JP2782743B2 - 半導体圧力センサ及びその製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサ及びその製造方法Info
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- JP2782743B2 JP2782743B2 JP63305061A JP30506188A JP2782743B2 JP 2782743 B2 JP2782743 B2 JP 2782743B2 JP 63305061 A JP63305061 A JP 63305061A JP 30506188 A JP30506188 A JP 30506188A JP 2782743 B2 JP2782743 B2 JP 2782743B2
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- Japan
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- semiconductor pressure
- silicon substrate
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- silicon
- pressure sensor
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、シリコンを用いて半導体圧力センサ及びそ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
従来、Si基板を用いた半導体圧力センサにおいては、
半導体圧力変換素子を支持する台座には、圧力センサと
同じ材料であるシリコンや、シリコンと熱膨張係数が類
似したパイレックスガラス（商品名）等が用いられてい
る。
半導体圧力変換素子を支持する台座には、圧力センサと
同じ材料であるシリコンや、シリコンと熱膨張係数が類
似したパイレックスガラス（商品名）等が用いられてい
る。
台座をシリコンで構成した場合、同一材料のため線膨
張率差はないが、ダイヤフラムとの気密接着に通常はん
だ、Au−Si共晶、低融点ガラス等の接着剤を用いるた
め、この接着剤による熱応力がセンサの精度低下の原因
となる。また、パイレックスガラスを台座に使用した場
合、気密接着に陽極接合を用いれば、接着剤がないた
め、これによる精度低下はないが、シリコンとの線膨張
率差（約１×10-7/℃）から生じる１μストレイン/100
℃程度の熱応力により精度低下を生じるという問題点を
有していた。
張率差はないが、ダイヤフラムとの気密接着に通常はん
だ、Au−Si共晶、低融点ガラス等の接着剤を用いるた
め、この接着剤による熱応力がセンサの精度低下の原因
となる。また、パイレックスガラスを台座に使用した場
合、気密接着に陽極接合を用いれば、接着剤がないた
め、これによる精度低下はないが、シリコンとの線膨張
率差（約１×10-7/℃）から生じる１μストレイン/100
℃程度の熱応力により精度低下を生じるという問題点を
有していた。
また、パイレックスガラスを形成するナトリウムボロ
ンの化合物は吸湿性があり、圧力センサを湿気を含んだ
雰囲気で使用すると、パイレックスガラスが吸湿し、台
座が変形し出力特性における不安定性が監察されること
があるという問題点をも有していた。
ンの化合物は吸湿性があり、圧力センサを湿気を含んだ
雰囲気で使用すると、パイレックスガラスが吸湿し、台
座が変形し出力特性における不安定性が監察されること
があるという問題点をも有していた。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、半導体
圧力変換素子と台座との接合において、熱応力の発生を
緩和することのできる半導体圧力センサ及びその製造方
法を提供することを目的としている。また、湿気を含ん
だ雰囲気で使用しても、接合部が吸湿しないようにする
ことも目的としている。
圧力変換素子と台座との接合において、熱応力の発生を
緩和することのできる半導体圧力センサ及びその製造方
法を提供することを目的としている。また、湿気を含ん
だ雰囲気で使用しても、接合部が吸湿しないようにする
ことも目的としている。
上記目的を達成するために、本発明においては、厚肉
部、および薄肉のダイヤフラム部を有したシリコンより
