JP2010008127A - 半導体物理量センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】可動電極の表面上の適宜位置にはシリコン基板2を2段エッチングすることにより凸部13が形成されている。このような構成によれば、シリコン基板2と絶縁層20の対向面積を小さくすることができるので、シリコン基板2と絶縁層20を陽極接合する際にシリコン基板2が絶縁層20に貼り付くことを防止できる。また絶縁層20の下面20bの凸部13に対向する位置には金属膜14が形成されている。このような構成によれば、金属膜14がシリコン基板2と絶縁層20間の緩衝の役割を果たすので、シリコン基板2と絶縁層20を陽極接合する際にシリコン基板2が絶縁層20に貼り付くことをより確実に防止できる。
【選択図】図3
Description
2:シリコン基板
3:アンカー部
4:ビーム部
5:可動電極
7:フレーム部
8:電位取出部
10:間隙
13,14a:凸部
14:金属膜
20,21:絶縁層
22:凹部
23:導体層
24:貫通孔
Claims (3)
- 物理量が加わることによって変位する可動電極としてのシリコン基板と、可動電極と対向する位置に固定電極が設けられた絶縁基板とを有し、可動電極の変位に伴う固定電極と可動電極間の静電容量の変化を検出することにより前記物理量を検出する半導体物理量センサであって、前記シリコン基板を2段エッチング処理することにより前記絶縁基板との対向面に形成された第1の凸部と、前記第1の凸部と対向する前記絶縁基板表面に形成された金属膜とを備えることを特徴とする半導体物理量センサ。
- 請求項1に記載の半導体物理量センサにおいて、
前記第1の凸部と対向する前記金属膜表面に第2の凸部が形成されていることを特徴とする半導体物理量センサ。 - 請求項1に記載の半導体物理量センサにおいて、
前記金属膜は、平面視リング形状を有することを特徴とする半導体物理量センサ。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012008036A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 静電容量式センサ |
JP2013011549A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Seiko Epson Corp | 物理量センサー、電子機器、および物理量センサーの製造方法 |
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-
2008
- 2008-06-25 JP JP2008165467A patent/JP4775412B2/ja not_active Expired - Fee Related
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