JPS6166958U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6166958U JPS6166958U JP15273784U JP15273784U JPS6166958U JP S6166958 U JPS6166958 U JP S6166958U JP 15273784 U JP15273784 U JP 15273784U JP 15273784 U JP15273784 U JP 15273784U JP S6166958 U JPS6166958 U JP S6166958U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon chip
- bonded
- voltage
- thin film
- application terminal
- Prior art date
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- Pending
Links
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
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Description
第１図は従来の半導体圧力変換器で陽極接合を
する接合構造図、第２図は本考案の１実施例を示
す縦断面図、第３図は第２図におけるＡ−Ａ′矢
視拡大図である。 １…ダイヤフラム、２…シリコン基板、４…ガ
ラス薄膜、６…半導体歪ゲージ、８…電源、９…
ワイアリード、１０…電圧印加端子、１１…エピ
タキシヤル層、１２…抵抗層、１３，１５…ガラ
ス膜、１４…シリコンナイトライド層。
する接合構造図、第２図は本考案の１実施例を示
す縦断面図、第３図は第２図におけるＡ−Ａ′矢
視拡大図である。 １…ダイヤフラム、２…シリコン基板、４…ガ
ラス薄膜、６…半導体歪ゲージ、８…電源、９…
ワイアリード、１０…電圧印加端子、１１…エピ
タキシヤル層、１２…抵抗層、１３，１５…ガラ
ス膜、１４…シリコンナイトライド層。
Claims (1)
- 第１シリコンチツプと前記第１シリコンチツプ
と接合される接合面にスパツタリングで形成され
たガラス薄膜を有する第２シリコンチツプとの間
に電圧を印加して陽極接合される半導体素子にお
いて、前記第１シリコンチツプに陽極接合用の電
圧印加端子を形成したことを特徴とする半導体素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15273784U JPS6166958U (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15273784U JPS6166958U (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6166958U true JPS6166958U (ja) | 1986-05-08 |
Family
ID=30710789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15273784U Pending JPS6166958U (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6166958U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02151076A (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-11 | Nippondenso Co Ltd | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP15273784U patent/JPS6166958U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02151076A (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-11 | Nippondenso Co Ltd | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |