JP2007298407A - 静電容量式センサ - Google Patents

Abstract

【課題】当該静電容量式センサの半導体層を垂直エッチング加工する際のエッチング不良を防止する。
【解決手段】固定電極５と、半導体層２に形成された可動機構により物理量の変位に応じて動作する可動電極５とを相互に間隙を介して対向配置し、固定電極６と可動電極５との間隙の大きさに応じて検出される静電容量に基づき物理量を検出する静電容量式センサ１において、絶縁層２０が接合された半導体層２を垂直エッチング加工することで形成された可動機構を備え、絶縁層２０と対向する半導体層２の対向面、又は半導体層２と対向する絶縁層２０の対向面に保護膜３０が形成されていることで実現する。
【選択図】図７

Description

本発明は、固定電極と可動電極との間の静電容量を検出することにより所定の物理量を検出する静電容量式センサに関する。

従来より、固定部に弾性要素を介して可動電極が支持された構造を形成し、作用した外力等に応じて可動電極が固定電極に対して接離可能となるようにして、これら電極間の静電容量の変化を検出することで加速度や角速度等の種々の物理量を検出できるようにした静電容量式センサが知られている。

このような静電容量式センサとして、加速度により変位する１個のマス部により、水平方向の物理量を検出することができるように構成された静電容量式センサが開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００４−２８９１２号公報

特許文献１で開示されている静電容量型の加速度センサは、櫛形状の固定電極と、固定電極間の櫛溝に１つずつ入り込む薄板状の可動電極が設けられた重り部と、重り部に弾性力を与え規定方向に変位可能とするばね部とが、垂直エッチングを利用して形成されている。

特許文献１では、支持基板の一表面側に固着した半導体基板に対して表面に直交する方向に貫通させるように垂直エッチングを行っている。したがって、支持基板と対向する半導体基板の対向面（前記表面に対する裏面）が、垂直エッチングを行うエッチング装置より照射されるラジカルイオンによって削り取られエッチング不良を生じてしまう虞がある。

このようなエッチング不良が生じてしまうと、半導体基板より形成される各構成部が、所望の形状や質量とはならないため、当該センサの検出感度を低下させてしまうといった問題がある。

そこで、本発明は、上述した実情に鑑みて提案されたものであり、当該静電容量式センサの半導体層を垂直エッチング加工する際のエッチング不良を防止する構造を有する静電容量式センサを提供することを目的とする。

本発明の静電容量式センサは、固定電極と、半導体層に形成された可動機構により物理量の変位に応じて動作する可動電極とを相互に間隙を介して対向配置し、前記固定電極と前記可動電極との間隙の大きさに応じて検出される静電容量に基づき前記物理量を検出する静電容量式センサにおいて、支持基板が接合された前記半導体層を垂直エッチング加工することで形成された前記可動機構を備え、前記支持基板と対向する前記半導体層の対向面、又は前記半導体層と対向する前記支持基板の対向面に保護膜が形成されていることで上述の課題を解決する。

本発明によれば、支持基板と対向する半導体層の対向面、又は半導体層と対向する支持基板の対向面に保護膜が形成されているため、当該静電容量式センサの半導体層を垂直エッチング加工する際のエッチング不良を防止することができ、良好な検出感度のセンサとして機能することを可能とする。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。

［静電容量式センサの構成］
図１、図２、図３を用いて、本発明の実施の形態として示す静電容量式センサ１の構成について説明する。この静電容量式センサ１は、図１の紙面に向かって垂直な方向の加速度や角速度など、種々の物理量を検出することができる。

図１は、静電容量式センサ１の半導体層２を示した平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線で、図３は、図１のＢ−Ｂ線で半導体層２を切断するように静電容量式センサ１を切断した様子を示した断面図である。半導体層２は、単結晶シリコンであり、図１乃至図３に示すように、半導体プロセスにより単結晶シリコン基板に間隙１０を形成することで、アンカ部３、ビーム部４、可動電極５、フレーム部７、電位取出部８が形成されている。

