JPH07131035A - ピエゾ抵抗素子の製造方法 - Google Patents
ピエゾ抵抗素子の製造方法Info
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- JPH07131035A JPH07131035A JP5273527A JP27352793A JPH07131035A JP H07131035 A JPH07131035 A JP H07131035A JP 5273527 A JP5273527 A JP 5273527A JP 27352793 A JP27352793 A JP 27352793A JP H07131035 A JPH07131035 A JP H07131035A
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- Japan
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- layer
- resistance layer
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- flow sensor
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- Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面電界による抵抗値の変動が少なく、しか
もブレークダウン耐圧が高くてリーク電流が小さい特性
をもつピエゾ抵抗素子を得ることのできる製造方法を提
供する。 【構成】 半導体基板（例えばｎ型）１に、その基板表
面層の導電型を残したままの状態で基板とは異なる導電
型（例えばｐ型）のドーパント層を埋め込むことが可能
なエネルギでイオン（例えば１ＭｅＶでＢイオン）を打
ち込むことによって埋め込み抵抗層２を形成する。
もブレークダウン耐圧が高くてリーク電流が小さい特性
をもつピエゾ抵抗素子を得ることのできる製造方法を提
供する。 【構成】 半導体基板（例えばｎ型）１に、その基板表
面層の導電型を残したままの状態で基板とは異なる導電
型（例えばｐ型）のドーパント層を埋め込むことが可能
なエネルギでイオン（例えば１ＭｅＶでＢイオン）を打
ち込むことによって埋め込み抵抗層２を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば圧力センサやフ
ローセンサなどの力学量センサに利用されるピエゾ抵抗
素子を製造する方法に関する。
ローセンサなどの力学量センサに利用されるピエゾ抵抗
素子を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ピエゾ抵抗素子を作製する方法として
は、従来、基板（例えばシリコン単結晶基板）に、拡
散法あるいはイオン注入法によって不純物を添加するこ
とによって、図１０(a) に示すように、基板２１の表面
に抵抗層２２を形成する方法、もしくは基板表面に不
純物層を拡散した後に、さらに反対の導電型の不純物を
上部に拡散することによって、同図(b) に示すように、
基板３１の内部に埋め込み抵抗層３２を形成する方法が
知られている(M.Esashi,H.Komatsu and T.Matsuo,"Biom
edical Pressure Sensor Using Buried Piezoresistor
s",Sensors and Ac-tuators,4,pp.537-544,1983.) 。
は、従来、基板（例えばシリコン単結晶基板）に、拡
散法あるいはイオン注入法によって不純物を添加するこ
とによって、図１０(a) に示すように、基板２１の表面
に抵抗層２２を形成する方法、もしくは基板表面に不
純物層を拡散した後に、さらに反対の導電型の不純物を
上部に拡散することによって、同図(b) に示すように、
基板３１の内部に埋め込み抵抗層３２を形成する方法が
知られている(M.Esashi,H.Komatsu and T.Matsuo,"Biom
edical Pressure Sensor Using Buried Piezoresistor
s",Sensors and Ac-tuators,4,pp.537-544,1983.) 。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した従
来法のうち、の方法によれば、抵抗層２２が基板表面
に位置するため、外部電界の影響（表面電界効果）を受
け、抵抗値が変動するという問題がある。
