slitasjen forårsaket av overbelastningssituasjoner.
Kjent teknikk
Måling basert på en kapasitiv akselerasjonssensor er vist å ha et enkelt prinsipp og å tilveiebringe en pålitelig fremgangsmåte for måling av akselerasjon. Den kapasitive målingen er basert på en endring i et gap mellom to overflater hos et par elektroder i sensoren. Kapasitansen mellom overflatene, eller kapasitansen for lagring av elektrisk ladning, avhenger av arealet til overflatene og avstanden mellom overflatene. Kapasitiv måling kan allerede anvendes ved ganske lave målingsområder for akselerasjon.
Kjent teknikk vil bli beskrevet nedenfor med eksemplarisk henvisning til den vedlagte figur 1, som viser et sideriss av en konstruksjon av et par elektroder hos en akselerasjonssensor i samsvar med kjent teknikk.
Fig. 1 viser et sideriss av konstruksjonen av et par elektroder av en akselerasjonssensor i samsvar med kjent teknikk. Parene av elektrodene hos akselerasjonssensoren i samsvar med kjent teknikk omfatter en bevegelig elektrode 1, som beveger seg i samsvar med akselerasjonen, og en stasjonær elektrode 2. Den bevegelige elektroden 1, som er den delen 1 av akselerasjonssensoren som er responsiv for akselerasjon, støttes av fjærer, og avhengig av akselerasjonen beveger den seg i forhold til den stasjonære elektroden 2. Den bevegelige elektroden 1 og den stasjonære elektroden 2 danner et par elektroder som konverterer akselerasjonen til en kvantitet som kan måles elektrisk, dvs. kapasitans. Generelt omfatter akselerasjonssensoren i samsvar med kjent teknikk også et andre par elektroder på den motsatte siden av den bevegelige elektroden 1, som ikke er vist i figuren for klarhets skyld.
Ved måling av akselerasjon avhenger kapasitansen mellom den bevegelige elektroden 1 og den stasjonære elektroden 2 hos paret elektroder hos sensoren, dvs. kapasitansen for lagring av elektrisk ladning, av arealet hos overflaten og avstanden mellom overflatene. Ettersom akselerasjon gjennom bevegelse påføres objektet som skal måles, følger den stasjonære elektroden 2 bevegelsen til objektet som skal måles. Den bevegelige elektroden 1 forsøker å forbli i sin posisjon på grunn av treghetskrefter, og beveger seg på denne måten i forhold til den stasjonære elektroden 2. Avstanden mellom den bevegelige elektroden 1 og den stasjonære elektroden 2, og følgelig også den målbare kapasitansen, endres.
Paret elektroder hos en akselerasjonssensor av kjent type omfatter også et isolasjonsfremspring 3. Paret elektroder kan også ha flere isolasjonsfremspring 3. Et isolasjonsfremspring begrenser bevegelsen av den bevegelige elektroden 1, som er støttet av fjærene, og hindrer kontakt mellom elektrodene 1, 2 i tilfelle overbelastning, og hindrer på denne måten også kortslutning av målekretsen.
Bruken av et isolasjonsfremspring er f.eks. beskrevet i publikasjonen US 5 367429. Bruken av beleggsmaterialer for belegging av hele mikromaskinerte konstruksjoner eller substratet i sin helhet er f.eks. beskrevet i publikasjon US 6 404028 og i publikasjonen US 5 644 455.
Generelt anvendes dielektriske fremspring som isolatorfremspring 3. I følsomme akselerasjonssensorer er de gjenopprettende fjærkreftene hos konstruksjonen svake, slik at overflatekrefter kan forårsake temporært eller permanent testing av den bevegelige elektroden 1 til den stasjonære elektroden 2, noe som dermed hindrer funksjonen til sensoren.
Spesielt har det vært gjort forsøk på å hindre festing i overflaten hos mikromekaniske akselerasjonssensorer ved hjelp av ulike ruhets- eller beleggingsbehandlinger. F.eks. har det vært pålagt overflatekreftereduserende filmer av typen lipide filmer eller fluorpolymerer på konstruksjonene.
I sensorkonstruksjonene relatert til den foreliggende oppfinnelsen kan det videre inntreffe mekanisk slitasje på isolatorfremspringene under produksjonsprosessen. Oksidfremspring med slitasje kan bli deformert og de kan også mekanisk låses til en like slitt silikonoverflate.
Sammendrag av oppfinnelsen
Formålet med den foreliggende oppfinnelsen er å tilveiebringe en forbedret sensorkonstruksjon, som hindrer festing mellom elektrodene og som bedre motstår slitasje forårsaket av overbelastningssituasjoner.
I samsvar med den foreliggende oppfinnelsen er det tilveiebragt en kapasitiv akselerasjonssensor ifølge det selvstendige patentkravet 1, omfattende minst ett par elektroder. Paret elektroder omfatter en bevegelig elektrode som er responderer på akselerasjon, og minst én stasjonær elektrode. En isolatorlagstruktur er anbragt på den stasjonære elektroden. Isolatorlagstrukturen har en tolags komposittstruktur med et grunnlag og et topplag. Grunnlaget består av oksid, topplaget er et diamantliknende DLC-belegg. Grunnlaget er vesentligere tykkere enn topplaget.
Utførelser av den kapasitive akselerasjonssensoren er angitt i de uselvstendige patentkravene.
Fortrinnsvis strekker topplagets diamantlignende DLC-belegg seg også på sidene av isolatorlagstrukturen. Fortrinnsvis strekker også topplagets diamantlignende DLC-belegg seg også forbi sidene hos isolatorlagstrukturen til området hos den stasjonære elektroden.
Paret av elektroder av akselerasjonssensorer kan omfatte flere isolatorlagstrukturer. Isolatorlagstrukturene er fortrinnsvis anbrakt på begge sider av den bevegelige elektroden. Fortrinnsvis er isolatorfremspringene anbrakt på en stasjonær elektrode. Alternativt er isolatorfremspringene anbrakt på den bevegelige elektroden.