成り、該ダイヤフラム部に歪検出素子を形成した半導体
圧力変換素子と、 該半導体圧力変換素子を支持するものであってシリコ
ンよりなるシリコン台座と、 前記半導体圧力変換素子と前記シリコン台座との間に
設けられ、可動イオンを含む不純物領域を有する絶縁膜
とを備え、 該絶縁膜において、前記可動イオンを含む前記不純物
領域は、半導体圧力センサを取り囲む雰囲気と非接触な
場所に形成されている半導体圧力センサを構成すること
を特徴とする。
部、および薄肉のダイヤフラム部を有したシリコンより
成り、該ダイヤフラム部に歪検出素子を形成した半導体
圧力変換素子と、 該半導体圧力変換素子を支持するものであってシリコ
ンよりなるシリコン台座と、 前記半導体圧力変換素子と前記シリコン台座との間に
設けられ、可動イオンを含む不純物領域を有する絶縁膜
とを備え、 該絶縁膜において、前記可動イオンを含む前記不純物
領域は、半導体圧力センサを取り囲む雰囲気と非接触な
場所に形成されている半導体圧力センサを構成すること
を特徴とする。
また、第１のシリコン基板にダイヤフラム部及び歪検
出素子を形成して半導体圧力変換素子とする工程と、 第２のシリコン基板の主表面に絶縁膜を形成する工程
と、 前記第２のシリコン基板の主表面に形成された前記絶
縁膜の内側領域に可動イオンを導入して不純物領域とす
る工程と、 前記第１のシリコン基板と前記第２のシリコン基板
を、前記不純物領域を介して陽極接合し、前記不純物領
域が半導体圧力センサを取り囲む外部雰囲気に露出しな
いようにする工程と を備える半導体圧力センサの製造方法を特徴とする。
出素子を形成して半導体圧力変換素子とする工程と、 第２のシリコン基板の主表面に絶縁膜を形成する工程
と、 前記第２のシリコン基板の主表面に形成された前記絶
縁膜の内側領域に可動イオンを導入して不純物領域とす
る工程と、 前記第１のシリコン基板と前記第２のシリコン基板
を、前記不純物領域を介して陽極接合し、前記不純物領
域が半導体圧力センサを取り囲む外部雰囲気に露出しな
いようにする工程と を備える半導体圧力センサの製造方法を特徴とする。
さらに、また、第１のシリコン基板にダイヤフラム部
及び歪検出素子を形成して半導体圧力変換素子とする工
程と、 第１のシリコン基板の主表面に絶縁膜を形成する工程
と、 前記第１のシリコン基板の主表面に形成された前記絶
縁膜の内側領域に可動イオンを導入して不純物領域とす
る工程と、 前記第１のシリコン基板と前記第２のシリコン基板
を、前記不純物領域を介して陽極接合し、前記不純物領
域が半導体圧力センサを取り囲む外部雰囲気に露出しな
いようにする工程と を備える半導体圧力センサの製造方法を特徴とする。
及び歪検出素子を形成して半導体圧力変換素子とする工
程と、 第１のシリコン基板の主表面に絶縁膜を形成する工程
と、 前記第１のシリコン基板の主表面に形成された前記絶
縁膜の内側領域に可動イオンを導入して不純物領域とす
る工程と、 前記第１のシリコン基板と前記第２のシリコン基板
を、前記不純物領域を介して陽極接合し、前記不純物領
域が半導体圧力センサを取り囲む外部雰囲気に露出しな
いようにする工程と を備える半導体圧力センサの製造方法を特徴とする。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。第１
図（ａ）乃至第１図（ｉ）は第１実施例をその製造工程
順に説明する為の断面図である。
図（ａ）乃至第１図（ｉ）は第１実施例をその製造工程
順に説明する為の断面図である。
まず、第１図（ａ）に示す工程において、２〜10Ω・
cmのＮ型（100）単結晶シリコン基板１を乾いた酸素雰
囲気で熱酸化を行い、約1000Åの熱酸化膜（SiO2）３及
び５を形成する。次に、第１図（ｂ）に示す工程におい
て、ボロン等のイオン注入により、ピエゾ抵抗素子７を
形成する。その後、第１図（ｃ）に示す工程において、
熱酸化膜（SiO2）を更に形成して、SiO23及び５の厚さ
を5000Å〜１μｍとした後、コンタクト穴を形成し、Al
配線層９を形成する。次に、第１図（ｄ）に示す工程に
おいては、まず、熱酸化膜５の所定の部分をHF等により
エッチング除去した後、残った熱酸化膜５をマスタとし
て、KOHを用いた異方性エッチングにより単結晶シリコ
ン基板１のエッチングを行い、ダイヤフラム部11を形成
する。その後、第１図（ｅ）に示すように、熱酸化膜５
をHF等によりエッチング除去して、圧力変換素子が構成