来法のうち、の方法によれば、抵抗層２２が基板表面
に位置するため、外部電界の影響（表面電界効果）を受
け、抵抗値が変動するという問題がある。
【０００４】一方、の方法によると、抵抗層３２が基
板内部に埋め込まれるので、上記した外部電界の影響は
少ないものの、不純物の二重拡散により高濃度拡散層同
士の接合が形成されるため、接合のブレークダウン電圧
が低く、またリーク電流によるノイズが大きいなどの問
題がある。
板内部に埋め込まれるので、上記した外部電界の影響は
少ないものの、不純物の二重拡散により高濃度拡散層同
士の接合が形成されるため、接合のブレークダウン電圧
が低く、またリーク電流によるノイズが大きいなどの問
題がある。
【０００５】本発明はそのような事情に鑑みてなされた
もので、表面電界による抵抗値の変動が少なく、かつ、
ブレークダウン耐圧が高くてリーク電流が小さい特性を
もつピエゾ抵抗素子を得ることのできる製造方法の提供
を所期の目的とする。
もので、表面電界による抵抗値の変動が少なく、かつ、
ブレークダウン耐圧が高くてリーク電流が小さい特性を
もつピエゾ抵抗素子を得ることのできる製造方法の提供
を所期の目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明方法は、実施例に対応する図１に示すよう
に、半導体基板（例えばｎ型）１に、その基板表面層の
導電型を残したままの状態で当該半導体基板１とは異な
る導電型（例えばｐ型）のドーパント層を埋め込むこと
が可能なエネルギで、イオンを打ち込むことによって基
板１の内部に埋め込み抵抗層２を形成することによって
特徴づけられる。
め、本発明方法は、実施例に対応する図１に示すよう
に、半導体基板（例えばｎ型）１に、その基板表面層の
導電型を残したままの状態で当該半導体基板１とは異な
る導電型（例えばｐ型）のドーパント層を埋め込むこと
が可能なエネルギで、イオンを打ち込むことによって基
板１の内部に埋め込み抵抗層２を形成することによって
特徴づけられる。
【０００７】
【作用】イオンを高エネルギに加速して基板に打ち込む
と、その注入イオンは基板原子と衝突を繰り返しながら
次第にエネルギを失い、基板表面からある深さのところ
で止まる。例えば、シリコン単結晶基板にホウ素イオン
を１ＭｅＶのエネルギにまで加速して打ち込むと、その
注入イオンは基板表面から約 1.8μｍの深さ位置で止ま
る。しかも、その停止に至るまでの距離は、ある程度の
ばらつきをもつ。
と、その注入イオンは基板原子と衝突を繰り返しながら
次第にエネルギを失い、基板表面からある深さのところ
で止まる。例えば、シリコン単結晶基板にホウ素イオン
を１ＭｅＶのエネルギにまで加速して打ち込むと、その
注入イオンは基板表面から約 1.8μｍの深さ位置で止ま
る。しかも、その停止に至るまでの距離は、ある程度の
ばらつきをもつ。
【０００８】従って、そのような高エネルギイオン注入
法を採用して、基板にドーパントを導入することで、例
えば図２のドーパント濃度分布図に示すように、基板表
面の導電型（ｎ型）は残したままの状態つまり基板表面
は低濃度のままの状態で、この基板中に埋め込み抵抗層
（ｐ型）を形成することができる。
法を採用して、基板にドーパントを導入することで、例
えば図２のドーパント濃度分布図に示すように、基板表
面の導電型（ｎ型）は残したままの状態つまり基板表面
は低濃度のままの状態で、この基板中に埋め込み抵抗層
（ｐ型）を形成することができる。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例を、以下、図面に基づいて説
明する。図１は本発明方法の実施例の手順を説明する図
である。
明する。図１は本発明方法の実施例の手順を説明する図
である。
【００１０】まず、(a),(b) に示すように、シリコン単
結晶基板〔ｎ型（１００）：２−３Ω・cm〕１の表面を
覆う酸化膜（Ｓｉ０2 ）７に窓あけを行った後に、リン
を拡散してｎ+ 層３（基板コンタクト用）を形成し、さ
らに、酸化膜７の窓あけ・ホウ素拡散により、ｐ+ 層４
（抵抗層コンタクト用）を形成する(c) 。
結晶基板〔ｎ型（１００）：２−３Ω・cm〕１の表面を
覆う酸化膜（Ｓｉ０2 ）７に窓あけを行った後に、リン
を拡散してｎ+ 層３（基板コンタクト用）を形成し、さ
らに、酸化膜７の窓あけ・ホウ素拡散により、ｐ+ 層４
（抵抗層コンタクト用）を形成する(c) 。
【００１１】次いで、酸化膜７を除去した後、(d) に示
すように、抵抗層を形成する領域に相応する部分以外を
フォトレジスト膜８で覆った状態で、ホウ素イオン注入
