JPS63147846U - - Google Patents

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JPS63147846U
JPS63147846U JP3943287U JP3943287U JPS63147846U JP S63147846 U JPS63147846 U JP S63147846U JP 3943287 U JP3943287 U JP 3943287U JP 3943287 U JP3943287 U JP 3943287U JP S63147846 U JPS63147846 U JP S63147846U
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JP
Japan
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piezoresistive element
type
semiconductor
oxide film
pressure sensor
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JP3943287U
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  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例の要部構成説明図、
第２図、第３図は第１図の動作説明図、第４図は
本考案の他の実施例の要部構成説明図、第５図は
本考案の別の実施例の要部構成説明図、第６図、
第７図、第８図は第９図は従来より一般に使用さ
れている従来例の構成説明図、第１０図は第６図
の動作説明図である。 １……支持台、２……ダイアフラム、２１……
基準室、３……剪断形ゲージ、３１……パシベー
シヨン膜、３１１……酸化シリコン膜、３１２…
…窒化膜、３２……電極、３３……低抵抗層、３
５……多結晶シリコンゲート。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 ｎ型又はＰ形の一方の伝導形のシリコン半導体
    基板表面に他方の伝導形の半導体よりなるピエゾ
    抵抗素子が形成されその外表面が窒化膜と酸化膜
    とで覆われている半導体圧力センサにおいて、 前記ピエゾ抵抗素子に対向して前記酸化膜中に
    形成され該ピエゾ抵抗素子がＰ形の場合は該ピエ
    ゾ抵抗素子の発生最高電位より高い電位に該ピエ
    ゾ抵抗素子がＮ形の場合は該ピエゾ抵抗素子の発
    生最低電位より低い電位に固定された多結晶シリ
    コンゲートを具備したことを特徴とする半導体圧
    力センサ。
JP3943287U 1987-03-18 1987-03-18 半導体圧力センサ Expired - Lifetime JPH0644112Y2 (ja)

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JPS63147846U true JPS63147846U (ja) 1988-09-29
JPH0644112Y2 JPH0644112Y2 (ja) 1994-11-14

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006085152A (ja) * 2004-08-20 2006-03-30 Tohoku Univ マイクロミラーデバイスとその製造方法、マイクロミラーデバイスの角度計測方法、およびマイクロミラーデバイス応用装置
JP2009019973A (ja) * 2007-07-11 2009-01-29 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体圧力センサ
WO2017073207A1 (ja) * 2015-10-28 2017-05-04 株式会社フジクラ 半導体圧力センサ
JP2017083424A (ja) * 2015-10-28 2017-05-18 株式会社フジクラ 半導体圧力センサ

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WO2017073207A1 (ja) * 2015-10-28 2017-05-04 株式会社フジクラ 半導体圧力センサ
JP2017083424A (ja) * 2015-10-28 2017-05-18 株式会社フジクラ 半導体圧力センサ

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JPH0644112Y2 (ja) 1994-11-14

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