JPS5880540U - 静電容量型圧力センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例における静電容量型圧力セン
サの構造を示す斜視図、第２図は同ダイアフラムの形状
および電極構造を示す平面図、第３図は同支持体の形状
および電極構造を示す平面図、第４図および第５図は信
号取出用端子とリード線との接続構造を示す拡大断面図
である。 １・・・・・・支持体、２・・・・・・ダイアフラム、
３・・・・・・ガラス封着部、４・・・・・・切欠部、
５・・・・・・リード線、７゜９．１０・・・・・・薄
膜電極、８．　１１．　１２・・・・・・信号取出用端
子、１３．１７・・・・・・厚膜のメタライズ層、１４
、　１５．　１８．　１９・・・・・・半田接続部、１
６゜２０・・・・・・貫通孔。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 （１１セラミックからなる薄板のダイヤフラムとセラミ
   ックからなる厚板の支持体の相対する面に薄膜電極を形
   成し、前記ダイアフラムと前記支持体とを所定の間隔を
   隔てて封着すると共に、前記ダイヤフラムおよび前記支
   持体を、外周部に少（とも２辺の直線部を有するごとく
   構成したことを特徴とする静電容量型圧力センサ。 （２）支持体上に設けられた薄膜電極の信号取出用端子
   を前記支持体の角部近傍に設けると共に、前記信号取出
   用端子の端部に対応する位置のダイアフラムに切欠部を
   設け、前記支持体に設けられた貫通孔を介して前記信号
   取出用端子の端部と外部リード線を接続することを特徴
   とする実用新案登録請求の範囲第（１）項記載の静電容
   量型圧力センサ。 （３）ダイヤフラム上に設けられた薄膜電極の信号取出
   用端子を前記ダイヤフラムの角部近傍に設けると共に、
   前記信号取出用端子の端部に対応する位置の支持体に切
   欠部を設け、前記支持体に設けられた貫通孔を介して前
   記信号取出用端子の端部と外部リード線を接続すること
   を特徴とする実用新案登録請求の範囲第（１）項記載の
   静電容量型圧力センサ。