（１ＭｅＶ，ドーズ量6.5 ×1013/cm2）を行って、基板
１とは異なる導電型ｐの埋め込み抵抗層２を形成し(d)
、この後さらに、埋め込み抵抗層２の形成領域に相応
する部分以外をフォトレジスト膜８で覆った状態で、リ
ンイオン注入（ 50keV，ドーズ量１×1012/cm2）を行っ
た後(e) 、温度1000℃で30min の熱処理を施す。なお、
この図１(e) のリンイオン注入工程は省略してもよく、
その場合であっても、後述するように表面電界による影
響の低減効果は充分に得ることができる。
すように、抵抗層を形成する領域に相応する部分以外を
フォトレジスト膜８で覆った状態で、ホウ素イオン注入
（１ＭｅＶ，ドーズ量6.5 ×1013/cm2）を行って、基板
１とは異なる導電型ｐの埋め込み抵抗層２を形成し(d)
、この後さらに、埋め込み抵抗層２の形成領域に相応
する部分以外をフォトレジスト膜８で覆った状態で、リ
ンイオン注入（ 50keV，ドーズ量１×1012/cm2）を行っ
た後(e) 、温度1000℃で30min の熱処理を施す。なお、
この図１(e) のリンイオン注入工程は省略してもよく、
その場合であっても、後述するように表面電界による影
響の低減効果は充分に得ることができる。
【００１２】そして、フォトレジスト膜８を除去し酸化
膜（Ｓｉ０2 ）９を形成した後、各コンタクト層３，４
に対応する位置にコンタクトホールを形成し(f) 、この
状態で、アルミニウムを蒸着するとともに、そのパター
ニングを行って各層３，４に導通する電極５，６を形成
し(g) 、この後にシンタリングを施す。
膜（Ｓｉ０2 ）９を形成した後、各コンタクト層３，４
に対応する位置にコンタクトホールを形成し(f) 、この
状態で、アルミニウムを蒸着するとともに、そのパター
ニングを行って各層３，４に導通する電極５，６を形成
し(g) 、この後にシンタリングを施す。
【００１３】ここで、以上の(a) 〜(g) 工程により作製
したデバイスのキャリア濃度分布を測定したところ、図
２に示すように、基板表面層の導電型（ｎ型）は残した
ままの状態（低濃度）で、その表面から深さ約 1.8μｍ
の位置をピークとする高濃度の抵抗層（ｐ型）が得られ
ることが確認できた。
したデバイスのキャリア濃度分布を測定したところ、図
２に示すように、基板表面層の導電型（ｎ型）は残した
ままの状態（低濃度）で、その表面から深さ約 1.8μｍ
の位置をピークとする高濃度の抵抗層（ｐ型）が得られ
ることが確認できた。
【００１４】また、以上の工程により、図３(a) に示す
形状寸法のテストデバイスを作製するとともに、先の図
１０(a) で説明した表面拡散法により、図３(a) と同一
の形状寸法のテストデバイスを作製して、これらのテス
トデバイスのゲート電極に電圧を印加し、抵抗層に模擬
的に外部電界をかけて、ゲート電圧に対する抵抗値変化
を測定したところ〔図３(b) の測定回路参照〕、図４の
線図に示すように、高エネルギイオン注入による埋め込
み抵抗層が、表面拡散抵抗層に比して外部電界の影響を
受け難く安定であることが確認できた。
形状寸法のテストデバイスを作製するとともに、先の図
１０(a) で説明した表面拡散法により、図３(a) と同一
の形状寸法のテストデバイスを作製して、これらのテス
トデバイスのゲート電極に電圧を印加し、抵抗層に模擬
的に外部電界をかけて、ゲート電圧に対する抵抗値変化
を測定したところ〔図３(b) の測定回路参照〕、図４の
線図に示すように、高エネルギイオン注入による埋め込
み抵抗層が、表面拡散抵抗層に比して外部電界の影響を
受け難く安定であることが確認できた。
【００１５】さらに、図１に示した工程(e) のリンイオ
ン注入を行わずにテストデバイスを作製し、先と同様な
測定したところ、この場合も外部電界の影響を受け難く
いことが確認できた（図４参照）。従って、リンイオン
注入工程を省略して、１ＭｅＶのホウ素イオン注入を行
うだけでも、充分な特性つまり外部電界による抵抗値の
変動が少ない埋め込み抵抗層を得ることは可能である。
ン注入を行わずにテストデバイスを作製し、先と同様な
測定したところ、この場合も外部電界の影響を受け難く
いことが確認できた（図４参照）。従って、リンイオン
注入工程を省略して、１ＭｅＶのホウ素イオン注入を行
うだけでも、充分な特性つまり外部電界による抵抗値の
変動が少ない埋め込み抵抗層を得ることは可能である。
【００１６】一方、図５に示す線図は、高エネルギイオ
ン注入による埋め込み抵抗層と、先の図１０(b) で示し
た二重拡散による埋め込み抵抗層について、逆バイアス
