JP4752874B2 - 半導体物理量センサ - Google Patents
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Description
2:シリコン基板
3:アンカー部
4:ビーム部
5:可動電極
7:フレーム部
8:電位取出部
10:間隙
13:凸部
14:シリコン薄膜電極
20,21:絶縁層
22:凹部
23:導体層
24:貫通孔
Claims (2)
- 物理量が加わることによって変位する可動電極としてのシリコン基板と、可動電極と対向する位置に金属で構成された固定電極が設けられた絶縁基板とを有し、可動電極の変位に伴う固定電極と可動電極間の静電容量の変化を検出することにより前記物理量を検出する半導体物理量センサであって、前記シリコン基板の前記絶縁基板との対向面に形成されたシリコンの凸部と、前記凸部と対向する前記絶縁基板表面に形成されたシリコン薄膜電極とを備えることを特徴とする半導体物理量センサ。
- 請求項1に記載の半導体物理量センサにおいて、
前記シリコン薄膜電極は、スパッタリング法を利用して前記絶縁基板表面にシリコンを成膜することにより形成されていることを特徴とする半導体物理量センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008165588A JP4752874B2 (ja) | 2008-06-25 | 2008-06-25 | 半導体物理量センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008165588A JP4752874B2 (ja) | 2008-06-25 | 2008-06-25 | 半導体物理量センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010008134A JP2010008134A (ja) | 2010-01-14 |
JP4752874B2 true JP4752874B2 (ja) | 2011-08-17 |
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ID=41588833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008165588A Expired - Fee Related JP4752874B2 (ja) | 2008-06-25 | 2008-06-25 | 半導体物理量センサ |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4752874B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7179693B2 (ja) | 2019-06-28 | 2022-11-29 | 株式会社東芝 | 振動検出装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0623782B2 (ja) * | 1988-11-15 | 1994-03-30 | 株式会社日立製作所 | 静電容量式加速度センサ及び半導体圧力センサ |
JPH0526752A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-02-02 | Oval Corp | 圧力センサの製造方法 |
JP2804196B2 (ja) * | 1991-10-18 | 1998-09-24 | 株式会社日立製作所 | マイクロセンサ及びそれを用いた制御システム |
JPH1090300A (ja) * | 1996-09-13 | 1998-04-10 | Omron Corp | 静電容量型物理量センサ |
US20040025591A1 (en) * | 2001-11-19 | 2004-02-12 | Eiji Yoshikawa | Accleration sensor |
-
2008
- 2008-06-25 JP JP2008165588A patent/JP4752874B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010008134A (ja) | 2010-01-14 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101112 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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