Fortrinnsvis dyrkes det diamantlignende DLC-belegget for isolatorlagstrukturen ved ionestråleavsetting. Alternativt dyrkes det diamantlignende DLC-belegget for isolatorlagstrukturen ved plasmaforsterket kjemisk-dampavsetting (eng: plasma enhanced chemical vapour deposition). Alternativt dyrkes det diamantlignende DLC-belegget for isolatorlagstrukturen ved lysbueutladningsavsetting.
Fortrinnsvis er kvaliteten til den diamantlignende DLC-beleggfilmen for isolatorlagstrukturen forbedret ved å øke andelen sp<3>/sp<2>-bindinger. Fortrinnsvis er kvaliteten til den diamantlignende DLC-beleggfilmen for isolatorlagstrukturen en forbedret ved reduksjon av hydrogeninnholdet hos den diamantlignende DLC-beleggfilmen.
Kort beskrivelse av tegningene
Den foreliggende oppfinnelsen og de foretrukne utførelsesformene av denne vil bli beskrevet nedenfor i detalj med henvisning til de vedlagte tegningene, hvor:
Fig. 1 viser et sideriss av konstruksjonen av et par elektroder hos en akselerasjonssensor i samsvar med kjent teknikk,
Fig. 2 viser et sideriss av konstruksjonen av et par elektroder hos en akselerasjonssensor i samsvar med den foreliggende oppfinnelsen.
Fig. 1 ble beskrevet ovenfor. Den foreliggende oppfinnelsen og foretrukne fremgangsmåter for implementering av denne er beskrevet nedenfor med henvisning til fig. 2.
Detaljert beskrivelse av oppfinnelsen
I akselerasjonssensoren i samsvar med den foreliggende oppfinnelsen er en isolatorlagstruktur/et isolatorfremspring hos et par elektroder belagt med et diamantliknende DLC-belegg (DLC: Diamond Like Carbon). Ved løsningen i samsvar med den foreliggende oppfinnelsen kan klistringskreftene minkes og slitasjen hos elektrodene reduseres.
Fig. 2 viser et sideriss av konstruksjonen av et par av elektroder hos en akselerasjonssensor i samsvar med den foreliggende oppfinnelsen. Paret av elektroder hos akselerasjonssensoren i samsvar med den foreliggende oppfinnelsen omfatter en bevegelig elektrode 4 og en stasjonær elektrode 5. Generelt omfatter også akselerasjonssensoren i samsvar med den foreliggende oppfinnelsen et andre par elektroder på den motsatte siden av den stasjonære elektroden 4, som for klarhets skyld ikke er vist i figuren.
Parene av elektroder hos akselerasjonssensoren i samsvar med den foreliggende oppfinnelsen omfatter videre en isolatorlagstruktur her vist som et isolatorfremspring 6. Isolatorfremspringet 6 er belagt med et diamantlignende DLC-belegg (DLC: Diamond Like Carbon).
Isolatorfremspringet 6 i samsvar med den foreliggende oppfinnelsen er en tolags komposittkonstruksjon, med et grunnlag som er tykkere og laget av et enkelt avsettbart materiale, f.eks. oksid, og grunnlaget er i sin tur belagt med et tynnere topplag av det diamantliknende DLC-belegget. Det diamantlignende DLC-belegget hos topplaget kan også strekke seg på sidene hos isolatorfremspringet 6, eller også utover kantene av isolatorfremspringet 6 til området av den stasjonære elektroden 5. Paret av elektroder hos akselerasjonssensoren i samsvar med den foreliggende oppfinnelsen kan omfatte et flertall isolatorfremspring 6. Isolatorfremspringene 6 kan posisjoneres på begge sider av den bevegelige elektroden 4. Typisk anbringes isolatorfremspringet 6 på den stasjonære elektroden 5, men alternativt kan isolatorfremspringet anbringes på den bevegelige elektroden 4.
I samsvar med den foreliggende oppfinnelsen kan det diamantliknende DLC-belegget for isolatorfremspringet 6 hos paret elektroder hos akselerasjonssensoren avsettes ved ulike fremgangsmåter. DLC-belegget kan dyrkes ved ionestråleavsetting, eller alternativt ved plasmaforsterket kjemisk dampavsetting (PECVD), og videre alternativt ved lysbueutladningsavsetting.
Kvaliteten til den diamantliknende DLC-beleggsfilmen på isolatorfremspringet 6 i samsvar med den foreliggende oppfinnelsen kan forbedres ved å øke forholdet mellom bindingene sp<3>/sp<2>, eller alternativt ved å redusere hydrogeninnholdet hos den diamantliknende DLC-beleggsfilmen.
Det diamantliknende DLC-belegget hos isolatorfremspringet 6 hos paret av elektroder hos akselerasjonssensoren i samsvar med den foreliggende oppfinnelsen motstår slitasje og den tilveiebringer lave overflatekrefter som ville kunne forårsake sammenklistring av elektrodene.
Overflatekreftene hos den tolags komposittkonstruksjonen i samsvar med den foreliggende oppfinnelsen er lavere enn i tilfellet med rene oksidfremspring. På denne måten kan sammenklistring av den bevegelige elektroden 4 og den stasjonære elektroden 5, f.eks. under overbelastningssituasjoner, unngås.
Slitasje hos isolatorfremspringene kan unngås ved løsningen i samsvar med den foreliggende oppfinnelsen beroende på den lave friksjonskoeffisienten og den forbedrede motstand mot slitasje hos den tolags komposittposisjonen.
Ved løsningen i samsvar med den foreliggende oppfinnelsen hindres mekanisk slitasje av isolatorfremspringet under fremstillingsprosessen. Ved å hindre mekanisk låsing mellom elektrodene forbedrer det friksjonsreduserende, slitasjemotstående belegget i samsvar med oppfinnelsen oppførselen til paret av elektroder hos akselerasjonssensoren.