される。一方、第１図（ｆ）に示す工程では、台座とな
る厚さ2mm〜5mmで、比抵抗２〜10Ω・cmのＮ型（100）
単結晶シリコン基板13の表面を鏡面研磨した後、絶縁膜
として、熱酸化により0.5〜２μｍの厚さの熱酸化膜（S
iO2）15を形成する。次に、第１図（ｇ）に示す工程に
おいては、通常のフォトリソグラフィにより所定の領域
にレジストパターン17を形成し、Na+（K+,Li+等でもよ
い）のイオン注入を行い、不純物領域19を形成する。次
に、第１図（ｈ）に示す工程において、レジスト17を除
去し、超音波加工法等により圧力導入孔21を形成する。
次に、第１図（ｉ）に示すように、通常行われる陽極接
合法により、第１図（ｅ）に示す圧力変換素子と第１図
（ｈ）に示した台座を接合する。この陽極接合は第７図
に示すように、圧力変換素子側が陽極となるように電圧
を印加して、ヒータ106により温度を300℃〜500℃とし
て行う。100は電源、102は陽極、104は陰極、108はヒー
タ用電源である。
cmのＮ型（100）単結晶シリコン基板１を乾いた酸素雰
囲気で熱酸化を行い、約1000Åの熱酸化膜（SiO2）３及
び５を形成する。次に、第１図（ｂ）に示す工程におい
て、ボロン等のイオン注入により、ピエゾ抵抗素子７を
形成する。その後、第１図（ｃ）に示す工程において、
熱酸化膜（SiO2）を更に形成して、SiO23及び５の厚さ
を5000Å〜１μｍとした後、コンタクト穴を形成し、Al
配線層９を形成する。次に、第１図（ｄ）に示す工程に
おいては、まず、熱酸化膜５の所定の部分をHF等により
エッチング除去した後、残った熱酸化膜５をマスタとし
て、KOHを用いた異方性エッチングにより単結晶シリコ
ン基板１のエッチングを行い、ダイヤフラム部11を形成
する。その後、第１図（ｅ）に示すように、熱酸化膜５
をHF等によりエッチング除去して、圧力変換素子が構成
される。一方、第１図（ｆ）に示す工程では、台座とな
る厚さ2mm〜5mmで、比抵抗２〜10Ω・cmのＮ型（100）
単結晶シリコン基板13の表面を鏡面研磨した後、絶縁膜
として、熱酸化により0.5〜２μｍの厚さの熱酸化膜（S
iO2）15を形成する。次に、第１図（ｇ）に示す工程に
おいては、通常のフォトリソグラフィにより所定の領域
にレジストパターン17を形成し、Na+（K+,Li+等でもよ
い）のイオン注入を行い、不純物領域19を形成する。次
に、第１図（ｈ）に示す工程において、レジスト17を除
去し、超音波加工法等により圧力導入孔21を形成する。
次に、第１図（ｉ）に示すように、通常行われる陽極接
合法により、第１図（ｅ）に示す圧力変換素子と第１図
（ｈ）に示した台座を接合する。この陽極接合は第７図
に示すように、圧力変換素子側が陽極となるように電圧
を印加して、ヒータ106により温度を300℃〜500℃とし
て行う。100は電源、102は陽極、104は陰極、108はヒー
タ用電源である。
尚、シリコン基板13において、熱酸化膜15を形成した
面と反対側の面には、陽極接合の際の通電のために、め
っき、真空蒸着法等によりメタライズ層23が形成されて
いる。
面と反対側の面には、陽極接合の際の通電のために、め
っき、真空蒸着法等によりメタライズ層23が形成されて
いる。
第２図は上記第１実施例によって得られた半導体圧力
センサの一適用例を示す断面図である。この第２図にお
いて、ダイヤフラム部11の所定の位置にはピエゾ抵抗素
子７（図示せず）が４個配置されてフルブリッジ結線さ
れ、アルミより成るボンディングワイヤ23によりハーメ
チックシール端子25の端面と電気接続されている。台座
13は、圧力導入パイプ27とハーメチックシール部29を有
するコバール製のステム31の所定の位置にはんだ17によ
り接着されている。鉄製のキャップ33はステム31の外周
部35においてプロジェクション溶接により気密接続さ
れ、ステム31とキャップ33によって囲まれた領域が圧力
基準室となる。
センサの一適用例を示す断面図である。この第２図にお
いて、ダイヤフラム部11の所定の位置にはピエゾ抵抗素
子７（図示せず）が４個配置されてフルブリッジ結線さ
れ、アルミより成るボンディングワイヤ23によりハーメ
チックシール端子25の端面と電気接続されている。台座
13は、圧力導入パイプ27とハーメチックシール部29を有
するコバール製のステム31の所定の位置にはんだ17によ
り接着されている。鉄製のキャップ33はステム31の外周
