JP4965547B2 - 加速度センサ - Google Patents

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本発明は、可動電極の揺動に伴う可動電極と固定電極間の静電容量の変化を検出することにより可動電極に印加された加速度を検出する加速度センサに関する。
従来より、可動電極を有する矩形形状の重り部と、重り部の対向する2辺の略中央において重り部を揺動自在に支持する一対のビーム部と、一対のビーム部を結ぶ直線(ビーム軸)を境界線とした重り部の表面のそれぞれ一方側及び他方側に対し所定距離をあけて対向配置された第1及び第2の固定電極とを備える加速度センサが知られている。この加速度センサは、ビーム軸を回転軸とした重り部の揺動に伴う可動電極と第1及び第2の固定電極間の静電容量の変化を差動検出することにより、重り部に印加された加速度を検出する。このような加速度センサでは、加速度が印加された際にビーム軸を回転軸とした回転モーメントが重り部に発生するように、重り部の裏面のビーム軸を境界線とした一方側に凹部を形成することにより、ビーム軸を境界線とした重り部の一方側と他方側とで重量が異なるようにしている(特許文献1参照)。
米国特許公開2007−0000323号公報
重り部の裏面のビーム軸を境界線とした一方側に凹部を形成した場合、ビーム軸を境界線とした一方側の可動電極が歪みの影響を受けやすくなり、結果として、可動電極が変形し、可動電極と固定電極間の距離を精密に制御することが困難になる。このような背景から、特許文献1記載の加速度センサでは、凹部に補強部材を設けることにより可動電極の変形を抑制するようにしている。しかしながら、凹部に補強部材を形成した場合、x方向とz方向の2方向の加速度を検出する際に2方向間で検出感度に差が生じる。このため、特許文献1記載の加速度センサでは、重り部の厚みを厚くすることにより2方向間で検出感度を同じにするようにしているが、重り部の厚みを厚くした場合、凹部の形成に多くの製造(エッチング)時間が必要となる。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたものであり、その目的は多くの製造時間を要することなく2方向間の検出感度を同じにすることが可能な加速度センサを提供することにある。
本発明に係る加速度センサは、矩形形状の可動電極と、可動電極の対向する2辺の略中央に接続して可動電極を揺動自在に支持する一対のビーム部と、一対のビーム部を結ぶ直線を境界線とした可動電極の表面のそれぞれ一方側及び他方側に対し所定間隔をあけて対向配置された第1及び第2の固定電極と、一対のビーム部を結ぶ直線を境界線とした可動電極の裏面のそれぞれ一方側及び他方側に形成された第1及び第2の凹部と、第2の凹部内に埋め込まれた金属部と、可動電極を内包するフレーム部と、フレーム部に形成され、第1及び第2の固定電極にそれぞれ接続された第1及び第2の検出電極とを備え、第1の検出電極と第2の検出電極間、第1及び第2の検出電極とフレーム部間、及び第1及び第2の検出電極と可動電極間に隙間が形成されている
本発明に係る加速度センサによれば、一対のビーム部を結ぶ直線を境界線とした可動電極の裏面の一方側と共に他方側にも凹部を形成することにより2方向間の検出感度を調整するので、多くの製造時間を要することなく2方向間の検出感度を同じにできる。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態となる加速度センサについて説明する。
〔加速度センサの構成〕
本発明の実施形態となる加速度センサは、図1に示すように、シリコンSOI基板により形成されたセンサチップ1の上下面が上部固定板2aと下部固定板2bにより挟持された構成となっている。センサチップ1は、2つの矩形枠3a,3bを有するフレーム部3と、矩形枠3a,3bの側壁部に対し隙間をあけた状態で矩形枠3a,3b内に配置された矩形形状の2つの可動電極4,5と、可動電極4の表面の対向する2辺の略中央部と矩形枠3aの側壁部とを連結することにより可動電極4をフレーム部3に対し揺動自在に支持する一対のビーム部6a,6bと、可動電極5の表面の対向する2辺の略中央と矩形枠3bの側壁部とを連結することにより可動電極5をフレーム部3に対し揺動自在に支持する一対のビーム部7a,7bとを備える。
