JPS61182051U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61182051U JPS61182051U JP6633185U JP6633185U JPS61182051U JP S61182051 U JPS61182051 U JP S61182051U JP 6633185 U JP6633185 U JP 6633185U JP 6633185 U JP6633185 U JP 6633185U JP S61182051 U JPS61182051 U JP S61182051U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- pressure sensor
- piezoresistive element
- semiconductor substrate
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の要部構成説明図、
第２図は第１図の平面図、第３図は第１図の工程
図、第４図、第５図、第６図は従来より一般に使
用されている従来例の構成説明図で、第４図は側
断面図、第５図は平面図、第６図は要部詳細説明
図である。 １……支持台、２……ダイアフラム、２１……
基準室、３……剪断形ゲージ、３１……パシベー
シヨン膜、３１１……酸化シリコン膜、３１２…
…窒化膜、３２……電極、３３……低抵抗層、３
４……応力緩衝層。
第２図は第１図の平面図、第３図は第１図の工程
図、第４図、第５図、第６図は従来より一般に使
用されている従来例の構成説明図で、第４図は側
断面図、第５図は平面図、第６図は要部詳細説明
図である。 １……支持台、２……ダイアフラム、２１……
基準室、３……剪断形ゲージ、３１……パシベー
シヨン膜、３１１……酸化シリコン膜、３１２…
…窒化膜、３２……電極、３３……低抵抗層、３
４……応力緩衝層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) シリコン半導体基板表面部分にピエゾ抵抗
素子が形成され、前記シリコン半導体基板表面が
パシベーシヨン膜で覆われている半導体圧力セン
サにおいて、前記パシベーシヨン膜の外表面に前
記ピエゾ抵抗素子に対向して設けられ前記シリコ
ン半導体と同材料よりなる応力緩衝層を具備した
ことを特徴とする半導体圧力センサ。 (2) 半導体基板がｎ形で、ピエゾ抵抗素子がＰ
形の剪断形ゲージで、応力緩衝層がｎ形多結晶シ
リコンからなることを特徴とする実用新案登録請
求の範囲第１項記載の半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6633185U JPS61182051U (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6633185U JPS61182051U (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182051U true JPS61182051U (ja) | 1986-11-13 |
Family
ID=30599135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6633185U Pending JPS61182051U (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61182051U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07131035A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Masaki Esashi | ピエゾ抵抗素子の製造方法 |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP6633185U patent/JPS61182051U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07131035A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Masaki Esashi | ピエゾ抵抗素子の製造方法 |