Claims (6)

PATENTKRAV
1. Kapasitiv akselerasjonssensor omfattende minst ett par elektroder, paret av elektroder omfatter:
-en bevegelig elektrode (4) som responderer på akselerasjon,
-minst én stasjonær elektrode (5),
k a r a k t e r i s e r t v e d at
-minst en isolatorlagstruktur er anbrakt på den stasjonære elektroden ( 5), hvori
- isolatorlagstrukturen har en tolags komposittstruktur med et grunnlag og et topplag,
-grunnlaget består av oksid, topplaget er et diamantliknende DLC-belegg, og grunnlaget er vesentligere tykkere enn topplaget, det diamantliknende DLC-belegget hos topplaget strekker seg også på sidene av isolatorlagstrukturen (6).
2. Kapasitiv akselerasjonssensor i samsvar med krav 1,
k a r a k t e r i s e r t v e d at det diamantliknende DLC-belegget hos topplaget også strekker seg over kantene av isolatorlagstrukturen (6) på området til den stasjonære elektroden (5).
3. Kapasitiv akselerasjonssensor i samsvar med et av kravene 1 eller 2, k a r a k t e r i s e r t v e d at paret elektroder hos akselerasjonssensoren omfatter flere isolatorlagstrukturer (6).
4. Kapasitiv akselerasjonssensor i samsvar med et av kravene 1-3 ovenfor, k a r a k t e r i s e r t v e d at topplaget dyrkes ved ionestråleavsetning.
5. Kapasitiv akselerasjonssensor i samsvar med et av kravene 1-3,
k a r a k t e r i s e r t v e d at topplaget dyrkes ved plasmaforsterket kjemiskdampavsetting.
6. Kapasitiv akselerasjonssensor i samsvar med et av kravene 1-3,
k a r a k t e r i s e r t v e d at topplaget dyrkes ved lysbueutladningsavsetting.
NO20054579A 2003-03-05 2004-02-11 Kapasitiv akselerasjonssensor NO346493B1 (no)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20030338A FI119527B (fi) 2003-03-05 2003-03-05 Kapasitiivinen kiihtyvyysanturi
PCT/FI2004/000062 WO2004079373A1 (en) 2003-03-05 2004-02-11 Capacitive acceleration sensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NO20054579L NO20054579L (no) 2005-10-05
NO346493B1 true NO346493B1 (no) 2022-09-05