時のリーク電流を比較したもので、この図から明らかな
ように、高エネルギイオン注入による埋め込み抵抗層の
方が、ブレークダウン耐圧が高く、リーク電流が小さい
ことがわかる。
ン注入による埋め込み抵抗層と、先の図１０(b) で示し
た二重拡散による埋め込み抵抗層について、逆バイアス
時のリーク電流を比較したもので、この図から明らかな
ように、高エネルギイオン注入による埋め込み抵抗層の
方が、ブレークダウン耐圧が高く、リーク電流が小さい
ことがわかる。
【００１７】次に、高エネルギイオン注入による埋め込
み抵抗層をフローセンサに適用した例を、以下、図面に
基づいて説明する。図７，図８はフローセンサの構成図
で、その各図の(a) および(b) はそれぞれ斜視図および
縦断面図を示している。なお、各図(a) では、上下のガ
ラス２０１・・２０４を接合する前の状態を示している。
み抵抗層をフローセンサに適用した例を、以下、図面に
基づいて説明する。図７，図８はフローセンサの構成図
で、その各図の(a) および(b) はそれぞれ斜視図および
縦断面図を示している。なお、各図(a) では、上下のガ
ラス２０１・・２０４を接合する前の状態を示している。
【００１８】まず、図７に示す構造のものは差圧型フロ
ーセンサであって、ガラス２０１−シリコン部１１０−
ガラス２０２の３層構造となっており、そのシリコン部
１１０は、中央にオリフィス１１１が形成されたセンタ
ーダイアフラム１１２と、このダイアフラムを囲むメサ
１１３と、メサとフレームとを連結するアーム１１４
と、メサの外側のアウターダイアフラム１１５によって
構成されている。そしてこの構造のセンサでは流体がオ
リフィス１１１を通過することにより生じる差圧によっ
てメサ１１３およびアーム１１４が変形し、この変形量
がアーム根元に形成された埋め込みピエゾ抵抗１０２に
よって検出される。
ーセンサであって、ガラス２０１−シリコン部１１０−
ガラス２０２の３層構造となっており、そのシリコン部
１１０は、中央にオリフィス１１１が形成されたセンタ
ーダイアフラム１１２と、このダイアフラムを囲むメサ
１１３と、メサとフレームとを連結するアーム１１４
と、メサの外側のアウターダイアフラム１１５によって
構成されている。そしてこの構造のセンサでは流体がオ
リフィス１１１を通過することにより生じる差圧によっ
てメサ１１３およびアーム１１４が変形し、この変形量
がアーム根元に形成された埋め込みピエゾ抵抗１０２に
よって検出される。
【００１９】一方、図８に示した構造のものは、ドラッ
グ力型フローセンサであって、流体の流れによるドラッ
グ力で片持ち梁１２３が変形し、その変形量が片持ち梁
１２３の根元に形成された埋め込みピエゾ抵抗１２２に
よって検出される。また、このフローセンサも、ガラス
２０３−シリコン部１２０−ガラス２０４によって構成
される３層構造となっている。
グ力型フローセンサであって、流体の流れによるドラッ
グ力で片持ち梁１２３が変形し、その変形量が片持ち梁
１２３の根元に形成された埋め込みピエゾ抵抗１２２に
よって検出される。また、このフローセンサも、ガラス
２０３−シリコン部１２０−ガラス２０４によって構成
される３層構造となっている。
【００２０】なお、図７(a) および図８(a) において、
フレーム側に形成されている埋め込み抵抗層１１６およ
び１２６は、それぞれ温度補償用抵抗である。次に、図
７に示した差圧型フローセンサを作製する手順の例を、
以下、図６を参照して説明する。
フレーム側に形成されている埋め込み抵抗層１１６およ
び１２６は、それぞれ温度補償用抵抗である。次に、図
７に示した差圧型フローセンサを作製する手順の例を、
以下、図６を参照して説明する。
【００２１】まず、(a) に示すように、シリコン単結晶
基板〔ｎ型（１００）：２−３Ω・cm〕１０１の表側
で、ダイアフラムを形成する領域に相応する部分を、例
えばＫＯＨをエッチャントとして異方性エッチングす
る。次いで、酸化膜１０７の窓あけ・リン拡散によりｎ
+ 層１０３（基板コンタクト用）を形成し、さらに、酸
化膜１０７の窓あけ・ホウ素Ｂ拡散によりｐ+ 層１０４
（抵抗層コンタクト用）を形成する(b) 。
基板〔ｎ型（１００）：２−３Ω・cm〕１０１の表側
で、ダイアフラムを形成する領域に相応する部分を、例
えばＫＯＨをエッチャントとして異方性エッチングす
る。次いで、酸化膜１０７の窓あけ・リン拡散によりｎ
+ 層１０３（基板コンタクト用）を形成し、さらに、酸
化膜１０７の窓あけ・ホウ素Ｂ拡散によりｐ+ 層１０４
（抵抗層コンタクト用）を形成する(b) 。
