JPS59123350U - 半導体圧力センサ - Google Patents

半導体圧力センサ

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JPS59123350U
JPS59123350U JP1767583U JP1767583U JPS59123350U JP S59123350 U JPS59123350 U JP S59123350U JP 1767583 U JP1767583 U JP 1767583U JP 1767583 U JP1767583 U JP 1767583U JP S59123350 U JPS59123350 U JP S59123350U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure sensor
regions
semiconductor pressure
diaphragm portion
external connection
Prior art date
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Pending
Application number
JP1767583U
Other languages
English (en)
Inventor
高浜　圀彦
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Filing date
Publication date
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Priority to JP1767583U priority Critical patent/JPS59123350U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図乃至第４図は従来例を説明するためのもので、第
１図Ａは平面図、第１図Ｂは同断面図、第４図は要部平
面図、第２図及び第３図は等価回路図、第５図Ａは本考
案の実施例を示す平面図、第５図Ｂは同一部断面図、第
６図は等価回路図、第７図は他の実施例を示す要部断面
図である。 ２１・・・ダイヤフラム部、２２・・・基部、２２ａ〜
２２ｄ・・・ピエゾ抵抗領域、２９〜３４・・・外部接
続電極、３フ・・・微小抵抗領域、３６ａ〜３６８・・
・調整用外部接続電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ダイアフラム部と該ダイアフラム部をその周辺において
    支持する基部とを有するシリコンペレットからなり、上
    記ダイアフラム部に複数のピエゾ抵抗領域を設けると共
    に、該領域に電気的に連なる外部接続電極を上記基部に
    形成せる半導体圧力センサにおいて、上記ピエゾ抵抗領
    域の所定のものに互いに直列的に連なる複数の微小抵抗
    領域と、これらの各領域と対応し、かつ直接接触せる複
    数の調整用外部接続電極とを上記基部に形成したことを
    特徴とする半導体圧力センサ。
JP1767583U 1983-02-08 1983-02-08 半導体圧力センサ Pending JPS59123350U (ja)

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JP1767583U JPS59123350U (ja) 1983-02-08 1983-02-08 半導体圧力センサ

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JP1767583U JPS59123350U (ja) 1983-02-08 1983-02-08 半導体圧力センサ

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JPS59123350U true JPS59123350U (ja) 1984-08-20

Family

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JP1767583U Pending JPS59123350U (ja) 1983-02-08 1983-02-08 半導体圧力センサ

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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