図２、図３に示すように、静電容量式センサ１は、この半導体層２の表裏両面にガラス基板などの絶縁層２０，２１を、例えば、陽極接合などをして接合することで形成される。これら半導体層２と絶縁層２０，２１との接合面には、比較的浅い凹部２２が形成されており、半導体層２各部の絶縁性や可動電極５の動作性の確保が図られている。なお、本発明の実施の形態では、半導体層２と絶縁層２０との接合面については、半導体層２側に凹部２２を設ける一方、半導体層２と絶縁層２１との接合面については、絶縁層２１側に凹部２２を設けている。

また、絶縁層２０の表面２０ａ上には導体層２３が成膜されており、半導体層２の各部の電位を取得するための電極として用いられる。本発明の実施の形態では、絶縁層２０にサンドブラスト加工等によって貫通孔２４を形成して半導体層２の表面（絶縁層２０側の表面）の一部を露出させておき、絶縁層２０の表面上から貫通孔２４の内周面上および半導体層２の表面（図２ではアンカ部３の表面）上にかけて電気的に接続された一連の導体層２３を成膜するようにして、当該導体層２３から半導体層２内の各部の電位を検出できるようにしてある。なお、絶縁層２０の表面上は、樹脂層（図示せず）によって被覆（モールド成形）するのが好適である。

半導体層２は、図１に示すように、全体として平面視で略長方形状に形成されており、フレーム部７が、その半導体層２の四つの周縁（四辺）に沿って略一定幅で枠状に設けられている。

間隙１０は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）などにより垂直エッチング加工をすることで、間隙１０の側壁面を半導体層２の表面と垂直となるように形成される。このようにして、垂直エッチング加工により形成された間隙１０の側壁面同士は、互いに略平行に対向することになる。反応性イオンエッチングとしては、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）を備えたエッチング装置によるＩＣＰ加工を利用することができる。

フレーム部７の内側には、半導体層２の平面視略中央位置よりフレーム部７の一長辺側（図１の上側）に僅かにずれた位置に、矩形断面（本発明の実施の形態では略正方形断面）を有する柱状のアンカ部３が設けられており、このアンカ部３のフレーム部７の短辺に対向する一対の側壁からビーム部４，４が、それぞれフレーム部７の長辺と略平行に延伸している。なお、本発明の実施の形態では、図２および図３に示すように、アンカ部３を絶縁層２０のみに当接（接合）させているが、さらにもう一方の絶縁層２１に当接（接合）させるようにしてもよい。

ビーム部４は、図４に示すような一定の矩形（略長方形）断面を有する梁として構成されている。一例として、半導体層２の厚み方向に沿うビーム部４の厚みｈを１０μｍ以上（５００μｍ以下）とし、半導体層２の表面に沿う方向であるビーム部４の幅ｗを３〜１０μｍ程度とすることができる。

そして、このビーム部４は、一定の断面でフレーム部７の長辺に沿う方向に延伸し、アンカ部３側の端部４ａに対して反対側となる端部４ｂが可動電極５に接続されている。

可動電極５は、フレーム部７の内周面７ａに間隙１０をもって対向する平面視で略矩形状の外周面５ｄを備えるとともに、アンカ部３およびビーム部４，４の外側を間隙１０をもって囲むように形成されている。すなわち、可動電極５は、図１に示すように、アンカ部３およびビーム部４，４に対して、フレーム部７の一長辺側（図１の下側）には、間隙１０を空けて略矩形状の大板部５ａを備える一方、フレーム部７の他の長辺側（図１の上側）には、間隙１０を空けて略矩形状の小板部５ｂを備えており、これら大板部５ａと小板部５ｂとが、フレーム部７の短辺に沿う一対の接続部５ｃ，５ｃを介して相互に接続された形状となっている。そして、ビーム部４，４はそれぞれ対応する接続部５ｃ，５ｃの略中央部に接続されている。大板部５ａ、小板部５ｂは、それぞれ１枚の単結晶シリコン基板から形成されているため、小板部５ｂよりサイズの大きい大板部５ａの質量が大きくなっている。

このように可動電極５が、静電容量式センサ１の固定部としてのアンカ部３にビーム部４，４を介して非対称な質量バランスで可動支持された構造は、半導体層２に間隙１０を形成するとともに半導体層２および絶縁層２０，２１のうち少なくともいずれか一方に凹部２２を形成することで得ることができる。よって、アンカ部３、ビーム部４，４、および可動電極５は、半導体層２の一部として一体に構成されており、それらアンカ部３、ビーム部４，４、および可動電極５の電位は、ほぼ等電位とみなすことができる。