【００２２】次に、(c) に示すように抵抗層を形成する
領域に相応する部分以外をフォトレジスト膜１０８で覆
った状態で、ホウ素イオン注入（１ＭｅＶ，ドーズ量
6.5×1013/cm2）を行って、基板１０１とは異なる導電
型ｐの埋め込み抵抗層１０２を形成する。この後、基板
１０１の表側と裏側にエッチング保護膜（例えばＳｉ3
Ｎ4 ）１０９を形成した状態で、基板裏側から、異方性
エッチング（例えばＫＯＨによるエッチング）を行っ
て、ダイアフラム１１２，１１５およびオリフィス１１
１を形成する(d) 。
領域に相応する部分以外をフォトレジスト膜１０８で覆
った状態で、ホウ素イオン注入（１ＭｅＶ，ドーズ量
6.5×1013/cm2）を行って、基板１０１とは異なる導電
型ｐの埋め込み抵抗層１０２を形成する。この後、基板
１０１の表側と裏側にエッチング保護膜（例えばＳｉ3
Ｎ4 ）１０９を形成した状態で、基板裏側から、異方性
エッチング（例えばＫＯＨによるエッチング）を行っ
て、ダイアフラム１１２，１１５およびオリフィス１１
１を形成する(d) 。
【００２３】そして、各コンタクト層１０３，１０４に
対応する位置にコンタクトホールを形成し、次いで、ア
ルミニウム蒸着とそのパターニングを行って各層１０
３，１０４に導通する電極１０５，１０６を形成し(e)
、最後に、工程(f) に示すガラス接合を行う。このガ
ラス接合は、基板１０１とガラス２０１，２０２とを、
ドライフィルム３０１，３０２を挟んで相互に重ね合わ
せ、この状態で、加圧（〜数100g）しつつ、 150℃で30
min の加熱（大気中）を行うといった方法を採用する。
対応する位置にコンタクトホールを形成し、次いで、ア
ルミニウム蒸着とそのパターニングを行って各層１０
３，１０４に導通する電極１０５，１０６を形成し(e)
、最後に、工程(f) に示すガラス接合を行う。このガ
ラス接合は、基板１０１とガラス２０１，２０２とを、
ドライフィルム３０１，３０２を挟んで相互に重ね合わ
せ、この状態で、加圧（〜数100g）しつつ、 150℃で30
min の加熱（大気中）を行うといった方法を採用する。
【００２４】なお、ドラッグ力型フローセンサ（図８の
構造）については、差圧型フローセンサのダイアフラム
の作製手順などが異なるだけで、ピエゾ抵抗１２２の形
成は先の図６(c) に示した工程と同等な手順を採用すれ
ばよいので、その説明は省略する。
構造）については、差圧型フローセンサのダイアフラム
の作製手順などが異なるだけで、ピエゾ抵抗１２２の形
成は先の図６(c) に示した工程と同等な手順を採用すれ
ばよいので、その説明は省略する。
【００２５】ここで、本発明実施例の差圧型フローセン
サとドラッグ力型フローセンサについて、流体として液
体を用いて性能を検査したところ、図９〔(a):差圧型〕
および同図〔(b):ドラッグ型〕に示す流量−出力特性を
得た。この図９から明らかなように、高エネルギイオン
注入による埋め込み抵抗層は、外部電界による抵抗値変
動を受け難く、不純物イオンなどが存在する環境（例え
ば液体中）でも安定に動作することが確認できた。な
お、この例でのフローセンサは、液体の測定のみに限ら
れることなく、気体の流量測定にも適用することができ
る。
サとドラッグ力型フローセンサについて、流体として液
体を用いて性能を検査したところ、図９〔(a):差圧型〕
および同図〔(b):ドラッグ型〕に示す流量−出力特性を
得た。この図９から明らかなように、高エネルギイオン
注入による埋め込み抵抗層は、外部電界による抵抗値変
動を受け難く、不純物イオンなどが存在する環境（例え
ば液体中）でも安定に動作することが確認できた。な
お、この例でのフローセンサは、液体の測定のみに限ら
れることなく、気体の流量測定にも適用することができ
る。
【００２６】また、本発明において、イオン注入のエネ
ルギ，ドーズ量およびイオン種ならびに熱処理時の温度
・時間等の諸条件は、上記の実施例に限定されず、埋め
込み抵抗層の形成が可能な範囲であれば任意に変更でき
る。
ルギ，ドーズ量およびイオン種ならびに熱処理時の温度
・時間等の諸条件は、上記の実施例に限定されず、埋め
込み抵抗層の形成が可能な範囲であれば任意に変更でき
る。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明方法によれ
ば、基板表面の導電型を残したままの状態で、この基板
中に埋め込み抵抗層を形成できるので、ピエゾ抵抗層上
に保護膜を形成しなくても、表面電界による抵抗値の変
動が少なく常に安定して動作するピエゾ抵抗素子を実現
できる。従って、圧力センサや流量センサを製作するに