上記加速度センサは、フレーム部3,可動電極4,及び他の検出電極に対し離間配置された検出電極8a,8bと、フレーム部3、可動電極5、及び他の検出電極に対し離間配置された検出電極9a,9bと、検出電極8bと検出電極9a間のフレーム部3表面に形成された接地電極10を備える。なお検出電極8a,8b及び検出電極9a,9bはそれぞれ後述する固定電極20a,20b及び固定電極21a,21bと電気的に接続されている。本実施形態では、図2に示すように、検出電極8aと検出電極8b間、検出電極9aと検出電極9b間、検出電極8a,8bとフレーム部3間、検出電極9a,9bとフレーム部3間、検出電極8a,8bと可動電極4間、及び検出電極9a,9bと可動電極5間には隙間が形成されている。このような構成によれば、各検出電極が電気的に絶縁されるようになるので、各検出電極の寄生容量や検出電極間のクロストークを低減し、高精度な容量検出を行うことが可能になる。
可動電極4の裏面のビーム部6a,6bを結ぶ直線を境界線とした一方側には、図2に示すように、補強部材16により区画された第1の凹部としての凹部11a,11b,11c,11dが形成されている。また可動電極4の裏面のビーム部6a,6bを結ぶ直線を境界線とした他方側には第2の凹部としての凹部12が形成されている。同様に、可動電極5の裏面のビーム部7a,7bを結ぶ直線を境界線とした一方側には、図2に示すように、補強部材16により区画された第1の凹部としての凹部13a,13b,13c,13dが形成されている。また可動電極5の裏面のビーム部7a,7bを結ぶ直線を境界線とした他方側には第2の凹部としての凹部14が形成されている。このように本実施形態では、2つの加速度センサが同一チップ面内に配置され、一方の加速度センサが他方の加速度センサに対しチップ面内で180度回転配置されている。
本実施形態では、凹部12及び凹部13内には可動電極4,5を形成する材料よりも比重が高い金属材料17が埋め込まれている。なお可動電極4,5がシリコンにより形成されている場合、シリコンの比重は2.33[g/cm3]であるので、金属材料17としてはニッケル(比重8.90[g/cm3]),タングステン(比重19.3[g/cm3]),クロム(比重7.87[g/cm3]),パラジウム(比重12.02[g/cm3]),白金(比重21.45[g/cm3]),マンガン(比重7.43[g/cm3])を例示できる。また金属材料17の重量は第1の凹部の外壁を形成する補強部材の重量と略同一であることが望ましい。
本実施形態では、第1の凹部と第2の凹部を別体として形成したが、例えば第1の凹部を上記境界線を超えて他方側に拡大することにより第1の凹部と第2の凹部を一体として形成してもよい。また第1の凹部の形状は図2に示す三角形状に限定されることはなく、第2の凹部と同様の矩形形状としてもよい。さらに第2の凹部を形成する位置は、図3に示すように可動電極の重心位置Oとビーム部がなす角度θが45度になることによってx方向とz方向の検出感度が等価になる位置であれば特に限定されることはないが、境界線からより遠い側に第2の凹部を形成することにより回転モーメントがより大きくなるので、加速度センサの検出感度を高めることができる。
可動電極4,5の上部固定板2a及び下部固定板2bと対向する面には、図3に示すように(図3では可動電極4についてのみ図示)、シリコン又はシリコン酸化膜により形成された複数の突起部15a〜15gが形成されている。このような突起部15a〜15gを形成することにより、可動電極4,5に測定レンジを超える大きな加速度が印加された場合であっても、可動電極4,5は対向する上部固定板2a及び下部固定板2bに直接衝突しないので、センサチップ1を破損を抑制できる。なお本実施形態では、可動電極4,5の上部固定板2a及び下部固定板2bと対向する面に突起部を形成したが、上部固定板2a及び下部固定板2bの可動電極4,5と対向する面に同様の突起部を形成するようにしてもよい。
