JPH0526752A - 圧力センサの製造方法 - Google Patents
圧力センサの製造方法Info
- Publication number
- JPH0526752A JPH0526752A JP3201451A JP20145191A JPH0526752A JP H0526752 A JPH0526752 A JP H0526752A JP 3201451 A JP3201451 A JP 3201451A JP 20145191 A JP20145191 A JP 20145191A JP H0526752 A JPH0526752 A JP H0526752A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass plate
- pressure sensor
- diaphragm
- etching
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 安価な構成材料を用いて、製作容易で安定し
た特性を得る。 【構成】 エッチング保護膜３を設けたシリコン基板１
上に厚さ一定のガラス板２を接着し、（図（ａ））前記
シリコン基板１を異方性エッチングしてエッチング部４
を設け、ガラス板２のダイヤフラム２ａを形成する。
（図（ｂ））、ガラス板２上面にシリコン薄膜５を蒸着
する。（図（ｃ））、該シリコン薄膜５にイオン注入し
てピエゾ効果領域７を形成し絶縁膜６で絶縁層を成膜
（図（ｄ））し、ピエゾ効果領域７に電極８を設ける。
（図（ｅ））
た特性を得る。 【構成】 エッチング保護膜３を設けたシリコン基板１
上に厚さ一定のガラス板２を接着し、（図（ａ））前記
シリコン基板１を異方性エッチングしてエッチング部４
を設け、ガラス板２のダイヤフラム２ａを形成する。
（図（ｂ））、ガラス板２上面にシリコン薄膜５を蒸着
する。（図（ｃ））、該シリコン薄膜５にイオン注入し
てピエゾ効果領域７を形成し絶縁膜６で絶縁層を成膜
（図（ｄ））し、ピエゾ効果領域７に電極８を設ける。
（図（ｅ））
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、ピエゾ効果を利用した圧力セン
サに関し、より詳細にはガラス板を受圧部として、該ガ
ラス板上にピエゾ効果（抵抗性）を有する半導体領域を
形成したダイヤフラム圧力センサに関する。
サに関し、より詳細にはガラス板を受圧部として、該ガ
ラス板上にピエゾ効果（抵抗性）を有する半導体領域を
形成したダイヤフラム圧力センサに関する。
【０００２】
【従来技術】シリコンダイヤフラムを受圧部とし、該シ
リコンダイヤフラムにピエゾ抵抗素子を形成したダイヤ
フラム形の圧力センサは小形で高感度であることから、
近年、自動車エレクトロニクス、工業計測、医料および
家庭電器等の分野で利用されている。特にマイクロコン
ピュータと接続されることにより機能は大幅に向上して
応用面も拡大し、これに伴って高精度で、信頼性が高
く、安価な圧力センサが要求されている。シリコンダイ
ヤフラム形の圧力センサとして、基本的には面方位（１
００）のｎ型シリコン基板の中央を異方性エッチングに
より薄膜化した正方形ダイヤフラム上の四辺に、長手方
向がいずれも＜１１０＞結晶軸と平行なＰ型ピエゾ抵抗
素子をボロン等のイオン注入により形成した方式のもの
が多く市販されている。
リコンダイヤフラムにピエゾ抵抗素子を形成したダイヤ
フラム形の圧力センサは小形で高感度であることから、
近年、自動車エレクトロニクス、工業計測、医料および
家庭電器等の分野で利用されている。特にマイクロコン
ピュータと接続されることにより機能は大幅に向上して
応用面も拡大し、これに伴って高精度で、信頼性が高
く、安価な圧力センサが要求されている。シリコンダイ
ヤフラム形の圧力センサとして、基本的には面方位（１
００）のｎ型シリコン基板の中央を異方性エッチングに
より薄膜化した正方形ダイヤフラム上の四辺に、長手方
向がいずれも＜１１０＞結晶軸と平行なＰ型ピエゾ抵抗
素子をボロン等のイオン注入により形成した方式のもの
が多く市販されている。
【０００３】上述の如く形成された半導体ダイヤフラム
型圧力センサの感度は、シリコンの結晶軸で決まるピエ
ゾ効果係数とダイヤフラムの辺の長さと厚さとの比の２
乗に比例して変化する。この中で、ピエゾ効果係数は結
晶軸が定まれば定数であるから、圧力センサの感度は、
ダイヤフラムの寸法形状、特に厚さおよび厚さの均一性
により定められる。従って、感度が均一で直線比の優れ
た半導体ダイヤフラム型圧力センサを得るためには、ダ
イヤフラムの厚さを均一にする事が技術的課題であっ
た。しかし、従来、エッチング面の平担性にばらつきが
生じ易く歩留りが悪いため、歩留り良く生産するために
多くの提案がなされてきた。
型圧力センサの感度は、シリコンの結晶軸で決まるピエ
ゾ効果係数とダイヤフラムの辺の長さと厚さとの比の２
乗に比例して変化する。この中で、ピエゾ効果係数は結