ビーム部４，４は、フレーム部７に対して可動電極５を弾性的に可動支持するバネ要素として機能する。本発明の実施の形態では、図４に示すように、ビーム部４，４は、静電容量式センサ１の厚み方向に長い断面（ビーム部４の延伸軸に垂直な断面）を有しているため、当該厚み方向には撓みにくい。また、可動電極５は、ビーム部４，４を挟んで相互に対向する質量の異なる大板部５ａと小板部５ｂとを備えているため、静電容量式センサ１に厚み方向の加速度が生じると、大板部５ａおよび小板部５ｂに作用する慣性力の差によるビーム部４，４のねじりにより、ビーム部４，４を中心として揺動することになる。すなわち、本発明の実施の形態では、ビーム部４，４はねじりビーム（トーションビーム）として機能することになる。

そして、本実施の形態では、可動電極５の大板部５ａおよび小板部５ｂのそれぞれに対向するように絶縁層２０の下面２０ｂに固定電極６Ａ，６Ｂを設け、大板部５ａと固定電極６Ａとの間の静電容量、および小板部５ｂと固定電極６Ｂとの間の静電容量を検出することで、これら間隙１０の変化、ひいては静電容量式センサ１の固定部に対する可動電極５の揺動姿勢の変化を得ることができるようになっている。

［静電容量検出の原理］
図５（ａ）は、可動電極５が揺動することなく絶縁層２０の下面２０ｂに対して平行な姿勢にある状態を示している。この状態では、大板部５ａと固定電極６Ａとの間の間隙２５ａの大きさと、小板部５ｂと固定電極６Ｂとの間の間隙２５ｂの大きさとが等しくなるため、大板部５ａおよび固定電極６Ａの相互対向面積と、小板部５ｂおよび固定電極６Ｂの相互対向面積とを等しくしてある場合には、大板部５ａと固定電極６Ａとの間の静電容量と、小板部５ｂと固定電極６Ｂとの間の静電容量とは等しくなる。

図５（ｂ）は、可動電極５が揺動して絶縁層２０の下面２０ｂに対して傾き、大板部５ａが固定電極６Ａから離れるとともに、小板部５ｂが固定電極６Ｂに近接した状態を示している。この状態では、図５（ａ）の状態に比べて、間隙２５ａは大きくなり、間隙２５ｂは小さくなるから、大板部５ａと固定電極６Ａとの間の静電容量は小さくなり、小板部５ｂと固定電極６Ｂとの間の静電容量は大きくなる。

図５（ｃ）は、可動電極５が揺動して絶縁層２０の下面２０ｂに対して傾き、大板部５ａが固定電極６Ａに近接するとともに、小板部５ｂが固定電極６Ｂから離間した状態を示している。この状態では、図５（ａ）の状態に比べて、間隙２５ａは小さくなり、間隙２５ｂは大きくなるから、大板部５ａと固定電極６Ａとの間の静電容量は大きくなり、小板部５ｂと固定電極６Ｂとの間の静電容量は小さくなる。

したがって、大板部５ａと固定電極６Ａとの間の間隙２５ａを検知ギャップとする静電容量と、小板部５ｂと固定電極６Ｂとの間の間隙２５ｂを検知ギャップとする静電容量との差動出力から、Ｃ−Ｖ変換することで得られる電圧波形を求め当該静電容量式センサ１に加えられた種々の物理量を検出することができる。

このような静電容量は、可動電極５および固定電極６Ａ，６Ｂの電位から取得することができる。本発明の実施の形態では、図１および図２に示すように、アンカ部３上の絶縁層２０には貫通孔２４が形成されており、可動電極５の電位は、この貫通孔２４の内面に形成した導体層２３を介して取り出される。

一方、固定電極６は、絶縁層２０の下面２０ｂ上に導体層（例えばアルミニウム合金の層）として形成してある。固定電極６を成膜する工程では、固定電極６と一続きの導体層として、配線パターン１１および端子部９も同時に成膜される。したがって、固定電極６の電位は、配線パターン１１および端子部９、半導体層２に形成された電位取出部８、ならびに電位取出部８上の絶縁層２０に形成された導体層２３を介して取り出されるようになっている。