上部固定板2aはガラス基板により形成され、その可動電極4と対向する表面側にはビーム部6aとビーム部6bを結ぶ直線を境界線として固定電極20a,20bが設けられている。また同様に上部固定板2aの可動電極5と対向する表面側には、ビーム部7aとビーム部7bを結ぶ直線を境界線として固定電極21a,21bが設けられている。上部固定板2aの検出電極8a,8b,9a,9b及び接地電極10に対向する位置にはスルーホール22a〜22eが形成され、このスルーホール22a〜22eを介して固定電極20a,20b及び固定電極21a,21bにそれぞれ接続された検出電極8a,8b及び検出電極9a,9bと接地電極10の出力が取り出されるようになっている。下部固定板2bはガラス基板により形成され、その可動電極4,5の裏面と対向する面側には可動電極4,5の裏面に対し間隔をあけてアルミニウム系合金等の固定電極20a,20b,21a,21bと同材料により形成された付着防止膜23a,23bが配置されている。このような付着防止膜23a,23bを設けることにより、可動電極4,5が動作時に下部固定板2bに付着することを防止できると共に、過大衝撃時でも可動電極4,5と下部固定板2bが直接接触しないため衝撃緩和効果を有する。
本実施形態では、2つの加速度センサが同一チップ面内に配置され、一方の加速度センサが他方の加速度センサに対しチップ面内で180度回転配置されている構成であるとしたが、本発明は本実施形態に限定されることはなく、例えば図4に示すように、図1に示す加速度センサをxy面内で90度回転させたものをさらに設けることにより、x方向とz方向の2方向の加速度に加えてy方向の加速度を検出できるようにしてもよい。また図5に示すように、3つの加速度センサが同一チップ面内に配置され、第2及び第3の加速度センサ4a,4bが第1の加速度センサ4に対しチップ面内でそれぞれ90度及び180度回転配置されている構成とすることにより、x方向、y方向、及びz方向の3軸の加速度を検出できるようにしてもよい。
〔加速度センサの動作〕
上記加速度センサは、以下のようにしてセルフテストを行うと共に図1に示すx方向及びz方向の加速度を検出する。
〔セルフテスト〕
可動電極4を動作させる場合は、固定電極20a又は固定電極20bと可動電極4間に吸引力を発生させる。同様に可動電極5を動作させる場合は、固定電極21a又は固定電極21bと可動電極5間に吸引力を発生させる。付着防止膜23a,23bと可動電極4,5との間に吸引力を発生させて同様な動作確認を行ってもよい。これにより、可動電極4,5が揺動することによって固定電極20a,20bと可動電極4間及び固定電極21a,21bと可動電極5との間の静電容量が変化するので、加速度センサが正常に動作するか否かを確認できる。
〔x方向の加速度検出〕
可動電極4にx方向の加速度が印加された場合、可動電極4と固定電極20a,20b間の静電容量C1,C2はそれぞれ以下に示す数式(1),(2)のようになる。なお数式(1),(2)中、パラメータC0は、可動電極4にx方向の加速度が印加されていない状態での可動電極4と固定電極20a,20b間の静電容量を示す。
C1=C0−ΔC …(1)
C2=C0+ΔC …(2)
また同様に、可動電極5にx方向の加速度が印加された場合、可動電極5と固定電極21a,21b間の静電容量C3,C4はそれぞれ以下に示す数式(3),(4)のようになる。なお数式(3),(4)中、パラメータC0は、可動電極5にx方向の加速度が印加されていない状態での可動電極5と固定電極21a,21b間の静電容量を示す。
C3=C0−ΔC …(3)
C4=C0+ΔC …(4)
従って検出電極8a,8b及び検出電極9a,9bを介して上記容量C1〜C4を検出し、ASIC等を利用して容量C1と容量C2の差分値CA(=C1−C2)と容量C3と容量C4の差分値CB(=C3−C4)を算出し、算出された差分値CAと差分値CBの和(±4ΔC)をX出力として出力することにより、静電容量の変化から可動電極4,5に加えられたx方向の加速度を検出できる。
〔z方向の加速度検出〕
可動電極4にz方向の加速度が印加された場合、可動電極4と固定電極20a,20b間の静電容量C1,C2はそれぞれ以下に示す数式(5),(6)のようになる。なお数式(5),(6)中、パラメータC0は、可動電極4にz方向の加速度が印加されていない状態での可動電極4と固定電極20a,20b間の静電容量を示す。
C1=C0+ΔC …(5)
C2=C0−ΔC …(6)
また同様に、可動電極5にz方向の加速度が印加された場合、可動電極5と固定電極21a,21b間の静電容量C3,C4はそれぞれ以下に示す数式(7),(8)のようになる。なお数式(7),(8)中、パラメータC0は、可動電極5にz方向の加速度が印加されていない状態での可動電極5と固定電極21a,21b間の静電容量を示す。