晶軸が定まれば定数であるから、圧力センサの感度は、
ダイヤフラムの寸法形状、特に厚さおよび厚さの均一性
により定められる。従って、感度が均一で直線比の優れ
た半導体ダイヤフラム型圧力センサを得るためには、ダ
イヤフラムの厚さを均一にする事が技術的課題であっ
た。しかし、従来、エッチング面の平担性にばらつきが
生じ易く歩留りが悪いため、歩留り良く生産するために
多くの提案がなされてきた。
【０００４】本発明に関連した公知の文献として特開昭
５９−１７２７７８号公報における「圧力センサの製造
方法」がある。該「圧力センサの製造方法」の工程を図
３に基づいて説明する。図３（ａ）〜（ｅ）は、従来の
圧力センサの製造工程を説明するための図で、図中、１
１はシリコン基板、１２は酸化物単結晶薄膜、１３はシ
リコン単結晶薄膜、１４は抵抗領域、１５はエッチング
保護膜、１６は絶縁膜、１７は電極である。
５９−１７２７７８号公報における「圧力センサの製造
方法」がある。該「圧力センサの製造方法」の工程を図
３に基づいて説明する。図３（ａ）〜（ｅ）は、従来の
圧力センサの製造工程を説明するための図で、図中、１
１はシリコン基板、１２は酸化物単結晶薄膜、１３はシ
リコン単結晶薄膜、１４は抵抗領域、１５はエッチング
保護膜、１６は絶縁膜、１７は電極である。
【０００５】図３（ａ）は、シリコン基板１１の上に酸
化物単結晶薄膜１２およびシリコン単結晶薄膜１３を順
にエピタキシャル成長させる工程、図３（ｂ）は、シリ
コン単結晶薄膜１３に抵抗領域１４を拡散或いはイオン
注入により形成する工程、図３（ｃ）の工程では、基板
の両面に窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）などのエッチング保
護膜１５をダイヤフラムを形成する部分を除いて形成す
る。図３（ｄ）の工程では、シリコン基板１１部分のエ
ッチングを行なう。この時、酸化物単結晶薄膜１２はエ
ッチング液でエッチングされないものであるから、シリ
コン基板１１はエッチングされるが酸化物単結晶薄膜１
２に達したところで停止する。図３（ｅ）は最終工程で
あり、絶縁膜１６と電極１７を形成することによりシリ
コンダイヤフラム型圧力センサが得られる。
化物単結晶薄膜１２およびシリコン単結晶薄膜１３を順
にエピタキシャル成長させる工程、図３（ｂ）は、シリ
コン単結晶薄膜１３に抵抗領域１４を拡散或いはイオン
注入により形成する工程、図３（ｃ）の工程では、基板
の両面に窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）などのエッチング保
護膜１５をダイヤフラムを形成する部分を除いて形成す
る。図３（ｄ）の工程では、シリコン基板１１部分のエ
ッチングを行なう。この時、酸化物単結晶薄膜１２はエ
ッチング液でエッチングされないものであるから、シリ
コン基板１１はエッチングされるが酸化物単結晶薄膜１
２に達したところで停止する。図３（ｅ）は最終工程で
あり、絶縁膜１６と電極１７を形成することによりシリ
コンダイヤフラム型圧力センサが得られる。
【０００６】上述の工程により製造されたシリコンダイ
ヤフラム型圧力センサは、図３（ａ）の工程に図示する
ように、エッチングストップするための酸化物単結晶薄
膜１２上にシリコン単結晶薄膜１３を形成する方法が極
めて高価なものとなる。上述の方法では、シリコン単結
晶薄膜１３をＣＶＤ（ChemicalVapor Desition）法又は
スパッタ法により堆積するが、該シリコン単結晶薄膜１
３はダイヤフラムとなるものであり、必要な厚さとする
ためには長時間を要する。また、２枚の酸化物薄膜１２
を形成したシリコン単結晶基板１１を酸化物薄膜１２が
当面するように接合した後、一方のシリコン単結晶基板
１１を研磨して所定の厚さにする方法がある。しかし、
研磨工程は非能率であり、研磨製品は高価となる。
ヤフラム型圧力センサは、図３（ａ）の工程に図示する
ように、エッチングストップするための酸化物単結晶薄
膜１２上にシリコン単結晶薄膜１３を形成する方法が極
めて高価なものとなる。上述の方法では、シリコン単結
晶薄膜１３をＣＶＤ（ChemicalVapor Desition）法又は
スパッタ法により堆積するが、該シリコン単結晶薄膜１
３はダイヤフラムとなるものであり、必要な厚さとする
ためには長時間を要する。また、２枚の酸化物薄膜１２
を形成したシリコン単結晶基板１１を酸化物薄膜１２が
当面するように接合した後、一方のシリコン単結晶基板
１１を研磨して所定の厚さにする方法がある。しかし、
研磨工程は非能率であり、研磨製品は高価となる。
【０００７】
【目的】本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされた
もので、簡易で安価なダイヤフラム型の圧力センサを提
供することを目的としてなされたものである。
もので、簡易で安価なダイヤフラム型の圧力センサを提
