JP2012008036A - 静電容量式センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】静電容量式センサ1は、絶縁基板2、3と、この絶縁基板2,3に接合されたシリコン基板4と、を備えている。このシリコン基板4には、絶縁基板2,3に接合されるフレーム部40と、一面に開口する凹部53,63と凹部53,63を除く充実部51,61が一体に形成された錘部5,6と、当該錘部5,6を回動自在に支持する1対のビーム部9,10、11,12と、フレーム部40から離間配置されるアンカー部7,8と、が形成されている。そして、1対のビーム部9,10、11,12のうち少なくともいずれか一方のビーム部9,11がアンカー部7,8に連結されている。
【選択図】図2
Description
本実施形態にかかる加速度センサ(静電容量式センサ)1は、図1に示すように、半導体素子ディバイスを形成したシリコン基板4と、このシリコン基板4の表面4aおよび裏面4bにそれぞれ接合されたガラス製の第1の絶縁性基板(絶縁基板)2および第2の絶縁性基板(絶縁基板)3と、を備えている。本実施形態では、このシリコン基板4と第1の絶縁性基板2および第2の絶縁性基板3とを陽極接合によって接合している。そして、第1の絶縁性基板2の下面には、錘部5,6の設置領域に対応した固定電極21a,21bおよび22a,22bがそれぞれ設けられている。
C1=C0−ΔC …(1)
C2=C0+ΔC …(2)
と表すことができる。
C3=C0−ΔC …(3)
C4=C0+ΔC …(4)
と表すことができる。
C1=C0+ΔC …(5)
C2=C0−ΔC …(6)
と表すことができる。
C3=C0−ΔC …(7)
C4=C0+ΔC …(8)
と表すことができる。
本実施形態にかかる加速度センサ(静電容量式センサ)1は、基本的に上記第1実施形態と同様の構成をしており、図5に示すように、半導体素子ディバイスを形成したシリコン基板4Bと、このシリコン基板4Bの表面4aBおよび裏面4bBにそれぞれ接合されたガラス製の第1の絶縁性基板(絶縁基板)2および第2の絶縁性基板3と、を備えている。なお、本実施形態では、第1および第2の絶縁性基板2,3は図示省略している。
2 第1の絶縁性基板(絶縁基板)
3 第2の絶縁性基板(絶縁基板)
4,4A,4B シリコン基板
5,5B 錘部
6,6B 錘部
7,7B アンカー部
8,8B アンカー部
9,10 ビーム部(一対のビーム部)
11,12 ビーム部(一対のビーム部)
16,17 ビーム部(一対のビーム部)
18,19 ビーム部(一対のビーム部)
40,40B フレーム部
51 充実部
53 凹部
61 充実部
63 凹部
Claims (2)
- 絶縁基板と、この絶縁基板に接合されたシリコン基板と、を備える静電容量式センサにおいて、
前記シリコン基板には、前記絶縁基板に接合されるフレーム部と、一面に開口する凹部と凹部を除く充実部が一体に形成された錘部と、当該錘部を回動自在に支持する1対のビーム部と、前記フレーム部から離間配置されるアンカー部と、が形成されており、
前記一対のビーム部のうち少なくともいずれか一方のビーム部が前記アンカー部に連結されていることを特徴とする静電容量式センサ。 - 前記一対のビーム部の両方が前記アンカー部に連結されていることを特徴とする請求項1に記載の静電容量式センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010144931A JP2012008036A (ja) | 2010-06-25 | 2010-06-25 | 静電容量式センサ |
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JP2010144931A JP2012008036A (ja) | 2010-06-25 | 2010-06-25 | 静電容量式センサ |
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Family Applications (1)
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JP2010144931A Pending JP2012008036A (ja) | 2010-06-25 | 2010-06-25 | 静電容量式センサ |
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JP (1) | JP2012008036A (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2010
- 2010-06-25 JP JP2010144931A patent/JP2012008036A/ja active Pending
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