Family

ID=8565768

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO20054579A NO346493B1 (no) 2003-03-05 2004-02-11 Kapasitiv akselerasjonssensor

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6938485B2 (no)
EP (1) EP1599736B1 (no)
JP (3) JP2006519387A (no)
KR (1) KR101062631B1 (no)
CH (1) CH697268B1 (no)
DE (1) DE112004000353T5 (no)
FI (1) FI119527B (no)
NO (1) NO346493B1 (no)
WO (1) WO2004079373A1 (no)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011112390A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Panasonic Electric Works Co Ltd 加速度センサ
JP5789737B2 (ja) * 2009-11-24 2015-10-07 パナソニックIpマネジメント株式会社 加速度センサ
EP2506018A4 (en) 2009-11-24 2013-06-19 Panasonic Corp ACCELERATION SENSOR
JP2011112392A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Panasonic Electric Works Co Ltd 加速度センサ
JP5716149B2 (ja) * 2009-11-24 2015-05-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 加速度センサ
JP2011112389A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Panasonic Electric Works Co Ltd 加速度センサ
JP2012008022A (ja) * 2010-06-25 2012-01-12 Panasonic Electric Works Co Ltd 加速度センサ
US9065358B2 (en) 2011-07-11 2015-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS structure and method of forming same
US9085456B2 (en) 2012-01-16 2015-07-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Support structure for TSV in MEMS structure
JP6155832B2 (ja) * 2013-05-16 2017-07-05 セイコーエプソン株式会社 センサー素子、電子機器、および移動体
JP6661941B2 (ja) * 2015-09-29 2020-03-11 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、センサーデバイス、電子機器および移動体
US10384929B2 (en) 2016-03-22 2019-08-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Impact element for a sensor device and a manufacturing method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5367429A (en) * 1991-10-18 1994-11-22 Hitachi, Ltd Electrostatic type micro transducer and control system using the same
US5644455A (en) * 1993-12-30 1997-07-01 Seagate Technology, Inc. Amorphous diamond-like carbon gaps in magnetoresistive heads
US6404028B1 (en) * 1997-04-21 2002-06-11 Ford Global Technologies, Inc. Adhesion resistant micromachined structure and coating