供することを目的としてなされたものである。
【０００８】
【構成】本発明は、上記目的を達成するために、（１）
厚さ一様の平板状のシリコン基板と、厚さ一様の平板状
のガラス板とを接着する工程と、前記シリコン基板の一
部をエッチングし前記ガラス板の受圧面を形成する工程
と、該ガラス板の受圧面にピエゾ効果領域を形成する工
程と、該ピエゾ効果領域に端子を形成する工程とからな
ること、或いは、（２）厚さ一様で透孔を有する平板状
の金属板と、厚さ一様の平板状のガラスとを接着する工
程と、前記金属板の透孔部分内におけるガラスを受圧部
して、該受圧部面にピエゾ効果領域を形成する工程と、
該ピエゾ効果領域に端子を形成する工程とからなること
を特徴とするものである。以下、本発明の実施例に基い
て説明する。
厚さ一様の平板状のシリコン基板と、厚さ一様の平板状
のガラス板とを接着する工程と、前記シリコン基板の一
部をエッチングし前記ガラス板の受圧面を形成する工程
と、該ガラス板の受圧面にピエゾ効果領域を形成する工
程と、該ピエゾ効果領域に端子を形成する工程とからな
ること、或いは、（２）厚さ一様で透孔を有する平板状
の金属板と、厚さ一様の平板状のガラスとを接着する工
程と、前記金属板の透孔部分内におけるガラスを受圧部
して、該受圧部面にピエゾ効果領域を形成する工程と、
該ピエゾ効果領域に端子を形成する工程とからなること
を特徴とするものである。以下、本発明の実施例に基い
て説明する。
【０００９】図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の圧力セン
サの製造方法の一実施例を説明するための図で、図１
（ａ）はシリコン基板と、ガラス板とを接着する工程、
図１（ｂ）はシリコン基板の一部をエッチングしガラス
板の受圧面を形成する工程、図１（ｃ）は受圧面にシリ
コン薄膜を形成する工程、図１（ｄ）はシリコン薄膜に
ピエゾ効果領域を形成する工程、図１（ｅ）はピエゾ効
果領域に端子を形成する工程で、図中、１はシリコン基
板、２はガラス板、２ａはダイヤフラム、３はエッチン
グ保護膜、４はエッチング部、５はシリコン薄膜、６は
絶縁膜、７はピエゾ効果領域、８は電極である。
サの製造方法の一実施例を説明するための図で、図１
（ａ）はシリコン基板と、ガラス板とを接着する工程、
図１（ｂ）はシリコン基板の一部をエッチングしガラス
板の受圧面を形成する工程、図１（ｃ）は受圧面にシリ
コン薄膜を形成する工程、図１（ｄ）はシリコン薄膜に
ピエゾ効果領域を形成する工程、図１（ｅ）はピエゾ効
果領域に端子を形成する工程で、図中、１はシリコン基
板、２はガラス板、２ａはダイヤフラム、３はエッチン
グ保護膜、４はエッチング部、５はシリコン薄膜、６は
絶縁膜、７はピエゾ効果領域、８は電極である。
【００１０】図１（ａ）のシリコン基板１は例えば面方
向（１００）のｎ型シリコンの厚さ一様な平板であり、
該シリコン基板の非エッチング面に窒化シリコン（Ｓｉ
3Ｎ4）などのエッチング保護膜３が形成されている。ガ
ラス板２は前記シリコン基板１と熱膨張係数が略々等し
いパイレックス等の厚さ一様なガラス板である。該ガラ
ス板２とシリコン基板１とは、例えば、静電接着法によ
り接着する。静電接着法によると、１０-3Ｔorr以下の
真空中で、ガラス板２とシリコン基板１とを重ね合わせ
て３５０℃に加熱したヒータステージ上に載置する。こ
の状態でガラス板２とシリコン基板１との間に５００ボ
ルトの直流電圧を印加して接着する。
向（１００）のｎ型シリコンの厚さ一様な平板であり、
該シリコン基板の非エッチング面に窒化シリコン（Ｓｉ
3Ｎ4）などのエッチング保護膜３が形成されている。ガ
ラス板２は前記シリコン基板１と熱膨張係数が略々等し
いパイレックス等の厚さ一様なガラス板である。該ガラ
ス板２とシリコン基板１とは、例えば、静電接着法によ
り接着する。静電接着法によると、１０-3Ｔorr以下の
真空中で、ガラス板２とシリコン基板１とを重ね合わせ
て３５０℃に加熱したヒータステージ上に載置する。こ
の状態でガラス板２とシリコン基板１との間に５００ボ
ルトの直流電圧を印加して接着する。
【００１１】図１（ｂ）において、シリコン基板１のガ
ラス板２との非接着側において、異方性エッチングによ
りエッチング保護膜３の部分を除いてエッチングしダイ
ヤフラム２ａを形成する。エッチング液はＫＯＨ（水酸
化カリウム）溶液であり、異方性エッチングはシリコン
基板１を浸したときシリコンの結晶面の方位により異な
るエッチング速度となることを利用したものでエッチン
グ角度は５４.７°の一定な角度となる。エッチングが
進行するとガラス板２はエッチングストッパとなりダイ
ヤフラム２ａが形成される。
ラス板２との非接着側において、異方性エッチングによ
りエッチング保護膜３の部分を除いてエッチングしダイ
ヤフラム２ａを形成する。エッチング液はＫＯＨ（水酸
化カリウム）溶液であり、異方性エッチングはシリコン
基板１を浸したときシリコンの結晶面の方位により異な