［電位取出部８の構成］
ここで、図６を参照して、電位取出部８の構成について説明する。図６（ａ）は、電位取出部８を拡大して示した図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示すＣ−Ｃ線で切断した様子を示す断面図であり、図６（ｃ）は、絶縁層２０と半導体層２とを接合する前段における様子を示した断面図である。

図６に示すように、電位取出部８は、半導体層２に形成した間隙１０や半導体層２または絶縁層２１に形成した凹部２２によって、可動電極５やフレーム部７等の半導体層２の他の部分と絶縁され、略円柱状に形成されるパッド部８ａと、パッド部８ａからフレーム部７の短辺に沿って細長く伸びる台座部８ｂとを備えている。そして、この台座部８ｂの端子部９に対応する部分を切り欠くように平坦な底面８ｃを備える凹部２６が形成されている。そして、この底面８ｃ上には下敷層２７（例えば、二酸化珪素（ＳｉＯ_２）の層）が形成され、さらに、この下敷層２７と隣接した位置にほぼ同じ高さの導体層２８が形成されるとともに、下敷層２７の上面から導体層２８の上面にかけて、フレーム状の山部１２ａを連設してなる平面視で略梯子状の接点部１２が形成される。このとき、導体層２８および接点部１２は、同一の導体材料（例えばアルミニウム合金等）による層として形成することができる。

ここで、本発明の実施の形態では、図６（ｃ）に示すように、接点部１２の山部１２ａを、半導体層２の上面２ａより上に高さδｈだけ突出するように高く形成し、これにより、半導体層２と絶縁層２０とを接合するときに、端子部９によって山部１２ａが押圧されて塑性変形し、山部１２ａ（接点部１２）と端子部９との間での接触および導通がより確実なものとなるようにしている。

なお、図１に示すように、大板部５ａおよび小板部５ｂの表面上の適宜位置にはストッパ１３を設け、可動電極５と固定電極６Ａ，６Ｂとが直接的に接触（衝突）して損傷するのを抑制するようになっているが、このストッパ１３を下敷層２７と同一材料として同じ工程で形成するようにすれば、これらを別途形成する場合に比べて製造の手間が減り、製造コストを低減することができる。

［保護膜３０について］
図２，図３に示すように、ビーム部４、可動電極５が形成された、絶縁層２０と対向する半導体層２の上面２ａには、保護膜３０が形成されている。この保護膜３０は、上述した反応性イオンエッチングにより垂直エッチング加工して、間隙１０を設け、アンカ部３、ビーム部４、可動電極５からなる可動機構を形成する際に、エッチング装置より照射されるラジカルイオンによって上面２ａが削られてしまうことを保護している。

本発明の実施の形態として示す静電容量式センサ１では、垂直エッチング加工するにあたり、まず、ウェットエッチングやドライエッチングといった種々のエッチング処理により半導体層２に凹部２２を形成しておき、凹部２２側が対向するように支持基板である絶縁層２０と接合させる。このように半導体層２を支持基板に接合させた状態で、半導体層２側から垂直エッチング加工することで間隙１０を設け、アンカ部３、ビーム部４、可動電極５からなる可動機構を形成する。

このとき、エッチング装置から照射されるラジカルイオンは、半導体層２の裏面となった上面２ａに回り込んだり、絶縁層２０の対向面である下面２０ｂで反射されるなどして、上面２ａを削り取ってしまう虞がある。このような、エッチング不良が発生してしまうと、可動電極５のマスとしてのバランスが悪くなったり、ビーム部４のねじれ動作が正確でなくなったり、固定電極６Ａ，６Ｂとの検知ギャップにばらつきが発生し検出感度が低下してしまうなど様々な問題が発生してしまうことになる。

そこで、このように半導体層２の上面２ａに保護膜３０を形成することで、ラジカルイオンによるエッチング不良を防止することができる。上面２ａに形成する保護膜３０としては、熱酸化膜、ＰＳＧ（リンガラス）膜、金属（メタル）膜などを用いることができる。特に、本発明の実施の形態として示す静電容量式センサ１の場合、導電材料である金属材料を用いて成膜した金属膜が、最も好適である。保護膜３０を金属膜とすると、半導体層２からなる可動電極５の固定電極６Ａ，６Ｂと対向する上面２ａ上には、直列抵抗成分を低減させた導電材料が形成されることになる。したがって、このような可動電極５と、固定電極６Ａ，６Ｂとで検出される静電容量の精度が高くなるため、物理量を高い精度で検出することができる。

［静電容量式センサ１以外の静電容量式センサについて］
上述した保護膜３０は、本発明の実施の形態として示した静電容量式センサ１のようなアンカ部３によってビーム部４を介して非対称な質量バランスとなるよう可動支持される可動電極５を備え、垂直方向の物理量を検出する静電容量式センサ以外にも、水平方向、垂直方向の物理量を検出する静電容量式センサ、一軸方向、又は水平な２軸方向の物理量を検出する静電容量式センサなど、様々な静電容量式センサに設けることで、上述したようなラジカルイオンの回り込みや支持基板によって反射されたラジカルイオンによって発生するエッチング不良を防止することができる。

例えば、図７（ａ）の模式的な断面図に示すような、少なくとも支持基板３２によって支持される半導体層３１を垂直エッチング加工することで可動電極３１Ａ、固定部３１Ｂが形成され、固定部３１Ｂから伸びる図示しないビーム部を介して可動電極３１Ａを可動支持する可動機構を備える静電容量式センサ４０などに保護膜３０を設けることで、上述したような効果を得ることができる。

図７（ａ）に示す静電容量式センサ４０において、半導体層３１は、保護基板３３によって保護され、可動電極５の電位は、支持基板３２を貫通させた貫通孔を介して、固定部３１Ｂ上に金属（メタル）膜を成膜することで形成された電極部３４より取り出されるようになっている。また、図示しないが、固定電極は、可動電極３１Ａと検知ギャップとなる間隙を介して、加えられる物理量に応じた可動電極３１Ａの位置変位により変化する静電容量を検出することができるように配置されればどのように配置されていてもよい。

図７（ｂ）は、ウェットエッチングやドライエッチングにより凹部３５を形成した半導体層３１に保護膜３０を形成してから、凹部３５が対向するように支持基板３２と接合させた状態を示した断面図である。図７（ｃ）は、図７（ｂ）に示す領域Ｐ１を拡大して示した図である。この段階では、保護基板３３、電極部３４も形成されていない。

図７（ｃ）に示すように、垂直エッチング加工を行うエッチング装置より照射されるラジカルイオンは、半導体層３１に垂直な間隙１０を形成すると共に、支持基板３２と対向する半導体層３１の裏面（対向面）３１ａに回り込んだり、支持基板３２の表面３２ａで反射され半導体層３１の裏面３１ａへと到達したりする。

しかしながら、半導体層３１の裏面３１ａには、保護膜３０が形成されているため、ラジカルイオンによって半導体層３１が、裏面３１ａより削られてしまうことがないよう保護されている。

保護膜３０には、半導体層３１の裏面３１ａを熱酸化することにより形成される熱酸化膜、あるいはデポジションによりＳｉＯ_２を成膜することで形成される酸化膜、デポジションにより成膜されるＰＳＧ（リンガラス）膜、金属材料を成膜することで形成される金属膜などを用いることができる。

熱酸化により熱酸化膜を形成した場合、凹部３５の深さよりも十分薄い膜とすることができる。したがって、ラジカルイオンによる半導体層３１の裏面３１ａの浸食を保護するとともに、支持基板３２に固定電極を設けて、凹部３５を可動電極３１Ａとの検知ギャップとする場合において、結晶異方性エッチングなどにより高い精度で凹部３５を形成することで得られる検知ギャップの精度を保つことができる。

一方、デポジションにより酸化膜を成膜した場合、熱酸化により熱酸化膜を形成する場合に較べて厚みが増すことから、高い熱応力によって半導体層３１の反りが大きくなってしまうため、静電容量式センサ４０の温度特性などの精度を悪化させてしまう可能性がある。

ＰＳＧ膜は、熱酸化膜よりも熱応力が小さいため、保護膜３０として成膜した場合、温度変化による半導体層３１の反りも小さく、静電容量式センサ４０の温度特性などの精度を良好なものとする。また、ＰＳＧ膜は、エッチングレートが速いため、垂直エッチング加工の後に、容易に除去することもできる。