C3=C0−ΔC …(7)
C4=C0+ΔC …(8)
従って検出電極8a,8b及び検出電極9a,9bを介して上記容量C1〜C4を検出し、ASIC等を利用して容量C1と容量C2の差分値CA(=C1−C2)と容量C3と容量C4の差分値CB(=C3−C4)を算出し、算出された差分値CAと差分値CBの和(±4ΔC)をZ出力として出力することにより、静電容量値の変化から可動電極4,5に加えられたz方向の加速度を検出できる。
〔加速度センサの製造方法〕
最後に、図6を参照して、本発明の実施形態となる加速度センサの製造方法について説明する。
本実施形態では、始めに図6(a)に示すような支持基板30a,中間酸化膜30b,及び活性層30cからなるシリコンSOI基板を用意する。次にシリコンSOI基板の両面にシリコン酸化膜やフォトレジスト膜等のマスク材料31を形成し、可動電極4,5に対応する位置のマスク材料31を除去し、TMAH(テトラメチル水酸化アンモニウム溶液)やKOH(水酸化カリウム溶液)等の溶液を利用した湿式エッチング又は反応性イオンエッチング(RIE)等のドライエッチングを行うことにより、図6(b)に示すようにシリコンSOI基板の表面側及び裏面側に可動電極4,5が変位するための凹部32a,32bを形成する。
次に図6(c)に示すように、凹部32a,32bの底面の所定位置にシリコン酸化膜又はカーボンナノチューブを形成することにより突起部15a〜15gを形成する。またこの際、スパッタリング技術や蒸着成膜技術を利用して、固定電極と電気的に接続される検出電極8a,8b及び検出電極9a,9bとしての金属膜33と、金属膜33と電気的に接続される金属膜34を形成する。突起部15a〜15gをシリコン又はシリコン酸化膜といったセンサチップの主材料により形成した場合には、突起部15a〜15gを容易に製造することができる。なお突起部15a〜15gの表面をカーボン材料によりコーティングしてもよい。このような構成によれば、突起部15a〜15gの機械的強度が増し、上部固定板2a及び下部固定板2bとの衝突により突起部15a〜15gが破損することを抑制できる。またこのときカーボン材料としてカーボンナノチューブを利用すれば、コーティング厚さを薄くできるので、突起部15a〜15gを所望の高さに容易に調整することができる。
次に支持基板30a及び中間酸化膜30bの順にシリコンSOI基板の裏面側をエッチングすることにより図6(d)に示すように可動電極と第1及び第2の凹部を形成し、さらに第2の凹部に金属材料17を埋め込む。そして付着防止膜23が形成された表面を対向面とした下部固定板2bをシリコンSOI基板の裏面側に陽極接合する。なお付着防止膜23を固定電極20a,20b,21a,21bと同材料により形成することにより、付着防止膜23を容易に形成できる。また固定電極20a,20b,21a,21bと同時に付着防止膜23を形成することにより固定電極20a,20b,21a,21bと可動電極4,5間の距離と下部固定板2bと可動電極4,5間の距離とを精度よく形成することができる。また付着防止膜23を半導体プロセスにより形成した場合には、付着防止膜23の表面にミクロな凹凸が形成されるので、可動電極4,5が下部固定板2bに付着することを防止できる。さらに付着防止膜23をアルミニウム系合金により形成した場合には、エッチング加工が容易になるので、付着防止膜23を容易に製造することができる。また付着防止膜23の表面上に半導体製造プロセスとの整合性が良く加工がしやすいポリイミド薄膜等の有機材料薄膜を形成することにより、付着防止膜23と可動電極4,5間の短絡を防止するようにしてもよい。
次に図6(e)に示すように、スルーホール及び固定電極が形成された上部固定板2aをシリコンSOI基板上に配置した後、シリコンSOI基板と上部固定板2aを陽極接合することにより、一連の製造工程は完了する。なおシリコンSOI基板と上部固定板2a及び下部固定板2bは、ポリイミド樹脂等を用いた樹脂接合や金スズ半田等を用いた共晶接合により接合してもよい。また上部固定板2a及び下部固定板2bとしてシリコン基板を用いてもよい。但し、上部固定板2a及び下部板固定板2bとしてシリコン基板を用いた場合には、固定電極と上部固定板2aとが電気的に絶縁されるように固定電極と上部固定板2a間に絶縁膜を形成することが望ましい。