部35においてプロジェクション溶接により気密接続さ
れ、ステム31とキャップ33によって囲まれた領域が圧力
基準室となる。
以上の構成とした本適用例においては、第２図におけ
る矢印の方から圧力が加えられると、ダイヤフラム部11
が変形し、その歪によりピエゾ抵抗素子７の抵抗値が変
化し、それに基づく電気信号がハーメチックシール端子
25を介して外部へ取り出される。
る矢印の方から圧力が加えられると、ダイヤフラム部11
が変形し、その歪によりピエゾ抵抗素子７の抵抗値が変
化し、それに基づく電気信号がハーメチックシール端子
25を介して外部へ取り出される。
以上説明したように、本実施例によれば、圧力変換素
子と台座は同じ材料（シリコン）で形成し、接着剤も用
いていないので、線膨張率差がなく、これに基づく熱応
力が発生することはない。これは、シリコン同士を接合
する際に接着剤を用いずに、Na+イオンを注入して、陽
極接合をすることができるようにしているからである。
更には、シリコン台座の厚さは２〜5mmであり、熱酸化
膜15の厚さは0.5〜２μｍと薄いため、例えば100℃程度
の温度変化があっても熱応力はほとんど発生しない。
子と台座は同じ材料（シリコン）で形成し、接着剤も用
いていないので、線膨張率差がなく、これに基づく熱応
力が発生することはない。これは、シリコン同士を接合
する際に接着剤を用いずに、Na+イオンを注入して、陽
極接合をすることができるようにしているからである。
更には、シリコン台座の厚さは２〜5mmであり、熱酸化
膜15の厚さは0.5〜２μｍと薄いため、例えば100℃程度
の温度変化があっても熱応力はほとんど発生しない。
また、本実施例は、接着剤やパイレックスガラス（商
品名）等を介してシリコン同士を接合するのではなく、
熱酸化膜にイオンを導入することにより不純物領域19を
形成して陽極接合を行うようにしているので、不純物領
域19は第１図（ｉ）に示すように不純物を含まない熱酸
化膜15によって取り囲まれ、外部に露出しない構造とす
ることができる。このため、湿気を含んだ雰囲気中で使
用しても、パイレックスガラス（商品名）のように吸湿
しても台座が変形することがない。また、鏡面研磨した
シリコン基板13の表面に、熱酸化により熱酸化膜15を形
成しているため、表面は全体にわたり平滑であり、不純
物を含まない熱酸化膜15と単結晶シリコン基板１との接
合面も、いわゆる直接接合により、陽極接合より接合力
は弱いが使用可能な程度に接合する。これは、300〜500
℃の温度と、陽極接合時に加えられた電圧のためでもあ
る。
品名）等を介してシリコン同士を接合するのではなく、
熱酸化膜にイオンを導入することにより不純物領域19を
形成して陽極接合を行うようにしているので、不純物領
域19は第１図（ｉ）に示すように不純物を含まない熱酸
化膜15によって取り囲まれ、外部に露出しない構造とす
ることができる。このため、湿気を含んだ雰囲気中で使
用しても、パイレックスガラス（商品名）のように吸湿
しても台座が変形することがない。また、鏡面研磨した
シリコン基板13の表面に、熱酸化により熱酸化膜15を形
成しているため、表面は全体にわたり平滑であり、不純
物を含まない熱酸化膜15と単結晶シリコン基板１との接
合面も、いわゆる直接接合により、陽極接合より接合力
は弱いが使用可能な程度に接合する。これは、300〜500
℃の温度と、陽極接合時に加えられた電圧のためでもあ
る。
なお、本実施例では、台座側にSiO2、15、不純物領域
19を形成したが、第３図に示しように、圧力変換素子側
にSiO237及び不純物領域39を形成した後、陽極接合する
ようにしてもよい。尚、その際には、電圧の印加は圧力
変換素子側を陰極として行う。また、この圧力センサを
湿気の少ない雰囲気中で使用する際には、可動イオンを
熱酸化膜全面に注入して、不純物領域41を第４図に示す
ように形成してもよいし、この際に不純物領域41を台座
側に形成してもよい。また、本実施例では、イオン注入
によりNa+をSiO2中に注入したが、拡散等の他の手段を
用いてもよく、更にはボロン等の不純物を注入し、不純
物領域をシリコンの熱膨張係数に近いパイレックスガラ
ス（商品名）等の不純物割合となるようにしてもよい。
19を形成したが、第３図に示しように、圧力変換素子側
にSiO237及び不純物領域39を形成した後、陽極接合する
ようにしてもよい。尚、その際には、電圧の印加は圧力
変換素子側を陰極として行う。また、この圧力センサを
湿気の少ない雰囲気中で使用する際には、可動イオンを
熱酸化膜全面に注入して、不純物領域41を第４図に示す
ように形成してもよいし、この際に不純物領域41を台座
側に形成してもよい。また、本実施例では、イオン注入
によりNa+をSiO2中に注入したが、拡散等の他の手段を
用いてもよく、更にはボロン等の不純物を注入し、不純
物領域をシリコンの熱膨張係数に近いパイレックスガラ
ス（商品名）等の不純物割合となるようにしてもよい。
また、歪検出素子はピエゾ抵抗に限らず、MOSトラン
ジスタ等の他のものでもよい。
ジスタ等の他のものでもよい。
また、本実施例では熱酸化により熱酸化膜により熱酸
化膜15を形成したが、いわゆるCVDにより酸化膜を形成
してもよく、また、SiO2に限らず、代わりに窒化膜や窒
化酸化膜（熱酸化膜をNH3）中で窒化した（ナイトライ
デッドオキサイド））等の絶縁膜でもよい。
化膜15を形成したが、いわゆるCVDにより酸化膜を形成
してもよく、また、SiO2に限らず、代わりに窒化膜や窒
化酸化膜（熱酸化膜をNH3）中で窒化した（ナイトライ
デッドオキサイド））等の絶縁膜でもよい。
次に、本発明の第２実施例を第５図に示す。本実施例
において、前記第１実施例と異なる点は、圧力導入孔を
有さず、圧力基準室43を設けた点である。このため、不
純物領域45を外部の湿気から保護するためのSiO247は、
第５図に示すように外周部のみでよい。第６図には、上
記第２実施例の変形例を示す。この例では、圧力基準室
43に対向する位置には不純物領域45が形成されない。な
お、第１実施例と同じ部分には同じ番号が付してある。
において、前記第１実施例と異なる点は、圧力導入孔を
有さず、圧力基準室43を設けた点である。このため、不
純物領域45を外部の湿気から保護するためのSiO247は、
第５図に示すように外周部のみでよい。第６図には、上
記第２実施例の変形例を示す。この例では、圧力基準室
43に対向する位置には不純物領域45が形成されない。な
お、第１実施例と同じ部分には同じ番号が付してある。
以上説明したように、本発明によれば、半導体圧力変
換素子と台座との接合において、熱応力の発生を緩和す
ることのできる半導体圧力センサを得ることができる。
換素子と台座との接合において、熱応力の発生を緩和す
ることのできる半導体圧力センサを得ることができる。
また、不純物領域は、半導体圧力センサを取り囲む雰
囲気と非接触な場所に形成されているため、湿気を含ん
だ雰囲気で使用しても、接合部が吸湿しないという効果
を奏する。
囲気と非接触な場所に形成されているため、湿気を含ん
だ雰囲気で使用しても、接合部が吸湿しないという効果
を奏する。
第１図（ａ）乃至第１図（ｉ）は本発明の第１実施例の
製造工程を示す断面図、第２図は上記第１実施例の一適
用例を示す断面図、第３図及び第４図は上記第１実施例
の変形例を示す断面図、第５図は本発明の第２実施例を
示す断面図、第６図は上記第２実施例の変形例を示す断
面図、第７図は上記第１実施例における陽極接合を示す
図である。 1,13……Ｎ型単結晶シリコン基板,3,15……熱酸化膜（S
iO2）,7……ピエゾ抵抗素子,11……ダイヤフラム部,19
……不純物領域。
製造工程を示す断面図、第２図は上記第１実施例の一適
用例を示す断面図、第３図及び第４図は上記第１実施例
の変形例を示す断面図、第５図は本発明の第２実施例を
示す断面図、第６図は上記第２実施例の変形例を示す断
面図、第７図は上記第１実施例における陽極接合を示す
図である。 1,13……Ｎ型単結晶シリコン基板,3,15……熱酸化膜（S
iO2）,7……ピエゾ抵抗素子,11……ダイヤフラム部,19
……不純物領域。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 29/84 G01L 9/04 101
Claims (3)
- 【請求項１】厚肉部、および薄肉のダイヤフラム部を有
したシリコンより成り、該ダイヤフラム部に歪検出素子
を形成した半導体圧力変換素子と、 該半導体圧力変換素子を支持するものであってシリコン
よりなるシリコン台座と、 前記半導体圧力変換素子と前記シリコン台座との間に設
けられ、可動イオンを含む不純物領域を有する絶縁膜と
を備え、 該絶縁膜において、前記可動イオンを含む前記不純物領
域は、半導体圧力センサを取り囲む雰囲気と非接触な場
所に形成されていることを特徴とする半導体圧力セン