るエッチング速度となることを利用したものでエッチン
グ角度は５４.７°の一定な角度となる。エッチングが
進行するとガラス板２はエッチングストッパとなりダイ
ヤフラム２ａが形成される。
【００１２】図１（ｃ）の工程ではガラス板２の表面に
ＣＶＤ又はスパッタ等によりシリコン薄膜５を成膜し、
図１（ｄ）の工程において該シリコン薄膜５に対してボ
ロン等のイオンを注入することによりＰ型の半導体であ
るピエゾ効果素子群からなるピエゾ効果領域７を形成し
て、更にＳｉＯ2の絶縁膜６を成膜しピエゾ効果領域７
の絶縁処理を行う。該ピエゾ効果領域７には、アルミニ
ウム等の電極８が接続され（図１（ｅ））て、ガラス板
２を受圧ダイヤフラム２ａとする圧力センサが完成す
る。
ＣＶＤ又はスパッタ等によりシリコン薄膜５を成膜し、
図１（ｄ）の工程において該シリコン薄膜５に対してボ
ロン等のイオンを注入することによりＰ型の半導体であ
るピエゾ効果素子群からなるピエゾ効果領域７を形成し
て、更にＳｉＯ2の絶縁膜６を成膜しピエゾ効果領域７
の絶縁処理を行う。該ピエゾ効果領域７には、アルミニ
ウム等の電極８が接続され（図１（ｅ））て、ガラス板
２を受圧ダイヤフラム２ａとする圧力センサが完成す
る。
【００１３】図２は、本発明の圧力センサの製造方法の
他の実施例を説明するための図で、図中、９は金属板、
９ａは透孔であり、図１と同じ作用をする部分には等し
い符号を付している。
他の実施例を説明するための図で、図中、９は金属板、
９ａは透孔であり、図１と同じ作用をする部分には等し
い符号を付している。
【００１４】図示において、金属板９はガラス板２と膨
張係数の等しい金属板であり、予め透孔９が設けられて
いる。該透孔９に対応するガラス板２の部分はダイヤフ
ラム２ａとなる部分であり、金属板９とガラス板２とは
静電接着方法により接着される。なお、ダイヤフラム２
ａの面にピエゾ効果領域を形成する工程および該ピエゾ
効果領域に端子を形成する工程は、図１（ｃ）、図１
（ｄ），図１（ｅ）と等しい工程で行われるので、これ
らの工程の説明は省く。
張係数の等しい金属板であり、予め透孔９が設けられて
いる。該透孔９に対応するガラス板２の部分はダイヤフ
ラム２ａとなる部分であり、金属板９とガラス板２とは
静電接着方法により接着される。なお、ダイヤフラム２
ａの面にピエゾ効果領域を形成する工程および該ピエゾ
効果領域に端子を形成する工程は、図１（ｃ）、図１
（ｄ），図１（ｅ）と等しい工程で行われるので、これ
らの工程の説明は省く。
【００１５】上述においては、圧力センサは、ダイヤフ
ラム２ａの領域内にダイヤフラム２ａの歪を電気変換す
るためのピエゾ効果領域を構成することを説明したが、
前記信号を演算処理する回路を同一の基板内に設けるこ
とにより外部雑音の影響を受けないハイレベルの信号に
変換し、インテリジェント化することができる。
ラム２ａの領域内にダイヤフラム２ａの歪を電気変換す
るためのピエゾ効果領域を構成することを説明したが、
前記信号を演算処理する回路を同一の基板内に設けるこ
とにより外部雑音の影響を受けないハイレベルの信号に
変換し、インテリジェント化することができる。
【００１６】
【効果】以上の説明から明らかなように、本発明による
と、下記に示す効果がある。 （１）請求項１に対応する効果；シリコン基板上に該シ
リコン基板と熱膨張係数がほぼ等しい安価なパイレック
スのガラス板を接着して、該パイレックスのガラス板の
受圧部ダイヤフラムのみを残して異方性エッチングす
る。ダイヤフラムの厚さは一様に定められているので等
しい感度のダイヤフラム型の圧力センサを安価に提供で
きる。 （２）請求項２に対応する効果；ダイヤフラムを形成す
るガラス板の基板となる部分を予め透孔を有する金属板
としたので、基板に特別エッチングを施す工程を必要と
せず、前項（１）に示す効果と同様に安定したダイヤフ
ラム型の圧力センサをより安価に提供することができ
る。
と、下記に示す効果がある。 （１）請求項１に対応する効果；シリコン基板上に該シ
リコン基板と熱膨張係数がほぼ等しい安価なパイレック
スのガラス板を接着して、該パイレックスのガラス板の
受圧部ダイヤフラムのみを残して異方性エッチングす
る。ダイヤフラムの厚さは一様に定められているので等
しい感度のダイヤフラム型の圧力センサを安価に提供で
きる。 （２）請求項２に対応する効果；ダイヤフラムを形成す
るガラス板の基板となる部分を予め透孔を有する金属板
としたので、基板に特別エッチングを施す工程を必要と
せず、前項（１）に示す効果と同様に安定したダイヤフ
ラム型の圧力センサをより安価に提供することができ
る。
【図１】 本発明の圧力センサの製造方法の一実施例を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図２】 本発明の圧力センサの製造方法の他の実施例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３】 従来の圧力センサの製造工程を説明するため
