JPS61182050U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61182050U JPS61182050U JP6633085U JP6633085U JPS61182050U JP S61182050 U JPS61182050 U JP S61182050U JP 6633085 U JP6633085 U JP 6633085U JP 6633085 U JP6633085 U JP 6633085U JP S61182050 U JPS61182050 U JP S61182050U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- semiconductor
- semiconductor substrate
- piezoresistive element
- passivation film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の要部構成説明図、
第２図は第１図の平面図、第３図は第１図の工程
図、第４図は第１図の動作説明図、第５図、第６
図、第７図は従来より一般に使用されている従来
例の構成説明図で、第５図は側断面図、第６図は
平面図、第７図は要部詳細説明図である。 １……支持台、２……ダイアフラム、２１……
基準室、３……剪断形ゲージ、３１……パシベー
シヨン膜、３１１……酸化シリコン膜、３１２…
…窒化膜、３２……電極、３３……低抵抗層、３
４……導電体部。
第２図は第１図の平面図、第３図は第１図の工程
図、第４図は第１図の動作説明図、第５図、第６
図、第７図は従来より一般に使用されている従来
例の構成説明図で、第５図は側断面図、第６図は
平面図、第７図は要部詳細説明図である。 １……支持台、２……ダイアフラム、２１……
基準室、３……剪断形ゲージ、３１……パシベー
シヨン膜、３１１……酸化シリコン膜、３１２…
…窒化膜、３２……電極、３３……低抵抗層、３
４……導電体部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ｎ型又はｐ形の一方の伝導形のシリコン半
導体基板表面に、他方の伝導形の半導体よりなる
ピエゾ抵抗素子が形成され、その表面がパシベー
シヨン膜で覆われている半導体圧力センサにおい
て、前記半導体基板の前記ピエゾ抵抗素子に対向
する前記パシベーシヨン膜上に形成され所定電位
に保たれた導電体部を具備したことを特徴とする
半導体圧力センサ。 (2) 半導体基板がｎ形で、ピエゾ抵抗素子がｐ
形の剪断形ゲージで、導電体部がｎ形多結晶シリ
コンからなることを特徴とする実用新案登録請求
の範囲第１項記載の半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6633085U JPS61182050U (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6633085U JPS61182050U (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182050U true JPS61182050U (ja) | 1986-11-13 |
Family
ID=30599133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6633085U Pending JPS61182050U (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61182050U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4515549B2 (ja) * | 1999-03-12 | 2010-08-04 | 誠 石田 | 半導体素子および半導体センサ |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP6633085U patent/JPS61182050U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4515549B2 (ja) * | 1999-03-12 | 2010-08-04 | 誠 石田 | 半導体素子および半導体センサ |