サ。 - 【請求項２】第１のシリコン基板にダイヤフラム部及び
歪検出素子を形成して半導体圧力変換素子とする工程
と、 第２のシリコン基板の主表面に絶縁膜を形成する工程
と、 前記第２のシリコン基板の主表面に形成された前記絶縁
膜の内側領域に可動イオンを導入して不純物領域とする
工程と、 前記第１のシリコン基板と前記第２のシリコン基板を、
前記不純物領域を介して陽極接合し、前記不純物領域が
半導体圧力センサを取り囲む外部雰囲気に露出しないよ
うにする工程と を備えることを特徴とする半導体圧力センサの製造方
法。 - 【請求項３】第１のシリコン基板にダイヤフラム部及び
歪検出素子を形成して半導体圧力変換素子とする工程
と、 第１のシリコン基板の主表面に絶縁膜を形成する工程
と、 前記第１のシリコン基板の主表面に形成された前記絶縁
膜の内側領域に可動イオンを導入して不純物領域とする
工程と、 前記第１のシリコン基板と前記第２のシリコン基板を、
前記不純物領域を介して陽極接合し、前記不純物領域が
半導体圧力センサを取り囲む外部雰囲気に露出しないよ
うにする工程と を備えることを特徴とする半導体圧力センサの製造方
法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63305061A JP2782743B2 (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
| US07/363,526 US5095349A (en) | 1988-06-08 | 1989-06-07 | Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing same |
| DE3918769A DE3918769C2 (de) | 1988-06-08 | 1989-06-08 | Halbleiterdrucksensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE3943859A DE3943859B4 (de) | 1988-06-08 | 1989-06-08 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterdrucksensors |
| US08/035,248 USRE34893E (en) | 1988-06-08 | 1993-03-22 | Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing same |
| US08/108,498 US5320705A (en) | 1988-06-08 | 1993-08-18 | Method of manufacturing a semiconductor pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63305061A JP2782743B2 (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02151076A JPH02151076A (ja) | 1990-06-11 |
| JP2782743B2 true JP2782743B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=17940647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63305061A Expired - Lifetime JP2782743B2 (ja) | 1988-06-08 | 1988-12-01 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2782743B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
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-
1988
- 1988-12-01 JP JP63305061A patent/JP2782743B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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