あたり、その構造上の自由度が増す。また、埋め込み抵
抗層の上層の濃度を低く抑えることができるので、二重
拡散による埋め込み抵抗層に比して、ブレークダウン耐
圧が高くてリーク電流が小さいといった優れた特性をも
つピエゾ抵抗素子を得ることができる。
ば、基板表面の導電型を残したままの状態で、この基板
中に埋め込み抵抗層を形成できるので、ピエゾ抵抗層上
に保護膜を形成しなくても、表面電界による抵抗値の変
動が少なく常に安定して動作するピエゾ抵抗素子を実現
できる。従って、圧力センサや流量センサを製作するに
あたり、その構造上の自由度が増す。また、埋め込み抵
抗層の上層の濃度を低く抑えることができるので、二重
拡散による埋め込み抵抗層に比して、ブレークダウン耐
圧が高くてリーク電流が小さいといった優れた特性をも
つピエゾ抵抗素子を得ることができる。
【図１】本発明方法の実施例の手順を説明する図
【図２】その実施例で得られた埋め込み抵抗層のキャリ
ア濃度分布の例を示す線図
ア濃度分布の例を示す線図
【図３】テストデバイスの形状と、その測定系の等価回
路を併記して示す図
路を併記して示す図
【図４】抵抗層の外部電界に対する影響を示す特性線図
で、高エネルギイオン注入による埋め込み抵抗と表面拡
散型抵抗とを比較して示す図
で、高エネルギイオン注入による埋め込み抵抗と表面拡
散型抵抗とを比較して示す図
【図５】抵抗層のリーク電流の特性線図で、高エネルギ
イオン注入による埋め込み抵抗と二重拡散型抵抗とを比
較して示す図
イオン注入による埋め込み抵抗と二重拡散型抵抗とを比
較して示す図
【図６】本発明方法を差圧型フローセンサの作製に適用
した実施例の手順を説明する図
した実施例の手順を説明する図
【図７】差圧型フローセンサの構造例を示す図
【図８】ドラッグ力型フローセンサの構造例を示す図
【図９】本発明方法で得られた差圧型フローセンサとド
ラッグ力型フローセンサの各流量−センサ出力の特性を
示す線図
ラッグ力型フローセンサの各流量−センサ出力の特性を
示す線図
【図１０】ピエゾ抵抗素子の従来の製造方法の例を説明
する図
する図
１，１０１ シリコン単結晶基板 ２，１０２ 埋め込み抵抗層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/822
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板にピエゾ抵抗層が形成された
構造の素子を作製する方法であって、半導体基板に、そ
の基板表面層の導電型を残したままの状態で当該半導体
基板とは異なる導電型のドーパント層を埋め込むことが
可能なエネルギで、イオンを打ち込むことによって上記
抵抗層を形成することを特徴とするピエゾ抵抗素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5273527A JPH07131035A (ja) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | ピエゾ抵抗素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5273527A JPH07131035A (ja) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | ピエゾ抵抗素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07131035A true JPH07131035A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17529097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5273527A Pending JPH07131035A (ja) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | ピエゾ抵抗素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07131035A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1993
- 1993-11-01 JP JP5273527A patent/JPH07131035A/ja active Pending
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