の図である。
の図である。
１…シリコン基板、２…ガラス板、２ａ…ダイヤフラ
ム、３…エッチング保護膜、４…エッチング部、５…シ
リコン薄膜、６…絶縁膜、７…ピエゾ効果領域、８…電
極、９…金属板、９ａ…透孔。
ム、３…エッチング保護膜、４…エッチング部、５…シ
リコン薄膜、６…絶縁膜、７…ピエゾ効果領域、８…電
極、９…金属板、９ａ…透孔。
Claims (2)
- 【請求項１】 厚さ一様の平板状のシリコン基板と、厚
さ一様の平板状のガラス板とを接着する工程と、前記シ
リコン基板の一部をエッチングし前記ガラス板の受圧面
を形成する工程と、該ガラス板の受圧面にピエゾ効果領
域を形成する工程と、該ピエゾ効果領域に端子を形成す
る工程とからなることを特徴とする圧力センサの製造方
法。 - 【請求項２】 厚さ一様で透孔を有する平板状の金属板
と、厚さ一様の平板状のガラスとを接着する工程と、前
記金属板の透孔部分内におけるガラスを受圧部として、
該受圧部面にピエゾ効果領域を形成する工程と、該ピエ
ゾ効果領域に端子を形成する工程とからなることを特徴
とする圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201451A JPH0526752A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201451A JPH0526752A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 圧力センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0526752A true JPH0526752A (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=16441309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3201451A Pending JPH0526752A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0526752A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010008134A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体物理量センサ |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002093152A1 (en) * | 2001-05-16 | 2002-11-21 | Therasense, Inc. | Method for the determination of glycated hemoglobin |
| JP2005073660A (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Kanazawa Univ Tlo Inc | 組換え型ビリルビン酸化酵素及びその製造方法 |
| JP2009158480A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-07-16 | Sony Corp | 燃料電池用電極への酵素固定化方法 |
| JP2010183857A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Kanazawa Univ | 電極触媒、酵素電極、燃料電池及びバイオセンサ |
-
1991
- 1991-07-16 JP JP3201451A patent/JPH0526752A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002093152A1 (en) * | 2001-05-16 | 2002-11-21 | Therasense, Inc. | Method for the determination of glycated hemoglobin |
| JP2005073660A (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Kanazawa Univ Tlo Inc | 組換え型ビリルビン酸化酵素及びその製造方法 |
| JP2009158480A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-07-16 | Sony Corp | 燃料電池用電極への酵素固定化方法 |