保護膜３０は、図８（ａ）に示すように、支持基板３２の半導体層３１と対向する表面（対向面）３２ａに形成することもできる。図８（ｂ）は、 図８（ａ）に示す領域Ｐ２を拡大して１８０度回転させた図である。このように、支持基板３２の表面３２ａに形成する保護膜３０を、金属材料を成膜した金属膜で形成すると、図８（ｂ）に示すように、垂直エッチング加工を行うエッチング装置より照射され支持基板３２の表面３２ａで反射されるラジカルイオンを吸着するため、ラジカルイオンの反射による半導体層３１の裏面３１ａの浸食を低減させ保護することができる。

このように、静電容量式センサ１，４０に保護膜３０を形成することで、垂直エッチング加工における半導体層２，３１に対するエッチング不良を防止することができるため、当該静電容量式センサ１，４０を良好な検出感度のセンサとして機能させることができる。

また、金属材料を成膜して形成した保護膜３０は、静電容量式センサ１，４０の実使用時における電磁波ノイズの影響を抑制できるシールドとしても機能する。

なお、上述の実施の形態は本発明の一例である。このため、本発明は、上述の実施の形態に限定されることはなく、この実施の形態以外であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。

本発明の実施の形態として示す静電容量式センサの半導体層の構成について説明するための図である。 前記静電容量式センサを図１に示すＡ−Ａ線で切断した様子について説明するための断面図である。 前記静電容量式センサを図１に示すＢ−Ｂ線で切断した様子について説明するための断面図である。 前記静電容量式センサのビーム部の断面形状について説明するための断面図である。 前記静電容量式センサにおける静電容量の検出原理について説明するための図である。 前記静電容量式センサが備える固定電極の電位取出部の構成について説明するための図である 前記静電容量式センサの絶縁層と対向する半導体層の対向面に保護膜を形成した様子について説明するための図である。 前記静電容量式センサの半導体層と対向する絶縁層の対向面に保護膜を形成した様子について説明するための図である。

符号の説明

１ 静電容量式センサ
２ 半導体層
３ アンカ部
４ ビーム部
５ 可動電極
６ 固定電極
１０ 間隙
２０ 絶縁層
２０ａ 表面
２０ｂ 下面
２１ 絶縁層
３０ 保護膜
３１ 半導体層
３１Ａ 可動電極
３１Ｂ 固定部
３１ａ 裏面
３２ 支持基板
３２ａ 表面
３３ 保護基板
４０ 静電容量式センサ

Claims (6)

1. 固定電極と、半導体層に形成された可動機構により物理量の変位に応じて動作する可動電極とを相互に間隙を介して対向配置し、前記固定電極と前記可動電極との間隙の大きさに応じて検出される静電容量に基づき前記物理量を検出する静電容量式センサにおいて、
   支持基板が接合された前記半導体層を垂直エッチング加工することで形成された前記可動機構を備え、
   前記支持基板と対向する前記半導体層の対向面、又は前記半導体層と対向する前記支持基板の対向面に保護膜が形成されていること
   を特徴とする静電容量式センサ。
2. 前記支持基板と対向する前記半導体層の対向面に形成する前記保護膜を熱酸化膜とすること
   を特徴とする請求項１記載の静電容量式センサ。
3. 前記支持基板と対向する前記半導体層の対向面に形成する前記保護膜をＰＳＧ（リンガラス）膜とすること
   を特徴とする請求項１記載の静電容量式センサ。
4. 前記可動機構は、前記半導体層の固定部分にビームを介して非対称な質量バランスとなるよう前記可動電極を可動支持する構成とし、前記固定電極を前記可動電極と相互に間隙を介して対向配置させるように前記支持基板上に形成し、
   前記支持基板と対向する、前記可動電極が形成された前記半導体層の対向面に前記保護膜が形成されていること
   を特徴とする請求項１記載の静電容量式センサ。
5. 前記支持基板と対向する、前記可動電極が形成された前記半導体層の対向面に形成する前記保護膜を金属膜とすること
   を特徴とする請求項４記載の静電容量式センサ。
6. 前記半導体層と対向する前記支持基板の対向面に形成する保護膜を金属膜とすること
   を特徴とする請求項１記載の静電容量式センサ。

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