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03296662A (ja) * 1990-04-16 1991-12-27 Ricoh Co Ltd 微小機械素子
JP2816235B2 (ja) * 1990-05-30 1998-10-27 株式会社日立製作所 半導体加速度センサとそれを用いたエアバックシステムおよびサスペンション制御システム
JPH05273231A (ja) * 1992-03-27 1993-10-22 Toyoda Mach Works Ltd 容量型加速度センサ
JPH06213924A (ja) 1993-01-13 1994-08-05 Hitachi Ltd トランスジューサ、これを利用したマイクロセンサ、車両制御システム
JPH0744037A (ja) * 1993-08-03 1995-02-14 Canon Inc 加熱定着装置の再生方法
US5939171A (en) * 1995-01-24 1999-08-17 Siemens Aktiengesellschaft Micromechanical component
JPH11260014A (ja) * 1998-03-10 1999-09-24 Fujitsu Ltd グライド・ハイト評価ヘッド
JP4465051B2 (ja) * 1998-05-01 2010-05-19 テルモ株式会社 生体留置用ステント
US6105428A (en) * 1998-12-10 2000-08-22 Motorola, Inc. Sensor and method of use
JP3593276B2 (ja) * 1998-12-24 2004-11-24 シャープ株式会社 情報記録装置
JP4676589B2 (ja) * 2000-03-24 2011-04-27 東ソー・クォーツ株式会社 真空ピンセット
JP3756373B2 (ja) * 2000-03-27 2006-03-15 株式会社日本自動車部品総合研究所 絶縁性基体用保護膜、薄膜積層体および薄膜センサ
JP3840058B2 (ja) * 2000-04-07 2006-11-01 キヤノン株式会社 マイクロレンズ、固体撮像装置及びそれらの製造方法
DE10051315A1 (de) * 2000-10-17 2002-04-18 Bosch Gmbh Robert Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Hersellungsverfahren

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5367429A (en) * 1991-10-18 1994-11-22 Hitachi, Ltd Electrostatic type micro transducer and control system using the same
US5644455A (en) * 1993-12-30 1997-07-01 Seagate Technology, Inc. Amorphous diamond-like carbon gaps in magnetoresistive heads
US6404028B1 (en) * 1997-04-21 2002-06-11 Ford Global Technologies, Inc. Adhesion resistant micromachined structure and coating

Also Published As

Publication number Publication date
FI20030338A0 (fi) 2003-03-05
US20040226374A1 (en) 2004-11-18
KR101062631B1 (ko) 2011-09-07
NO20054579L (no) 2005-10-05
DE112004000353T5 (de) 2006-01-26
US6938485B2 (en) 2005-09-06
KR20050107478A (ko) 2005-11-11
JP2011022149A (ja) 2011-02-03
CH697268B1 (de) 2008-07-31
EP1599736B1 (en) 2018-04-04
FI119527B (fi) 2008-12-15
JP2006519387A (ja) 2006-08-24
JP5748792B2 (ja) 2015-07-15
EP1599736A1 (en) 2005-11-30
JP2013152230A (ja) 2013-08-08
WO2004079373A1 (en) 2004-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5748792B2 (ja) 容量型加速度センサー
Chen et al. Demonstration of the lateral Casimir force
KR101168353B1 (ko) 미소 기전 시스템의 제조를 위한 박막 선구체 스택 및 그제조 방법
CN104848971B (zh) 静电电容型压力传感器、压力检测器及输入装置
CN102667497A (zh) 加速度传感器
US5446616A (en) Electrode structure and method for anodically-bonded capacitive sensors
US6923061B2 (en) Physical quantity sensor having beam
US20160041199A1 (en) Accelerometer and its fabrication technique
JPH06324072A (ja) トンネル効果式加速度センサ
KR20170045297A (ko) 멤스 소자
JP2004170145A (ja) 容量式力学量センサ
FR3021309A1 (fr) Dispositif microelectronique et/ou nanoelectronique capacitif a compacite augmentee
US6656368B2 (en) Nonstick layer for a micromechanical component
US10707405B2 (en) Electromechanical actuator
KR100450262B1 (ko) 고감도 초소형 캔틸레버 센서 및 제조 방법
JP5355028B2 (ja) 加速度センサ
JP4775412B2 (ja) 半導体物理量センサ
JP2004325361A (ja) 静電容量型圧力センサ及びその製造方法
TWI628764B (zh) 用於微機電系統感測器的表面電荷緩和層
JP4752874B2 (ja) 半導体物理量センサ
JP2012008022A (ja) 加速度センサ
JP2512171B2 (ja) 加速度検出器
JP2004226362A (ja) 容量式加速度センサ
JPH09318477A (ja) 圧力センサ及びその製造方法
JP2010078421A (ja) 加速度センサ

Legal Events

Date Code Title Description
CHAD Change of the owner's name or address (par. 44 patent law, par. patentforskriften)

Owner name: MURATA ELECTRONICS OY, FI

CHAD Change of the owner's name or address (par. 44 patent law, par. patentforskriften)

Owner name: MURATA MANUFACTURING CO., JP