| JP2010183857A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Kanazawa Univ | 電極触媒、酵素電極、燃料電池及びバイオセンサ |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JPN6016006648; 'ＵｎｉＰｒｏｔ' ＡＣＣＥＳＳＩＯＮ： Ａ４ＱＶ２７ ［ＧＩ： ５０４８９８６］， ＤＥＦＩＮＩＴＩＯＮ： Ｐｕｔａｔｉｖｅ ｕｎｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄ ｐｒｏｔｅｉｎ" ， ＵｎｉＰｒｏｔ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ ［ｒｅｔｒｉｅｖｅｄ ｏｎ ２６ Ｊａｎ ２０１６］ * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010008134A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体物理量センサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2896725B2 (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
| US4405970A (en) | Silicon-glass-silicon capacitive pressure transducer | |
| US4586109A (en) | Batch-process silicon capacitive pressure sensor | |
| JP3114570B2 (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
| US5041900A (en) | Semiconductor device having sealed electrical feedthrough | |
| US4786887A (en) | Thin-film strain gauge system and method of manufacturing same | |
| US5518951A (en) | Method for making thin film piezoresistive sensor | |
| IE53531B1 (en) | Electrostatic bonded,silicon capacitive pressure transducer | |
| JPS6313356B2 (ja) | ||
| JPH06129933A (ja) | 過圧保護ポリシリコン容量性差圧センサー及びその製造方法 | |
| US6327911B1 (en) | High temperature pressure transducer fabricated from beta silicon carbide | |
| US6691581B2 (en) | Pressure transducer fabricated from beta silicon carbide | |
| US5317922A (en) | Capacitance transducer article and method of fabrication | |
| US20020050171A1 (en) | Manufacturing method for a sensor component, in particular, a thin-film high-pressure sensor, and the sensor component | |
| JPH0526752A (ja) | 圧力センサの製造方法 | |
| KR20080098990A (ko) | 압력센서 제조방법 및 그 구조 | |
| JPH0626254B2 (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPH0230188A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JP3617346B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH10135485A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPS6259828A (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
| JP2782743B2 (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JPH0521814A (ja) | 圧力センサ及び製造方法 | |
| JPH05231975A (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
| JPH07318445A (ja) | 静電容量型圧力センサとその製造方法 |