以上の説明から明らかなように、本発明の実施形態となる加速度センサは、矩形形状の可動電極4,5と、可動電極4,5の対向する2辺の略中央に接続して可動電極4,5を揺動自在に支持する一対のビーム部6a,6b及びビーム部7a,7bと、一対のビーム部6a,6b及びビーム部7a,7bを結ぶ直線を境界線とした可動電極4,5の表面のそれぞれ一方側及び他方側に対し所定間隔をあけて対向配置された固定電極20a,20b及び固定電極21a,21bと、一対のビーム部6a,6b及びビーム部7a,7bを結ぶ直線を境界線とした可動電極4,5の裏面のそれぞれ一方側及び他方側に形成された凹部11a,11b,11c,11d(13a,13b,13c,13d)及び凹部12(14)を備える。このよな構成によれば、可動電極4,5の厚みを厚くすることなくx方向及びz方向の加速度の検出感度を同じにすることができる。なお凹部12,14を形成した場合、可動電極4,5全体の重量が低下することにより加速度センサの検出感度が低下することになる。しかしながら本実施形態では、凹部12,14内には可動電極4,5を形成する材料よりも比重が高い金属材料17が埋め込まれており、可動電極4,5の重量が大きく低下しないので、感度低下することなくx方向及びz方向の加速度の検出感度を同じにすることができる。
以上、本発明者らによってなされた発明を適用した実施の形態について説明したが、この実施の形態による本発明の開示の一部をなす記述及び図面により本発明は限定されることはない。すなわち、上記実施の形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施の形態、実施例及び運用技術等は全て本発明の範疇に含まれる。
本発明の実施形態となる加速度センサの構成を示す分解斜視図である。 図1に示すセンサチップの下面図である。 図1に示す加速度センサの断面図である。 図1に示す加速度センサの変形例の構成を示す上面図である。 図1に示す加速度センサの変形例の構成を示す上面図である。 図1に示す加速度センサの製造工程を示す断面工程図である。
符号の説明
1:センサチップ
2a:上部固定板
2b:下部固定板
3:フレーム部
3a,3b:矩形枠
4,5:可動電極(重り部)
6a,6b,7a,7b:ビーム部
8a,8b,8c,8d:検出電極
10:接地電極
11a,11b,11c,11d,13a,13b,13c,13d:凹部(第1の凹部)
12,14:凹部(第2の凹部)
15a,15b,15c,15d,15e,15f,15g:突起部
16:補強部材
17:金属材料
20a,20b,21a,21b:固定電極
22a,22b,22c,22d,22e:スルーホール
23a,23b:付着防止膜

Claims (3)

  1. 矩形形状の可動電極と、
    前記可動電極の対向する2辺の略中央に接続して当該可動電極を揺動自在に支持する一対のビーム部と、
    前記一対のビーム部を結ぶ直線を境界線とした前記可動電極の表面のそれぞれ一方側及び他方側に対し所定間隔をあけて対向配置された第1及び第2の固定電極と、
    前記一対のビーム部を結ぶ直線を境界線とした前記可動電極の裏面のそれぞれ一方側及び他方側に形成された第1及び第2の凹部と、
    前記第2の凹部内に埋め込まれた金属部と
    前記可動電極を内包するフレーム部と、
    前記フレーム部に形成され、前記第1及び第2の固定電極にそれぞれ接続された第1及び第2の検出電極とを備え、
    前記第1の検出電極と前記第2の検出電極間、前記第1及び第2の検出電極と前記フレーム部間、及び前記第1及び第2の検出電極と前記可動電極間に隙間が形成されていることを特徴とする加速度センサ。
  2. 請求項1に記載の加速度センサにおいて、
    前記金属部は前記可動電極を形成する材料の比重以上の比重を有する金属材料により形成されていることを特徴とする加速度センサ。
  3. 請求項1又は請求項2に記載の加速度センサにおいて、
    前記金属部の重量は前記第1の凹部の外壁部を構成する構造体の重量と略同一であることを特徴とする加速度センサ。

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